JP2012237994A5 - - Google Patents

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  1. 支持体、弾性層および表面層を有している帯電部材であって、
    該表面層は、
    Si−O−M結合およびSi−O−Ta結合から選ばれる少なくとも一方の結合、
    M−O−Ge結合およびTa−O−Ge結合から選ばれる少なくとも一方の結合、並びに、
    Si−O−Ge結合、を有している高分子化合物を含み、
    該高分子化合物は、
    下記式(1)で示される構成単位と、
    下記式(2)で示される構成単位と、
    下記式(3)で示される構成単位および下記式(4)で示される構成単位から選ばれる少なくとも一方の構成単位と、を有し、
    該帯電部材は、その表面から該弾性層に至る亀裂を有し、該亀裂はその縁部が凸状に盛り上がり、それによって該帯電部材は、該表面が粗面にされていることを特徴とする帯電部材:
    Figure 2012237994
    [式(1)中、RおよびRは、各々独立に下記式(5)〜(8)のいずれかを示す;
    Figure 2012237994
    Figure 2012237994
    Figure 2012237994
    Figure 2012237994
    [式(5)〜(8)中、R〜R、R10〜R14、R19、R20、R25およびR26は、各々独立に水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、水酸基、カルボキシル基またはアミノ基を示す。R、R、R15〜R18、R23、R24およびR29〜R32は、各々独立に水素原子または炭素数1以上4以下のアルキル基を示す。R21、R22、R27およびR28は、各々独立に水素原子、炭素数1以上4以下のアルコキシル基、または炭素数1以上4以下のアルキル基を示す。n、m、l、q、sおよびtは、各々独立に1以上8以下の整数を示す。pおよびrは、各々独立に4以上12以下の整数を示す。xおよびyは、各々独立に0または1を示す。「*」および「**」は、各々、式(1)中のケイ素原子および酸素原子との結合位置を示す。]]、
    Figure 2012237994
    [式(3)中、Mは、Ti、ZrおよびHfの群から選ばれるいずれかの元素を表す。]。
  2. 前記高分子化合物において、前記式(1)中のR及びRが、各々独立に下記式(9)〜(12)のいずれかで示される請求項1に記載の帯電部材:
    Figure 2012237994
    Figure 2012237994
    Figure 2012237994
    Figure 2012237994
    [式(9)〜(12)中、N、M、L、Q、SおよびTは、各々独立に1以上8以下の整数を示す。x’およびy’は、各々独立に0または1を示す。「*」および「**」は、各々式(1)中のケイ素原子および酸素原子との結合位置を示す。]。
  3. 前記高分子化合物における、M、TaおよびGeの総和とケイ素の原子数比(M+Ta+Ge)/Siが0.10以上12.50以下である請求項1または2に記載の帯電部材。
  4. 前記帯電部材の表面粗さRzが、5μm以上25μm以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載の帯電部材。
  5. 前記高分子化合物が、
    下記式(13)で示される構造を有する加水分解性化合物、
    下記式(14)〜(17)で示される構造を有する加水分解性化合物の少なくとも1種、及び
    下記式(18)で示される加水分解性化合物、の架橋物である請求項1〜4のいずれか1項に記載の帯電部材:
    Figure 2012237994
    [式(13)中、R33は、下記式(19)〜(22)のいずれかを示し、R34〜R36は、各々独立に炭素数1〜4のアルキル基を示す。
    式(14)〜(18)中、R37〜R57は、各々独立に炭素数1〜9のアルキル基を示す;
    Figure 2012237994
    Figure 2012237994
    Figure 2012237994
    Figure 2012237994
    [式(19)〜(22)中、R58〜R60、R63〜R65、R70、R71、R76およびR77は、各々独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、水酸基、カルボキシル基またはアミノ基を示す。R61、R62、R66〜R69、R74、R75およびR80〜R83は、各々独立に水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を示す。R72、R73、R78およびR79は、各々独立に水素原子、炭素数1以上4以下のアルコキシル基または炭素数1以上4以下のアルキル基を示す。n’、m’、l’、q’、s’およびt’は、各々独立に1以上8以下の整数を示す。p’およびr’は、各々独立に4以上12以下の整数を示す。また、「*」は、式(13)中のケイ素原子との結合位置を示す。]]。
  6. 前記高分子化合物が、
    下記式(13)で示される構造を有する加水分解性化合物と、
    下記式(14)〜(17)で示される構造を有する加水分解性化合物の少なくとも1種、
    下記式(18)で示される加水分解性化合物、及び
    下記式(23)で示される構造を有する加水分解性化合物、の架橋物である請求項1〜4のいずれか一項に記載の帯電部材:
    Figure 2012237994
    [式(13)中、R 33 は、下記式(19)〜(22)のいずれかを示し、R 34 〜R 36 は、各々独立に炭素数1〜4のアルキル基を示す。
    式(14)〜(18)中、R 37 〜R 57 は、各々独立に炭素数1〜9のアルキル基を示す;
    Figure 2012237994
    Figure 2012237994
    Figure 2012237994
    Figure 2012237994
    [式(19)〜(22)中、R 58 〜R 60 、R 63 〜R 65 、R 70 、R 71 、R 76 およびR 77 は、各々独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、水酸基、カルボキシル基またはアミノ基を示す。R 61 、R 62 、R 66 〜R 69 、R 74 、R 75 およびR 80 〜R 83 は、各々独立に水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を示す。R 72 、R 73 、R 78 およびR 79 は、各々独立に水素原子、炭素数1以上4以下のアルコキシル基または炭素数1以上4以下のアルキル基を示す。n’、m’、l’、q’、s’およびt’は、各々独立に1以上8以下の整数を示す。p’およびr’は、各々独立に4以上12以下の整数を示す。また、「*」は、式(13)中のケイ素原子との結合位置を示す。]]。
    Figure 2012237994
    [式(23)中、R84は、アルキル基またはアリール基を示し、R85〜R87は、各々独立に炭化水素基を示す。]。
  7. 請求項5に記載の帯電部材の製造方法であって、
    (i)前記式(13)で示される加水分解性化合物と、前記式(14)〜(17)で示される加水分解性化合物の少なくとも1種と、前記式(18)で示される加水分解性化合物とから合成される加水分解縮合物を含むコーティング剤の塗膜を、支持体の外周に配置された弾性層の外周に形成する工程と、
    (ii)該加水分解縮合物のエポキシ基を開裂させて、該加水分解縮合物を架橋させて前記高分子化合物を製造する工程とを有し、
    該工程(ii)において前記塗膜が硬化収縮して亀裂を有する表面層を生成させることを特徴とする帯電部材の製造方法。
  8. 請求項6に記載の帯電部材の製造方法であって、
    (i)前記式(13)で示される加水分解性化合物と、前記式(23)で示される加水分解性化合物と、前記式(14)〜(17)で示される加水分解性化合物の少なくとも1種と、前記式(18)で示される加水分解性化合物とから合成される加水分解縮合物を含むコーティング剤の塗膜を、支持体の外周に配置された弾性層の外周に形成する工程と、
    (ii)該加水分解縮合物のエポキシ基を開裂させることにより、該加水分解縮合物を架橋させて前記高分子化合物を製造する工程とを有し、
    該工程(ii)において前記塗膜が硬化収縮して亀裂を有する表面層を生成させることを特徴とする帯電部材の製造方法。
  9. 電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電可能に配置されている帯電部材とを有する電子写真装置であって、該帯電部材が、請求項1〜6のいずれか一項に記載の帯電部材であることを特徴とする電子写真装置。
  10. 電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電部材とを有し、電子写真装置の本体に着脱可能に構成されているプロセスカートリッジであって、該帯電部材が、請求項1〜6のいずれか一項に記載の帯電部材であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
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