JP2012522390A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012522390A5 JP2012522390A5 JP2012502545A JP2012502545A JP2012522390A5 JP 2012522390 A5 JP2012522390 A5 JP 2012522390A5 JP 2012502545 A JP2012502545 A JP 2012502545A JP 2012502545 A JP2012502545 A JP 2012502545A JP 2012522390 A5 JP2012522390 A5 JP 2012522390A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- optoelectronic semiconductor
- quantum well
- active quantum
- zones
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 24
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims 21
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 1
Claims (10)
- 窒化物材料系をベースとするオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は少なくとも１つの活性量子井戸（２）を有し、
動作中、前記活性量子井戸（２）において電磁波が生成され、
前記活性量子井戸（２）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の成長方向ｚに対して平行な方向に、相互に重なったＮ個のゾーン（Ａ）を有し、ただし、Ｎは３以上の自然数であり、
前記ゾーン（Ａ）のうち少なくとも２つのゾーンの平均インジウム含有率ｃは相互に異なり、
前記活性量子井戸（２）は、条件
前記少なくとも１つの活性量子井戸（２）の前記ゾーン（Ａ）の各インジウム含有率ｃは一定であり、
ここで、前記インジウム含有率ｃは無次元で、単位％で表されており、ｚは無次元で、単位ｎｍで表されており、
前記成長方向ｚに対して平行に前記半導体チップ（１）のｐ端子側（ｐ）からｎ端子側（ｎ）に向かう方向における前記ゾーン（Ａ）のうち少なくとも３つの連続するゾーンの平均インジウム含有率に、
ｃ ｉ ＜ｃ ｉ＋１ かつｃ ｉ＋１ ＞ｃ ｉ＋２
が適用される、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）において、
ｃ ｉ ＜ｃ ｉ＋２ であることを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。 - 前記成長方向ｚに平行に、前記半導体チップ（１）のｐ端子側（ｐ）からｎ端子側（ｎ）に向かう方向に順に前記ゾーン（Ａ）に連続番号を付した場合、該成長方向ｚに対して平行に前記半導体チップ（１）のｐ端子側（ｐ）からｎ端子側（ｎ）に向かう方向における前記ゾーン（Ａ）の少なくとも一部の平均インジウム含有率に、
ｃ ｊ ＞ｃ ｊ＋１ かつｃ ｊ＋２ ＞ｃ ｊ＋１ かつｃ ｊ ＞ｃ ｊ＋２
が適用される、
ただし、ｉおよびｊは自然数であり、かつｉ≠ｊである、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。 - Ｎは３〜１０であり、
前記活性量子井戸（２）の全幅（Ｗ）は０．２５ｎｍ〜１２ｎｍである、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。 - 前記活性量子井戸（２）は、前記成長方向ｚに対して平行な方向に２〜５個である、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
- 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は少なくとも２つの非活性量子井戸（３）を有し、
前記非活性量子井戸（３）の各インジウム含有率は、前記少なくとも１つの活性量子井戸（２）の最大インジウム含有率より小さい、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。 - 少なくとも２つの隣接する前記活性量子井戸（２）間に、前記非活性量子井戸（３）が少なくとも１つ設けられている、請求項４および５記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
- 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は少なくとも２つの導波層（４）を含み、前記少なくとも１つの活性量子井戸（２）は該導波層（４）間に設けられており、
前記導波層（４）のうち少なくとも１つの導波層は、少なくとも１つのキャリア障壁層（５）を含む、請求項１から６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。 - 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）はレーザ光を生成するために構成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
- 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は、４３０ｎｍ〜５４０ｎｍの電磁波を生成するために構成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
- 窒化物材料系をベースとするオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は少なくとも１つの活性量子井戸（２）を有し、
動作中、前記活性量子井戸（２）において電磁波が生成され、
前記活性量子井戸（２）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の成長方向ｚに対して平行な方向に、相互に重なったＮ個のゾーン（Ａ）を有し、ただし、Ｎは２以上の自然数であり、
前記ゾーン（Ａ）には、前記成長方向ｚに対して平行な方向に順に連続番号が付されており、
前記ゾーン（Ａ）のうち少なくとも２つのゾーンの平均アルミニウム含有率ｋは相互に異なり、
前記活性量子井戸（２）は、
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009015569.4 | 2009-03-30 | ||
| DE102009015569.4A DE102009015569B9 (de) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| PCT/EP2010/053047 WO2010112310A1 (de) | 2009-03-30 | 2010-03-10 | Optoelektronischer halbleiterchip |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015025476A Division JP5933775B2 (ja) | 2009-03-30 | 2015-02-12 | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012522390A JP2012522390A (ja) | 2012-09-20 |
| JP2012522390A5 true JP2012522390A5 (ja) | 2013-03-28 |
Family
ID=42340450
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012502545A Pending JP2012522390A (ja) | 2009-03-30 | 2010-03-10 | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
| JP2015025476A Active JP5933775B2 (ja) | 2009-03-30 | 2015-02-12 | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
| JP2016092753A Pending JP2016157977A (ja) | 2009-03-30 | 2016-05-02 | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015025476A Active JP5933775B2 (ja) | 2009-03-30 | 2015-02-12 | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
| JP2016092753A Pending JP2016157977A (ja) | 2009-03-30 | 2016-05-02 | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8908733B2 (ja) |
| EP (1) | EP2415085B1 (ja) |
| JP (3) | JP2012522390A (ja) |
| KR (2) | KR101704985B1 (ja) |
| CN (2) | CN102369606B (ja) |
| DE (1) | DE102009015569B9 (ja) |
| TW (1) | TWI452723B (ja) |
| WO (1) | WO2010112310A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009015569B9 (de) * | 2009-03-30 | 2023-06-29 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| KR101712049B1 (ko) | 2010-11-17 | 2017-03-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| JP5417307B2 (ja) * | 2010-12-02 | 2014-02-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| JP2014067893A (ja) | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| DE102013200507A1 (de) * | 2013-01-15 | 2014-07-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| DE102013104351B4 (de) | 2013-04-29 | 2022-01-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| JP2015038949A (ja) * | 2013-07-17 | 2015-02-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| KR102019858B1 (ko) * | 2013-07-18 | 2019-09-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
| FR3009894B1 (fr) | 2013-08-22 | 2016-12-30 | Commissariat Energie Atomique | Diode electroluminescente dont une zone active comporte des couches d'inn |
| JP6183060B2 (ja) * | 2013-08-24 | 2017-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| WO2017119365A1 (ja) * | 2016-01-08 | 2017-07-13 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子、表示装置および電子機器 |
| DE102016117477A1 (de) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterschichtenfolge |
| JP7295371B2 (ja) | 2018-08-31 | 2023-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP6891865B2 (ja) * | 2018-10-25 | 2021-06-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| US10735354B1 (en) | 2018-10-30 | 2020-08-04 | Facebook, Inc. | Photo space user interface facilitating contextual discussion between users of a social networking system |
| FR3096508A1 (fr) * | 2019-05-21 | 2020-11-27 | Aledia | Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950000119B1 (ko) * | 1991-12-30 | 1995-01-09 | 주식회사 금성사 | 반도체 레이저의 구조 |
| JP3543498B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2004-07-14 | 豊田合成株式会社 | ３族窒化物半導体発光素子 |
| DE19955747A1 (de) * | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur |
| JP3876649B2 (ja) | 2001-06-05 | 2007-02-07 | ソニー株式会社 | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
| TWI275220B (en) * | 2001-11-05 | 2007-03-01 | Nichia Corp | Nitride semiconductor device |
| US6618413B2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-09-09 | Xerox Corporation | Graded semiconductor layers for reducing threshold voltage for a nitride-based laser diode structure |
| JP2003229645A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Nec Corp | 量子井戸構造およびそれを用いた半導体素子ならびに半導体素子の製造方法 |
| JP4047150B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2008-02-13 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP4412918B2 (ja) | 2003-05-28 | 2010-02-10 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2004356356A (ja) | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 洗浄終了判定方法および洗浄装置 |
| US6995389B2 (en) | 2003-06-18 | 2006-02-07 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Heterostructures for III-nitride light emitting devices |
| JPWO2005020396A1 (ja) | 2003-08-26 | 2006-10-19 | ソニー株式会社 | ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| US7138648B2 (en) * | 2003-12-17 | 2006-11-21 | Palo Alto Research Center Incorporated | Ultraviolet group III-nitride-based quantum well laser diodes |
| KR100513923B1 (ko) | 2004-08-13 | 2005-09-08 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 질화물 반도체층을 성장시키는 방법 및 이를 이용하는 질화물 반도체 발광소자 |
| DE102005035722B9 (de) * | 2005-07-29 | 2021-11-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US20070045638A1 (en) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light emitting device with double heterostructure light emitting region |
| JP5244297B2 (ja) | 2006-04-12 | 2013-07-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体発光素子 |
| JP2008288397A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Eudyna Devices Inc | 半導体発光装置 |
| KR101459752B1 (ko) | 2007-06-22 | 2014-11-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE102007044439B4 (de) | 2007-09-18 | 2022-03-24 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip mit Quantentopfstruktur |
| WO2010027306A1 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | A method for allocating communication bandwidth and associated apparatuses |
| DE102009015569B9 (de) * | 2009-03-30 | 2023-06-29 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| US8779412B2 (en) * | 2011-07-20 | 2014-07-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
-
2009
- 2009-03-30 DE DE102009015569.4A patent/DE102009015569B9/de active Active
-
2010
- 2010-03-10 CN CN201080014639.5A patent/CN102369606B/zh active Active
- 2010-03-10 US US13/262,583 patent/US8908733B2/en active Active
- 2010-03-10 WO PCT/EP2010/053047 patent/WO2010112310A1/de active Application Filing
- 2010-03-10 KR KR1020167017756A patent/KR101704985B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-10 JP JP2012502545A patent/JP2012522390A/ja active Pending
- 2010-03-10 CN CN201410437730.8A patent/CN104319331B/zh active Active
- 2010-03-10 KR KR1020117025789A patent/KR101645057B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-10 EP EP10707304.1A patent/EP2415085B1/de active Active
- 2010-03-25 TW TW099108846A patent/TWI452723B/zh active
-
2014
- 2014-11-06 US US14/535,044 patent/US9202971B2/en active Active
-
2015
- 2015-02-12 JP JP2015025476A patent/JP5933775B2/ja active Active
-
2016
- 2016-05-02 JP JP2016092753A patent/JP2016157977A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012522390A5 (ja) | ||
| JP5908558B2 (ja) | 光電素子及びその製造方法 | |
| JP2013026616A5 (ja) | ||
| TWI379433B (en) | Semiconductor light emitting device | |
| TWI241036B (en) | GaN LED structure with enhanced light emitting luminance | |
| JP2010541223A5 (ja) | ||
| JP2010098151A5 (ja) | ||
| TWI610458B (zh) | 具有差排彎折結構之發光裝置 | |
| EP2639900A3 (en) | Semiconductor stack and vertical cavity surface emitting laser | |
| TWI452723B (zh) | 光電半導體晶片 | |
| EP2330641A3 (en) | Light emitting device and light emitting device package including the same | |
| JP2009043934A (ja) | フリップチップ型発光素子 | |
| JP2015228497A5 (ja) | ||
| JP2010040761A5 (ja) | ||
| JP2015511407A5 (ja) | ||
| JP2018531514A5 (ja) | ||
| JP2011176093A (ja) | 発光素子用基板および発光素子 | |
| EP2381493A3 (en) | Light emitting diode | |
| WO2009036730A3 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip mit quantentopfstruktur | |
| JP6564348B2 (ja) | 深紫外発光素子 | |
| JP3979378B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2014033185A5 (ja) | ||
| JP5318353B2 (ja) | ＧａＮ系ＬＥＤ素子および発光装置 | |
| JP2013254939A5 (ja) | ||
| WO2005067067A1 (ja) | 半導体発光素子 |