JP2012156359A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の発光素子は、基板と、前記基板に形成された発光構造とを含む。発光構造は、第一発光波長を有する第一活性層と、第二発光波長を有する第二活性層とを含み、第一活性層と第二活性層は交互積み重ねて発光構造を形成する。
【選択図】 図1
Description
TC=[((T2の場合の正規化光束密度)-(T1の場合の正規化光束密度))/(T2-T1)]/( T1の場合の正規化光束密度)=((f2/f1)-1)/( T2-T1) ……数式1
11 第一導電型半導体層
12 発光構造
13 第二導電型半導体層
100、200、300 エピタキシ構造
100a 第一活性層
100b 第二活性層
400 バックライトモジュール装置
410、510 光源装置
420 光学装置
430、520 電源供給システム
500 照明装置
530 制御素子
Claims (11)
- 発光素子であって、
基板と、
前記基板に形成された発光構造と、を含み、
前記発光構造は第一活性層及び第二活性層を含み、前記第一活性層と前記第二活性層は交互積み重ねて前記発光構造を形成し、
前記発光素子は、第一種特定工程で製造された場合、第一温度係数(Temperature Coefficient、TC1)を有し、第二種特定工程で製造された場合、第二温度係数(Temperature Coefficient、TC2)を有し、前記第一温度係数TC1と前記第二温度係数TC2の両者の差の絶対値は0.12%/Kより小さい、
ことを特徴とする発光素子。 - 前記基板の材料は、ヒ化ガリウム、サファイア、炭化ケイ素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ケイ素及びゲルマニウムから構成された群から選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記第一活性層は第一発光波長を発する量子井戸構造であり、かつ前記第二活性層は第二発光波長を発する量子井戸構造であることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 更に、
前記基板に位置する第一導電型半導体層と、
前記発光構造に位置する第二導電型半導体層と、を含むことを特徴とする請求項1記載の発光素子。 - 前記第一種特定工程と前記第二種特定工程は、異なるパラメータ及び露出、現像、エッチング、蒸着、研磨、切断の工程条件を含むことを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記発光構造の材料は、アルミニウムガリウムインジウムリン系化合物、窒化アルミニウムガリウムインジウム系化合物又はこの二種の化合物の混合物が用いられることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記第一発光波長はλ1であり、前記第二発光波長はλ2であり、前記λ1は前記λ2より大きいことを特徴とする請求項3記載の発光素子。
- 前記第一活性層と前記第二活性層の層数の総和は23nであり、かつnは0より大きい整数であることを特徴とする請求項3記載の発光素子。
- 前記各第一活性層の間にd層の第二活性層を挿入し、かつ4n≦d≦10n(nは0より大きい整数)であることを特徴とする請求項8記載の発光素子。
- バックライトモジュール装置であって、
請求項1乃至9のいずれか一つに記載された発光素子から構成された光源装置と、
前記光源装置の光出射経路に配置された光学装置と、
前記光源装置に必要な電源を供給する電源供給システムと、を含む
ことを特徴とするバックライトモジュール装置。 - 照明装置であって、
請求項1乃至9のいずれか一つに記載された発光素子から構成された光源装置と、
前記光源装置に必要な電源を供給する電源供給システムと、
前記光源装置に入力される前記電源を制御する制御素子と、を含む
ことを特徴とする照明装置。
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JP2007142426A (ja) * | 2005-11-19 | 2007-06-07 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2010098151A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
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