JP2012146726A5 - - Google Patents

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ところで、メモリとして有効に存在し得るためには、書き込まれた情報を保持することができなければならない。情報を保持する能力の指標としては、熱安定性の指標Δ（＝ＫＶ／ｋＢＴ）を挙げることができる。このΔは、下記［式１］により表される。
Figure 2012146726
 ここで、Ｈｋ：実効的な異方性磁界、ｋＢ：ボルツマン定数、Ｔ：温度、Ｍｓ：飽和磁化量、Ｋ：異方性エネルギー、Ｖ：記憶層の体積である。
また、一般に、スピントランスファの効率はＭＲ比に依存し、ＭＲ比が大きいほど、スピントランスファの効率が向上し、磁化反転電流密度を低減することができる。従って、絶縁層１６の材料として酸化マグネシウムを用い、同時に、上記の記憶層１７を用いることにより、スピントルク磁化反転による書き込み電流閾値を低減することができ、少ない電流で情報の書き込み（記録）を行うことができる。また、読み出し信号強度を大きくすることができる。
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