JP2012169678A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5326278B2 (ja) * 2005-08-29 2013-10-30 日立金属株式会社 回路基板及びこれを用いた半導体モジュール、回路基板の製造方法
JP2009094264A (ja) * 2007-10-09 2009-04-30 Hitachi Metals Ltd 回路基板、半導体モジュール、半導体モジュールの設計方法
JP5070014B2 (ja) * 2007-11-21 2012-11-07 株式会社豊田自動織機 放熱装置
JP2009130060A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Toyota Industries Corp 放熱装置
US8609993B2 (en) * 2008-05-16 2013-12-17 Mitsubishi Materials Corporation Power module substrate, power module, and method for manufacturing power module substrate
WO2009154295A1 (ja) * 2008-06-20 2009-12-23 日立金属株式会社 セラミックス集合基板とその製造方法及びセラミックス基板並びにセラミックス回路基板
DE102010039728A1 (de) * 2010-08-25 2012-03-01 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung und elektrischen Schaltung
EP2811513B1 (en) 2012-02-01 2019-12-18 Mitsubishi Materials Corporation Method for producing substrate for power modules
CN102856266A (zh) * 2012-09-19 2013-01-02 张剑锋 一体化绝缘陶瓷基板
EP3109222B1 (en) * 2014-02-21 2018-09-26 Denka Company Limited Ceramic circuit board
JP6341822B2 (ja) 2014-09-26 2018-06-13 三菱電機株式会社 半導体装置
CN105742268B (zh) * 2014-12-26 2019-01-22 株式会社东芝 布线基板以及包含布线基板的半导体封装
US10037928B2 (en) * 2015-01-29 2018-07-31 Kyocera Corporation Circuit board and electronic device
JP6370257B2 (ja) 2015-04-27 2018-08-08 三菱電機株式会社 半導体装置
KR101708317B1 (ko) * 2015-06-17 2017-02-20 엘지전자 주식회사 스트레인 검사 소자 및 그 부착 방법
US10160690B2 (en) 2015-09-28 2018-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit board and semiconductor module using the same
EP3358614B1 (en) 2015-09-28 2022-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit substrate and semiconductor device
JP6137267B2 (ja) * 2015-10-08 2017-05-31 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付きパワーモジュール用基板及びパワーモジュール
WO2018180965A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 株式会社 東芝 セラミックス銅回路基板およびそれを用いた半導体装置
WO2018207396A1 (ja) * 2017-05-11 2018-11-15 住友電気工業株式会社 半導体装置
KR102436225B1 (ko) * 2017-07-28 2022-08-25 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
WO2019167942A1 (ja) * 2018-02-27 2019-09-06 三菱マテリアル株式会社 絶縁回路基板
DE102018104521B4 (de) * 2018-02-28 2022-11-17 Rogers Germany Gmbh Metall-Keramik-Substrate
KR102766685B1 (ko) * 2019-03-29 2025-02-11 덴카 주식회사 질화규소 회로 기판, 및, 전자 부품 모듈
CN110012597B (zh) * 2019-04-12 2020-11-27 中国科学院电工研究所 一种陶瓷覆铜电路板及其制备方法
JP7221401B2 (ja) * 2019-08-29 2023-02-13 京セラ株式会社 電気回路基板及びパワーモジュール
JPWO2023204054A1 (enExample) * 2022-04-18 2023-10-26

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5780164A (en) 1994-12-12 1998-07-14 The Dow Chemical Company Computer disk substrate, the process for making same, and the material made therefrom
US5672435A (en) * 1994-12-12 1997-09-30 The Dow Chemical Company Hard disk drive components and methods of making same
JP3100871B2 (ja) 1995-07-11 2000-10-23 株式会社東芝 窒化アルミニウム焼結体
JP3512977B2 (ja) 1996-08-27 2004-03-31 同和鉱業株式会社 高信頼性半導体用基板
JP3932343B2 (ja) 1996-08-27 2007-06-20 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 半導体用基板およびその製造方法
JPH10107440A (ja) * 1996-09-30 1998-04-24 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk セラミック基板及びその製造方法
JP2001010865A (ja) 1999-06-23 2001-01-16 Ngk Insulators Ltd 窒化珪素焼結体及びその製造方法
US6417563B1 (en) * 2000-07-14 2002-07-09 Advanced Micro Devices, Inc. Spring frame for protecting packaged electronic devices
DE10165107B3 (de) * 2000-09-20 2015-06-18 Hitachi Metals, Ltd. Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte
JP3797905B2 (ja) 2000-10-27 2006-07-19 株式会社東芝 窒化けい素セラミックス基板およびそれを用いた窒化けい素セラミックス回路基板並びにその製造方法
US6613443B2 (en) * 2000-10-27 2003-09-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride ceramic substrate, silicon nitride ceramic circuit board using the substrate, and method of manufacturing the substrate
JP2003101184A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Kyocera Corp セラミック回路基板およびその製造方法
JP2004119568A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Kyocera Corp セラミック回路基板
JP4360847B2 (ja) * 2003-06-30 2009-11-11 日本特殊陶業株式会社 セラミック回路基板、放熱モジュール、および半導体装置
JP5326278B2 (ja) * 2005-08-29 2013-10-30 日立金属株式会社 回路基板及びこれを用いた半導体モジュール、回路基板の製造方法

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