JP2012186394A - プラズマ加工形状シミュレーション装置及びプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加工処理対象物に関する条件、エッチングプロセスとデポジションプロセスとを一サイクルとした際のサイクル数を含むプロセスにおける条件及びシミュレーションに関する条件を設定する条件設定ステップ(STEP11)と、エッチングプロセスにおける条件に基づいたプラズマエッチングによる表面移動量を計算するエッチングプロセス表面移動量計算ステップ(STEP12)と、デポジションプロセスにおける条件に基づいたプラズマデポジションによる表面移動量を計算するデポジションプロセス表面移動量計算ステップ(STEP13)と、を備える。エッチングプロセス表面移動量計算ステップ(STEP12)とデポジションプロセス表面移動量計算ステップ(STEP13)とを条件設定ステップ(STEP11)にて設定されたサイクル数繰り返すことにより形成される形状を求める。
【選択図】図6
Description
本発明の実施形態で実現されるシミュレーションは、Siなどの半導体の基板それ自体又は基板上に絶縁膜、金属膜などの各種の膜が積層されたもの(以下、単に、「加工処理対象物」と呼ぶ。)にマスクを配置した上でエッチングプロセスとデポジションプロセスとを1サイクルとし複数回のサイクルを繰り返すことにより形成される孔の形状とその寸法を予測するものである。これにより、孔の断面形状、孔の深さ方向の形状、それらの寸法が予測される。このプロセスそのものはボッシュプロセスと呼ばれている。エッチングプロセスにより孔が掘り進められる際に孔の側面がエッチングされて孔の径が広がらないように、デポジションプロセスにより保護膜が形成される。
図1は本発明の実施形態に係るプラズマ加工形状シミュレーション装置10の構成図である。本発明の実施形態に係るプラズマ加工形状シミュレーション装置10は、条件設定手段11とフラックス情報データベース12と化学反応データベース13と軌道計算手段14とレート計算手段15と表面移動量計算手段16と計算制御手段17とを備える。プラズマ加工形状シミュレーション装置10は、コンピュータ上でプラズマ加工形状シミュレーションプログラムを実行することによってプラズマ加工形状シミュレーション装置10の各要素を実現してもよい。図1には示されていないが、シミュレーションの開始指令、シミュレーションの結果の表示に必要な指令、条件設定手段11に対する入力指令などを行うと共にシミュレーションの結果を表示するためのディスプレイを備えた入出力部などを備える。
条件設定手段11は各種条件を設定するためのものである。各種条件としては、加工処理対象物の条件、プロセスに関する条件及びシミュレーションに関する条件が挙げられる。
加工処理対象物に関する条件の項目としては、深掘される加工処理対象物、マスクなどの形状及び寸法などが挙げられ、加工処理対象物に関する条件として境界条件を含めて設定される。
プロセスに関する条件には、エッチング条件、デポジション条件、サイクル数などが含まれる。エッチング条件、デポジション条件の項目は、何れも、プロセス時間、ガス種、ガス圧、ガス流量、加工処理対象物の温度及びバイアスパワーなどが挙げられる。エッチング条件、デポジション条件は、一サイクル内で固定される必要はなく、一サイクル中で異なったエッチング条件、デポジション条件が設定されてもよい。一サイクル中でのエッチング条件の数、デポジション条件の数は、サイクルの順番に応じて任意に設定されてもよいし、サイクルの順番に拠らず任意に設定されてもよい。
シミュレーションに関する条件の詳細については後述するが、メッシュ、時間刻み幅、ストリング分割数などがある。
荷電粒子のフラックスに関するデータ項目としては、イオン種、エネルギー分布及び角度分布、強度などがある。条件設定手段11で設定されるプロセスに関する条件に応じて、例えば、Cl2 +、SF5 +などの各種イオンや電子の荷電粒子フラックスのエネルギー分布、角度分布、強度などに関するデータが格納されている。軌道計算手段14により求められるイオンフラックスの角度分布の結果が格納されてもよい。
ラジカルフラックスに関するデータ項目としては、ラジカル種、エネルギー分布及び角度分布、強度などがある。条件設定手段11で設定されるプロセスに関する条件に応じて、例えば、CF3 *、F*、O*などの各種ラジカルフラックスのエネルギー分布、角度分布、強度などに関するデータが格納されている。
例えば、エッチングプロセスにおける化学反応としては、次に例示するものがある。
イオン・エッチング過程の一反応として、
SFx++SiF4→F(2)*
を挙げることできる。つまり、イオンSFx+により加工表面上の蒸発物SiF4がエッチング反応して反応生成物F(2)*を離脱させる反応を挙げることができる。離脱率の値がエネルギー、角度の関数として又はこれらに拠らない定数として設定されている。なお、F(2)*における(2)とはここでは例示しないF*と区別するための記号である。
例えば、中性粒子の吸着過程の一反応として、
F(2)*+Si→Si(2)
を挙げることができる。つまり、中性粒子ラジカルF(2)*が加工表面上のSiと反応して、蒸発物Si(2)を生成する反応を挙げることができる。吸着率の値がエネルギー、角度の関数として又はこれらに拠らない定数として設定されている。なお、Si(2)における(2)とはここでは例示しないSiと区別するための記号である。
例えば、熱励起エッチング過程の一反応として、
SiF4(s)→SiF4(g)
を挙げることができる。つまり、加工表面上のSiF4(s)が熱励起によりSiF4(g)として離脱する反応を挙げることができる。反応係数、活性化エネルギーの各値がエネルギー、角度の関数として又はこれらに拠らない定数として設定されている。
CxFy *+Si→Si_c
を挙げることができる。つまり、CxFy *がSi上に付着してSi_cを形成する反応を挙げることができる。吸着率の値がエネルギー、角度の関数として又はこれらに拠らない定数として設定されている。
以下、本発明の実施形態に係るプラズマ加工形状シミュレーション装置10によるプラズマ加工形状の予測方法について、具体的に説明する。
先ず、プラズマ加工形状をどのようにして予測するかを説明する前提として、加工表面の状態をどのように記述し、その表面状態の変化をどのように記述するかについて、概念的に説明する。
式(10)から分かるように、被エッチング材料膜上に形成されたラジカルkがラジカルmに置き換わる全てのkにわたって加算され、さらに全ての堆積物にわたってmが加算される。
図1に示すプラズマ加工形状シミュレーション装置10によるプラズマ加工形状シミュレーション方法の概略を説明する。図6は本発明の実施形態に係るプラズマ加工形状シミュレーションプログラムにより実現されるプラズマ加工形状予測方法のフローの概略図である。プラズマ加工形状シミュレーション方法は、図6に示すように、加工処理対象物に関する条件、エッチングプロセスとデポジションプロセスとを一サイクルとした際のサイクル数を含めて各プロセスにおける条件及びシミュレーションに関する条件を設定する条件設定ステップSTEP11と、エッチングプロセスにおける条件に基づいたプラズマエッチングによる表面移動量を計算するエッチングプロセス表面移動量計算ステップSTEP12と、デポジションプロセスにおける条件に基づいたプラズマデポジションによる表面移動量を計算するデポジションプロセス表面移動量計算ステップSTEP13と、を備えている。エッチングプロセス表面移動量計算ステップSTEP12とデポジションプロセス表面移動量計算ステップSTEP13とを所定のサイクル数まで(STEP14でYesとなるまで)繰り返すことにより、形成される形状を予測する。
図1に示す表面移動量計算手段16が、軌道計算手段14及びレート計算手段15を用いて表面加工形状をどのように予測するかについて説明しながら、本発明の実施形態に係るプラズマ加工形状シミュレーション方法について詳細に説明する。図7は、図6に示すプラズマ加工形状シミュレーション方法の詳細なフローの一部を示す図、図8は図7に示すフローの残部を示す図である。
STEP12−2では、STEP11−3で設定したフラックス条件とSTEP11−4で設定した各反応係数に基づいて、各加工表面において表面材料とラジカル、イオンとの反応を計算し、各材料の被覆率が定常状態となるまで繰り返す。これにより、エッチングレート及びデポジションレートがそれぞれ求まる。エッチングレートは、前述の式(5)のように、熱励起型化学反応、物理的スパッタリング、イオンアシスト反応のそれぞれによるエッチングレートの和として求める。デポジションレートは、前述の式(9)のように、堆積物が降り注ぐ効果、堆積物の生成、イオンアシスト反応のそれぞれによるデポジションレートの和として求める。これらの反応毎の各係数を加味して各レートを求めることで、加工表面の移動推移を算出する。そして、STEP12−3において、エッチングレートとデポジションレートの差分から加工表面の移動量を算出する。
次に、第2エッチングプロセスにおけるエッチング時間、RFバイアスパワーをパラメータとして、図7及び図8に示すフローに従ってボッシュプロセスをシミュレーションする(STEP22B)。パラメータの値として複数のものを設定してボッシュプロセスをシミュレーションすることで、最適条件を探索することが可能となる。
例えば、予測した加工形状、即ち、スキャロップの状況や孔の幅などと加工孔の深さなどから、最適な形状か否かを判断することができる(STEP22C)。
(B)は、一サイクルに、一つのデポジションプロセスと二つのエッチングプロセスとが、プロセス時間T11、T21、T22にそれぞれ設定され、各サイクルにおいて設定された条件を変えないバージョンである。
(C)は、一サイクルに、一つのデポジションプロセスと二つのエッチングプロセスとが設定されるものの、(B)とは異なり、サイクルの順に、デポジションプロセス内の一つのプロセス時間Tc11が、サイクル毎に変化してもよいバージョンである。
また図示しないが、サイクルに応じてデポジションプロセス内でのプロセス数、エッチングプロセス内でのプロセス数がサイクル番号で変化してもよい。
このように、条件設定手段11において、プロセスに関する条件の設定については任意にプロセス時間、ガス種、ガス圧、ガス流量、加工処理対象物の温度及びバイアスパワーのうち一以上がパラメータとして設定される。
図11は、本発明の実施形態に係るプラズマ加工形状シミュレーション装置により予測される孔の断面図で、(A)はエッチングプロセスを一段階で設定した場合の形状予想の結果を示し、(B)はエッチングプロセスを二段階で設定した場合の形状予測の結果を示す図である。(A)は、図10(A)に示すタイムチャートで、(B)は図10(B)に示すタイムチャートで、シミュレーションした結果である。(A)、(B)のそれぞれにおいてサイクル毎の処理時間が等しいので、同じ深さだけ削られていることが分かる。また、各サイクル毎でのエッチングに関するプロセス条件、デポジションに関するプロセス条件も(A)、(B)のそれぞれにおいて等しいので、サイクル毎の掘られる形状が等しいことが分かる。
11:条件設定手段
12:フラックス情報データベース
13:化学反応データベース
14:軌道計算手段
15:レート計算手段
16:表面移動量計算手段
17:計算制御手段
Claims (4)
- 加工処理対象物に関する条件、エッチングプロセスとデポジションプロセスとを一サイクルとした際のサイクル数を含むプロセスに関する条件及びシミュレーションに関する条件を設定する条件設定手段と、
加工処理対象物の加工表面に照射されるフラックスのエネルギー分布、照射角度分布に関するデータを格納したフラックス情報データベースと、
エッチング及びデポジションの各プロセスにおける化学反応データを格納した化学反応データベースと、
加工表面における電荷分布により生じる電界分布を計算し加工表面に入射する荷電粒子の軌道を求める軌道計算手段と、
上記軌道計算手段で求まる荷電粒子の軌道に基づいて加工表面に入射する各種イオンを求め、上記フラックス情報データベース及び化学反応データベースに格納されているデータを用いて、加工表面の各領域における反応計算を行い、エッチングレート及びデポジションレートを求めるレート計算手段と、
上記レート計算手段で求まるエッチングレートとデポジションレートとの差分から表面移動量を算出する表面移動量計算手段と、
上記条件設定手段により設定される加工処理対象物に関する条件及びシミュレーションに関する条件に基づいて、上記条件設定手段により設定されるエッチングプロセスにおけるプロセスに関する条件に従って上記表面移動量計算手段による表面移動量の算出と、上記条件設定手段により設定されるデポジションプロセスにおけるプロセスに関する条件に従って上記表面移動量計算手段による表面移動量の算出と、を繰り返す計算制御手段と、
を備える、プラズマ加工形状シミュレーション装置。 - 前記条件設定手段は、エッチングプロセス、デポジションプロセスの何れか一方又は双方を構成する複数のプロセスに対してプロセス時間、ガス種、ガス圧、ガス流量、加工処理対象物の温度及びバイアスパワーのうち一以上をパラメータとして設定可能とし、
前記計算制御手段が、前記条件設定手段において設定されたパラメータ及びプロセスに関する条件に従って前記表面移動量計算手段を制御することにより、サイクル毎に、上記複数のプロセスの条件の順に表面移動量を算出する、請求項1に記載のプラズマ加工形状シミュレーション装置。 - 加工処理対象物に関する条件、エッチングプロセスとデポジションプロセスとを一サイクルとした際のサイクル数を含むプロセスにおける条件及びシミュレーションに関する条件を設定する条件設定ステップと、
エッチングプロセスにおける条件に基づいたプラズマエッチングによる表面移動量を計算するエッチングプロセス表面移動量計算ステップと、
デポジションプロセスにおける条件に基づいたプラズマデポジションによる表面移動量を計算するデポジションプロセス表面移動量計算ステップと、
を備え、
上記エッチングプロセス表面移動量計算ステップと上記デポジションプロセス表面移動量計算ステップとを上記条件設定ステップにて設定されたサイクル数繰り返すことにより形成される形状を求める、プラズマ加工形状シミュレーションプログラム。 - 前記条件設定ステップにおいて、エッチングプロセス、デポジションプロセスの何れか一方又は双方を構成する複数のプロセスに対してプロセス時間、ガス種、ガス圧、ガス流量、加工処理対象物の温度及びバイアスパワーのうち一以上をパラメータとして設定し、
前記エッチングプロセス表面移動量計算ステップ、前記デポジションプロセス表面移動量計算ステップの何れか一方又は双方において、前記条件設定ステップにおいて設定されたパラメータ毎に表面移動量を算出する、請求項3に記載のプラズマ加工形状シミュレーションプログラム。
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EP12754266.0A EP2685489A4 (en) | 2011-03-07 | 2012-02-29 | DEVICE FOR ESTIMATING AND SIMULATING A FORM MADE BY A PLASMA PROCESS AND SIMULATION PROCESS AND PROGRAM |
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US14/003,692 US20140005991A1 (en) | 2011-03-07 | 2012-02-29 | Simulator, method, and program for predicting processing shape by plasma process |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016017303A1 (ja) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | ソニー株式会社 | エッチング特性推定方法、プログラム、情報処理装置、加工装置、設計方法、および、製造方法 |
WO2016132759A1 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | ソニー株式会社 | 情報処理装置、加工装置、推定方法、プログラム、および、加工方法 |
KR20170102819A (ko) * | 2016-03-02 | 2017-09-12 | 램 리써치 코포레이션 | 엔드포인트 검출을 위한 에칭 계측 민감도 |
CN110457780A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-11-15 | 上海卫星装备研究所 | 介质深层充电电位和内部充电电场获取方法及存储介质 |
US11624981B2 (en) | 2018-04-10 | 2023-04-11 | Lam Research Corporation | Resist and etch modeling |
US11704463B2 (en) | 2018-04-06 | 2023-07-18 | Lam Research Corporation | Method of etch model calibration using optical scatterometry |
WO2024005047A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御方法及び基板処理システム |
US11921433B2 (en) | 2018-04-10 | 2024-03-05 | Lam Research Corporation | Optical metrology in machine learning to characterize features |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9201998B1 (en) | 2014-06-13 | 2015-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Topography simulation apparatus, topography simulation method and recording medium |
US10138550B2 (en) * | 2014-09-10 | 2018-11-27 | Toshiba Memory Corporation | Film deposition method and an apparatus |
CN113378444B (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-05 | 墨研计算科学(南京)有限公司 | 一种淀积工艺的仿真方法及装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1174326A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Hitachi Ltd | 半導体断面観察装置 |
JP2006514783A (ja) * | 2002-10-11 | 2006-05-11 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマエッチングのパフォーマンスを改善する方法 |
JP2007234867A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Toshiba Corp | 加工形状シミュレーション方法、半導体装置の製造方法及び加工形状シミュレーションシステム |
JP2008529313A (ja) * | 2005-02-03 | 2008-07-31 | ラム リサーチ コーポレーション | 複数のマスキングステップを用いて微小寸法を低減する方法 |
JP2010134352A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Fujifilm Corp | カラーフィルタの製造方法及び固体撮像素子 |
JP2010157741A (ja) * | 2009-01-05 | 2010-07-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | スカロップ状側壁を有するシリコン貫通ビア |
JP2011032366A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Fujifilm Corp | 着色硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5070469A (en) * | 1988-11-29 | 1991-12-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Topography simulation method |
DE4241045C1 (de) | 1992-12-05 | 1994-05-26 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium |
US5421934A (en) * | 1993-03-26 | 1995-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry-etching process simulator |
US5733820A (en) * | 1995-04-27 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dry etching method |
JP3592826B2 (ja) * | 1996-03-05 | 2004-11-24 | 株式会社東芝 | 膜形状予測方法 |
US6151532A (en) * | 1998-03-03 | 2000-11-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles |
US6329292B1 (en) * | 1998-07-09 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Integrated self aligned contact etch |
US6650426B1 (en) * | 1999-07-12 | 2003-11-18 | Sc Technology, Inc. | Endpoint determination for recess etching to a precise depth |
US6326307B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-12-04 | Appllied Materials, Inc. | Plasma pretreatment of photoresist in an oxide etch process |
US6617257B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-09-09 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching organic antireflective coating |
US6558965B1 (en) * | 2001-07-11 | 2003-05-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Measuring BARC thickness using scatterometry |
JP4482308B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2010-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5404984B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置 |
JP4745035B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | シミュレーション装置、シミュレーションプログラムおよびシミュレーション方法 |
US8165854B1 (en) * | 2006-01-11 | 2012-04-24 | Olambda, Inc. | Computer simulation of photolithographic processing |
US8709951B2 (en) * | 2007-07-19 | 2014-04-29 | Texas Instruments Incorporated | Implementing state-of-the-art gate transistor, sidewall profile/angle control by tuning gate etch process recipe parameters |
JP5322413B2 (ja) * | 2007-08-16 | 2013-10-23 | 株式会社東芝 | シミュレーション方法およびシミュレーションプログラム |
US8815744B2 (en) * | 2008-04-24 | 2014-08-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | Technique for controlling trench profile in semiconductor structures |
JP5428450B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2014-02-26 | ソニー株式会社 | イオン照射ダメージの予測方法とイオン照射ダメージのシミュレータ、およびイオン照射装置とイオン照射方法 |
JP5440021B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2014-03-12 | ソニー株式会社 | 形状シミュレーション装置、形状シミュレーションプログラム、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
US8283988B2 (en) * | 2010-02-25 | 2012-10-09 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, resonator, oscillator, and electronic device |
KR101656762B1 (ko) * | 2010-03-16 | 2016-09-12 | 가부시키가이샤 토호쿠 테크노 아치 | 플라즈마 프로세스에 의한 가공 형상의 예측 시스템, 방법 및 프로그램을 기록한 기록 매체 |
JP5732843B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2015-06-10 | ソニー株式会社 | シミュレータ、加工装置、ダメージ評価方法、及び、ダメージ評価プログラム |
US9287097B2 (en) * | 2011-11-30 | 2016-03-15 | Sony Corporation | Predicting ultraviolet ray damage with visible wavelength spectroscopy during a semiconductor manufacturing process |
JP5539547B2 (ja) * | 2012-01-24 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド及びその製造方法 |
US9147610B2 (en) * | 2012-06-22 | 2015-09-29 | Infineon Technologies Ag | Monitor structures and methods of formation thereof |
JP6065612B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2017-01-25 | ソニー株式会社 | シミュレーション方法、シミュレーションプログラム、加工装置およびシミュレータ |
JP5974840B2 (ja) * | 2012-11-07 | 2016-08-23 | ソニー株式会社 | シミュレーション方法、シミュレーションプログラム、シミュレータ、加工装置、半導体装置の製造方法 |
US9317632B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-04-19 | Coventor, Inc. | System and method for modeling epitaxial growth in a 3-D virtual fabrication environment |
JP6177671B2 (ja) * | 2013-11-25 | 2017-08-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | シミュレーション方法、シミュレーションプログラムおよびシミュレータ |
-
2011
- 2011-03-07 JP JP2011049680A patent/JP5685762B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
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- 2012-02-29 US US14/003,692 patent/US20140005991A1/en not_active Abandoned
- 2012-03-03 TW TW101107151A patent/TWI529801B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1174326A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Hitachi Ltd | 半導体断面観察装置 |
JP2006514783A (ja) * | 2002-10-11 | 2006-05-11 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマエッチングのパフォーマンスを改善する方法 |
JP2008529313A (ja) * | 2005-02-03 | 2008-07-31 | ラム リサーチ コーポレーション | 複数のマスキングステップを用いて微小寸法を低減する方法 |
JP2007234867A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Toshiba Corp | 加工形状シミュレーション方法、半導体装置の製造方法及び加工形状シミュレーションシステム |
JP2010134352A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Fujifilm Corp | カラーフィルタの製造方法及び固体撮像素子 |
JP2010157741A (ja) * | 2009-01-05 | 2010-07-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | スカロップ状側壁を有するシリコン貫通ビア |
JP2011032366A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Fujifilm Corp | 着色硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10403516B2 (en) | 2014-07-30 | 2019-09-03 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Etching characteristic estimation method, program, information processing apparatus, processing apparatus, designing method, and production method |
JP2016032064A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-07 | ソニー株式会社 | エッチング特性推定方法、プログラム、情報処理装置、加工装置、設計方法、および、製造方法 |
WO2016017303A1 (ja) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | ソニー株式会社 | エッチング特性推定方法、プログラム、情報処理装置、加工装置、設計方法、および、製造方法 |
WO2016132759A1 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | ソニー株式会社 | 情報処理装置、加工装置、推定方法、プログラム、および、加工方法 |
US10534355B2 (en) | 2015-02-20 | 2020-01-14 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Information processing device, processing device, prediction method, and processing method |
JPWO2016132759A1 (ja) * | 2015-02-20 | 2017-11-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 情報処理装置、加工装置、推定方法、プログラム、および、加工方法 |
JP2017195365A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-10-26 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 終点検出のためのエッチング測定感度 |
KR20170102819A (ko) * | 2016-03-02 | 2017-09-12 | 램 리써치 코포레이션 | 엔드포인트 검출을 위한 에칭 계측 민감도 |
KR102422230B1 (ko) | 2016-03-02 | 2022-07-15 | 램 리써치 코포레이션 | 엔드포인트 검출을 위한 에칭 계측 민감도 |
KR20220104121A (ko) * | 2016-03-02 | 2022-07-26 | 램 리써치 코포레이션 | 엔드포인트 검출을 위한 에칭 계측 민감도 |
KR102577904B1 (ko) | 2016-03-02 | 2023-09-12 | 램 리써치 코포레이션 | 엔드포인트 검출을 위한 에칭 계측 민감도 |
US11704463B2 (en) | 2018-04-06 | 2023-07-18 | Lam Research Corporation | Method of etch model calibration using optical scatterometry |
US11624981B2 (en) | 2018-04-10 | 2023-04-11 | Lam Research Corporation | Resist and etch modeling |
US11921433B2 (en) | 2018-04-10 | 2024-03-05 | Lam Research Corporation | Optical metrology in machine learning to characterize features |
CN110457780A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-11-15 | 上海卫星装备研究所 | 介质深层充电电位和内部充电电场获取方法及存储介质 |
WO2024005047A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御方法及び基板処理システム |
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