JP2002261260A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、固体撮像素子の受光部の外側を遮
光してなる固体撮像装置に関し、固体撮像素子の受光部
に反射光が侵入することを確実に防止すること、およ
び、遮光板を不要にすることを目的とする。 【解決手段】 受光部の外側に周辺領域が形成される固
体撮像素子と、前記固体撮像素子を覆って配置される保
護ガラスとを備えた固体撮像装置において、前記保護ガ
ラスの外周に、前記周辺領域の少なくとも一部を遮光す
る遮光層を形成し、前記保護ガラスを前記固体撮像素子
に接合してなることを特徴とする。
光してなる固体撮像装置に関し、固体撮像素子の受光部
に反射光が侵入することを確実に防止すること、およ
び、遮光板を不要にすることを目的とする。 【解決手段】 受光部の外側に周辺領域が形成される固
体撮像素子と、前記固体撮像素子を覆って配置される保
護ガラスとを備えた固体撮像装置において、前記保護ガ
ラスの外周に、前記周辺領域の少なくとも一部を遮光す
る遮光層を形成し、前記保護ガラスを前記固体撮像素子
に接合してなることを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置に係
わり、特に、固体撮像素子の受光部の外側を遮光してな
る固体撮像装置に関する。
わり、特に、固体撮像素子の受光部の外側を遮光してな
る固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、CCD(Charge Coupled Device)
等の固体撮像装置として、複数のセラミック板を重ねて
積層した積層セラミックパッケージに固体撮像素子を収
容したものが知られている。図6は、このような固体撮
像装置を示すもので、複数のセラミック板を重ねて積層
した積層セラミックパッケージ1には、凹部1aが形成
され、この凹部1aに固体撮像素子2が配置されてい
る。
等の固体撮像装置として、複数のセラミック板を重ねて
積層した積層セラミックパッケージに固体撮像素子を収
容したものが知られている。図6は、このような固体撮
像装置を示すもので、複数のセラミック板を重ねて積層
した積層セラミックパッケージ1には、凹部1aが形成
され、この凹部1aに固体撮像素子2が配置されてい
る。
【0003】固体撮像素子2には、受光部2aが形成さ
れ、受光部2aの外側となる周辺領域2Aの一部に入出
力部2bが形成されている。さらに、固体撮像素子2の
周辺領域2Aには、ここでは、図示しないが前記受光部
2aと入出力部2bを接続する配線部や受光部2aを保
護する保護回路などが設けられている。
れ、受光部2aの外側となる周辺領域2Aの一部に入出
力部2bが形成されている。さらに、固体撮像素子2の
周辺領域2Aには、ここでは、図示しないが前記受光部
2aと入出力部2bを接続する配線部や受光部2aを保
護する保護回路などが設けられている。
【0004】この入出力部2bの表面には、電極パット
2cが形成され、この電極パット2cが、ワイヤ3によ
り積層セラミックパッケージ1のリード部1bに接続さ
れている。固体撮像素子2の上方には、受光部2aに対
応する形状の窓部を有する遮光板4が配置されている。
2cが形成され、この電極パット2cが、ワイヤ3によ
り積層セラミックパッケージ1のリード部1bに接続さ
れている。固体撮像素子2の上方には、受光部2aに対
応する形状の窓部を有する遮光板4が配置されている。
【0005】この遮光板4の外側は、積層セラミックパ
ッケージ1に接合されている。そして、積層セラミック
パッケージ1の開口部が、保護ガラス5により覆われて
いる。このような固体撮像装置では、外部からの入射光
Lが、遮光板4により遮光されるため、ワイヤ3等から
の反射光が受光部2aに侵入することを防止することが
できる。
ッケージ1に接合されている。そして、積層セラミック
パッケージ1の開口部が、保護ガラス5により覆われて
いる。このような固体撮像装置では、外部からの入射光
Lが、遮光板4により遮光されるため、ワイヤ3等から
の反射光が受光部2aに侵入することを防止することが
できる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の固体撮像装置では、遮光板4の下方にワイヤ
3が位置しているため、遮光板4を固体撮像素子2の入
出力部2bに所定距離以上接近して配置することができ
ず、ワイヤ3等からの反射光が、受光部2aに侵入する
おそれがあるという問題があった。
うな従来の固体撮像装置では、遮光板4の下方にワイヤ
3が位置しているため、遮光板4を固体撮像素子2の入
出力部2bに所定距離以上接近して配置することができ
ず、ワイヤ3等からの反射光が、受光部2aに侵入する
おそれがあるという問題があった。
【0007】また、遮光板4が必要になるため、遮光板
4の製造および組み付けに多大な工数が必要になるとい
う問題があった。本発明は、かかる従来の問題を解決す
るためになされたもので、固体撮像素子の受光部に反射
光が侵入することを確実に防止することができるととも
に、遮光板を不要にすることができる固体撮像装置を提
供することを目的とする。
4の製造および組み付けに多大な工数が必要になるとい
う問題があった。本発明は、かかる従来の問題を解決す
るためになされたもので、固体撮像素子の受光部に反射
光が侵入することを確実に防止することができるととも
に、遮光板を不要にすることができる固体撮像装置を提
供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1の固体撮像装置
は、受光部の外側に周辺領域が形成される固体撮像素子
と、前記固体撮像素子を覆って配置される保護ガラスと
を備えた固体撮像装置において、前記保護ガラスの外周
に、前記周辺領域の少なくとも一部を遮光する遮光層を
形成し、前記保護ガラスを前記固体撮像素子に接合して
なることを特徴とする。
は、受光部の外側に周辺領域が形成される固体撮像素子
と、前記固体撮像素子を覆って配置される保護ガラスと
を備えた固体撮像装置において、前記保護ガラスの外周
に、前記周辺領域の少なくとも一部を遮光する遮光層を
形成し、前記保護ガラスを前記固体撮像素子に接合して
なることを特徴とする。
【0009】請求項2の固体撮像装置は、請求項1記載
の固体撮像装置において、前記遮光層を、前記保護ガラ
スの両面の外周部および端面に形成してなることを特徴
とする。請求項3の固体撮像装置は、請求項2記載の固
体撮像装置において、前記保護ガラスの端面を、前記受
光部側に向けて傾斜して形成してなることを特徴とす
る。
の固体撮像装置において、前記遮光層を、前記保護ガラ
スの両面の外周部および端面に形成してなることを特徴
とする。請求項3の固体撮像装置は、請求項2記載の固
体撮像装置において、前記保護ガラスの端面を、前記受
光部側に向けて傾斜して形成してなることを特徴とす
る。
【0010】請求項4の固体撮像装置は、請求項1ない
し請求項3のいずれか1項記載の固体撮像装置におい
て、前記固体撮像素子の前記周辺領域には、前記保護ガ
ラスの外側となる位置に電極パットが形成されているこ
とを特徴とする。
し請求項3のいずれか1項記載の固体撮像装置におい
て、前記固体撮像素子の前記周辺領域には、前記保護ガ
ラスの外側となる位置に電極パットが形成されているこ
とを特徴とする。
【0011】(作用)請求項1の固体撮像装置では、保
護ガラスの外周に、固体撮像素子の受光部の外側の周辺
領域の少なくとも一部を遮光する遮光層が形成され、保
護ガラスが固体撮像素子に接合される。
護ガラスの外周に、固体撮像素子の受光部の外側の周辺
領域の少なくとも一部を遮光する遮光層が形成され、保
護ガラスが固体撮像素子に接合される。
【0012】従って、保護ガラスの遮光層が、固体撮像
素子の周辺領域に近接して位置することになり、受光部
への反射光の侵入が確実に防止される。また、保護ガラ
スに遮光層を形成するため、遮光板が不要になる。
素子の周辺領域に近接して位置することになり、受光部
への反射光の侵入が確実に防止される。また、保護ガラ
スに遮光層を形成するため、遮光板が不要になる。
【0013】請求項2の固体撮像装置では、遮光層が、
保護ガラスの両面の外周部および端面に形成され、遮光
層の外側からの光が遮光される。また、遮光層の内側に
侵入した光が、反射して受光部に侵入することが防止さ
れる。請求項3の固体撮像装置では、保護ガラスの端面
が、受光部側に向けて傾斜して形成される。
保護ガラスの両面の外周部および端面に形成され、遮光
層の外側からの光が遮光される。また、遮光層の内側に
侵入した光が、反射して受光部に侵入することが防止さ
れる。請求項3の固体撮像装置では、保護ガラスの端面
が、受光部側に向けて傾斜して形成される。
【0014】そして、保護ガラスの端面の遮光層が、受
光部側に向けて傾斜して形成される。請求項4の固体撮
像装置では、保護ガラスの外側となる位置に、固体撮像
素子の電極パットが形成される。
光部側に向けて傾斜して形成される。請求項4の固体撮
像装置では、保護ガラスの外側となる位置に、固体撮像
素子の電極パットが形成される。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
【0016】図1および図2は、本発明の固体撮像装置
の一実施形態を示している。これ等の図において符号1
1は、積層セラミックパッケージを示している。この積
層セラミックパッケージ11は、複数のセラミック板を
重ねて積層して形成されている。積層セラミックパッケ
ージ11には、凹部11aが形成され、この凹部11a
に固体撮像素子13が配置されている。
の一実施形態を示している。これ等の図において符号1
1は、積層セラミックパッケージを示している。この積
層セラミックパッケージ11は、複数のセラミック板を
重ねて積層して形成されている。積層セラミックパッケ
ージ11には、凹部11aが形成され、この凹部11a
に固体撮像素子13が配置されている。
【0017】固体撮像素子13の底面は、導電性接着剤
15により凹部11aの底面に接着されている。固体撮
像素子13には、受光部13aが形成され、受光部13
aの外側となる周辺領域13Aの一部に入出力部13b
が形成されている。さらに、固体撮像素子13の周辺領
域13Aには、ここでは、図示しないが前記受光部13
aと入出力部13bを接続する配線部や受光部13aを
保護する保護回路などが設けられている。
15により凹部11aの底面に接着されている。固体撮
像素子13には、受光部13aが形成され、受光部13
aの外側となる周辺領域13Aの一部に入出力部13b
が形成されている。さらに、固体撮像素子13の周辺領
域13Aには、ここでは、図示しないが前記受光部13
aと入出力部13bを接続する配線部や受光部13aを
保護する保護回路などが設けられている。
【0018】入出力部13bの表面には、電極パット1
3cが形成されている。電極パット13cは、ワイヤ1
7により積層セラミックパッケージ11の内部リード部
11bに接続されている。電極パット13c,ワイヤ1
7および内部リード部11bは、例えば、金により形成
されている。
3cが形成されている。電極パット13cは、ワイヤ1
7により積層セラミックパッケージ11の内部リード部
11bに接続されている。電極パット13c,ワイヤ1
7および内部リード部11bは、例えば、金により形成
されている。
【0019】積層セラミックパッケージ11の外側に
は、外部リード部19が配置されている。そして、固体
撮像素子13の上面には、外周に遮光層21が形成され
る保護ガラス23が配置されている。図3は、保護ガラ
ス23の詳細を示すもので、遮光層21は、保護ガラス
23の上面23aの外周部に形成される上部遮光層21
aと、保護ガラス23の端面23bに形成される端面遮
光層21bと、保護ガラス23の下面23cの外周部に
形成される下部遮光層21cとを有している。
は、外部リード部19が配置されている。そして、固体
撮像素子13の上面には、外周に遮光層21が形成され
る保護ガラス23が配置されている。図3は、保護ガラ
ス23の詳細を示すもので、遮光層21は、保護ガラス
23の上面23aの外周部に形成される上部遮光層21
aと、保護ガラス23の端面23bに形成される端面遮
光層21bと、保護ガラス23の下面23cの外周部に
形成される下部遮光層21cとを有している。
【0020】この遮光層21は、遮光性の材料を、保護
ガラス23に蒸着することにより形成されている。な
お、遮光層21の形成は、例えば、フォトリソグラフィ
と薄膜プロセスにより、あるいは、電着塗装により行っ
ても良い。そして、保護ガラス23の遮光層21の内側
の形状が、固体撮像素子13の受光部13aに対応する
形状とされている。
ガラス23に蒸着することにより形成されている。な
お、遮光層21の形成は、例えば、フォトリソグラフィ
と薄膜プロセスにより、あるいは、電着塗装により行っ
ても良い。そして、保護ガラス23の遮光層21の内側
の形状が、固体撮像素子13の受光部13aに対応する
形状とされている。
【0021】そして、保護ガラス23の下面が、固体撮
像素子13に接合されている。この接合は、接着後に無
色透明となる接着剤25、例えば、無色透明ジャンクシ
ョンコート樹脂を使用して行われる。この実施形態で
は、保護ガラス23の下面23cおよび下部遮光層21
cの全面が、固体撮像素子13の上面に接着剤25によ
り接合されている。
像素子13に接合されている。この接合は、接着後に無
色透明となる接着剤25、例えば、無色透明ジャンクシ
ョンコート樹脂を使用して行われる。この実施形態で
は、保護ガラス23の下面23cおよび下部遮光層21
cの全面が、固体撮像素子13の上面に接着剤25によ
り接合されている。
【0022】なお、必要により、下部遮光層21cのみ
を固体撮像素子13に接着するようにしても良い。この
実施形態では、保護ガラス23の外形形状が、固体撮像
素子13の外形形状より小さくされている。そして、固
体撮像素子13の周辺領域13Aには、保護ガラス23
の端面遮光層21bの外側となる位置に電極パット13
cが形成されている。
を固体撮像素子13に接着するようにしても良い。この
実施形態では、保護ガラス23の外形形状が、固体撮像
素子13の外形形状より小さくされている。そして、固
体撮像素子13の周辺領域13Aには、保護ガラス23
の端面遮光層21bの外側となる位置に電極パット13
cが形成されている。
【0023】そして、保護ガラス23と積層セラミック
パッケージ11との間に形成される凹部が、例えば、エ
ポキシ樹脂からなる封止剤27により封止されている。
上述した固体撮像装置は、以下述べるようにして製造さ
れる。先ず、積層セラミックパッケージ11の凹部11
aの底面に導電性接着剤15が塗布され、塗布面に固体
撮像素子13が位置され、導電性接着剤15の熱硬化に
より積層セラミックパッケージ11に固体撮像素子13
が固着される。
パッケージ11との間に形成される凹部が、例えば、エ
ポキシ樹脂からなる封止剤27により封止されている。
上述した固体撮像装置は、以下述べるようにして製造さ
れる。先ず、積層セラミックパッケージ11の凹部11
aの底面に導電性接着剤15が塗布され、塗布面に固体
撮像素子13が位置され、導電性接着剤15の熱硬化に
より積層セラミックパッケージ11に固体撮像素子13
が固着される。
【0024】次に、固体撮像素子13の電極パット13
cと、積層セラミックパッケージ11の内部リード部1
1bとが、ワイヤ17により結線される。次に、保護ガ
ラス23の下面23cおよび下部遮光層21cに、例え
ば、無色透明ジャンクションコート樹脂からなる接着剤
25が塗布され、保護ガラス23が固体撮像素子13の
上面に位置され、接着剤25の熱硬化により保護ガラス
23が固体撮像素子13に固着される。
cと、積層セラミックパッケージ11の内部リード部1
1bとが、ワイヤ17により結線される。次に、保護ガ
ラス23の下面23cおよび下部遮光層21cに、例え
ば、無色透明ジャンクションコート樹脂からなる接着剤
25が塗布され、保護ガラス23が固体撮像素子13の
上面に位置され、接着剤25の熱硬化により保護ガラス
23が固体撮像素子13に固着される。
【0025】次に、ワイヤ17を保護するために、保護
ガラス23と積層セラミックパッケージ11との間に、
例えば、エポキシ樹脂からなる封止剤27が充填され、
上述した固体撮像装置が製造される。上述した固体撮像
装置では、入力電気信号(基板電位等)は、積層セラミ
ックパッケージ11の外部リード部19、積層セラミッ
クパッケージ11の内部リード部11b、ワイヤ17、
電極パット13cを通り固体撮像素子13に伝達され
る。
ガラス23と積層セラミックパッケージ11との間に、
例えば、エポキシ樹脂からなる封止剤27が充填され、
上述した固体撮像装置が製造される。上述した固体撮像
装置では、入力電気信号(基板電位等)は、積層セラミ
ックパッケージ11の外部リード部19、積層セラミッ
クパッケージ11の内部リード部11b、ワイヤ17、
電極パット13cを通り固体撮像素子13に伝達され
る。
【0026】一方、受光部13aからの出力電気信号
は、電極パット13c、ワイヤ17、積層セラミックパ
ッケージ11の内部リード部11b、積層セラミックパ
ッケージ11の外部リード部19を通り伝達される。上
述した固体撮像装置では、保護ガラス23の外周に、周
辺領域13Aを遮光する遮光層21を形成し、保護ガラ
ス23を固体撮像素子13に接合したので、固体撮像素
子13の受光部13aに反射光が侵入することを確実に
防止することができる。
は、電極パット13c、ワイヤ17、積層セラミックパ
ッケージ11の内部リード部11b、積層セラミックパ
ッケージ11の外部リード部19を通り伝達される。上
述した固体撮像装置では、保護ガラス23の外周に、周
辺領域13Aを遮光する遮光層21を形成し、保護ガラ
ス23を固体撮像素子13に接合したので、固体撮像素
子13の受光部13aに反射光が侵入することを確実に
防止することができる。
【0027】図4は、上述した保護ガラス23の遮光層
21およびこの近傍を拡大して示すもので、遮光層21
の外側からの光が略完全に遮光されている。そして、ワ
イヤ17からの反射光L1は、端面遮光層21bにより
完全に遮光されている。また、遮光層21の内側に入射
した光L2は、端面遮光層21bで反射された後、下部
遮光層21cで反射し、入射方向に出射するため、受光
部13aに入射する反射光は非常に少ないものとなる。
21およびこの近傍を拡大して示すもので、遮光層21
の外側からの光が略完全に遮光されている。そして、ワ
イヤ17からの反射光L1は、端面遮光層21bにより
完全に遮光されている。また、遮光層21の内側に入射
した光L2は、端面遮光層21bで反射された後、下部
遮光層21cで反射し、入射方向に出射するため、受光
部13aに入射する反射光は非常に少ないものとなる。
【0028】そして、上述した固体撮像装置では、保護
ガラス23の外側となる位置に、固体撮像素子13の入
出力部13bの電極パット13cを形成したので、保護
ガラス23を固体撮像素子13に容易,確実に接合する
ことができる。なお、上述した実施形態では、遮光層2
1を保護ガラス23の外周に断面コ字状に形成した例に
ついて説明したが、本発明はかかる実施形態に限定され
るものではなく、例えば、図5に示すように、保護ガラ
ス23の端面23bを、受光部13a側に向けて傾斜し
て形成し、この端面23bに端面遮光層21bを形成す
るようにしても良い。
ガラス23の外側となる位置に、固体撮像素子13の入
出力部13bの電極パット13cを形成したので、保護
ガラス23を固体撮像素子13に容易,確実に接合する
ことができる。なお、上述した実施形態では、遮光層2
1を保護ガラス23の外周に断面コ字状に形成した例に
ついて説明したが、本発明はかかる実施形態に限定され
るものではなく、例えば、図5に示すように、保護ガラ
ス23の端面23bを、受光部13a側に向けて傾斜し
て形成し、この端面23bに端面遮光層21bを形成す
るようにしても良い。
【0029】そして、このように、端面23bを傾斜し
て形成することにより、遮光層21の内側に入射した光
L3は、例えば、下部遮光層21cで反射された後、端
面遮光層21bで反射し、入射方向に出射するため、受
光部13aに入射する反射光をより少ないものにするこ
とができる。
て形成することにより、遮光層21の内側に入射した光
L3は、例えば、下部遮光層21cで反射された後、端
面遮光層21bで反射し、入射方向に出射するため、受
光部13aに入射する反射光をより少ないものにするこ
とができる。
【0030】
【発明の効果】以上述べたように、請求項1の固体撮像
装置では、保護ガラスの外周に、固体撮像素子の受光部
の外側の周辺領域の少なくとも一部を遮光する遮光層を
形成し、保護ガラスを固体撮像素子に接合したので、固
体撮像素子の受光部に反射光が侵入することを確実に防
止することができ、また、遮光板を不要にすることがで
きる。
装置では、保護ガラスの外周に、固体撮像素子の受光部
の外側の周辺領域の少なくとも一部を遮光する遮光層を
形成し、保護ガラスを固体撮像素子に接合したので、固
体撮像素子の受光部に反射光が侵入することを確実に防
止することができ、また、遮光板を不要にすることがで
きる。
【0031】請求項2の固体撮像装置では、遮光層を、
保護ガラスの両面の外周部および端面に形成したので、
遮光層の外側から光が受光部に侵入することを確実に防
止することができる。また、遮光層の内側で反射した光
が受光部に侵入することを防止することができる。
保護ガラスの両面の外周部および端面に形成したので、
遮光層の外側から光が受光部に侵入することを確実に防
止することができる。また、遮光層の内側で反射した光
が受光部に侵入することを防止することができる。
【0032】請求項3の固体撮像装置では、保護ガラス
の端面を、受光部側に向けて傾斜したので、遮光層の内
側で反射した光が受光部に侵入することをより確実に防
止することができる。請求項4の固体撮像装置では、保
護ガラスの外側となる位置に、固体撮像素子の電極パッ
トを形成したので、保護ガラスを固体撮像素子に容易,
確実に接合することができる。
の端面を、受光部側に向けて傾斜したので、遮光層の内
側で反射した光が受光部に侵入することをより確実に防
止することができる。請求項4の固体撮像装置では、保
護ガラスの外側となる位置に、固体撮像素子の電極パッ
トを形成したので、保護ガラスを固体撮像素子に容易,
確実に接合することができる。
【図1】図2のI−I線に沿う断面図である。
【図2】本発明の固体撮像装置の一実施形態を示す上面
図である。
図である。
【図3】図1の保護ガラスの詳細を示す断面図である。
【図4】図1の遮光層およびこの近傍を示す説明図であ
る。
る。
【図5】保護ガラスおよび遮光層の他の例を示す説明図
である。
である。
【図6】従来の固体撮像装置を示す説明図である。
13 固体撮像素子 13a 受光部 13A 周辺領域 13b 入出力部 13c 電極パット 17 ワイヤ 21 遮光層 21a 上部遮光層 21b 端面遮光層 21c 下部遮光層 23 保護ガラス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04N 5/335 H01L 31/02 B
Claims (4)
- 【請求項1】 受光部の外側に周辺領域が形成される固
体撮像素子と、 前記固体撮像素子を覆って配置される保護ガラスと、 を備えた固体撮像装置において、 前記保護ガラスの外周に、前記周辺領域の少なくとも一
部を遮光する遮光層を形成し、前記保護ガラスを前記固
体撮像素子に接合してなることを特徴とする固体撮像装
置。 - 【請求項2】 請求項1記載の固体撮像装置において、 前記遮光層を、前記保護ガラスの両面の外周部および端
面に形成してなることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項3】 請求項2記載の固体撮像装置において、 前記保護ガラスの端面を、前記受光部側に向けて傾斜し
て形成してなることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項
記載の固体撮像装置において、 前記固体撮像素子の前記周辺領域には、前記保護ガラス
の外側となる位置に電極パットが形成されていることを
特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001053387A JP2002261260A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001053387A JP2002261260A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002261260A true JP2002261260A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=18913857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001053387A Pending JP2002261260A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002261260A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004363511A (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100681779B1 (ko) * | 2004-06-15 | 2007-02-12 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
JP2007142058A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体撮像素子およびその製造方法並びに半導体撮像装置とその製造方法 |
JP2007142194A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP2008193441A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス及びその製造方法 |
JP2009176894A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Panasonic Corp | 光学半導体装置 |
WO2010001524A1 (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-07 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子、その製造方法、及び固体撮像装置 |
JP2010114304A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
EP2282343A1 (en) * | 2009-07-29 | 2011-02-09 | Kingpak Technology Inc. | Image sensor package structure |
JP2011151412A (ja) * | 2011-04-04 | 2011-08-04 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
JP2012169488A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
WO2013111419A1 (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2014241376A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 住友電気工業株式会社 | イメージセンサ |
WO2017104439A1 (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法、並びに電子機器 |
US9842872B2 (en) | 2011-02-18 | 2017-12-12 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus |
USRE46836E1 (en) | 2011-02-15 | 2018-05-08 | Sony Corporation | Imaging device and method of manufacturing the same and electronic apparatus |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001053387A patent/JP2002261260A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004363511A (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100681779B1 (ko) * | 2004-06-15 | 2007-02-12 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
JP2007142058A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体撮像素子およびその製造方法並びに半導体撮像装置とその製造方法 |
JP2007142194A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP2008193441A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス及びその製造方法 |
JP2009176894A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Panasonic Corp | 光学半導体装置 |
WO2010001524A1 (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-07 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子、その製造方法、及び固体撮像装置 |
US8742323B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-06-03 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor module |
JP2010114304A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
EP2282343A1 (en) * | 2009-07-29 | 2011-02-09 | Kingpak Technology Inc. | Image sensor package structure |
JP2012169488A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
USRE46836E1 (en) | 2011-02-15 | 2018-05-08 | Sony Corporation | Imaging device and method of manufacturing the same and electronic apparatus |
USRE46903E1 (en) | 2011-02-15 | 2018-06-19 | Sony Corporation | Imaging device |
US9842872B2 (en) | 2011-02-18 | 2017-12-12 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus |
JP2011151412A (ja) * | 2011-04-04 | 2011-08-04 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
WO2013111419A1 (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2014241376A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 住友電気工業株式会社 | イメージセンサ |
WO2017104439A1 (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法、並びに電子機器 |
US10965895B2 (en) | 2015-12-16 | 2021-03-30 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
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