RU2013104558A - Самоотносимая ячейка магнитной памяти типа mram c линейным считывающим сигналом - Google Patents
Самоотносимая ячейка магнитной памяти типа mram c линейным считывающим сигналом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013104558A RU2013104558A RU2013104558/08A RU2013104558A RU2013104558A RU 2013104558 A RU2013104558 A RU 2013104558A RU 2013104558/08 A RU2013104558/08 A RU 2013104558/08A RU 2013104558 A RU2013104558 A RU 2013104558A RU 2013104558 A RU2013104558 A RU 2013104558A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetization
- read
- layer
- magnetic
- reading
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Abstract
1. Самоотносимый элемент магнитной памяти с произвольным доступом (MRAM), содержащий:- магнитный туннельный переход, имеющий сопротивление перехода, содержащий:запоминающий слой, имеющий намагниченность запоминания, которая зафиксирована вдоль первого направления, когда магнитный туннельный переход находится при низком температурном пороге;слой считывания, имеющий намагниченность считывания; итуннельный барьерный слой, заключенный между запоминающим слоем и слоем считывания;при этом магнитный туннельный переход имеет магнетосопротивление, соответствующее разности между высоким значением сопротивления перехода, когда намагниченность считывания антипараллельна намагниченности запоминания, и низким значением сопротивления перехода, когда намагниченность считывания параллельна намагниченности запоминания;причем упомянутый элемент MRAM дополнительно содержит:- выстраивающее устройство, предназначенное для обеспечения намагниченности считывания магнитной анизотропией вдоль второго направления, которое по существу перпендикулярно первому направлению; и- первую линию тока для обеспечения первого магнитного поля считывания, приспособленного для настройки намагниченности считывания приблизительно во втором направлении, с тем, чтобы изменить сопротивление перехода внутри диапазона, который составляет по меньшей мере около 20% от магнетосопротивления;при этом упомянутое выстраивающее устройство дополнительно сконфигурировано таким образом, что сопротивление перехода изменяется линейно в упомянутом диапазоне.2. Элемент MRAM по п. 1, в котором упомянутое выстраивающее устройство содержит второй ант
Claims (8)
1. Самоотносимый элемент магнитной памяти с произвольным доступом (MRAM), содержащий:
- магнитный туннельный переход, имеющий сопротивление перехода, содержащий:
запоминающий слой, имеющий намагниченность запоминания, которая зафиксирована вдоль первого направления, когда магнитный туннельный переход находится при низком температурном пороге;
слой считывания, имеющий намагниченность считывания; и
туннельный барьерный слой, заключенный между запоминающим слоем и слоем считывания;
при этом магнитный туннельный переход имеет магнетосопротивление, соответствующее разности между высоким значением сопротивления перехода, когда намагниченность считывания антипараллельна намагниченности запоминания, и низким значением сопротивления перехода, когда намагниченность считывания параллельна намагниченности запоминания;
причем упомянутый элемент MRAM дополнительно содержит:
- выстраивающее устройство, предназначенное для обеспечения намагниченности считывания магнитной анизотропией вдоль второго направления, которое по существу перпендикулярно первому направлению; и
- первую линию тока для обеспечения первого магнитного поля считывания, приспособленного для настройки намагниченности считывания приблизительно во втором направлении, с тем, чтобы изменить сопротивление перехода внутри диапазона, который составляет по меньшей мере около 20% от магнетосопротивления;
при этом упомянутое выстраивающее устройство дополнительно сконфигурировано таким образом, что сопротивление перехода изменяется линейно в упомянутом диапазоне.
2. Элемент MRAM по п. 1, в котором упомянутое выстраивающее устройство содержит второй антиферромагнитный слой, обменно связывающий слой считывания таким образом, чтобы фиксировать намагниченность считывания вдоль второго направления, когда магнитный туннельный переход находится при низком температурном пороге и в отсутствии первого магнитного поля считывания.
3. Элемент MRAM по п. 2, в котором обменная связь между вторым антиферромагнитным слоем и слоем считывания такова, что намагниченность считывания способна на настройку приблизительно во втором направлении, когда магнитный туннельный переход находится при низком температурном пороге, и при приложении первого магнитного поля считывания.
4. Элемент MRAM по п. 2, в котором обменная связь между вторым антиферромагнитным слоем и слоем считывания смещает характеристическую кривую сопротивления таким образом, что сопротивление перехода изменяется линейно внутри упомянутого диапазона.
5. Элемент MRAM по п. 1, в котором упомянутое выстраивающее устройство содержит вторую линию тока, по существу ортогональную первой линии поля и приспособленную для приложения второго тока поля, такого, чтобы произвести насыщение намагниченности считывания вдоль второго направления.
6. Элемент MRAM по п. 1, дополнительно содержащий:
- первый антиферромагнитный слой, обменно связывающий запоминающий слой таким образом, чтобы фиксировать намагниченность запоминания вдоль первого направления, когда магнитный туннельный переход находится при низком температурном пороге, и при приложении первого магнитного поля считывания.
7. Способ для считывания элемента MRAM, содержащего:
- магнитный туннельный переход, содержащий запоминающий слой, имеющий намагниченность запоминания, которая зафиксирована вдоль первого направления, когда магнитный туннельный переход находится при низком температурном пороге, слой считывания, имеющий намагниченность считывания, и туннельный барьерный слой, заключенный между запоминающим слоем и слоем считывания, при этом магнитный туннельный переход имеет магнетосопротивление, соответствующее разности между высоким значением сопротивления перехода, когда намагниченность считывания антипараллельна намагниченности запоминания, и низким значением сопротивления перехода, когда намагниченность считывания параллельна намагниченности запоминания;
- выстраивающее устройство, предназначенное для обеспечения намагниченности считывания магнитной анизотропией вдоль второго направления, которое по существу перпендикулярно первому направлению; и
- первую линию тока для обеспечения первого магнитного поля считывания;
при этом упомянутый способ включает в себя:
- настройку намагниченности считывания в первом направлении считывания;
- измерение значения первого сопротивления перехода;
- настройку намагниченности считывания во втором направлении считывания; и
- измерение значения второго сопротивления перехода;
причем упомянутую настройку намагниченности считывания выполняют приблизительно во втором направлении в диапазоне, который составляет по меньшей мере около 20% от магнетосопротивления; и
сопротивление перехода изменяется линейно в упомянутом диапазоне.
8. Способ по п. 7, в котором упомянутая настройка намагниченности считывания содержит приложение первого магнитного поля считывания посредством пропускания первого тока считывания в первой линии поля.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP12290043.4A EP2626860B1 (en) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | Self-referenced mram element with linear sensing signal |
| EP12290043.4 | 2012-02-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013104558A true RU2013104558A (ru) | 2014-08-10 |
Family
ID=45656773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013104558/08A RU2013104558A (ru) | 2012-02-08 | 2013-02-04 | Самоотносимая ячейка магнитной памяти типа mram c линейным считывающим сигналом |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8797793B2 (ru) |
| EP (1) | EP2626860B1 (ru) |
| JP (1) | JP2013162132A (ru) |
| KR (1) | KR20130091696A (ru) |
| CN (1) | CN103247330B (ru) |
| RU (1) | RU2013104558A (ru) |
| TW (1) | TW201346900A (ru) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2851903B1 (en) * | 2013-09-19 | 2017-03-01 | Crocus Technology S.A. | Self-referenced memory device and method for operating the memory device |
| EP2905783B1 (en) * | 2014-02-06 | 2018-09-19 | Crocus Technology S.A. | Method for writing to a multibit TAS-MRAM device configured for self-referenced read operation with improved reproducibly |
| EP2966453B1 (en) * | 2014-07-11 | 2018-10-31 | Crocus Technology | MLU based accelerometer using a magnetic tunnel junction |
| US11017828B2 (en) | 2017-07-27 | 2021-05-25 | Crocus Technology Sa | Apparatus for generating a magnetic field and method of using said apparatus |
| CN109473543A (zh) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 中电海康集团有限公司 | 存储单元与具有其的存储器 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10149737A1 (de) * | 2001-10-09 | 2003-04-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterspeicher mit sich kreuzenden Wort- und Bitleitungen, an denen magnetoresistive Speicherzellen angeordnet sind |
| FR2925747B1 (fr) * | 2007-12-21 | 2010-04-09 | Commissariat Energie Atomique | Memoire magnetique a ecriture assistee thermiquement |
| US7755936B2 (en) * | 2008-01-28 | 2010-07-13 | Qimonda Ag | Integrated circuits, cell, cell arrangement, method of reading a cell, memory module |
| US8045366B2 (en) * | 2008-11-05 | 2011-10-25 | Seagate Technology Llc | STRAM with composite free magnetic element |
| US7999338B2 (en) * | 2009-07-13 | 2011-08-16 | Seagate Technology Llc | Magnetic stack having reference layers with orthogonal magnetization orientation directions |
| EP2276034B1 (en) * | 2009-07-13 | 2016-04-27 | Crocus Technology S.A. | Self-referenced magnetic random access memory cell |
| US8576617B2 (en) * | 2011-11-10 | 2013-11-05 | Qualcomm Incorporated | Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element |
-
2012
- 2012-02-08 EP EP12290043.4A patent/EP2626860B1/en active Active
-
2013
- 2013-02-04 RU RU2013104558/08A patent/RU2013104558A/ru not_active Application Discontinuation
- 2013-02-06 TW TW102104534A patent/TW201346900A/zh unknown
- 2013-02-07 JP JP2013022577A patent/JP2013162132A/ja active Pending
- 2013-02-07 US US13/761,292 patent/US8797793B2/en active Active
- 2013-02-08 CN CN201310088320.2A patent/CN103247330B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-08 KR KR1020130014524A patent/KR20130091696A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2626860B1 (en) | 2016-11-16 |
| CN103247330A (zh) | 2013-08-14 |
| JP2013162132A (ja) | 2013-08-19 |
| EP2626860A1 (en) | 2013-08-14 |
| CN103247330B (zh) | 2017-05-03 |
| KR20130091696A (ko) | 2013-08-19 |
| US8797793B2 (en) | 2014-08-05 |
| US20130201756A1 (en) | 2013-08-08 |
| TW201346900A (zh) | 2013-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013104558A (ru) | Самоотносимая ячейка магнитной памяти типа mram c линейным считывающим сигналом | |
| RU2012153710A (ru) | Самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий синтетический запоминающий слой | |
| FR2946183B1 (fr) | Dispositif magnetique a polarisation de spin. | |
| IL200344A0 (en) | Magnetic tunnel junction magnetic memory | |
| GB2505578A (en) | Magnetic stacks with perpendicular magnetic anisotropy for spin momentum transfer magnetoresistive random access memory | |
| SG153012A1 (en) | Magnetic element with thermally-assisted writing | |
| RU2011143173A (ru) | Многоуровневый магнитный элемент | |
| RU2012155911A (ru) | Самоотносимая ячейка mram и способ для записи в упомянутую ячейку с использованием операции записи с переносом спинового момента | |
| RU2013100988A (ru) | Ячейка mram и способ для записи в ячейку mram с использованием термической операции записи с пониженным током поля | |
| WO2005082061A3 (en) | Spin transfer magnetic element with free layers having high perpendicular anisotropy and in-plane equilibrium magnetization | |
| TW200713648A (en) | Magnetic devices having stabilized free ferromagnetic layer or multilayered free ferromagnetic layer | |
| WO2009059071A3 (en) | High speed low power magnetic devices based on current induced spin-momentum transfer | |
| BRPI0809982A2 (pt) | Métodos de projeto e memória de acesso aleatório magnetorresistiva de transferência de torque por meio de spin. | |
| US20160252591A1 (en) | Method for measuring three-dimensional magnetic fields | |
| US9165626B2 (en) | Self-reference magnetic random access memory (MRAM) cell comprising ferrimagnetic layers | |
| ATE557397T1 (de) | Magnetelement mt einem wärmeunterstützten schreibverfahren | |
| US20160104544A1 (en) | Method and system for determining temperature using a magnetic junction | |
| WO2009078296A1 (ja) | 磁気センサ | |
| TWI525612B (zh) | 經配置以可自我參考讀取操作之磁性隨機存取記憶體裝置 | |
| RU2012150042A (ru) | Самоотносимая ячейка mram с оптимизированной надежностью | |
| ATE545133T1 (de) | Magnetischer speicher mit wärmeunterstütztem schreibverfahren und eingeschränktem schreibfeld | |
| US9620187B2 (en) | Self-referenced MRAM cell that can be read with reduced power consumption | |
| Surawanitkun et al. | Modeling of switching energy of magnetic tunnel junction devices with tilted magnetization | |
| FR2965654B1 (fr) | Dispositif magnetique a ecriture assistee thermiquement | |
| Shah et al. | Magnetic Tunneling Junction based Sensors for Bio-detection Applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20170706 |