JP2012124259A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012124259A JP2012124259A JP2010272591A JP2010272591A JP2012124259A JP 2012124259 A JP2012124259 A JP 2012124259A JP 2010272591 A JP2010272591 A JP 2010272591A JP 2010272591 A JP2010272591 A JP 2010272591A JP 2012124259 A JP2012124259 A JP 2012124259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- type
- pair
- injection
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 74
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 183
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 183
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 53
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 68
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 35
- 201000002486 asphyxiating thoracic dystrophy 2 Diseases 0.000 description 21
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 15
- 101100351711 Arabidopsis thaliana PEX14 gene Proteins 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 101100206633 Arabidopsis thaliana PED1 gene Proteins 0.000 description 7
- 201000002487 asphyxiating thoracic dystrophy 1 Diseases 0.000 description 5
- 102100029100 Hematopoietic prostaglandin D synthase Human genes 0.000 description 4
- 101000988802 Homo sapiens Hematopoietic prostaglandin D synthase Proteins 0.000 description 4
- 101150017965 PGD1 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- CIMMACURCPXICP-PNQRDDRVSA-N prostaglandin D1 Chemical compound CCCCC[C@H](O)\C=C\[C@@H]1[C@@H](CCCCCCC(O)=O)[C@@H](O)CC1=O CIMMACURCPXICP-PNQRDDRVSA-N 0.000 description 4
- BHMBVRSPMRCCGG-OUTUXVNYSA-N prostaglandin D2 Chemical compound CCCCC[C@H](O)\C=C\[C@@H]1[C@@H](C\C=C/CCCC(O)=O)[C@@H](O)CC1=O BHMBVRSPMRCCGG-OUTUXVNYSA-N 0.000 description 4
- BHMBVRSPMRCCGG-UHFFFAOYSA-N prostaglandine D2 Natural products CCCCCC(O)C=CC1C(CC=CCCCC(O)=O)C(O)CC1=O BHMBVRSPMRCCGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/823481—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type isolation region manufacturing related aspects, e.g. to avoid interaction of isolation region with adjacent structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板SUBと、1対の注入元素子DRと、アクティブバリア構造ABと、p型接地領域PGDとを備える。半導体基板SUBは主表面を有し、かつ内部にp型領域を有する。1対の注入元素子DRは、p型領域上であって主表面に形成される。アクティブバリア構造ABは、主表面において1対の注入元素子DRに挟まれる領域に配置される。p型接地領域PGDは、主表面において1対の注入元素子DRに挟まれる領域を避けて1対の注入元素子DRおよびアクティブバリア構造ABよりも主表面の端部側に形成され、かつp型領域に電気的に接続された、接地電位を印加可能な領域である。p型接地領域PGDは、1対の注入元素子DRに挟まれる領域と隣り合う領域において分断されている。
【選択図】図3
Description
(実施の形態1)
まず半導体基板SUBの主表面における各素子形成領域の配置について図1を用いて説明する。
次に、注入元素子DRの具体的な構造について図2を用いて説明する。
動作時において、注入元素子DRに含まれる出力用素子から半導体基板SUB内に電子が注入されることがある。まず、そのことを説明する。
したがって、p型不純物領域PSRの内部で拡散された電子は、主に以下の2つのルートのいずれかを選択して移動する。1つは図5や図6に示すように、p型不純物領域PSRの内部の電子が半導体基板SUBの下部に吸い取られるルートである。もう1つは図5や図6に示すように、p型拡散領域PRに印加された接地電圧により、接地端子の方へ引き寄せられるルートである。後者のルートを選択する理由は、出力用素子形成領域のn型領域に印加された電圧OERVが負電位となっているため、この負電位よりも接地電圧の方が高くなるためである。電子は高い電位側へ移動しようとするため、出力用素子形成領域のp型不純物領域PSRへ入った電子は、接地電圧の印加された領域の方へ移動する。
本実施の形態は、実施の形態1と比較して、半導体装置に形成される電子を引き寄せる領域の構成において異なっている。以下、本実施の形態の構成について説明する。
本実施の形態においても、実施の形態1と同様に、たとえば一方の注入元素子DRからの電子の一部はp型接地領域PGDに引き寄せられる。しかし一方の注入元素子DRとp型接地領域PGDとの間に配置されるn型領域NRに進入した電子は、n型領域NRを出てp型領域へ移動することが困難となる。これは電子がn型領域からp型領域へ進入するためには、n型領域とp型領域との境界において電位障壁を超える必要があるためである。すなわちn型領域は抵抗として機能する。したがってn型領域NRに進入した電子が、たとえば図11に示すように迂回して(回り込んで)p-拡散領域PPRに進入し、さらに他方の注入元素子DRに進入する可能性が低減される。したがって注入元素子DRとp型接地領域PGDとの間に配置されたn型領域NRにより、一方の注入元素子DRから他方の注入元素子DRへの電子の移動が抑制されるため、注入元素子の誤動作が抑制される。
本実施の形態は、実施の形態1と比較して、半導体装置に形成される電子を引き寄せる機構の構成において異なっている。以下、本実施の形態について説明する。
本実施の形態においても、実施の形態1と同様に、たとえば一方の注入元素子DRからの電子の一部はp型接地領域PGDに引き寄せられる。しかし一部の電子は、一方の注入元素子DRの周囲を取り囲むアクティブバリアABを超えて、1対の注入元素子DR間のタップ部ATD2に到達する。タップ部ATD2に達した電子は、タップ部ATD2に印加された接地電圧GNDに引かれて半導体基板SUBから引き抜かれる。このようにタップ部ATD2から電子が引き抜かれるため電子が他方の注入元素子DRへ到達することが抑制される。
以上の本発明の各実施の形態の態様を組み合わせて、たとえば以下の図20〜図23に示す態様としても、上記の一方の注入元素子から他方の注入元素子への電子の移動を抑制し、注入元素子の誤動作を抑制する効果を奏することができる。
Claims (16)
- 主表面を有し、かつ内部にp型領域を有する半導体基板と、
前記p型領域上であって前記主表面に形成された1対の注入元素子と、
前記主表面において前記1対の注入元素子に挟まれる領域に配置されたアクティブバリア構造と、
前記主表面において前記1対の注入元素子に挟まれる前記領域を避けて前記1対の注入元素子および前記アクティブバリア構造よりも前記主表面の端部側に形成され、かつ前記p型領域に電気的に接続された、接地電位を印加可能なp型接地領域とを備え、
前記p型接地領域は、前記1対の注入元素子に挟まれる前記領域と隣り合う領域において分断されている、半導体装置。 - 前記p型接地領域は、前記主表面において前記1対の注入元素子の間の中心線に対して線対称となるように配置されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記p型接地領域は、分断されることによって、前記1対の注入元素子のうち一方の注入元素子側の一方端部と、前記1対の注入元素子のうち他方の注入元素子側の他方端部とを有し、
前記一方の注入元素子と前記p型接地領域の前記他方端部との前記主表面における最短距離と前記他方の注入元素子と前記p型接地領域の前記一方端部との前記主表面における最短距離とは、前記半導体基板の厚みよりも大きい、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記主表面において前記1対の注入元素子の各々と前記p型接地領域との間に配置されたn型領域をさらに備える、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記n型領域は、前記主表面において前記p型接地領域の周囲を取り囲むように配置される、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記n型領域はフローティング電位を有する、請求項4または5に記載の半導体装置。
- 前記主表面において前記1対の注入元素子に挟まれる前記領域に配置された、接地電位を印加可能なn型接地領域をさらに備える、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記n型接地領域は、前記主表面において前記1対の注入元素子の各々の周囲を取り囲むように配置される、請求項7に記載の半導体装置。
- 主表面を有し、かつ内部にp型領域を有する半導体基板と、
前記p型領域上であって前記主表面に形成された1対の注入元素子と、
前記主表面において前記1対の注入元素子に挟まれる領域に配置されたアクティブバリア構造と、
前記主表面において前記1対の注入元素子に挟まれる前記領域を避けて前記1対の注入元素子および前記アクティブバリア構造よりも前記主表面の端部側に形成され、かつ前記p型領域に電気的に接続された、接地電位を印加可能なp型接地領域と、
前記主表面において前記1対の注入元素子の各々と前記p型接地領域との間に配置されたn型領域とを備える、半導体装置。 - 前記n型領域は、前記主表面において前記p型接地領域の周囲を取り囲むように配置される、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記n型領域はフローティング電位を有する、請求項9または10に記載の半導体装置。
- 前記主表面において前記1対の注入元素子に挟まれる前記領域に配置された、接地電位を印加可能なn型接地領域をさらに備える、請求項9〜11のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記n型接地領域は、前記主表面において前記1対の注入元素子の各々の周囲を取り囲むように配置される、請求項12に記載の半導体装置。
- 主表面を有し、かつ内部にp型領域を有する半導体基板と、
前記p型領域上であって前記主表面に形成された1対の注入元素子と、
前記主表面において前記1対の注入元素子に挟まれる領域に配置されたアクティブバリア構造と、
前記主表面において前記1対の注入元素子に挟まれる前記領域に配置された、接地電位を印加可能なn型接地領域と、
前記主表面において前記1対の注入元素子に挟まれる前記領域を避けて前記1対の注入元素子、前記アクティブバリア構造および前記n型接地領域よりも前記主表面の端部側に形成され、かつ前記p型領域に電気的に接続された、接地電位を印加可能なp型接地領域とを備える、半導体装置。 - 前記n型接地領域は、前記主表面において前記1対の注入元素子の各々の周囲を取り囲むように配置される、請求項14に記載の半導体装置。
- 前記アクティブバリア構造は、前記主表面において前記1対の注入元素子の各々を取り囲み、かつ互いにオーミック接続されたp型バリア領域およびn型バリア領域を含んでおり、
前記p型バリア領域は、前記n型バリア領域よりも内周側に配置されている、請求項1〜15のいずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010272591A JP5687890B2 (ja) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 半導体装置 |
EP11188131.4A EP2463907A3 (en) | 2010-12-07 | 2011-11-07 | Semiconductor device |
US13/305,418 US8704330B2 (en) | 2010-12-07 | 2011-11-28 | Semiconductor device |
CN201110408212.XA CN102544008B (zh) | 2010-12-07 | 2011-12-06 | 半导体器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010272591A JP5687890B2 (ja) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012124259A true JP2012124259A (ja) | 2012-06-28 |
JP2012124259A5 JP2012124259A5 (ja) | 2013-10-31 |
JP5687890B2 JP5687890B2 (ja) | 2015-03-25 |
Family
ID=44905715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010272591A Expired - Fee Related JP5687890B2 (ja) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8704330B2 (ja) |
EP (1) | EP2463907A3 (ja) |
JP (1) | JP5687890B2 (ja) |
CN (1) | CN102544008B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011243774A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2017117882A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102016111836B4 (de) | 2016-06-28 | 2024-02-15 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelemente und Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements |
CN109346466B (zh) * | 2018-08-17 | 2020-10-16 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 半导体结构和驱动芯片 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010021218A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5545917A (en) * | 1994-05-17 | 1996-08-13 | Allegro Microsystems, Inc. | Separate protective transistor |
US5514901A (en) * | 1994-05-17 | 1996-05-07 | Allegro Microsystems, Inc. | Epitaxial island with adjacent asymmetrical structure to reduce collection of injected current from the island into other islands |
US6787858B2 (en) * | 2002-10-16 | 2004-09-07 | Freescale Semiconductor, Inc. | Carrier injection protection structure |
JP5205660B2 (ja) | 2008-01-28 | 2013-06-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5415827B2 (ja) | 2009-05-19 | 2014-02-12 | ルビコン株式会社 | 表面実装用のデバイス |
JP2011243774A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
-
2010
- 2010-12-07 JP JP2010272591A patent/JP5687890B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-11-07 EP EP11188131.4A patent/EP2463907A3/en not_active Withdrawn
- 2011-11-28 US US13/305,418 patent/US8704330B2/en active Active
- 2011-12-06 CN CN201110408212.XA patent/CN102544008B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010021218A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2463907A3 (en) | 2014-09-10 |
CN102544008B (zh) | 2016-07-06 |
US8704330B2 (en) | 2014-04-22 |
EP2463907A2 (en) | 2012-06-13 |
US20120139087A1 (en) | 2012-06-07 |
CN102544008A (zh) | 2012-07-04 |
JP5687890B2 (ja) | 2015-03-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5353016B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5687890B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015032767A (ja) | 半導体装置 | |
JP2011243774A (ja) | 半導体装置 | |
JP6610114B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US20020153564A1 (en) | Semiconductor device | |
US20170141114A1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US11233052B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit | |
JP2009038130A (ja) | 横型mosトランジスタ及びこれを用いた半導体装置 | |
JP2018163972A (ja) | 半導体装置 | |
KR102513493B1 (ko) | 파워 디바이스의 아이솔레이션을 위한 가드링 구조를 포함하는 반도체 소자 | |
JP5955645B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013102071A (ja) | 半導体装置 | |
JP6641967B2 (ja) | 高耐圧集積回路装置 | |
US10340379B2 (en) | Semiconductor device with plurality of active barrier sections | |
JP2010010264A (ja) | 半導体装置 | |
US8164144B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2010177561A (ja) | 半導体装置 | |
JP4479823B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH10107168A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP5256750B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR20080060995A (ko) | 링형 게이트 모스펫을 가지는 반도체 장치 | |
JP2023135280A (ja) | 半導体装置 | |
EP1990835A2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP4053435B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130917 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140702 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150123 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5687890 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |