RU2012140509A - Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (mram) с самоадресацией, содержащая ферримагнитные слои - Google Patents
Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (mram) с самоадресацией, содержащая ферримагнитные слои Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012140509A RU2012140509A RU2012140509/08A RU2012140509A RU2012140509A RU 2012140509 A RU2012140509 A RU 2012140509A RU 2012140509/08 A RU2012140509/08 A RU 2012140509/08A RU 2012140509 A RU2012140509 A RU 2012140509A RU 2012140509 A RU2012140509 A RU 2012140509A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetization
- layer
- read
- storage layer
- ferrimagnetic
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
1. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM), содержащая магнитный туннельный переход, содержащий запоминающий слой, имеющий результирующую намагниченность запоминания, которая является регулируемой от первого направления до второго направления, когда магнитный туннельный переход доведен до высокотемпературного порога, и которая является зафиксированной при низкотемпературном пороге; слой считывания, имеющий результирующую намагниченность считывания, которая является обратимой; и туннельный барьерный слой, отделяющий слой считывания от запоминающего слоя;причем по меньшей мере один из запоминающего слоя и слоя считывания, содержит материал ферримагнитного 3d-4f аморфного сплава, содержащего подрешетку из атомов переходных 3d-металлов, обеспечивающую первую намагниченность, и подрешетку из атомов редкоземельных 4f-элементов, обеспечивающую вторую намагниченность так, что при температуре компенсации упомянутого по меньшей мере одного из запоминающего слоя и слоя считывания первая намагниченность и вторая намагниченность, по существу, равны.2. Ячейка MRAM по п.1, в которой слой считывания содержит материал ферримагнитного 3d-4f аморфного сплава, причем первой намагниченностью является первая намагниченность считывания, а второй намагниченностью является вторая намагниченностью считывания; и в которой температура компенсации слоя считывания соответствует, по существу, высокотемпературному порогу.3. Ячейка MRAM по п.1, в которой запоминающий слой содержит материал ферримагнитного 3d-4f аморфного сплава, причем первой намагниченностью является первая намагниченность запоминания, а второ�
Claims (9)
1. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM), содержащая магнитный туннельный переход, содержащий запоминающий слой, имеющий результирующую намагниченность запоминания, которая является регулируемой от первого направления до второго направления, когда магнитный туннельный переход доведен до высокотемпературного порога, и которая является зафиксированной при низкотемпературном пороге; слой считывания, имеющий результирующую намагниченность считывания, которая является обратимой; и туннельный барьерный слой, отделяющий слой считывания от запоминающего слоя;
причем по меньшей мере один из запоминающего слоя и слоя считывания, содержит материал ферримагнитного 3d-4f аморфного сплава, содержащего подрешетку из атомов переходных 3d-металлов, обеспечивающую первую намагниченность, и подрешетку из атомов редкоземельных 4f-элементов, обеспечивающую вторую намагниченность так, что при температуре компенсации упомянутого по меньшей мере одного из запоминающего слоя и слоя считывания первая намагниченность и вторая намагниченность, по существу, равны.
2. Ячейка MRAM по п.1, в которой слой считывания содержит материал ферримагнитного 3d-4f аморфного сплава, причем первой намагниченностью является первая намагниченность считывания, а второй намагниченностью является вторая намагниченностью считывания; и в которой температура компенсации слоя считывания соответствует, по существу, высокотемпературному порогу.
3. Ячейка MRAM по п.1, в которой запоминающий слой содержит материал ферримагнитного 3d-4f аморфного сплава, причем первой намагниченностью является первая намагниченность запоминания, а второй намагниченностью является вторая намагниченность запоминания; и в которой температура компенсации запоминающего слоя соответствует, по существу, низкотемпературному порогу.
4. Ячейка MRAM по п.1, в которой слой считывания содержит материал ферримагнитного 3d-4f аморфного сплава, обеспечивающий первую и вторую намагниченности, и запоминающий слой содержит материал ферримагнитного 3d-4f аморфного сплава, обеспечивающий первую и вторую намагниченности, и в которой температура компенсации запоминающего слоя больше, чем температура компенсации слоя считывания.
5. Ячейка MRAM по п.4, в которой температура компенсации запоминающего слоя соответствует, по существу, низкотемпературному порогу, а температура компенсации слоя считывания соответствует, по существу, высокотемпературному порогу.
6. Ячейка MRAM по п.1, в которой температура компенсации может быть отрегулирована в соответствии с относительными составами между подрешеткой переходного 3d-металла и подрешеткой редкоземельного 4f-элемента.
7. Ячейка MRAM по п.1, в которой ферримагнитный материал содержит сплав, содержащий Co или Fe с Gd, Sm или Tb.
8. Способ записи ячейки MRAM, содержащей магнитный туннельный переход, содержащий запоминающий слой, имеющий результирующую намагниченность запоминания, которая является регулируемой от первого направления до второго направления, когда магнитный туннельный переход доведен до высокотемпературного порога, и является зафиксированной при низкотемпературном пороге; слой считывания, имеющий результирующую намагниченность считывания, которая является обратимой; и туннельный барьерный слой, отделяющий слой считывания от запоминающего слоя; причем по меньшей мере один из запоминающего слоя и слоя считывания, содержит материал ферримагнитного 3d-4f аморфного сплава, содержащего подрешетку из атомов переходных 3d-металлов, обеспечивающую первую намагниченность, и подрешетку из атомов редкоземельных 4f-элементов, обеспечивающую вторую намагниченность так, что при температуре компенсации упомянутого по меньшей мере одного из запоминающего слоя и слоя считывания, первая намагниченность и вторая намагниченность, по существу, равны; при этом способ содержит этапы, на которых:
нагревают магнитный туннельный переход до высокотемпературного порога;
после того, как магнитный туннельный переход достиг высокотемпературного порога, переключают направление намагниченности запоминающего слоя для записи данных в упомянутый запоминающий слой;
причем высокотемпературный порог соответствует, по существу, температуре компенсации.
9. Способ считывания ячейки MRAM, содержащей магнитный туннельный переход, содержащий запоминающий слой, имеющий результирующую намагниченность запоминания, которая является регулируемой от первого направления до второго направления, когда магнитный туннельный переход доведен до высокотемпературного порога, и является зафиксированной при низкотемпературном пороге; слой считывания, имеющий обратимую результирующую намагниченность считывания; и туннельный барьерный слой, отделяющий слой считывания от запоминающего слоя; причем по меньшей мере один из запоминающего слоя и слоя считывания, содержит материал ферримагнитного 3d-4f аморфного сплава, содержащего подрешетку из атомов переходных 3d-металлов, обеспечивающую первую намагниченность, и подрешетку из атомов редкоземельных 4f-элементов, обеспечивающую вторую намагниченность так, что при температуре компенсации упомянутого по меньшей мере одного из запоминающего слоя и слоя считывания, первая намагниченность и вторая намагниченность, по существу, равны; при этом способ содержит этапы, на которых:
выстраивают результирующую намагниченность считывания в первом направлении;
измеряют первое сопротивление упомянутого магнитного туннельного перехода, причем первое сопротивление определяется первым направлением результирующей намагниченности считывания относительно ориентации переключенной намагниченности запоминания;
выстраивают результирующую намагниченность считывания во втором направлении;
измеряют второе сопротивление упомянутого магнитного туннельного перехода, причем второе сопротивление определяется вторым направлением результирующей намагниченности считывания относительно ориентации переключенной намагниченности запоминания;
определяют разность между первым значением сопротивления и вторым значением сопротивления;
причем выстраивание результирующей намагниченности считывания в первом направлении и во втором направлении выполняют при температуре считывания ниже температуры компенсации.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP11290456.0 | 2011-09-30 | ||
EP11290456.0A EP2575136B1 (en) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | Self-reference magnetic random access memory (MRAM) cell comprising ferromagnetic layers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012140509A true RU2012140509A (ru) | 2014-03-27 |
RU2599939C2 RU2599939C2 (ru) | 2016-10-20 |
Family
ID=45023741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012140509/08A RU2599939C2 (ru) | 2011-09-30 | 2012-09-21 | Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (mram) с самоадресацией, содержащая ферримагнитные слои |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9165626B2 (ru) |
EP (1) | EP2575136B1 (ru) |
JP (1) | JP2013080920A (ru) |
KR (1) | KR20130035942A (ru) |
CN (1) | CN103035836B (ru) |
RU (1) | RU2599939C2 (ru) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2605246B1 (en) * | 2011-12-12 | 2015-02-11 | Crocus Technology S.A. | Self-referenced magnetic random access memory element comprising a synthetic storage layer |
EP2615610B1 (en) * | 2012-01-16 | 2016-11-02 | Crocus Technology S.A. | Mram cell and method for writing to the mram cell using a thermally assisted write operation with a reduced field current |
EP2741296B1 (en) * | 2012-12-07 | 2019-01-30 | Crocus Technology S.A. | Self-referenced magnetic random access memory (MRAM) and method for writing to the MRAM cell with increased reliability and reduced power consumption |
CN103588824A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-02-19 | 天津理工大学 | 一种3d-4f异金属磁性化合物的制备方法 |
US9515251B2 (en) | 2014-04-09 | 2016-12-06 | International Business Machines Corporation | Structure for thermally assisted MRAM |
US9666215B2 (en) | 2015-10-28 | 2017-05-30 | International Business Machines Corporation | Termination layer-compensated tunneling magnetoresistance in ferrimagnetic Heusler compounds with high perpendicular magnetic anisotropy |
US10014465B1 (en) * | 2017-04-03 | 2018-07-03 | Headway Technologies, Inc. | Maintaining coercive field after high temperature anneal for magnetic device applications with perpendicular magnetic anisotropy |
GB201806425D0 (en) | 2018-04-20 | 2018-06-06 | Provost Fellows Found Scholars And The Other Members Of Board Of The College Of The Holy And Undivid | Single magnetic-layer microwave oscillator |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2829867B1 (fr) * | 2001-09-20 | 2003-12-19 | Centre Nat Rech Scient | Memoire magnetique a selection a l'ecriture par inhibition et procede pour son ecriture |
KR100988086B1 (ko) * | 2003-11-14 | 2010-10-18 | 삼성전자주식회사 | 자기 모멘트가 낮은 프리 자성막을 구비하는 자기터널접합셀 및 이를 포함하는 자기램 |
US20050110004A1 (en) * | 2003-11-24 | 2005-05-26 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction with improved tunneling magneto-resistance |
US6925000B2 (en) * | 2003-12-12 | 2005-08-02 | Maglabs, Inc. | Method and apparatus for a high density magnetic random access memory (MRAM) with stackable architecture |
RU2310928C2 (ru) * | 2004-10-27 | 2007-11-20 | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. | Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства |
US8102071B2 (en) * | 2007-10-18 | 2012-01-24 | Catlin Christopher S | River and tidal power harvester |
WO2009074411A1 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Crocus Technology | Magnetic memory with a thermally assisted writing procedure |
FR2929041B1 (fr) * | 2008-03-18 | 2012-11-30 | Crocus Technology | Element magnetique a ecriture assistee thermiquement |
ATE538474T1 (de) * | 2008-04-07 | 2012-01-15 | Crocus Technology Sa | System und verfahren zum schreiben von daten auf magnetoresistive direktzugriffsspeicherzellen |
EP2375464B1 (en) * | 2008-12-22 | 2014-09-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive element and memory device using same |
EP2276034B1 (en) * | 2009-07-13 | 2016-04-27 | Crocus Technology S.A. | Self-referenced magnetic random access memory cell |
CN102455552B (zh) * | 2010-10-19 | 2015-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示器 |
EP2447948B1 (en) * | 2010-10-26 | 2014-12-31 | Crocus Technology S.A. | Thermally assisted magnetic random access memory element with improved endurance |
-
2011
- 2011-09-30 EP EP11290456.0A patent/EP2575136B1/en active Active
-
2012
- 2012-09-21 RU RU2012140509/08A patent/RU2599939C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2012-09-21 JP JP2012207985A patent/JP2013080920A/ja not_active Ceased
- 2012-09-25 US US13/625,923 patent/US9165626B2/en active Active
- 2012-09-28 KR KR1020120108601A patent/KR20130035942A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-09-28 CN CN201210367991.8A patent/CN103035836B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103035836B (zh) | 2016-12-21 |
EP2575136A1 (en) | 2013-04-03 |
RU2599939C2 (ru) | 2016-10-20 |
US20130083593A1 (en) | 2013-04-04 |
EP2575136B1 (en) | 2014-12-24 |
US9165626B2 (en) | 2015-10-20 |
KR20130035942A (ko) | 2013-04-09 |
CN103035836A (zh) | 2013-04-10 |
JP2013080920A (ja) | 2013-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2012140509A (ru) | Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (mram) с самоадресацией, содержащая ферримагнитные слои | |
US8102701B2 (en) | Magnetic memory with a thermally assisted writing procedure | |
CN104488102B (zh) | 用于垂直mtj的非晶态合金间隔物 | |
US8625336B2 (en) | Memory devices with series-interconnected magnetic random access memory cells | |
RU2599948C2 (ru) | Самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий синтетический запоминающий слой | |
JP2011507243A5 (ru) | ||
GB2537039A8 (en) | Perpendicular spin transfer torque (STT) memory cell with double MgO interface and CoFeB layer for enhancement of perpendicular magnetic anisotropy | |
KR20150054695A (ko) | 스핀 전달 토크 자기 램의 응용 분야들에서 사용할 수 있는 이중 수직 자기 이방성 자기 접합 | |
US9343657B2 (en) | Storage element, storage apparatus, and magnetic head | |
RU2011143173A (ru) | Многоуровневый магнитный элемент | |
RU2012121194A (ru) | Многобитовая ячейка с синтетическим запоминающим слоем | |
RU2012155911A (ru) | Самоотносимая ячейка mram и способ для записи в упомянутую ячейку с использованием операции записи с переносом спинового момента | |
CN103137855A (zh) | 存储元件和存储设备 | |
CN106165018B (zh) | 从亚铁磁稀土过渡金属(re-tm)合金形成的自旋转移切换磁性元件 | |
RU2012150042A (ru) | Самоотносимая ячейка mram с оптимизированной надежностью | |
JP2016063150A (ja) | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ | |
RU2013104558A (ru) | Самоотносимая ячейка магнитной памяти типа mram c линейным считывающим сигналом | |
JP6279492B2 (ja) | スピンバルブ、mram及びmramの動作方法 | |
KR20150079806A (ko) | Mram 셀을 연결하는 구조 | |
RU2012111795A (ru) | Ячейка магнитной оперативной памяти с двойным переходом для применений троичной ассоциативной памяти | |
TW201322513A (zh) | 包括亞鐵磁層之自我參照磁性隨機存取記憶體(mram)單元 | |
Parkin | Tunneling into the future: magnetic random access memory |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170922 |