JP2012156359A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 発光素子であって、
   基板と、
   該基板上に位置する第一導電型半導体層と、
   該第一導電型半導体層上に位置する発光構造と、を含み、
   該発光構造は、複数の第一活性層と、複数の第二活性層と、前記発光構造上に位置する第二導電型半導体層とを含み、
   各第一活性層は、量子井戸構造を有し、かつ第一発光波長の光を発することができ、
   各第二活性層は、量子井戸構造を有し、かつ第二発光波長の光を発することができ、
   前記第一活性層と前記第二活性層が交互に積み重なり、かつ第一発光波長が第二発光波長より大きいことを特徴とする発光素子。
2. 前記基板の材料は、ヒ化ガリウム、サファイア、炭化ケイ素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ケイ素及びゲルマニウムから構成される群から選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
3. 前記第一発光波長と前記第二発光波長の差異が１０nmより大きくないことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
4. 前記第一活性層と前記第二活性層が交互に積み重なることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
5. 前記第一活性層と前記第二活性層の層数の総和は２３ｎであり、かつｎは０より大きい整数であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
6. 隣接する第一活性層の間にｄ層の第二活性層を挿入し、かつ４ｎ≦ｄ≦１０ｎ（ｎは０より大きい整数）であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。