JP2012104734A - 発光チップ、発光装置、プリントヘッドおよび画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光部102を構成する発光サイリスタ列のそれぞれの発光サイリスタLの発光領域311は、点灯信号線75の2つの主部75aおよび2つの副部75cで取り囲まれている。接続部75dは、発光サイリスタ列の列方向に延びるように設けられ、2つの副部75cの一方と発光領域311上に設けられたn型オーミック電極321とを接続している。そして、副部75cは、隣接する発光サイリスタLの発光領域311の間の分離溝の中に設けられている。
【選択図】図8
Description
請求項2に記載の発明は、前記発光素子の前記発光領域は、前記配列の列方向の長さが当該列方向と直交する方向の長さより長いとともに、前記点灯電流供給配線は当該列方向に延びる主部と、当該主部から分かれた複数の副部とを備え、当該点灯電流供給配線が備える前記複数の接続部のそれぞれの接続部と当該複数の副部のそれぞれの副部とが接続され、当該複数の接続部が当該配列の列方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項1に記載の発光チップである。
請求項3に記載の発明は、前記複数の副部のそれぞれの副部は、前記複数の発光素子の隣接する2個の発光素子を1組として当該1組毎に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の発光チップである。
請求項4に記載の発明は、前記点灯電流供給配線の前記主部と前記複数の接続部とは、前記複数の発光素子をそれぞれ相互に分離する分離溝の順メサ段差部と交差するように設けられていることを特徴とする請求項2または3に記載の発光チップである。
請求項5に記載の発明は、前記点灯電流供給配線の前記主部または前記複数の副部が有する前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子側の端部は、当該発光素子の前記発光領域に垂直な方向に対して広がって出射される光を、当該垂直な方向に狭めるように反射させる反射面を有することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載の発光チップである。
請求項6に記載の発明は、前記点灯電流供給配線の前記主部または前記複数の副部が有する前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子側の端部は、当該発光素子における前記発光領域の端部または当該発光素子のメサ段差部から当該発光素子の当該発光領域に対して垂直な方向に対して広がった形状の面を有することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載の発光チップである。
請求項7に記載の発明は、基板と、前記基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域の形状を有する複数の発光素子と、前記列方向と当該列方向と直交する方向とのうち、前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子の前記発光領域を遮光する面積が小さくなる方向に沿って、当該発光素子の当該発光領域上を通って、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部を備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線とを備えた発光チップである。
請求項8に記載の発明は、基板と、当該基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する複数の発光素子と、当該基板に、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子に対応して設けられ、オン状態になることで対応する発光素子を点灯または非点灯の制御の対象として指定する複数の転送素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光領域上に、当該列方向と当該列方向と直交する方向とのうちの当該発光領域における短手方向に沿って設けられると共に、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部とを備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線とをそれぞれ備えた複数の発光チップと、前記複数の発光チップに対して、当該複数の発光チップの前記複数の転送素子のそれぞれの転送素子をオン状態が順に伝播するように駆動する転送信号を送信する転送信号供給手段と、前記複数の発光チップに対して、点灯のための電流を供給する点灯電流供給手段とを備えた発光装置である。
請求項9に記載の発明は、基板と、当該基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する複数の発光素子と、当該基板に、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子に対応して設けられ、オン状態になることで対応する発光素子を点灯または非点灯の制御の対象として指定する複数の転送素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光領域上に、当該列方向と当該列方向と直交する方向とのうちの当該発光領域における短手方向に沿って設けられると共に、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部とを備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線とをそれぞれ備えた複数の発光チップと、当該複数の発光チップに対して、当該複数の発光チップの当該複数の転送素子のそれぞれの転送素子をオン状態が順に伝播するように駆動する転送信号を送信する転送信号供給手段と、当該複数の発光チップに対して、点灯のための電流を供給する点灯電流供給手段とを備えた発光手段と、前記発光手段から照射される光を結像させる光学手段とを備えたことを特徴とするプリントヘッドである。
請求項10に記載の発明は、像保持体と、前記像保持体を帯電する帯電手段と、基板と、当該基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する複数の発光素子と、当該基板に、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子に対応して設けられ、オン状態になることで対応する発光素子を点灯または非点灯の制御の対象として指定する複数の転送素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光領域上に、当該列方向と当該列方向と直交する方向とのうちの当該発光領域における短手方向に沿って設けられると共に、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部とを備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線とをそれぞれ備えた複数の発光チップと、当該複数の発光チップに対して、当該複数の発光チップの当該複数の転送素子のそれぞれの転送素子をオン状態が順に伝播するように駆動する転送信号を送信する転送信号供給手段と、当該複数の発光チップに対して、点灯のための電流を供給する点灯電流供給手段とを備え、光学手段を介して前記像保持体を露光する露光手段と、前記露光手段により露光され前記像保持体に形成された静電潜像を現像する現像手段と、前記像保持体に現像された画像を被転写体に転写する転写手段とを備えたことを特徴とする画像形成装置である。
請求項2の発明によれば、発光領域の形状が列方向の長さよりも列方向と直交する方向の長さの方が長い場合であっても、接続部を列方向に対して直交する方向に沿って設ける場合に比べ、発光素子から光を効率よく取り出すことができる。
請求項3の発明によれば、点灯電流供給配線の副部を発光素子毎に設ける場合に比べ、副部の形状の変動によって遮光される発光領域を小さくできる。
請求項4の発明によれば、点灯電流供給配線の主部と接続部の一方が逆メサ段差部と交差する場合に比べ、点灯電流供給配線の段差切れを抑制できる。
請求項5および6の発明によれば、点灯電流供給配線の主部または副部の端部形状を利用して発光素子から取り出すことができる光量を増加させることができる。
請求項7の発明によれば、発光素子の列方向と列方向と直交する方向とのうち、発光領域を遮光する面積が大きい方向に沿って接続部を設ける場合と比べ、発光素子から光を効率よく取り出すことができる。
請求項8の発明によれば、本構成を用いない場合に比べ、発光素子から光をより効率よく取り出すことができる。
請求項9の発明によれば、本構成を用いない場合に比べ、発光素子からの光をより効率よく利用した露光ができる。
請求項10の発明によれば、本構成を用いない場合に比べ、発光素子からの光をより効率よく利用した画像形成ができる。
また、基板上に複数の発光素子が列状に設けられ、順次点灯制御される自己走査型発光素子アレイ(SLED)を搭載する発光チップでは、発光素子として発光サイリスタが使用されている。発光サイリスタは発光ダイオードと異なりpnpn4層構造であり、4層構造のうちの内部の2層で主に発光するため、単純な2層の一般的な発光ダイオードよりも外部に取り出せる光の量(光量)が小さいという特徴がある。よって、発光サイリスタにおいては、それぞれの発光素子から出射される光量を増加させるため、発光素子の光を出射する発光領域を広く取るとともに、発光素子から光を効率よく取り出すことがより求められている。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
[第1の実施の形態]
(画像形成装置1)
図1は第1の実施の形態が適用される画像形成装置1の全体構成の一例を示した図である。図1に示す画像形成装置1は、一般にタンデム型と呼ばれる画像形成装置である。この画像形成装置1は、各色の画像データに対応して画像形成を行なう画像形成プロセス部10、画像形成プロセス部10を制御する画像出力制御部30、例えばパーソナルコンピュータ(PC)2や画像読取装置3に接続され、これらから受信された画像データに対して予め定められた画像処理を施す画像処理部40を備えている。
また、画像形成プロセス部10は、各画像形成ユニット11Y、11M、11C、11Kの感光体ドラム12にて形成された各色のトナー像を被転写体の一例としての記録用紙25に多重転写させるために、この記録用紙25を搬送する用紙搬送ベルト21と、用紙搬送ベルト21を駆動させるロールである駆動ロール22と、感光体ドラム12のトナー像を記録用紙25に転写させる転写手段の一例としての転写ロール23と、記録用紙25にトナー像を定着させる定着器24とを備えている。
その後、合成トナー像が静電転写された記録用紙25は、定着器24まで搬送される。定着器24に搬送された記録用紙25上の合成トナー像は、定着器24によって熱および圧力による定着処理を受けて記録用紙25上に定着され、画像形成装置1から排出される。
図2は、プリントヘッド14の構成を示した断面図である。露光手段の一例としてのプリントヘッド14は、ハウジング61、感光体ドラム12を露光する複数の発光素子(本実施の形態では、発光素子の一例としての発光サイリスタ)を備える光源部63を備えた発光手段の一例としての発光装置65、光源部63から出射された光を感光体ドラム12表面に結像させる光学手段の一例としてのロッドレンズアレイ64を備えている。
発光装置65は、前述した光源部63、光源部63を駆動する信号発生回路110(後述の図3参照)等を搭載する回路基板62を備えている。
図3は、発光装置65の上面図である。
図3に示すように、発光装置65では、光源部63は、回路基板62上に、40個の発光チップC1〜C40が、主走査方向であるX方向に二列に千鳥状に配置して構成されている。
本明細書では、「〜」は、番号によってそれぞれが区別された複数の構成要素を示すもので、「〜」の前後に記載されたものおよびその間の番号のものを含むことを意味する。例えば、発光チップC1〜C40は、発光チップC1から番号順に発光チップC40までを含む。
なお、本実施の形態では、発光チップCの数として、合計40個を用いたが、これに限定されない。
そして、発光装置65は、前述したように、光源部63を駆動する信号発生回路110を搭載している。信号発生回路110は、例えば集積回路(IC)などで構成されている。
なお、発光チップC1〜C40の配列についての詳細は後述する。
発光チップCは、矩形の基板80の表面において、長辺側に長辺に沿って列状に設けられた複数の発光素子(本実施の形態では発光サイリスタL1、L2、L3、…)から構成される発光部102を備えている。さらに、発光チップCは、基板80の表面の長辺方向の両端部に、各種の制御信号等を取り込むための複数のボンディングパッドである端子(φ1端子、φ2端子、Vga端子、φI端子)を備えている。なお、これらの端子は、基板80の一端部からφ1端子、Vga端子の順に設けられ、基板80の他端部からφI端子、φ2端子の順に設けられている。そして、発光部102は、Vga端子とφ2端子との間に設けられている。さらに、基板80の裏面にはVsub端子として裏面電極85(後述する図6参照)が設けられている。
前述したように、発光装置65の回路基板62には、信号発生回路110および発光チップC1〜C40が搭載され、信号発生回路110と発光チップC1〜C40とを接続する配線(ライン)が設けられている。
信号発生回路110には、画像出力制御部30および画像処理部40(図1参照)より、画像処理された画像データおよび各種の制御信号が入力される。信号発生回路110は、これらの画像データおよび各種の制御信号に基づいて、画像データの並び替えや光量の補正等を行う。
そして、信号発生回路110は、各種の制御信号に基づき、発光チップC1〜C40に、転送信号の一例としての第1転送信号φ1、第2転送信号φ2を送信する転送信号供給手段の一例としての転送信号発生部120を備えている。
そしてまた、信号発生回路110は、各種の制御信号に基づき、発光チップC1〜C40に、点灯信号φI1〜φI40をそれぞれ送信する点灯電流供給手段の一例としての点灯信号発生部140を備えている。なお、点灯信号φI1〜φI40をそれぞれ区別しないときは点灯信号φIと表記する。
さらにまた、信号発生回路110は、発光チップC1〜C40に電位の基準となる基準電位Vsubを供給する基準電位供給部160、発光チップC1〜C40の駆動のための電源電位Vgaを供給する電源電位供給部170を備えている。
奇数番号の発光チップC1、C3、C5、…は、それぞれの基板80の長辺方向に間隔を設けて一列に配列されている。偶数番号の発光チップC2、C4、C6、…も、同様にそれぞれの基板80の長辺の方向に間隔を設けて一列に配列されている。そして、奇数番号の発光チップC1、C3、C5、…と偶数番号の発光チップC2、C4、C6、…とは、発光チップCに設けられた発光部102側の長辺が向かい合うように、互いに180°回転した状態で千鳥状に配列されている。そして、発光チップC間においても発光素子が主走査方向に予め定められた間隔で並ぶように位置が設定されている。なお、図4(b)の発光チップC1、C2、C3、…に、図4(a)に示した発光部102の発光素子の並び(本実施の形態では発光サイリスタL1、L2、L3、…の番号順)の方向を矢印で示している。
回路基板62には、発光チップCの基板80裏面に設けられたVsub端子である裏面電極85(後述の図6参照)に設けられたVsub端子に接続され、基準電位Vsubを供給する電源ライン200aが設けられている。
そして、回路基板62には、発光チップCに設けられたVga端子に接続され、駆動のための電源電位Vgaを供給する電源ライン200bが設けられている。
図5は、自己走査型発光素子アレイ(SLED)が搭載された発光チップCの回路構成を説明するための等価回路図である。以下において説明する各素子は、端子(φ1端子、φ2端子、Vga端子、φI端子)を除き、発光チップC上のレイアウト(後述する図6参照)に基づいて配置されている。なお、端子(φ1端子、φ2端子、Vga端子、φI端子)の位置は、図4(a)と異なるが、説明の便宜上、図中左端としている。そして、基板80の裏面に設けられたVsub端子を、基板80の外に引き出して示している。
ここでは、信号発生回路110との関係において発光チップC1を例に、発光チップCを説明する。そこで、図5において、発光チップCを発光チップC1(C)と表記する。他の発光チップC2〜C40の構成は、発光チップC1と同じである。
そして、発光チップC1(C)は、発光サイリスタ列と同様に列状に配列された転送素子の一例としての転送サイリスタT1、T2、T3、…から構成される転送素子列の一例としての転送サイリスタ列を備えている。
さらに、発光チップC1(C)は、電源線抵抗Rgx1、Rgx2、Rgx3、…を備えている。
そして、発光サイリスタ列、転送サイリスタ列は、図5において上から、転送サイリスタ列、発光サイリスタ列の順に並べられている。
なお、転送サイリスタTの数は、発光サイリスタLの数より多くてもよい。
ここでは、転送サイリスタTのゲート端子を第1のゲート端子、アノード端子を第1のアノード端子、カソード端子を第1のカソード端子と表記することがある。発光サイリスタLのゲート端子を第2のゲート端子、アノード端子を第2のアノード端子、カソード端子を第2のカソード端子と表記することがある。
転送サイリスタT、発光サイリスタLのそれぞれのアノード端子は、発光チップC1(C)の基板80に接続されている(アノードコモン)。
そして、これらのアノード端子は、基板80裏面に設けられたVsub端子である裏面電極85(後述の図6参照)を介して電源ライン200a(図4参照)に接続されている。この電源ライン200aは、基準電位供給部160から基準電位Vsubが供給される。
一方、転送サイリスタTの配列に沿って、偶数番号(偶数番目)の転送サイリスタT2、T4、…のカソード端子は、第2転送信号線73に接続されている。そして、第2転送信号線73は、電流制限抵抗R2を介してφ2端子に接続されている。このφ2端子には、第2転送信号ライン202(図4参照)が接続され、第2転送信号φ2が送信される。
図6(a)は、発光チップCの平面レイアウト図であって、発光サイリスタL1〜L4、転送サイリスタT1〜T4を中心とした部分を示している。なお、端子(φ1端子、φ2端子、Vga端子、φI端子)は、図4(a)と異なるが、説明の便宜上、図中左端部に設けている。そして、基板80の裏面に設けられたVsub端子は、基板80の外に引き出されて示されている。図4に対応させて端子を設けるとすると、φ2端子、φI端子、電流制限抵抗R2は、図6(a)において基板80の右端部に設けられる。また、スタートダイオードDx0は基板80の右端部に設けられてもよい。
図6(b)は、図6(a)に示したVIB−VIB線での断面図である。よって、図6(b)の断面図には、図中下より発光サイリスタL1、転送サイリスタT1、結合ダイオードDx1、電源線抵抗Rgx1の断面が示されている。なお、図6(a)および(b)の図中には、主要な素子や端子を名前により表記している。
第2アイランド302には、転送サイリスタT1、結合ダイオードDx1が設けられている。第3アイランド303には、電源線抵抗Rgx1が設けられている。第4アイランド304には、スタートダイオードDx0が設けられている。第5アイランド305には電流制限抵抗R1が、第6アイランド306には電流制限抵抗R2が設けられている。
そして、発光チップCには、第1アイランド301、第2アイランド302、第3アイランド303と同様なアイランドが、並列して形成されている。これらのアイランドには、発光サイリスタL2、L3、L4、…、転送サイリスタT2、T3、T4、…、結合ダイオードDx2、Dx3、Dx4,…等が、第1アイランド301、第2アイランド302、第3アイランド303と同様に設けられている。これらについては、説明を省略する。
そしてまた、基板80の裏面にはVsub端子となる裏面電極85が設けられている。
第1アイランド301に設けられた発光サイリスタL1は、p型の基板80上に設けられたp型の第1半導体層81をアノード端子、n型の第4半導体層84の領域(発光領域)311上に設けられたn型オーミック電極321をカソード端子、n型の第4半導体層84を除去して露出させたp型の第3半導体層83上に設けられたp型オーミック電極331をゲート端子Gl1とする。そして、光は、発光領域311表面に設けられたn型オーミック電極321および後述する点灯信号線75によって光の出射が妨げられない(遮光されない)部分から出射する。
第1の実施の形態では、発光領域311の表面形状は長方形の領域であって、短手方向が発光部102の発光サイリスタ列の方向、長手方向が発光部102の発光サイリスタ列と直交する方向に向いている。
以下では、発光領域311およびn型オーミック電極321の用語は、発光サイリスタL1ばかりでなく、他の発光サイリスタLについても使用する。
同じく、第2アイランド302に設けられた結合ダイオードDx1は、n型の第4半導体層84の領域314上に設けられたn型オーミック電極324をカソード端子、p型の第3半導体層83上に設けられたp型オーミック電極332をアノード端子とする。結合ダイオードDx1のアノード端子と転送サイリスタT1のゲート端子Gt1とはp型オーミック電極332で共通である。
第4アイランド304に設けられたスタートダイオードDx0は、n型の第4半導体層84の領域315上に設けられたn型オーミック電極325をカソード端子、n型の第4半導体層84を除去して露出させたp型の第3半導体層83上に設けられたp型オーミック電極335をアノード端子としている。
第5アイランド305に設けられた電流制限抵抗R1、第6アイランド306に設けられた電流制限抵抗R2は、第3アイランド303に設けられた電源線抵抗Rgx1と同様に、それぞれが2個のp型オーミック電極(符号なし)間のp型の第3半導体層83を抵抗としている。
そして、点灯信号線75は、2つの主部75aのうちの一方が延長されてφI端子に接続されている。なお、φI端子と発光サイリスタL1との間の点灯信号線75は、主部75a、副部75cを一体とし、幅広の配線としてもよい。
一方、第2転送信号線73は、符号を付さないアイランドに設けられた偶数番号の転送サイリスタTのカソード端子であるn型オーミック電極(符号なし)に接続されている。第2転送信号線73は、第6アイランド306に設けられた電流制限抵抗R2を介してφ2端子に接続されている。
第2アイランド302に設けられた結合ダイオードDx1のカソード端子であるn型オーミック電極324は、隣接して設けられている転送サイリスタT2のゲート端子Gt2であるp型オーミック電極(符号なし)に接続配線(符号なし)で接続されている。
ここでは説明を省略するが、他の発光サイリスタL、転送サイリスタT、結合ダイオードDx等についても同様である。
このようにして、図5に示した発光チップC1(C)が構成される。
次に、発光装置65の動作について説明する。
前述したように、発光装置65は発光チップC1〜C40を備えている(図3、4参照)。
図4に示したように、基準電位Vsub、電源電位Vgaは、回路基板62上のすべての発光チップC1〜C40に共通に供給される。同様に、第1転送信号φ1、第2転送信号φ2は、発光チップC1〜C40に共通(並列)に送信される。
一方、点灯信号φI1〜φI40は、発光チップC1〜C40のそれぞれに個別に送信される。点灯信号φI1〜φI40は、画像データに基づいて、各発光チップC1〜C40の発光サイリスタLを点灯または非点灯に設定する信号である。よって、点灯信号φI1〜φI40は、画像データによって相互に波形が異なる。しかし、点灯信号φI1〜φI40は、同じタイミングで並列に送信される。
発光チップC1〜C40は並列に駆動されるので、発光チップC1の動作を説明すれば足りる。
発光チップC1の動作を説明する前に、サイリスタ(転送サイリスタT、発光サイリスタL)の基本的な動作を説明する。サイリスタは、前述したように、アノード端子、カソード端子、ゲート端子の3端子を有する半導体素子である。
以下では、一例として、Vsub端子である裏面電極85(図5、図6参照)に供給される基準電位Vsubをハイレベルの電位(以下では「H」と表記する。)として0V、Vga端子に供給される電源電位Vgaをローレベルの電位(以下では「L」と表記する。)として−3.3Vとする。
本実施の形態では、発光装置65は負の電位で駆動される。
サイリスタは、例えば、図6に示したように、GaAs、GaAlAs等によるp型半導体層、n型半導体層を積層して構成される。pn接合の順方向電位(拡散電位)Vdを一例として1.5Vとする。
オン状態のサイリスタのゲート端子の電位は、アノード端子の電位に近い電位になる。ここでは、アノード端子を基準電位Vsub(0V(「H」))に設定しているので、ゲート端子の電位は0V(「H」)になるとする。また、オン状態のサイリスタのカソード端子は、アノード端子の電位からpn接合の順方向電位Vdを引いた電位に近い電位となる。ここでは、アノード端子を基準電位Vsub(0V(「H」))に設定しているので、オン状態のサイリスタのカソード端子の電位は−1.5Vになるとする。
一方、オン状態のサイリスタのカソード端子の電位は−1.5Vであるので、カソード端子に−1.5Vより低い電位(絶対値が大きい負の値)が継続的に印加され、サイリスタのオン状態を維持しうる電流(維持電流)が供給されると、オン状態を維持する。
そして、発光サイリスタLは、ターンオンすると点灯(発光)し、ターンオフすると消灯(非点灯)する。オン状態の発光サイリスタLの光量は、発光領域311の面積および
カソード端子とアノード端子との間に流す電流によって決まる。
図7は、発光装置65および発光チップCの動作を説明するためのタイミングチャートである。
図7では、発光チップC1の発光サイリスタL1〜L5の5個の発光サイリスタLの点灯または非点灯を制御(点灯制御と表記する。)する部分のタイミングチャートを示している。前述したように、他の発光チップC2〜C40は、発光チップC1と並行して動作するため、発光チップC1の動作を説明すれば足りる。
なお、図7では、発光チップC1の発光サイリスタL1、L2、L3、L5を点灯させ、発光サイリスタL4を消灯(非点灯)としている。
なお、以下に説明する信号の相互の関係が維持されるようにすれば、期間T(1)、T(2)、T(3)、…の長さを可変としてもよい。
第2転送信号φ2は、期間T(1)の開始時刻bにおいて「H」であって、時刻eで「H」から「L」に移行する。そして、期間T(2)の終了時刻iにおいて「L」を維持している。
ここで、第1転送信号φ1と第2転送信号φ2とを比較する。第2転送信号φ2は、第1転送信号φ1を期間T、時間軸上で後ろにずらしたものに当たる。
第1転送信号φ1は、期間T(1)および期間T(2)での波形が、期間T(3)以降において繰り返す。一方、第2転送信号φ2は、期間T(1)において、破線で示す波形および期間T(2)での波形が、期間T(3)以降において繰り返す。第2転送信号φ2の期間T(1)の波形が期間T(3)以降と異なるのは、期間T(1)は発光装置65が動作を開始する期間であるためである。
点灯信号φI1は、期間T(1)の開始時刻bにおいて「H」であって、時刻cで「H」から「L」に移行する。そして、時刻dで「L」から「H」に移行し、期間T(1)の終了時刻eにおいて「H」を維持している。
(1)時刻a
<発光装置65>
時刻aにおいて、発光装置65の信号発生回路110の基準電位供給部160は、基準電位Vsubを「H」(0V)に設定する。電源電位供給部170は、電源電位Vgaを「L」(−3.3V)に設定する。すると、発光装置65の回路基板62上の電源ライン200aは「H」(0V)の基準電位Vsubに設定され、発光チップC1〜C40のそれぞれのVsub端子は「H」に設定される。同様に、電源ライン200bは「L」に設定され、発光チップC1〜C40のそれぞれのVga端子は「L」に設定される。これにより、発光チップC1〜C40のそれぞれの電源線71は「L」に設定される。
なお、図7および以下における説明では、各端子の電位がステップ(階段)状に変化するとしているが、各端子の電位は徐々に変化している。よって、電位変化の途上であっても、下記に示す条件が満たされれば、サイリスタがターンオンまたはターンオフして、状態の変化を生じうる。
転送サイリスタT、発光サイリスタLのアノード端子はVsub端子に接続されているので、「H」(0V)に設定される。
なお、ゲート端子Gtはゲート端子Glに接続されているので、ゲート端子Glの電位は、ゲート端子Gtの電位と同じである。よって、転送サイリスタT、発光サイリスタLのしきい電圧は、ゲート端子Gt、Glの電位からpn接合の順方向電位Vd(1.5V)を引いた値となる。すなわち、転送サイリスタT1、発光サイリスタL1のしきい電圧は−3V、転送サイリスタT2、発光サイリスタL2のしきい電圧は−4.5V、番号が3以上の転送サイリスタT、発光サイリスタLのしきい電圧は−4.8Vとなっている。
図7に示す時刻bにおいて、第1転送信号φ1が、「H」(0V)から「L」(−3.3V)に移行する。これにより発光装置65が動作を開始する。
第1転送信号φ1が「H」から「L」に移行すると、φ1端子および電流制限抵抗R1を介して、第1転送信号線72の電位が、「H」から「L」に移行する。すると、しきい電圧が−3Vである転送サイリスタT1がターンオンする。しかし、第1転送信号線72にカソード端子が接続された、番号が3以上の奇数番号の転送サイリスタTは、しきい電圧が−4.8Vであるのでターンオンできない。一方、偶数番号の転送サイリスタTは、第2転送信号φ2が「H」(0V)であって、第2転送信号線73が「H」であるのでターンオンできない。転送サイリスタT1がターンオンすることで、第1転送信号線72の電位は、アノード端子の電位(「H」(0V))からpn接合の順方向電位Vd(1.5V)を引いた−1.5Vになる。
これにより、発光サイリスタL1のしきい電圧が−1.5V、転送サイリスタT2、発光サイリスタL2のしきい電圧が−3V、転送サイリスタT3、発光サイリスタL3のしきい電圧が−4.5V、番号が4以上の転送サイリスタT、発光サイリスタLのしきい電圧が−4.8Vになる。
しかし、第1転送信号線72は、オン状態の転送サイリスタT1により−1.5Vになっているので、オフ状態の奇数番号の転送サイリスタTはターンオンしない。第2転送信号線73は、「H」であるので、偶数番号の転送サイリスタTはターンオンしない。点灯信号線75は「H」であるので、発光サイリスタLはいずれもターンオンしない。
時刻cにおいて、点灯信号φI1が「H」から「L」に移行する。
点灯信号φI1が「H」から「L」に移行すると、電流制限抵抗RIおよびφI端子を介して、点灯信号線75が「H」から「L」に移行する。すると、しきい電圧が−1.5Vである発光サイリスタL1がターンオンして、点灯(発光)する。これにより、点灯信号線75の電位が−1.5Vになる。なお、発光サイリスタL2はしきい電圧が−3Vであるが、しきい電圧が−1.5Vと高い(絶対値が小さい負の値である)発光サイリスタL1がターンオンして、点灯信号線75が−1.5Vになるので、発光サイリスタL2はターンオンしない。
時刻cの直後において、転送サイリスタT1がオン状態にあって、発光サイリスタL1がオン状態で点灯(発光)している。
時刻dにおいて、点灯信号φI1が「L」から「H」に移行する。
点灯信号φI1が「L」から「H」に移行すると、電流制限抵抗RIおよびφI端子を介して、点灯信号線75の電位が「L」から「H」に移行する。すると、発光サイリスタL1は、アノード端子とカソード端子とがともに「H」になるのでターンオフして消灯(非点灯)する。発光サイリスタL1の点灯期間は、点灯信号φI1が「H」から「L」に移行した時刻cから、点灯信号φI1が「L」から「H」に移行する時刻dまでの、点灯信号φI1が「L」である期間となる。
時刻dの直後において、転送サイリスタT1がオン状態にある。
時刻eにおいて、第2転送信号φ2が「H」から「L」に移行する。ここで、発光サイリスタL1を点灯制御する期間T(1)が終了し、発光サイリスタL2を点灯制御する期間T(2)が開始する。
第2転送信号φ2が「H」から「L」に移行すると、φ2端子を介して第2転送信号線73の電位が「H」から「L」に移行する。前述したように、転送サイリスタT2は、しきい電圧が−3Vになっているので、ターンオンする。これにより、ゲート端子Gt2(ゲート端子Gl2)の電位が「H」(0V)、ゲート端子Gt3(ゲート端子Gl3)の電位が−1.5V「H」(0V)、ゲート端子Gt4(ゲート端子Gl4)の電位が−3Vになる。そして、番号が5以上のゲート端子Gt(ゲート端子Gl)の電位が−3.3Vになる。
時刻eの直後において、転送サイリスタT1およびT2がオン状態にある。
時刻fにおいて、第1転送信号φ1が「L」から「H」に移行する。
第1転送信号φ1が「L」から「H」に移行すると、φ1端子を介して第1転送信号線72の電位が「L」から「H」に移行する。すると、オン状態の転送サイリスタT1は、アノード端子とカソード端子とがともに「H」になって、ターンオフする。すると、ゲート端子Gt1(Gl1)の電位は、電源線抵抗Rgx1を介して、電源線71の電源電位Vga(「L」(−3.3V))に向かって変化する。これにより、結合ダイオードDx1が電流が流れない方向に電位が加えられた状態(逆バイアス)になる。よって、ゲート端子Gt2(ゲート端子Gl2)が「H」(0V)である影響は、ゲート端子Gt1(ゲート端子Gl1)には及ばなくなる。すなわち、逆バイアスの結合ダイオードDxで接続されていたゲート端子Gtを有する転送サイリスタTは、しきい電圧が−4.8Vになって、「L」(−3.3V)の第1転送信号φ1または第2転送信号φ2ではターンオンしなくなる。
時刻fの直後において、転送サイリスタT2がオン状態にある。
時刻gにおいて、点灯信号φI1が「H」から「L」に移行すると、時刻cでの発光サイリスタL1と同様に、発光サイリスタL2がターンオンして、点灯(発光)する。
そして、時刻hにおいて、点灯信号φI1が「L」から「H」に移行すると、時刻dでの発光サイリスタL1と同様に、発光サイリスタL2がターンオフして消灯する。
さらに、時刻iにおいて、第1転送信号φ1が「H」から「L」に移行すると、時刻bでの転送サイリスタT1または時刻eでの転送サイリスタT2と同様に、しきい電圧が−3Vの転送サイリスタT3がターンオンする。時刻iで、発光サイリスタL2を点灯制御する期間T(2)が終了し、発光サイリスタL3を点灯制御する期間T(3)が開始する。
以降は、これまで説明したことの繰り返しとなる。
そして、オン状態の転送サイリスタTのゲート端子Gtにゲート端子Glが接続された発光サイリスタLは、しきい電圧が−1.5Vであるので、点灯信号φIが「H」から「L」に移行すると、ターンオンして点灯(発光)する。
すなわち、転送サイリスタTはオン状態になることで、点灯制御の対象である発光サイリスタLを指定し、点灯信号φIは、点灯制御の対象の発光サイリスタLを点灯または非点灯に設定する。
このように、画像データに応じて、点灯信号φIの波形を設定して、各発光サイリスタLの点灯または非点灯を制御している。
図8は、第1の実施の形態における発光チップCの発光部102の構造を説明するための図である。図8(a)は発光部102の平面図、図8(b)は図8(a)のVIIIB−VIIIB線での断面図、図8(c)は図8(a)のVIIIC−VIIIC線での断面図である。ここでは、発光サイリスタ列において隣り合う4個の発光サイリスタLの部分を示している。発光サイリスタLの発光領域311の表面形状は、長方形であって、短手方向が発光サイリスタ列の方向、長手方向が発光サイリスタ列と直行する方向である。例えば、発光領域311の短手方向の長さは16.5μm、長手方向の長さは30μmである。
そして、副部75cは、隣接する発光サイリスタLの発光領域311の間の分離溝の中に設けられている。
図9は、点灯信号線75の接続部75dを、発光サイリスタ列の列方向に延びるように設けた場合と、発光サイリスタ列の列方向と直交する方向に延びるように設けた場合とを比較して説明する図である。図9(a)および(b)は、点灯信号線75の接続部75dを発光サイリスタ列の列方向に延びるように設けた場合を説明する図であり、図9(c)および(d)は、点灯信号線75の接続部75dを発光サイリスタ列の列方向と直交する方向に延びるように設けた場合を説明する図である。いずれの場合も、n型オーミック電極321は、発光領域311の中央部に設けられている。
図9(a)、(b)、(c)、(d)では、2つの発光サイリスタLの発光領域311とそれに発光のために電流を供給する点灯信号線75の主部75a、副部75cおよび接続部75dを示している。ここでは、接続部75dを発光サイリスタ列の列方向に延びるように設けることを説明するため、接続部75dについて説明する。
これに対し、発光サイリスタ列と直交する方向(図4、5、6に示すY方向である副走査方向)には、例えば30μmを35μmとするように、発光領域311を広げやすい。
一方、点灯信号線75の接続部75dが、発光サイリスタ列と直交する方向に延びるように設けられている場合には、発光領域311を、図9(c)と図9(d)とに示すように、発光サイリスタ列と直交する方向に拡大すると、接続部75dの長さを長くすることが必要となり、発光領域311が接続部75dにより遮光される面積が増加する。すなわち、発光領域311を発光サイリスタ列と直交する方向が長手方向になる長方形とした場合、接続部75dにより発光領域311が遮光される面積が増加する。よって、発光領域311の面積を拡大しても、光量の効率的な増加とならない。
また、本実施の形態においては、発光サイリスタ列の列方向と列方向と直交する方向とのうち、発光領域311における短手方向に沿った接続部75dの形態として、短手方向に平行な形態を開示しているが、発光領域311の短手方向に沿った接続部75dの形態としてはこれに限られず、長手方向に沿って接続部75dを設けるよりも遮光される面積が小さくなる形態であれば、短手方向に対して斜めに沿った形態や湾曲した形態であってもよい。
く、発光領域311の周辺部に設定することは好ましくない。
GaAs、GaAlAs等の化合物半導体では、メサエッチングにより形成される分離溝において、結晶方位に依存して、側面の形状がなだらかな形状(接線の傾きの符号が同じ)となる順メサ段差部92と、側面の形状がオーバーハング形状となる逆メサ段差部93とが生じることが知られている。図8(b)は、順メサ段差部92を、図8(c)は逆メサ段差部93を示している。なお、順メサ段差部92と逆メサ段差部93とを区別しないときは、分離溝の側面をメサ段差部と表記する。
逆メサ段差部93上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの配線材料を、スパッタリング法、真空蒸着法などの物理的手段によって形成すると、オーバーハング形状の段差の裏側が影になり(シャドー効果)、配線材料の成膜率が下がって、実効的な膜厚が小さくなりやすい(図8(c)の主部75a)。このため、逆メサ段差部93を越えて設けられた配線は、段差部での断線(段差切れ)を生じやすい。一方、順メサ段差部92ではシャドー効果が発生しにくく、順メサ段差部92を越えて設けられた配線は、段差切れが抑制される。なお、図8(b)、(c)では、点灯信号線75を加工する前の形状を破線で示している。
これらの配線は、図6に示したように、複数のアイランドをまたいで形成される。例えば、発光サイリスタLの数が128個であれば、これらの配線は、256個の段差を越えて設けられる。そこで、段差切れを抑制するため、これらの配線が順メサ段差部92上に設けられるように、基板80の結晶方位が選ばれる。すなわち、図8(b)に示したように、発光サイリスタ列の方向に順メサ段差部92が現れ、図8(c)に示したように、発光サイリスタ列と直交する方向に逆メサ段差部93が現れるようにしている。
前述したように、印字ピッチが1200dpiのとき、発光サイリスタLのピッチPは21.16μmである。このとき、例えば、分離溝幅Wtを4.6μmとし、点灯信号線75の副部75cの配線幅W1を4.6μmとすると、分離溝幅Wtと配線幅W1とが同じになる。
すると、点灯信号線75の副部75cは、分離溝を埋めるように設けられ、点灯信号線75の副部75cの端が発光領域311の端部に接するように設けられる。そして、副部75cの側面75eは、発光領域311から遠ざかるにつれて広がるように、断面が弧状になっている。
よって、副部75cの側面75eが、図8(b)に示すように断面が弧(凹面)状になっていると、発光領域311に垂直な方向に対して斜めの方向(例えば矢印D方向)に向かう光が、側面75eで反射して、ロッドレンズアレイ64に取り込まれる(例えば矢印C方向の発光領域311に直交する方向の)光となる。
なお、点灯信号線75(主部75a、副部75c)の側面75eは、弧(凹面)状以外の形状、例えば平面状や凸状であってもよく、発光領域311からの光を反射し、光量の増加に寄与できればよい。
第2の実施の形態では、第1の実施の形態と異なって、発光チップCの点灯信号線75は発光領域311を取り巻かないで構成されている。他の構成は、第1の実施の形態と同様である。よって、異なる部分を説明し、同様な部分については同じ符号を付して説明を省略する。
図10は、第2の実施の形態における発光チップCの発光部102の構造を説明するための図である。図10(a)は発光部102の平面図、図10(b)は図10(a)のXB−XB線での断面図である。ここでは、発光サイリスタ列において隣り合う4個の発光サイリスタLの部分を示している。発光サイリスタLの発光領域311は、長方形であって、短手方向が発光サイリスタ列の方向、長手方向が発光サイリスタ列と直行する方向である。例えば、発光領域311の短手方向の長さは16.5μm、長手方向の長さは30μmである。
そして、点灯信号線75の主部75aは、発光サイリスタLの発光領域311の端部に沿って設けられ、副部75cは発光サイリスタLを相互に分離する発光領域311間の分離溝に設けられている。
例えば、分離溝幅Wtを5μmとし、点灯信号線75の副部75cの配線幅W2を4.5μmとすると、分離溝幅Wtが配線幅W2より大きくなる。すると、図10(b)に示すように、点灯信号線75の副部75cは、分離溝の中に設けられ、副部75cの端は発光領域311の端部に接することなく、反射面が順メサ段差部92(メサ段差部)から立ち上がる形状となる。同様に、図示しないが点灯信号線75の主部75aの端も発光領域311の端部に接しない形状となる。
図10(b)では、点灯信号線75(副部75c)の加工前の断面形状を破線で示している。
また、第2の実施の形態では、図10(b)に示すように、分離溝幅Wtよりも点灯信号線75の副部75cの配線幅W2を細く設定することで、主部75aおよび副部75cの端は、発光領域311の端部に接しない状態で形成される。これにより、点灯信号線75が予め定められた位置から発光領域311の内側にずれて形成されるような場合であっても、点灯信号線75が発光領域311を覆って遮光する面積が抑制される。
なお、第1の実施の形態と同様に、主部75aおよび副部75cが、発光領域311の端部に接するように形成し、主部75aおよび副部75cの側面75eを弧状にすることで得られるミラー効果により、ロッドレンズアレイ64に取り込まれる光量を増加させてもよい。
第3の実施の形態では、発光チップCの点灯信号線75の副部75cは、隣接する2つの発光サイリスタLを組(ペア)として、組の発光サイリスタLの発光領域311に対して共通に構成されている。他の構成は、第2の実施の形態と同様である。よって、異なる部分を説明し、同様な部分については同じ符号を付して説明を省略する。
図11は、第3の実施の形態における発光チップCの発光部102の構造を説明するための図である。図11(a)は発光部102の平面図、図11(b)は図11(a)のXIB−XIB線での断面図である。ここでは、発光サイリスタ列において隣り合う4個の発光サイリスタLの部分を示している。発光サイリスタLの発光領域311の表面は、長方形であって、短手方向が発光サイリスタ列の方向、長手方向が発光サイリスタ列と直行する方向である。例えば、発光領域311の短手方向の長さは16.5μm、長手方向の長さは30μmである。
そして、点灯信号線75の主部75aは、発光サイリスタ列の列方向に延びるように、発光領域311の端部に沿って設けられている。また、点灯信号線75の副部75cは発光サイリスタLの発光領域311の分離溝に位置するように設けられている。例えば、分離溝幅Wtを4.6μmとし、点灯信号線75の副部75cの配線幅W1を4.6μmとし、第1の実施の形態と同様に、分離溝幅Wtと配線幅W1とが同じになるようにしている。これにより、点灯信号線75の副部75cの端が発光領域311の端部に接するように設けられている。そして、副部75cの側面75eは、発光領域311から遠ざかるにつれて広がるように、断面が弧状になっている。
第1の実施の形態および第2の実施の形態と同様に、接続部75dは、発光サイリスタ列に沿う方向に延びるように設けられている。なお、第3の実施の形態では、点灯信号線75の副部75cは、隣接する隣接する2つの発光領域311に対して、共通に設けられている。このため、接続部75dは、副部75cから、発光サイリスタ列の列方向に延びるように、図11(a)中において左右に延びて設けられている。
さらに、第3の実施の形態において、主部75aを2つにして、2つの主部75aの間を副部75cで接続してもよい。これにより、点灯信号線75の電気的な抵抗を小さくしてもよい。
また、第1から第3の実施の形態においては、発光領域311の形状は「長方形」としたが、「ひし形」や「楕円」等、発光サイリスタLの配列の列方向の長さよりも列方向と直交する方向の長さが長い形状であれば「長方形」以外であってもよい。
第1から第3の実施の形態において、転送サイリスタTは、第1転送信号φ1と第2転送信号φ2との2相で駆動したが、転送サイリスタTを3個毎に3相の転送信号を送信して駆動してもよい。
請求項2に記載の発明は、前記発光素子の前記発光領域は、前記配列の列方向の長さより当該列方向と直交する方向の長さが長いとともに、前記点灯電流供給配線は当該列方向に延びる主部と、当該主部から分かれた複数の副部とを備え、当該点灯電流供給配線が備える前記複数の接続部のそれぞれの接続部と当該複数の副部のそれぞれの副部とが接続され、当該複数の接続部が当該配列の列方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項1に記載の発光チップである。
請求項3に記載の発明は、前記複数の副部のそれぞれの副部は、前記複数の発光素子の隣接する2個の発光素子を1組として当該1組毎に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の発光チップである。
請求項4に記載の発明は、前記点灯電流供給配線の前記主部と前記複数の接続部とは、前記複数の発光素子をそれぞれ相互に分離する分離溝の順メサ段差部と交差するように設けられていることを特徴とする請求項2または3に記載の発光チップである。
請求項5に記載の発明は、前記点灯電流供給配線の前記主部または前記複数の副部が有する前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子側の端部は、当該発光素子の前記発光領域に垂直な方向に対して広がって出射される光を、当該垂直な方向に狭めるように反射させる反射面を有することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載の発光チップである。
請求項6に記載の発明は、前記点灯電流供給配線の前記主部または前記複数の副部が有する前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子側の端部は、当該発光素子における前記発光領域の端部または当該発光素子のメサ段差部から当該発光素子の当該発光領域に対して垂直な方向に対して広がった形状の面を有することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載の発光チップである。
請求項7に記載の発明は、基板と、前記基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域の形状を有する複数の発光素子と、前記列方向と当該列方向と直交する方向とのうち、前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子の前記発光領域を遮光する面積が小さくなる方向に沿って、当該発光素子の当該発光領域上を通って、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部を備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線とを備えた発光チップである。
請求項8に記載の発明は、基板と、当該基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する複数の発光素子と、当該基板に、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子に対応して設けられ、オン状態になることで対応する発光素子を点灯または非点灯の制御の対象として指定する複数の転送素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光領域上に、当該列方向と当該列方向と直交する方向とのうちの当該発光領域における短手方向に沿って設けられると共に、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部とを備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線とをそれぞれ備えた複数の発光チップと、前記複数の発光チップに対して、当該複数の発光チップの前記複数の転送素子のそれぞれの転送素子をオン状態が順に伝播するように駆動する転送信号を送信する転送信号供給手段と、前記複数の発光チップに対して、点灯のための電流を供給する点灯電流供給手段とを備えた発光装置である。
請求項9に記載の発明は、基板と、当該基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する複数の発光素子と、当該基板に、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子に対応して設けられ、オン状態になることで対応する発光素子を点灯または非点灯の制御の対象として指定する複数の転送素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光領域上に、当該列方向と当該列方向と直交する方向とのうちの当該発光領域における短手方向に沿って設けられると共に、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部とを備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線とをそれぞれ備えた複数の発光チップと、当該複数の発光チップに対して、当該複数の発光チップの当該複数の転送素子のそれぞれの転送素子をオン状態が順に伝播するように駆動する転送信号を送信する転送信号供給手段と、当該複数の発光チップに対して、点灯のための電流を供給する点灯電流供給手段とを備えた発光手段と、前記発光手段から照射される光を結像させる光学手段とを備えたことを特徴とするプリントヘッドである。
請求項10に記載の発明は、像保持体と、前記像保持体を帯電する帯電手段と、基板と、当該基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する複数の発光素子と、当該基板に、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子に対応して設けられ、オン状態になることで対応する発光素子を点灯または非点灯の制御の対象として指定する複数の転送素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光領域上に、当該列方向と当該列方向と直交する方向とのうちの当該発光領域における短手方向に沿って設けられると共に、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部とを備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線とをそれぞれ備えた複数の発光チップと、当該複数の発光チップに対して、当該複数の発光チップの当該複数の転送素子のそれぞれの転送素子をオン状態が順に伝播するように駆動する転送信号を送信する転送信号供給手段と、当該複数の発光チップに対して、点灯のための電流を供給する点灯電流供給手段とを備え、光学手段を介して前記像保持体を露光する露光手段と、前記露光手段により露光され前記像保持体に形成された静電潜像を現像する現像手段と、前記像保持体に現像された画像を被転写体に転写する転写手段とを備えたことを特徴とする画像形成装置である。
Claims (10)
- 基板と、
前記基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する複数の発光素子と、
前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子の前記発光領域上に、前記列方向と当該列方向と直交する方向とのうちの当該発光領域における短手方向に沿って設けられると共に、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部とを備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線と
を備えた発光チップ。 - 前記発光素子の前記発光領域は、前記配列の列方向の長さが当該列方向と直交する方向の長さより長いとともに、前記点灯電流供給配線は当該列方向に延びる主部と、当該主部から分かれた複数の副部とを備え、当該点灯電流供給配線が備える前記複数の接続部のそれぞれの接続部と当該複数の副部のそれぞれの副部とが接続され、当該複数の接続部が当該配列の列方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項1に記載の発光チップ。
- 前記複数の副部のそれぞれの副部は、前記複数の発光素子の隣接する2個の発光素子を1組として当該1組毎に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の発光チップ。
- 前記点灯電流供給配線の前記主部と前記複数の接続部とは、前記複数の発光素子をそれぞれ相互に分離する分離溝の順メサ段差部と交差するように設けられていることを特徴とする請求項2または3に記載の発光チップ。
- 前記点灯電流供給配線の前記主部または前記複数の副部が有する前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子側の端部は、当該発光素子の前記発光領域に垂直な方向に対して広がって出射される光を、当該垂直な方向に狭めるように反射させる反射面を有することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載の発光チップ。
- 前記点灯電流供給配線の前記主部または前記複数の副部が有する前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子側の端部は、当該発光素子における前記発光領域の端部または当該発光素子のメサ段差部から当該発光素子の当該発光領域に対して垂直な方向に対して広がった形状の面を有することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載の発光チップ。
- 基板と、
前記基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域の形状を有する複数の発光素子と、
前記列方向と当該列方向と直交する方向とのうち、前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子の前記発光領域を遮光する面積が小さくなる方向に沿って、当該発光素子の当該発光領域上を通って、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部を備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線と
を備えた発光チップ。 - 基板と、当該基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する複数の発光素子と、当該基板に、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子に対応して設けられ、オン状態になることで対応する発光素子を点灯または非点灯の制御の対象として指定する複数の転送素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光領域上に、当該列方向と当該列方向と直交する方向とのうちの当該発光領域における短手方向に沿って設けられると共に、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部とを備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線とをそれぞれ備えた複数の発光チップと、
前記複数の発光チップに対して、当該複数の発光チップの前記複数の転送素子のそれぞれの転送素子をオン状態が順に伝播するように駆動する転送信号を送信する転送信号供給手段と、
前記複数の発光チップに対して、点灯のための電流を供給する点灯電流供給手段と
を備えた発光装置。 - 基板と、当該基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する複数の発光素子と、当該基板に、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子に対応して設けられ、オン状態になることで対応する発光素子を点灯または非点灯の制御の対象として指定する複数の転送素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光領域上に、当該列方向と当該列方向と直交する方向とのうちの当該発光領域における短手方向に沿って設けられると共に、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部とを備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線とをそれぞれ備えた複数の発光チップと、当該複数の発光チップに対して、当該複数の発光チップの当該複数の転送素子のそれぞれの転送素子をオン状態が順に伝播するように駆動する転送信号を送信する転送信号供給手段と、当該複数の発光チップに対して、点灯のための電流を供給する点灯電流供給手段とを備えた発光手段と、
前記発光手段から照射される光を結像させる光学手段と
を備えたことを特徴とするプリントヘッド。 - 像保持体と、
前記像保持体を帯電する帯電手段と、
基板と、当該基板に列状に配列されると共に、当該配列の列方向の長さと当該列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する複数の発光素子と、当該基板に、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子に対応して設けられ、オン状態になることで対応する発光素子を点灯または非点灯の制御の対象として指定する複数の転送素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光領域上に、当該列方向と当該列方向と直交する方向とのうちの当該発光領域における短手方向に沿って設けられると共に、当該発光領域上に設けられた電極に接続される複数の接続部とを備え、当該複数の接続部を介して当該複数の発光素子に点灯のための電流を供給する点灯電流供給配線とをそれぞれ備えた複数の発光チップと、当該複数の発光チップに対して、当該複数の発光チップの当該複数の転送素子のそれぞれの転送素子をオン状態が順に伝播するように駆動する転送信号を送信する転送信号供給手段と、当該複数の発光チップに対して、点灯のための電流を供給する点灯電流供給手段とを備え、光学手段を介して前記像保持体を露光する露光手段と、
前記露光手段により露光され前記像保持体に形成された静電潜像を現像する現像手段と、
前記像保持体に現像された画像を被転写体に転写する転写手段と
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
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