JP2012204409A - フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 実施形態に係るフォトマスクの製造方法は、マスクパターンが形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを用意する工程S12と、マスクパターンが形成された領域の周囲の領域に選択的に遮光材を塗布して遮光枠を形成する工程S15とを備える。
【選択図】図1
Description
14…吸収層 15…導電膜 21…EBレジスト
22…マスクパターン 31…遮光枠形成領域
32…ノズル 33…遮光材(遮光枠)
Claims (7)
- マスクパターンが形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを用意する工程と、
前記マスクパターンが形成された領域の周囲の領域に選択的に遮光材を塗布して遮光枠を形成する工程と、
を備えたことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 前記遮光材を塗布する工程の前に、
前記遮光枠のレイアウトデータを取得する工程と、
前記レイアウトデータに基づいて、前記遮光材を塗布すべき領域の位置制御情報を生成する工程と、
をさらに備え、
前記遮光材は、前記位置制御情報に基づいて塗布される
ことを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記遮光材は、インクジェット法によって塗布される
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記遮光材は、金属粒子を含有している
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記金属粒子は、露光光の波長に対する反射率が0.5%以下である
ことを特徴とする請求項4に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記金属粒子は、露光光の波長に対する透過率が0.5%以下である
ことを特徴とする請求項4に記載のフォトマスクの製造方法。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載された方法によって製造されたフォトマスクを用意する工程と、
前記フォトマスクに形成されたマスクパターンを半導体基板上に転写する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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