JP2010505251A5 - - Google Patents

Claims (26)

1. ビームを形成する少なくとも２つの活性層（２，３）を有するＬＥＤ半導体ボディ（１）において、
   前記の活性層は１つずつの順電圧（Ｕ_LED）を有しており、当該の活性層（２，３）により、同じ波長のビームが形成され、
   − 前記のＬＥＤ半導体ボディ（１）は、電気接続のために第１外部配設形コンタクト（１２）および第２外部配設形コンタクト（９）を有しており、当該の第１外部配設形コンタクト（１２）および第２外部配設形コンタクト（９）によって当該のＬＥＤ半導体ボディ（１）に第１動作電圧（Ｕ _B ）を加えられ、
   − 前記のＬＥＤ半導体ボディ（１）はさらに、前記の２つの活性層（２，３）の間に配置された内部配設形コンタクト（１１）を有しており、
   前記の第１外部配設形コンタクト（１２）および第２外部配設形コンタクト（９）と、内部配設形コンタクト（１１）とによって第２動作電圧（Ｕ _B ）がＬＥＤ半導体ボディ（１）に加えられ、
   前記の活性層の数を動作電圧（Ｕ_B）に適合させて、前記の活性層（２，３）に直列接続される前置抵抗（１０）にて降下する電圧（Ｕ_W）が、ＬＥＤ半導体ボディ（１）にて降下する電圧（Ｕ_H）以下であるようにしたことを特徴とする、
   ＬＥＤ半導体ボディ（１）。
2. 前記の前置抵抗（１０）にて降下する電圧（Ｕ_W）は、前記のＬＥＤ半導体ボディ（１）にて降下する最低の順電圧（Ｕ_LED）よりも低い、
   請求項１に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
3. 前記の活性層（２，３）は半導体ボディ（１）にモノリシックに集積されている、
   請求項１または２に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
4. 前記の活性層（２，３）は、垂直方向に重ねられて配置されている、
   請求項１から３までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
5. 前記の前置抵抗（１０）と共に１つのチップに集積される、
   請求項１から４までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
6. 前記の前置抵抗（１０）と共に１つのケーシングボディに組み込まれている、
   請求項１から４までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
7. 前記の２つずつ活性層（２，３）の間にトンネル接合部（４）が形成される、
   請求項１から６までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
8. 前記の動作電圧（Ｕ_B）は直流電圧である、
   請求項１から７までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
9. 前記の動作電圧（Ｕ_B）は、５Ｖ，１２Ｖまたは２４Ｖである、
   請求項１から８までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
10. 前記のＬＥＤ半導体ボディ（１）は、３つの内部配設形コンタクト（１１）を有する、
    請求項８または９に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
11. 前記の第１外部配設形コンタクト（１２）と第１内部配設形コンタクト（１１）とにより、５Ｖの動作電圧（Ｕ_B）がＬＥＤ半導体ボディ（１）に加えられる、
    請求項１０に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
12. 前記の第１外部配設形コンタクト（１２）と第２内部配設形コンタクトとにより、９Ｖの動作電圧（Ｕ_B）がＬＥＤ半導体ボディ（１）に加えられる、
    請求項１１に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
13. 前記の第１外部配設形コンタクト（１２）と第３内部配設形コンタクトとにより、１２Ｖの動作電圧（Ｕ_B）がＬＥＤ半導体ボディ（１）に加えられる、
    請求項１２に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
14. 前記の第１外部配設形コンタクト（１２）と、第２外部配設形コンタクト（９）とにより、２４Ｖの動作電圧（Ｕ_B）がＬＥＤ半導体ボディ（１）に加えられる、
    請求項１３に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
15. 前記の動作電圧（Ｕ_B）は交流電圧である、
    請求項１から７までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
16. 前記の動作電圧（Ｕ_B）は、２Ｖ，１２Ｖまたは１８Ｖである、
    請求項１５に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
17. ２つの活性層（２，３）は逆平行に接続されている、
    請求項１から１６までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
18. 前記の活性層（２，３）は直列接続されている、
    請求項１から１４までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
19. 前記の半導体ボディ（１）、有利には活性層（２，３）のうちの少なくとも１つは、Al_nGa_mIn_1-n-mPを含み、ここで０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１およびｎ＋ｍ≦１である、
    請求項１から１８までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
20. 前記の半導体ボディ（１）、有利には活性層（２，３）のうちの少なくとも１つは、Al_nGa_mIn_1-n-mAsを含み、ここで０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１およびｎ＋ｍ≦１である、
    請求項１から１８までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
21. 前記の半導体ボディ（１）、有利には活性層（２，３）のうちの少なくとも１つは、Al_nGa_mIn_1-n-mNを含み、ここで０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１およびｎ＋ｍ≦１である、
    請求項１から１８までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
22. 前記のＬＥＤ半導体ボディは、薄膜半導体ボディである、
    請求項１から２１までのいずれか１項に記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）。
23. ＬＥＤ半導体ボディ（１）の使用方法において、
    一般照明に使用する、
    請求項１から２２までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）の使用方法。
24. ＬＥＤ半導体ボディ（１）の使用方法において、
    車両照明に使用する、
    請求項１から２２までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）の使用方法。
25. ＬＥＤ半導体ボディ（１）の使用方法において
    例えばディスプレイの後方照明に使用する、
    請求項１から２２までのいずれか一項記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）の使用方法。
26. ＬＥＤ半導体ボディ（１）の使用方法において、
    プロジェクタ応用に使用する、
    請求項１から２２までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体ボディ（１）の使用方法。