JP2012186434A - 固体撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】フレアやゴーストの発生を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、レンズにより取り込まれた光を光電変換するCMOSイメージセンサと、レンズからCMOSイメージセンサに入射する光の一部を遮光する遮光部材とを備え、遮光部材の縁面の、レンズの光軸方向に対してなす角度は、遮光部材の縁部に入射する光の入射角より大きく設計されている。本技術は、例えば、カメラ付き携帯電話機に搭載されるカメラモジュールに適用することができる。
【選択図】図4

Description

本技術は、固体撮像装置に関し、特に、フレアやゴーストの発生を抑制することができるようにする固体撮像装置に関する。
近年、固体撮像装置におけるイメージセンサについても、他の半導体チップと同様、先端プロセスが導入されることで、チップシュリンクが進む傾向にある。これに伴い、例えば、イメージセンサと基板とがワイヤボンディングによって接続される固体撮像装置を設計する際には、イメージセンサにおいて、ボンディングパッドをレンズ有効径内に配置するように設計することも考えられる。
しかしながら、このような場合、レンズから入射した光が、ボンディングパッドに接続されているワイヤ(金線)表面に反射し、イメージセンサ上の受光面に入り込むことにより、フレアやゴーストが発生する恐れがあった。
これに対して、レンズからの光のうちの、イメージセンサ上に配置されているボンディングパッド近辺に入射される光を遮光する遮光部材を設けるようにした固体撮像装置が提案されている(例えば、特許文献1)。
これによって、レンズから入射した光が、ボンディングパッドに接続されている金線表面に反射し、イメージセンサ上の受光面に入り込むことにより発生するフレアやゴーストを抑制することができるようになった。
特開2006−222249号公報
ところで、固体撮像装置の製造工程において、イメージセンサに対する遮光部材の位置は、設計上の位置に対して所定のばらつきを含んでいる。
例えば、図1の左側に示されるように、イメージセンサ1の受光面1aの端部と、IRCF(Infrared Ray Cut Filter)4のイメージセンサ1側の面に貼りつけられている遮光部材3の開口部の縁部との距離がd1である場合、図中、太矢印で表わされる入射光は、遮光部材3によって遮光され、金線2に到達することはない。また、入射光が遮光部材3の開口部の縁面で反射した場合であっても、その反射光は、イメージセンサ1上の受光面1aに到達することはない。なお、図中、太矢印で表わされる入射光は、図示せぬレンズからの入射光のうち、イメージセンサ1への入射角が最も大きい入射光であるものとする。また、遮光部材3の開口部の縁面は、レンズの光軸方向(図中、上から下へ向かう方向)に対して平行であるものとする。
一方、図1の右側に示されるように、イメージセンサ1の受光面1aの端部と、遮光部材3の開口部の縁部との距離がd2である場合、図中、太矢印で表わされる入射光は、遮光部材3によって遮光され、金線2に到達することはない。しかしながら、入射光が遮光部材3の開口部の縁面で反射した場合、その反射光は、イメージセンサ1上の受光面1aに入り込んでしまう。
この場合、ボンディングパッドに接続されている金線2表面からの反射光によって発生するフレアやゴーストを抑制することはできるが、遮光部材3の開口部の縁面からの反射光によって、フレアやゴーストが発生してしまう。
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、フレアやゴーストの発生を抑制することができるようにするものである。
本技術の一側面の固体撮像装置は、レンズにより取り込まれた光を光電変換する固体撮像素子と、前記レンズから固体撮像素子に入射する光の一部を遮光する遮光部材とを備え、前記遮光部材の縁面の、前記レンズの光軸方向に対してなす角度は、前記遮光部材の縁部に入射する光の入射角より大きい。
前記遮光部材の縁面の、前記レンズの光軸方向に対してなす角度は、前記遮光部材の縁部に入射する光のうちの、入射角が最も大きい光の前記入射角より大きくすることができる。
前記固体撮像素子の受光面の周縁部には、基板に接続される金線が接続されるパッドが設けられ、前記パッドは、前記固体撮像素子上の、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わる領域より受光面側には配置されないようにすることができる。
前記固体撮像素子の受光面は、開口部を有する基板の前記開口部から入射される光を受光し、前記開口部の縁面は、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わらないようにすることができる。
前記固体撮像装置には、前記固体撮像素子の受光面上の空隙を封止する封止部材をさらに設け、前記遮光部材は、前記封止部材の前記レンズ側の面または前記固体撮像素子側の面に設けられるようにすることができる。
前記封止部材の側面は、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わらないようにすることができる。
前記遮光部材は、光路上に配置される光学フィルタに1回または複数回、印刷材料が印刷されることで形成されるようにすることができる。
本技術の一側面においては、遮光部材の縁面の、レンズの光軸方向に対してなす角度が、遮光部材の縁部に入射する光の入射角より大きくされる。
本技術の一側面によれば、フレアやゴーストの発生を抑制することが可能となる。
従来の遮光部材の開口部の縁面における反射について説明する図である。 本技術を適用した固体撮像装置の外観構成例を示す図である。 遮光部材の位置とその縁面につけられる角度について説明する図である。 遮光部材の位置とその縁面につけられる角度について説明する図である。 遮光部材の位置とその縁面につけられる角度について説明する図である。 遮光部材形成処理について説明するフローチャートである。 遮光部材としての印刷材料の印刷について説明する図である。 フリップチップ構造の基板の開口部の縁面での反射について説明する図である。 本技術を適用したフリップチップ構造の固体撮像装置の構成例を示す図である。 フリップチップ構造の固体撮像装置の他の構成例を示す図である。 キャビティレス化を図った固体撮像装置の構成例を示す図である。 キャビティレス化を図った固体撮像装置の構成例を示す図である。 キャビティレス化を図った固体撮像装置の構成例を示す図である。 キャビティレス化を図った固体撮像装置の構成例を示す図である。 遮光部材の開口部の縁部周辺が折り曲げられた固体撮像装置の断面図である。 遮光部材の曲げ部上面での入射光の反射の条件について説明する図である。 遮光部材の開口部の縁面での入射光の通過の条件について説明する図である。 遮光部材の開口部の縁面につけられるカット角度の値について説明する図である。 金型による遮光部材形成処理について説明するフローチャートである。 金型による遮光部材の形成について説明する図である。 金型による遮光部材の形成について説明する図である。 金型による遮光部材の形成について説明する図である。 金型による遮光部材の形成について説明する図である。 金型による遮光部材の形成について説明する図である。
以下、本技術の実施の形態について図を参照して説明する。なお、説明は以下に示す順序で行うこととする。
1.ワイヤボンディング構造の固体撮像装置
2.フリップチップ構造の固体撮像装置
3.キャビティレス化を図った固体撮像装置の例
4.金型による遮光部材の形成の例
<1.ワイヤボンディング構造の固体撮像装置>
[固体撮像装置の外観構成]
図2は、本技術を適用した固体撮像装置の一実施の形態の構成を示す図である。
図1の固体撮像装置は、光学センサとしてのCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ10(以下、単に、イメージセンサ10という)、イメージセンサ10と図示せぬ基板とを電気的に接続する金線11、図示せぬ基板に実装される受動部品12、および図示せぬレンズからイメージセンサ10に入射する光の一部を遮光する遮光部材13から構成される。
イメージセンサ10は、光電変換素子を含む単位画素(以下、単に、画素ともいう)が行列状(マトリックス状)に2次元配置されてなる受光面10aを有しており、受光面10aに入射した光量に応じた電荷量を物理量として画素単位で検知する。
イメージセンサ10の受光面10aを除く周縁部には、金線11を接続するための端子であるボンディングパッドが配置されており、ワイヤボンディングによって、ボンディングパッドに接続された金線11と図示せぬ基板とが接続される。
なお、イメージセンサ10においては、ボンディングパッドの少なくとも一部が、図示せぬレンズの有効径内に配置されているものとする。
遮光部材13は、所定の厚さをもち、黒色に着色されたフィルムからなり、図示せぬレンズからイメージセンサ10の受光面10aに入射する入射光を通過させる開口部を有する。遮光部材13は、レンズとイメージセンサ10との間の光路上に配置され、例えば、図3乃至5に示されるように、赤外線吸収材料を有する光学フィルタであるIRCF(Infrared Ray Cut Filter)31のイメージセンサ10側の面に貼りつけられる。これは、遮光部材13を、IRCF31のレンズ側(図中上側)の面に貼りつけた場合、レンズからの入射光がIRCF31の下面(イメージセンサ10側の面)で反射して迷光となり、フレアやゴーストの発生を引き起こす恐れがあることによる。
レンズからの入射光の大半は、遮光部材13の開口部からイメージセンサ10の受光面10aに入射されるが、レンズからの入射光のうちの、イメージセンサ10の周縁部に配置されているボンディングパッド近辺に入射される入射光は、遮光部材13によって遮光されるようになされている。
これによって、レンズからの入射光が、ボンディングパッド近辺の金線11表面で反射し、イメージセンサ10上の受光面10aに入り込むことにより発生するフレアやゴーストを抑制することができるようになる。
さらに、遮光部材13の開口部の縁面には、レンズの光軸方向に対して所定の角度がつけられており、遮光部材13の開口部の縁部に入射される入射光を、その縁面で反射させずに通過させるようになされている。遮光部材13の開口部の縁面につけられる角度は、遮光部材13としてのフィルムを金型により成形することで得られる。
[遮光部材の位置と縁面につけられる角度について]
ここで、図3乃至5を参照して、イメージセンサ10に対する遮光部材13の位置と、遮光部材13の開口部の縁面につけられる角度について説明する。なお、以下においては、遮光部材13の開口部の縁面を、適宜、単に、遮光部材13の縁面ということとする。
イメージセンサ10に対する遮光部材13の位置は、所定のばらつきを含んでいるが、そのばらつきは、ある一定の範囲に抑えられるように製造される。図3乃至5において示される曲線は、遮光部材13の縁部(縁面)の位置のばらつきを示した分布曲線である。すなわち、図4に示される遮光部材13の位置は、設計上の位置を示し、図3および図5で示される遮光部材13の位置は、設計上の位置から最大誤差σ分ずれた位置を示している。
イメージセンサ10の受光面10aに対して、レンズからの主光線がある入射角(CRA:Chief Ray Angle)で入射される場合、その主光線に対応する上光線および下光線もまた、それぞれの入射角で入射される。
図3においては、受光面10aの端部に入射される主光線に対応する上光線が、遮光部材13に遮光されないようになされており、受光面10aには、主光線と、その主光線に対応する上光線および下光線がもれなく入射される。
また、図5においては、遮光部材13に遮光されずに通過した下光線が、金線11で反射されないようになされている。
すなわち、イメージセンサ10に対する遮光部材13の位置は、遮光部材13の開口部の縁部において、受光面10aに主光線とその主光線に対応する上光線および下光線がもれなく入射され、かつ、下光線がボンディングパッド(金線11)に入射されない位置となる。
また、主光線、上光線、および下光線のうち、最も入射角の大きい下光線が遮光部材13の開口部の縁部を通過するように、遮光部材13の縁面にレンズの光軸方向に対して角度をつければ、遮光部材13の縁面で入射光が反射することはない。すなわち、遮光部材13の縁面の、レンズの光軸方向に対してなす角度(以下、縁面角度という)は、遮光部材13の開口部の縁部に入射する下光線の入射角より大きい角度となればよい。
すなわち、図5に示されるように、縁面角度をθMとし、下光線の入射角をθLとすると、θM>θLを満たせばよい。また、下光線の入射角θLは、上光線の入射角θU、受光面10aの端部とボンディングパッドとの距離D、IRCF31とイメージセンサ10表面との距離(ギャップ長)Gを用いれば、以下の式(1)のように表される。
θL=arctan[tanθU+{(D−2σ)/G}] ・・・(1)
したがって、縁面角度θMは、以下の式(2)を満たすように与えられる。
θM>arctan[tanθU+{(D−2σ)/G}] ・・・(2)
具体的には、例えば、主光線のCRAが30°である場合、その主光線に対応する上光線および下光線の入射角は、CRAの±10°程度とされるので、マージンをとって、縁面角度を50°とすれば、遮光部材13の縁面で下光線が反射することはない。
さらに、上述したように、遮光部材13の開口部の縁部を通過した下光線は、ボンディングパッドに接続されている金線11表面には入射されない。言い換えれば、金線11を接続するためのボンディングパッドは、イメージセンサ10上の、遮光部材13の縁面の仮想延長面と交わる領域より受光面10a側には配置されないように設計されている。
以上の構成によれば、遮光部材13の縁面で入射光が反射することはなくなるので、遮光部材13の縁面からの反射光によるフレアやゴーストの発生を抑制することが可能となる。
また、遮光部材13の開口部の縁部を通過した下光線が、ボンディングパッドに接続されている金線11表面に反射することはないので、金線11表面からの反射光によるフレアやゴーストの発生を抑制することもできる。
特に、裏面受光型のイメージセンサにおいては、主光線のCRAが大きくなるとともに、下光線の入射角も大きくなるが、下光線の入射角に応じて遮光部材13の縁面を形成することで、フレアやゴーストの発生を抑制することが可能となる。
このように、イメージセンサ10において、ボンディングパッドの少なくとも一部をレンズの有効径内に配置しても、フレアやゴーストの発生を抑制することが可能となるので、イメージセンサ10のチップサイズを小さくすることができる。これにより、理収を高めることができ、チップ1個当たりのコストを低減することができるようになる。
また、イメージセンサ10において、ボンディングパッドを受光面10aの近傍に配置することができるので、イメージセンサ10の周辺回路の規模をも小さくすることが可能になり、半導体チップのプロセス世代を進めることが可能となる。その結果、消費電力の低減や、動作速度の向上に対応したイメージセンサを提供することが可能となる。
さらに、イメージセンサ10のチップサイズを小さくすることができるので、イメージセンサ10を備えるカメラモジュールのサイズも小さくすることができ、特に小型化の要求があるカメラ付き携帯電話機等に適用することが可能となる。
[遮光部材の材料]
なお、以上においては、遮光部材13は、黒色に着色されたフィルムから形成されるものとしたが、他の材料から形成することもできる。
具体的には、例えば、遮光部材13は、IRCF31に印刷材料を印刷することで形成されるようにしてもよい。印刷材料は、例えば、カーボンフィラーや染料等で黒色化したエポキシ樹脂やアクリル樹脂、エポキシ−アクリル混合型の樹脂等であり、UV硬化性や熱硬化性を有するものとされる。また、印刷材料は、常温硬化性を有する樹脂であってもよい。このような印刷材料の印刷方式としては、スクリーン印刷方式やインクジェット印刷方式が適用される。
[印刷による遮光部材の形成処理]
ここで、図6のフローチャートを参照して、印刷による遮光部材13の形成処理について説明する。
ステップS11において、IRCF31に印刷材料が印刷される。ステップS12においては、膜厚が十分であるか否かが判定される。ステップS12において、膜厚が十分でないと判定された場合、印刷された印刷材料が硬化された後、ステップS11に戻り、再度、印刷材料が印刷される。
一方、ステップS12において、膜厚が十分であると判定された場合、印刷された印刷材料が硬化された後、処理が終了する。
印刷材料がUV硬化性を有する印刷材料の場合、1回の印刷で10μm程度の膜厚となるので、3,4回の印刷で50μm程度の膜厚の遮光部材13を得ることが可能となる。
また、遮光部材13が液体状の印刷材料である場合、遮光部材13の縁面角度は、IRCF31の濡れ性によって決まる印刷材料の接触角として得られ、その断面は、図7に示されるようになる。なお、縁面角度を、複数回の印刷における印刷材料の重ね方によって得るようにしてもよい。
さらに、例えば、遮光部材13は、IRCF31に薄膜を蒸着することで形成されるようにしてもよい。この場合、蒸着された薄膜に対して開口部をパターニングする際、サイドエッチが入るようにエッチングすることで、遮光部材13が形成される。
以上においては、イメージセンサがワイヤボンディングにより基板に接続(搭載)される固体撮像装置について説明したが、以下においては、フリップチップ構造の固体撮像装置について説明する。
<2.フリップチップ構造の固体撮像装置>
[従来のフリップチップ構造の固体撮像装置]
図8は、従来のフリップチップ構造の固体撮像装置の構成を示す図である。
図8の固体撮像装置においては、CMOSイメージセンサ110(以下、単に、イメージセンサ110という)が、開口部を有する基板111に、バンプ112を介して電気的に接続されている。バンプ112によるイメージセンサ110と基板111との接続部分は、エポキシ樹脂等からなるアンダーフィル(UF)113により封止されている。また、基板111の開口部には、イメージセンサ110の受光面110aの上部を保護するためのシール材としてのシールガラス114が、UV硬化型の接着部材115(図9)によって接着されている。なお、接着部材115は、熱硬化型であってもよい。シールガラス114は、光を透過する透明な材料で形成されており、図中、太矢印で表わされる、図示せぬレンズからの入射光は、シールガラス114を介して、イメージセンサ110の受光面110aに入射される。なお、シールガラス114は、IRCFであってもよい。また、図8に示されるフリップチップ構造の固体撮像装置においては、シールガラス114の受光面110aに対向する面と、受光面110aとの間には空隙が形成されている。
このフリップチップ構造においては、受光面110aと、基板111の開口部およびUF113の縁面と、は、比較的近い位置となる。したがって、シールガラス114を介して入射される入射光のうち、基板111の開口部またはUF113の縁面で反射した反射光が、受光面110aに入り込んでしまい、フレアやゴーストの発生を引き起こす恐れがある。
そこで、図9に示されるように、シールガラス114に遮光部材131を貼りつけることによって、図示せぬレンズからの光のうちの、基板111の開口部およびUF113の縁面に入射される光が、遮光部材131によって遮光されるようにする。
[フリップチップ構造への遮光部材の適用]
図9は、本技術を適用したフリップチップ構造の固体撮像装置の一実施の形態の構成を示す図である。なお、図9は、図8の固体撮像装置において点線の四角枠で囲まれた部分に対応する部分の構成のみを示しており、図9の固体撮像装置において、図8の固体撮像装置と対応する部分については、同一の符号を付している。
図9において、遮光部材131は、所定の厚さをもち、黒色に着色されたフィルムからなり、図2の遮光部材13と同様に、図示せぬレンズからイメージセンサ110の受光面110aに入射する光を通過させる開口部を有する。遮光部材131は、シールガラス114のイメージセンサ110側の面に貼りつけられる。なお、遮光部材131は、黒色に着色されたフィルムから形成されるものとしたが、上述した遮光部材13と同様に、シールガラス114に印刷される印刷材料で形成されてもよいし、シールガラス114に蒸着される薄膜で形成されてもよい。
イメージセンサ110の受光面110aに対して、レンズからの主光線があるCRAで入射される場合、その主光線に対応する上光線および下光線もまた、それぞれの入射角で入射される。
その主光線、上光線、および下光線のうち、最も入射角の大きい下光線が遮光部材131の開口部の縁部を通過するように、遮光部材131の縁面にレンズの光軸方向に対して角度をつければ、遮光部材131の縁面において入射光が反射することはない。すなわち、遮光部材131の縁面角度は、遮光部材131の開口部の縁部に入射する下光線の入射角より大きい角度となる。
また、遮光部材131の幅Lは、基板111の開口部およびUF113の縁面と、遮光部材131の縁面の仮想延長面とが交わらないように設計されている。すなわち、遮光部材131の開口部の縁部を通過した下光線が、基板111の開口部およびUF113の縁面に反射することはない。
以上の構成によれば、遮光部材131の縁面で入射光が反射することはなくなるとともに、基板111の開口部およびUF113の縁面で入射光が反射することはなくなるので、遮光部材131の縁面、基板111の開口部の縁面、またはUF113の縁面からの反射光によるフレアやゴーストの発生を抑制することが可能となる。
なお、図9においては、シールガラス114と基板111の開口部とは、接着部材115により接着されるものとしたが、遮光部材131として接着機能を有する材料を用いることで、遮光部材131がシールガラス114と基板111の開口部とを接着するようにすることもできる。
また、以上においては、遮光部材131は、シールガラス114のイメージセンサ110側の面に貼りつけられるようにしたが、図10に示されるように、シールガラス114のイメージセンサ110側の面とは反対の面(レンズ側の面)に貼りつけられるようにしてもよい。
ところで、上述した固体撮像装置の構造においては、イメージセンサの受光面が、空隙(以下、キャビティという)にさらされているため、ダストの影響を受けやすい。これに対して、イメージセンサの受光面におけるダストの影響を小さくするために、キャビティを持たない構造(以下、キャビティレス構造という)の固体撮像装置が提案されている。
ここで、以下においては、本技術を適用したキャビティレス構造の固体撮像装置の例について説明する。
<3.キャビティレス構造の固体撮像装置の例>
[キャビティレス化されたワイヤボンディング構造の固体撮像装置]
図11は、キャビティレス化を図ったワイヤボンディング構造の固体撮像装置の構成を示す図である。なお、図11の固体撮像装置において、図3等の固体撮像装置と対応する部分においては、同一の符号を付している。
すなわち、図11の固体撮像装置は、図3等の固体撮像装置において、遮光部材13を除いて、ガラス層211、遮光部材212、および樹脂層213を新たに設けた構成となる。
ガラス層211および樹脂層213は、光を透過する透明な材料により形成され、これらの屈折率は空気より高い。図11の固体撮像装置においては、ガラス層211および樹脂層213によってキャビティが封止され、キャビティレス構造が実現される。
また、ガラス層211の下面(イメージセンサ10側の面)には、遮光部材212が貼りつけられている。遮光部材212は、上述した遮光部材13と同等の材料および形状で形成される。
さらに、遮光部材212の幅(図中、横方向の長さ)は、樹脂層213の側面と、遮光部材212の縁面の仮想延長面とが交わらないように設計されている。すなわち、遮光部材212の開口部の縁部を通過した下光線が、樹脂層213の側面に反射することはない。
なお、製造工程においては、ガラス層211の下面に遮光部材212が貼り付けられた後、ウエハレベルでイメージセンサ10に対して遮光部材212の位置決めを行い、ガラス層211を、樹脂層213とともにイメージセンサ10に貼り合わせる。次に、ダイシングを行い個片にした後、ボンディングパッド部分を露出させるために、ガラス層211および樹脂層213をカットする。そして、露出したボンディングパッド部分を洗浄することで、端子としてのボンディングパッドが形成される。なお、イメージセンサ10をチップ化した後に、ガラス層211を樹脂層213とともにイメージセンサ10に貼り合わせるようにしてもよい。この場合、露出したボンディングパッド部分を洗浄する工程を省略することができる。
このようにしてキャビティレス化を図ったワイヤボンディング構造の固体撮像装置においても、遮光部材212の縁面で入射光が反射することはなくなるので、遮光部材212の縁面からの反射光によるフレアやゴーストの発生を抑制することが可能となる。
また、遮光部材212の縁面部分を通過した下光線が、樹脂層213の側面に反射することはないので、樹脂層213の側面からの反射光によるフレアやゴーストの発生を抑制することもできる。
なお、以上においては、遮光部材212がガラス層211の下面に貼りつけられる構成について説明したが、図12に示されるように、遮光部材212がガラス層211の上面に貼りつけられる構成としてもよい。この場合、ガラス層211、樹脂層213、およびイメージセンサ10の貼り合わせを行ってから、遮光部材212をガラス層211の上面に貼りつけるようにすることができるので、イメージセンサ10に対する遮光部材212の位置の精度を高めることが可能となる。なお、図12においては、ガラス層211に対する濡れ性を利用して、遮光部材212の縁面に角度をつけることはできないので、遮光部材212は、黒色に着色されたフィルムから形成されるものが適用されるようになる。
また、図12の固体撮像装置においては、遮光部材212の幅(図中、横方向の長さ)は、ガラス層211および樹脂層213の側面と、遮光部材212の縁面の仮想延長面とが交わらないように設計されている。すなわち、遮光部材212の開口部の縁部を通過した下光線が、ガラス層211および樹脂層213の側面に反射することはない。
[キャビティレス化されたフリップチップ構造の固体撮像装置]
図13は、キャビティレス化を図ったフリップチップ構造の固体撮像装置の構成を示す図である。なお、図13の固体撮像装置において、図8または図9の固体撮像装置と対応する部分においては、同一の符号を付している。
すなわち、図13の固体撮像装置は、図8または図9の固体撮像装置において、シールガラス114および遮光部材131を除いて、ガラス層311、遮光部材312、および樹脂層313を新たに設けた構成となる。
ガラス層311および樹脂層313は、光を透過する透明な材料により形成され、これらの屈折率は空気より高い。図13の固体撮像装置においては、ガラス層311および樹脂層313によってキャビティが封止され、キャビティレス構造が実現される。
また、ガラス層311の下面(イメージセンサ10側の面)には、遮光部材312が貼りつけられている。遮光部材312は、上述した遮光部材131と同等の材料および形状で形成される。
さらに、遮光部材312の幅(図中、横方向の長さ)は、樹脂層313の側面と、遮光部材312の縁面の仮想延長面とが交わらないように設計されている。すなわち、遮光部材312の開口部の縁部を通過した下光線が、樹脂層313の側面に反射することはない。
なお、製造工程においては、ガラス層311の下面に遮光部材312が貼り付けられた後、ウエハレベルでイメージセンサ110に対して遮光部材212の位置決めを行い、ガラス層311を、樹脂層313とともにイメージセンサ110に貼り合わせる。そして、イメージセンサ110において、チップの前面と裏面との間を貫通させるTSV(Through Silicon Via)加工を行い、CSP(Chip Scale Package)化を行う。
このようにしてキャビティレス化を図ったフリップチップ構造の固体撮像装置においても、遮光部材312の縁面や基板111の開口部およびUF113の縁面で入射光が反射することはなくなるので、遮光部材312の縁面や基板111の開口部およびUF113の縁面からの反射光によるフレアやゴーストの発生を抑制することが可能となる。
なお、以上においては、遮光部材312がガラス層311の下面に貼りつけられる構成について説明したが、図14に示されるように、遮光部材312がガラス層311の上面に貼りつけられる構成としてもよい。この場合、ガラス層311、樹脂層313、およびイメージセンサ110の貼り合わせを行ってから、遮光部材312をガラス層311の上面に貼りつけるようにすることができるので、イメージセンサ110に対する遮光部材312の位置の精度を高めることが可能となる。なお、図14においては、ガラス層311に対する濡れ性を利用して、遮光部材312の縁面に角度をつけることはできないので、遮光部材312は、黒色に着色されたフィルムから形成されるものが適用されるようになる。
また、図14の固体撮像装置においては、遮光部材312の幅(図中、横方向の長さ)は、ガラス層311および樹脂層313の側面と、遮光部材312の縁面の仮想延長面とが交わらないように設計されている。すなわち、遮光部材312の開口部の縁部を通過した下光線が、ガラス層311および樹脂層213の側面に反射することはない。
なお、以上においては、遮光部材は、レンズからイメージセンサの受光面に入射する光を通過させる開口部を有するものとして説明したが、ワイヤボンディング構造における金線の配置やフリップチップ構造における基板の開口部の形状に応じた構成・形状であればよい。例えば、図2のイメージセンサ10において金線11が接続されるボンディングパッドが、図中右側のみに配置されているような場合、遮光部材13は、そのボンディングパッド近辺を遮光する形状であればよい。
ところで、近年のカメラモジュールにおいては、その小型化に伴い、焦点距離をより短くしたり、レンズの集光率の向上を目的として、イメージセンサのサイズと比較してレンズの有効径をより大きくしたりすることがなされている。この場合、レンズからの入射光の入射角はより大きくなるので、これに合わせて、上述した遮光部材の縁面角度もより大きくする必要がある。例えば、レンズからの入射光の入射角が45°の場合、遮光部材の縁面角度は45°より大きくする必要がある。
以上においては、図6を参照して、このような縁面角度を有する遮光部材を形成する方法の1つとして、IRCFに印刷材料を印刷する方法について説明した。しかしながら、金型により遮光部材を成形する場合、例えば45°等の大きな縁面角度を有する遮光部材を形成するのは困難とされ、その縁面角度は、最大でも30°程度となってしまう。
そこで、以下においては、金型により大きな縁面角度を有する遮光部材を形成する例について説明する。
<4.金型による遮光部材の形成の例>
上述したように、金型により大きな縁面角度を有する遮光部材を形成するのは困難であるので、遮光部材の開口部の縁部から所定の範囲を、イメージセンサ側に所定の角度で折り曲げることで、縁面角度を大きくする。
[フレアやゴーストの発生を抑制するための条件]
図15は、遮光部材の開口部の縁部から所定の範囲を、イメージセンサ側に所定の角度で折り曲げるようにした固体撮像装置の断面図である。
図15に示される構成において、フレアやゴーストの発生を抑制するためには、以下の2つの条件を満たせばよい。
(1)レンズ501からの上光線Aが遮光部材502の開口部の縁部においてイメージセンサ503側に折り曲げられた部分(以下、曲げ部という)の上面(レンズ側の面)に反射した反射光A’が、イメージセンサ503に入り込まない。
(2)レンズ501からの下光線Bが、遮光部材502の開口部の縁面に反射せず、遮光部材502の開口部を通過する。なお、金線504を接続するためのボンディングパッドは、遮光部材502の開口部を通過した下光線Bが入射しないように配置される。
ここで、以下においては、レンズ501の有効径をR、遮光部材502の開口径をL、レンズ501と遮光部材502との距離(焦点距離)をH、遮光部材502に対する曲げ部の角度(以下、曲げ角度という)をγ、金型加工により遮光部材502の縁面につけられた角度(以下、カット角度という)をφとする。また、図5に合わせて、上光線Aの入射角を−θU、下光線Bの入射角をθL、縁面角度(すなわち、遮光部材502の縁面の、レンズ501の光軸方向に対してなす角度)をθMとする。なお、上光線Aの入射角−θUは、光軸方向に対して、図5を参照して説明した上光線の入射角とは反対側の角度を示しているので、“−”(マイナス)の符号が付されている。
まず、上述の条件(1)を満たすためには、上光線Aと反射光A’のなす角度を、90°−θU以下とする必要がある。
すなわち、図16に示されるように、遮光部材502の曲げ部上面の鉛直方向に線分OPを与えた場合、上光線Aと線分OPのなす角度∠AOPは、以下の式(3)を満たす必要がある。
∠AOP≦(90°−θU)/2 ・・・(3)
また、遮光部材502の曲げ部上面のレンズ501の光軸方向に線分OQを与えた場合、線分OQと線分OPのなす角度∠QOPは、以下の式(4)を満たす必要がある。
∠QOP≦(90°−θU)/2+θU=(90°+θU)/2・・・(4)
なお、角度∠QOPは曲げ角度γに等しく、上光線Aの入射角−θUはarctan{(R−L)/2H}で表わされるので、条件(1)を満たすには、以下の式(5)を満たせばよい。
γ≦[90°−arctan{(R−L)/2H}]/2 ・・・(5)
次に、上述の条件(2)を満たすためには、図17に示されるように、θL≦θMを満たせばよい。ここで、下光線Bの入射角θLは、arctan{(R+L)/2H}で表わされるので、条件(2)を満たすには、以下の式(6)を満たせばよい。
arctan{(R+L)/2H}≦θM ・・・(6)
以上のように、条件(1)および条件(2)を満たすためには、式(5)および式(6)を満たせばよい。
ところで、縁面角度θMと曲げ角度γとがθM>γの関係を満たす必要がある場合、θM−γ≦φを満たすように、遮光部材502の縁面にカット角度φをつける必要がある。
すなわち、上述の式(5)および式(6)より、レンズの有効径R、遮光部材502の開口径L、および焦点距離Hが決まれば、条件(1)および条件(2)を満たす縁面角度θMおよび曲げ角度γが決まるので、遮光部材502の縁面につけるカット角度φの最小値を決めることができる。
図18A乃至Cは、レンズの有効径(レンズ径)R、遮光部材502の開口径(遮光板開口)L、および焦点距離Hを決めたときの、カット角度φの値の範囲について説明する図である。
図18Aは、焦点距離Hを8mmとした場合のカット角度φの値の範囲を示しており、図18Bは、焦点距離Hを6mmとした場合のカット角度φの値の範囲を示している。また、図18Cは、焦点距離Hを4mmとした場合のカット角度φの値の範囲を示している。
焦点距離Hを短くし、レンズ径Rを大きくした場合であっても、特に、図18Cに示されるように、カット角度φの値は20°乃至30°の範囲となり、金型加工によって形成することが可能な値となる。すなわち、遮光部材の縁部に曲げ部を設けることで、金型により大きな縁面角度を有する遮光部材を形成することが可能となり、フレアやゴーストの発生を抑制することができるようになる。
[金型による遮光部材の形成処理]
次に、図19乃至図24を参照して、金型加工による、上述した遮光部材502の形成処理について説明する。図19は、金型加工による遮光部材形成処理について説明するフローチャートであり、図20乃至図24は、遮光部材形成処理において加工される遮光部材502等の断面図である。
まず、ステップS111において、遮光部材502となる板材に、開口部および位置決めのためのガイド穴が形成される。
図20Aに示される遮光部材502は、例えば、ポリエステル等の樹脂に、粉末状のカーボンを混ぜて生成された、板状の部材である。この板状の遮光部材502は、図20Bに示されるように、金型551,552によって、片面側(イメージセンサ側)が大きく開口するようにカットされることで、開口部502aが形成される。このとき、ガイド穴502bも同時に形成される。ここでは、金型552において、開口部502aカットする刃を片刃にして、しなりを利用することで、開口部502aのカット角度φを30°程度にすることができる。
ステップS112において、遮光部材502の開口部502aに曲げ部が形成されるように、開口部502aがプレスされる。
すなわち、図21に示されるように、遮光部材502が、金型561,562によって開口部502aがプレスされることで、開口部502aに曲げ部が形成される。このとき、遮光部材502は、ガイド穴502bによって金型561,562に対して位置決めされる。
ステップS113において、遮光部材502をイメージセンサ上で支持するための粘着テープを形成する。
図22Aに示されるように、粘着テープ581は、保護テープ581a、粘着層581b、および保護テープ581cが積層されて構成される。
まず、図22Bに示されるように、粘着テープ581には、金型591,592によって、開口部581d、ガイド穴581e、および切り込み581fが形成される。
次に、図23Aに示されるように、粘着テープ581において形成された切り込み581fによって、粘着層581bおよび保護テープ581cの不要な部分が剥離される。
そして、図23Bに示されるように、不要な部分が剥離された粘着テープ581の保護テープ581cに、他の保護テープ601が貼り付けられることで、保護テープ581cが剥離される。
このようにして、図23Cに示されるような粘着テープ581が形成される。
図19のフローチャートに戻り、ステップS114において、遮光部材502と粘着テープ581とが貼り合わせられる。すなわち、図24Aに示されるように、遮光部材502の上面(レンズ側の面)と粘着テープ581とは、粘着層581bによって貼り合わせられる。
そして、ステップS115において、遮光部材502の不要部分がカットされる。すなわち、図24Bに示されるように、粘着テープ581に貼り合わせられた遮光部材502は、金型611,612によって、ガイド穴502bを含む不要部分がカットされ、その外形が形成される。
以上の処理によれば、開口部に曲げ部を有するとともに、縁面にカット角度がつけられた形状の遮光部材を形成することが可能となる。
同様の形状の遮光部材は、金属をエッチングする等して形成することが可能ではあるが、コストが非常に高くなってしまう。一方、以上の処理によれば、プラスチック等の樹脂性の材料を金型によってカットおよびプレスすることで、遮光部材を形成することができるので、安価に、かつ、大量に生産することができ、ひいては、カメラモジュールの低コスト化を図ることが可能となる。
なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
さらに、本技術は以下のような構成をとることができる。
(1) レンズにより取り込まれた光を光電変換する固体撮像素子と、
前記レンズから固体撮像素子に入射する光の一部を遮光する遮光部材と
を備え、
前記遮光部材の縁面の、前記レンズの光軸方向に対してなす角度は、前記遮光部材の縁部に入射する光の入射角より大きい
固体撮像装置。
(2) 前記遮光部材の縁面の、前記レンズの光軸方向に対してなす角度は、前記遮光部材の縁部に入射する光のうちの、入射角が最も大きい光の前記入射角より大きい
(1)に記載の固体撮像装置。
(3) 前記固体撮像素子の受光面の周縁部には、基板に接続される金線が接続されるパッドが設けられ、
前記パッドは、前記固体撮像素子上の、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わる領域より受光面側には配置されない
(1)または(2)に記載の固体撮像装置。
(4) 前記固体撮像素子の受光面は、開口部を有する基板の前記開口部から入射される光を受光し、
前記開口部の縁面は、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わらない
(1)または(2)に記載の固体撮像装置。
(5) 前記固体撮像素子の受光面上の空隙を封止する封止部材をさらに備え、
前記遮光部材は、前記封止部材の前記レンズ側の面または前記固体撮像素子側の面に設けられる
(3)または(4)に記載の固体撮像装置。
(6) 前記封止部材の側面は、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わらない
(5)に記載の固体撮像装置。
(7) 前記遮光部材は、光路上に配置される光学フィルタに1回または複数回、印刷材料が印刷されることで形成される
(2)に記載の固体撮像装置。
10 CMOSイメージセンサ, 10a 受光面, 11 金線, 13 遮光部材, 31 IRCF, 110 CMOSイメージセンサ, 110a 受光面, 111 基板, 113 UF, 114 シールガラス, 131 遮光部材

Claims (7)

  1. レンズにより取り込まれた光を光電変換する固体撮像素子と、
    前記レンズから固体撮像素子に入射する光の一部を遮光する遮光部材と
    を備え、
    前記遮光部材の縁面の、前記レンズの光軸方向に対してなす角度は、前記遮光部材の縁部に入射する光の入射角より大きい
    固体撮像装置。
  2. 前記遮光部材の縁面の、前記レンズの光軸方向に対してなす角度は、前記遮光部材の縁部に入射する光のうちの、入射角が最も大きい光の前記入射角より大きい
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記固体撮像素子の受光面の周縁部には、基板に接続される金線が接続されるパッドが設けられ、
    前記パッドは、前記固体撮像素子上の、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わる領域より受光面側には配置されない
    請求項2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記固体撮像素子の受光面は、開口部を有する基板の前記開口部から入射される光を受光し、
    前記開口部の縁面は、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わらない
    請求項2に記載の固体撮像装置。
  5. 前記固体撮像素子の受光面上の空隙を封止する封止部材をさらに備え、
    前記遮光部材は、前記封止部材の前記レンズ側の面または前記固体撮像素子側の面に設けられる
    請求項2に記載の固体撮像装置。
  6. 前記封止部材の側面は、前記遮光部材の縁面の仮想延長面と交わらない
    請求項5に記載の固体撮像装置。
  7. 前記遮光部材は、光路上に配置される光学フィルタに1回または複数回、印刷材料が印刷されることで形成される
    請求項2に記載の固体撮像装置。
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US13/357,883 US8786041B2 (en) 2011-02-18 2012-01-25 Solid-state imaging apparatus
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US16/114,642 US10319763B2 (en) 2011-02-18 2018-08-28 Solid-state imaging apparatus
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013030526A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Sony Corp 固体撮像装置
WO2014087901A1 (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 富士フイルム株式会社 Irカットフィルタ及びその製造方法、固体撮像装置、遮光膜の形成方法
WO2014087900A1 (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 富士フイルム株式会社 固体撮像素子用保持基板及びその製造方法、固体撮像装置
WO2014148291A1 (ja) * 2013-03-19 2014-09-25 コニカミノルタ株式会社 レンズアレイユニット、撮像装置、レンズアレイユニットの製造方法、及び撮像装置の製造方法
JP2014216973A (ja) * 2013-04-30 2014-11-17 株式会社ニコン 撮像ユニットおよび撮像装置
US9294697B2 (en) 2013-07-09 2016-03-22 Sony Corporation Imaging apparatus and camera system
US9554025B2 (en) 2013-11-19 2017-01-24 Sony Corporation Solid state image capturing apparatus, camera module and electronic device including anti-reflection plate
WO2017061296A1 (ja) * 2015-10-09 2017-04-13 ソニー株式会社 固体撮像素子パッケージおよび製造方法、並びに電子機器
WO2017169889A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 ソニー株式会社 カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法、撮像装置、および電子機器
JP2017215699A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 東芝テック株式会社 スキャナ装置
JP2018060161A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 光寶電子(廣州)有限公司 フィルターアセンブリ及びこれを具えるカメラモジュール
JP2018200980A (ja) * 2017-05-29 2018-12-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および固体撮像素子、並びに電子機器
WO2020166194A1 (ja) * 2019-02-15 2020-08-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
JP2021064422A (ja) * 2021-02-01 2021-04-22 東芝テック株式会社 スキャナ装置
US11296133B2 (en) 2017-05-29 2022-04-05 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging apparatus and electronic device
WO2023190837A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 株式会社カネカ 固体撮像装置及びその製造方法

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5930263B2 (ja) * 2011-02-18 2016-06-08 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2012174800A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Sony Corp 半導体装置、製造装置、及び製造方法
JP2012174799A (ja) 2011-02-18 2012-09-10 Sony Corp 固体撮像装置および製造方法
KR101849223B1 (ko) * 2012-01-17 2018-04-17 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2014116358A (ja) * 2012-12-06 2014-06-26 Sony Corp 半導体装置および電子機器
KR101630009B1 (ko) * 2013-03-29 2016-06-13 삼성전기주식회사 카메라 모듈
US9872378B2 (en) * 2013-04-26 2018-01-16 Kyocera Corporation Electronic element mounting board and electronic device
EP2814064B1 (en) * 2013-06-10 2020-11-25 Nxp B.V. Integrated sensor chip package with directional light sensor, apparatus including such a package and method of manufacturing such an integrated sensor chip package
US9608020B2 (en) * 2013-10-23 2017-03-28 Kyocera Corporation Imaging element mounting substrate and imaging device
CN105280630B (zh) * 2014-06-10 2019-01-01 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 包括光学传感器芯片的电子设备
CN112904644B (zh) 2014-12-29 2023-07-14 Lg伊诺特有限公司 透镜移动装置
WO2016204163A1 (ja) * 2015-06-18 2016-12-22 京セラ株式会社 電子素子実装用基板および電子装置
CN105244360B (zh) * 2015-10-29 2019-02-26 苏州晶方半导体科技股份有限公司 感光芯片封装结构及其封装方法
US10451863B2 (en) * 2016-08-05 2019-10-22 Verily Life Sciences Llc Interposer for integration of multiple image sensors
CN113992818A (zh) * 2016-08-12 2022-01-28 宁波舜宇光电信息有限公司 基于一体封装工艺的摄像模组和阵列摄像模组
CN106534652A (zh) * 2016-12-26 2017-03-22 努比亚技术有限公司 一种镜头模组、镜头以及终端
JP2018125672A (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電子部品、カメラモジュール及び電子部品の製造方法
CN206671650U (zh) * 2017-04-15 2017-11-24 瑞声科技(新加坡)有限公司 一种成像镜头
CN206920792U (zh) * 2017-04-15 2018-01-23 瑞声科技(新加坡)有限公司 镜头模组
KR102350605B1 (ko) * 2017-04-17 2022-01-14 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP2019040892A (ja) * 2017-08-22 2019-03-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、カメラモジュール、及び、電子機器
WO2019044172A1 (ja) 2017-08-29 2019-03-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、および、撮像装置の製造方法
CN109510925A (zh) * 2017-09-15 2019-03-22 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像模组
CN109585464A (zh) * 2017-09-28 2019-04-05 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其感光组件和制造方法
TWI706180B (zh) * 2017-09-28 2020-10-01 大陸商寧波舜宇光電信息有限公司 減少雜散光的攝像模組及其感光組件和電子設備
CN109581785B (zh) * 2017-09-28 2021-05-04 宁波舜宇光电信息有限公司 减少杂散光的摄像模组及其感光组件
CN109870751A (zh) * 2017-12-05 2019-06-11 三赢科技(深圳)有限公司 挡光元件、挡光元件的制作方法及镜头模组
CN108364970A (zh) * 2018-04-20 2018-08-03 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法
CN108447882A (zh) * 2018-04-20 2018-08-24 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法
US20210321025A1 (en) * 2018-08-21 2021-10-14 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module and molded photosensitive assembly and manufacturing methods thereof, and electronic device
JP2020036216A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
US11453366B2 (en) * 2018-11-06 2022-09-27 Motherson Innovations Company Limited Heatable device for use with a vehicle-mounted image acquisition unit
US10872915B2 (en) * 2019-01-22 2020-12-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical package structure and method for manufacturing the same
US20220181369A1 (en) * 2019-03-08 2022-06-09 Dexerials Corporation Method of manufacturing connection structure, connection structure, film structure, and method of manufacturing film structure
TWI737978B (zh) 2019-03-29 2021-09-01 大立光電股份有限公司 成像鏡頭模組及電子裝置
CN111751954A (zh) * 2019-03-29 2020-10-09 三营超精密光电(晋城)有限公司 镜头模组及具有该镜头模组的电子装置
TWI696857B (zh) 2019-04-29 2020-06-21 大立光電股份有限公司 含有塑膠鏡筒的成像鏡頭模組及電子裝置
TWI697990B (zh) * 2019-04-30 2020-07-01 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構及其感測模組
TWI704404B (zh) 2019-05-15 2020-09-11 大陽科技股份有限公司 相機模組與電子裝置
KR102185047B1 (ko) 2019-05-20 2020-12-01 삼성전기주식회사 카메라 모듈
CN110429094A (zh) * 2019-08-09 2019-11-08 德淮半导体有限公司 一种摄像头模组封装结构及其制作方法
DE102019212544A1 (de) * 2019-08-22 2021-02-25 Conti Temic Microelectronic Gmbh Kameramodul und Kraftfahrzeug
TWI707188B (zh) 2019-09-18 2020-10-11 大立光電股份有限公司 相機模組與電子裝置
KR102460593B1 (ko) * 2019-12-27 2022-10-28 주식회사 센소허브 내방사선 특성을 갖는 이미지 센서 패키지
US11710945B2 (en) 2020-05-25 2023-07-25 Apple Inc. Projection of patterned and flood illumination
US11699715B1 (en) * 2020-09-06 2023-07-11 Apple Inc. Flip-chip mounting of optoelectronic chips
CN112415645A (zh) * 2020-11-20 2021-02-26 广州市佳禾光电科技有限公司 滤光片及摄像头组件
TWI753795B (zh) 2021-02-09 2022-01-21 大立光電股份有限公司 成像鏡頭、相機模組與電子裝置
TWI782857B (zh) * 2022-01-18 2022-11-01 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0538916U (ja) * 1991-10-25 1993-05-25 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2001274370A (ja) * 2000-01-21 2001-10-05 Nikon Corp 受光素子用パッケージ及び固体撮像装置
JP2004241495A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Nikon Corp 固体撮像装置
JP2006041183A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Fujitsu Ltd 撮像装置
JP2006222249A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Canon Inc 固体撮像素子パッケージ
JP2008193441A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス及びその製造方法
JP2009111334A (ja) * 2007-10-12 2009-05-21 Panasonic Corp 光学デバイスおよびその製造方法、並びに半導体デバイス
JP2010040672A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0239465A (ja) * 1988-07-28 1990-02-08 Nec Corp 二次元ccd
JP2684861B2 (ja) 1991-03-01 1997-12-03 日本電気株式会社 固体撮像装置
JPH0677448A (ja) * 1992-08-25 1994-03-18 Sony Corp 固体撮像装置
JPH0888339A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Fuji Film Micro Device Kk 固体撮像素子
JP3880278B2 (ja) * 2000-03-10 2007-02-14 オリンパス株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2002261260A (ja) 2001-02-28 2002-09-13 Nikon Corp 固体撮像装置
JP2004214495A (ja) 2003-01-07 2004-07-29 Innotech Corp トランジスタとそれを用いた半導体メモリ、および半導体メモリの製造方法
JP4485151B2 (ja) * 2003-05-30 2010-06-16 パナソニック株式会社 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置。
JP2005352314A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Canon Inc 撮像装置および電子機器
JP2006303589A (ja) 2005-04-15 2006-11-02 Ricoh Co Ltd 画像読取ユニット、画像読取装置および画像形成装置
JP4950542B2 (ja) * 2006-04-07 2012-06-13 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP4924941B2 (ja) * 2006-10-13 2012-04-25 Nltテクノロジー株式会社 光学素子、照明光学装置、表示装置および電子機器。
JP2008148222A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置とその製造方法
JP2008263550A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
CN100546026C (zh) * 2007-04-29 2009-09-30 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像摄取装置
US8120128B2 (en) * 2007-10-12 2012-02-21 Panasonic Corporation Optical device
JP4543072B2 (ja) 2007-10-24 2010-09-15 シャープ株式会社 ケース部材、センサモジュールおよび電子情報機器
US20090321861A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-31 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with stacked lens assemblies and processes for wafer-level packaging of microelectronic imagers
KR100982270B1 (ko) * 2008-08-08 2010-09-15 삼성전기주식회사 카메라 모듈 및 이의 제조 방법
JP2010161140A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP2011054925A (ja) * 2009-01-14 2011-03-17 Panasonic Corp 光学デバイス、固体撮像装置、及び方法
KR101776955B1 (ko) * 2009-02-10 2017-09-08 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
JP5197421B2 (ja) * 2009-02-17 2013-05-15 新光電気工業株式会社 カメラモジュール
JP2010283597A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Toshiba Corp 半導体撮像装置
JP5489543B2 (ja) * 2009-06-09 2014-05-14 キヤノン株式会社 固体撮像装置
KR20110001659A (ko) * 2009-06-30 2011-01-06 삼성테크윈 주식회사 카메라 모듈
JP2011048303A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Sharp Corp 光学素子モジュールおよびその製造方法、電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器
JP2011060974A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Canon Inc 固体撮像装置及びデジタルカメラ
JP2012174799A (ja) 2011-02-18 2012-09-10 Sony Corp 固体撮像装置および製造方法
JP5930263B2 (ja) * 2011-02-18 2016-06-08 ソニー株式会社 固体撮像装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0538916U (ja) * 1991-10-25 1993-05-25 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2001274370A (ja) * 2000-01-21 2001-10-05 Nikon Corp 受光素子用パッケージ及び固体撮像装置
JP2004241495A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Nikon Corp 固体撮像装置
JP2006041183A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Fujitsu Ltd 撮像装置
JP2006222249A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Canon Inc 固体撮像素子パッケージ
JP2008193441A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス及びその製造方法
JP2009111334A (ja) * 2007-10-12 2009-05-21 Panasonic Corp 光学デバイスおよびその製造方法、並びに半導体デバイス
JP2010040672A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置およびその製造方法

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013030526A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Sony Corp 固体撮像装置
US9571706B2 (en) 2012-12-03 2017-02-14 Fujifilm Corporation Support plate for solid-state imaging element, method for manufacturing the same, and solid-state imaging device
WO2014087901A1 (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 富士フイルム株式会社 Irカットフィルタ及びその製造方法、固体撮像装置、遮光膜の形成方法
WO2014087900A1 (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 富士フイルム株式会社 固体撮像素子用保持基板及びその製造方法、固体撮像装置
US9952361B2 (en) 2012-12-03 2018-04-24 Fujifilm Corporation IR cut filter, method for manufacturing the same, and solid-state imaging device
KR101732040B1 (ko) 2012-12-03 2017-05-02 후지필름 가부시키가이샤 고체 촬상 소자용 유지 기판 및 그 제조 방법, 고체 촬상 장치
WO2014148291A1 (ja) * 2013-03-19 2014-09-25 コニカミノルタ株式会社 レンズアレイユニット、撮像装置、レンズアレイユニットの製造方法、及び撮像装置の製造方法
JP2014216973A (ja) * 2013-04-30 2014-11-17 株式会社ニコン 撮像ユニットおよび撮像装置
US9432598B2 (en) 2013-07-09 2016-08-30 Sony Corporation Imaging apparatus and camera system
US9648259B2 (en) 2013-07-09 2017-05-09 Sony Corporation Imaging apparatus and camera system for improving image quality
US9736407B2 (en) 2013-07-09 2017-08-15 Sony Corporation Imaging apparatus and camera system with light-transmitting laminated material
US9294697B2 (en) 2013-07-09 2016-03-22 Sony Corporation Imaging apparatus and camera system
US9554025B2 (en) 2013-11-19 2017-01-24 Sony Corporation Solid state image capturing apparatus, camera module and electronic device including anti-reflection plate
WO2017061296A1 (ja) * 2015-10-09 2017-04-13 ソニー株式会社 固体撮像素子パッケージおよび製造方法、並びに電子機器
US10546888B2 (en) 2015-10-09 2020-01-28 Sony Corporation Solid-state imaging device package and manufacturing method, and electronic apparatus
WO2017169889A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 ソニー株式会社 カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法、撮像装置、および電子機器
US11595551B2 (en) 2016-03-31 2023-02-28 Sony Corporation Camera module, method of manufacturing camera module, imaging apparatus, and electronic apparatus
US10750060B2 (en) 2016-03-31 2020-08-18 Sony Corporation Camera module, method of manufacturing camera module, imaging apparatus, and electronic apparatus
JP2017215699A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 東芝テック株式会社 スキャナ装置
JP2018060161A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 光寶電子(廣州)有限公司 フィルターアセンブリ及びこれを具えるカメラモジュール
JP2018200980A (ja) * 2017-05-29 2018-12-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および固体撮像素子、並びに電子機器
JP2022044653A (ja) * 2017-05-29 2022-03-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
US11296133B2 (en) 2017-05-29 2022-04-05 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging apparatus and electronic device
US11309344B2 (en) 2017-05-29 2022-04-19 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device, solid state image sensor, and electronic device
US11810935B2 (en) 2017-05-29 2023-11-07 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device, solid state image sensor, and electronic device
JP7449317B2 (ja) 2017-05-29 2024-03-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
WO2020166194A1 (ja) * 2019-02-15 2020-08-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
JP2021064422A (ja) * 2021-02-01 2021-04-22 東芝テック株式会社 スキャナ装置
WO2023190837A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 株式会社カネカ 固体撮像装置及びその製造方法

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