JP2001244504A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型で低コストな半導体発光装置を提供す
る。 【構成】 各領域のｎ型ＡｌＧａＡｓ層３００対角線上
に発光部４００を配置し、前記対角線により区分された
２つの領域の内、一方の領域にｎ型電極６１０を片方の
領域にｐ型電極６２０を前記ｎ型ＡｌＧａＡｓ層と平面
的に重なる様に配置した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプリントヘッド等に用い
られる半導体発光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光学的な印刷装置には様々なものがある
が、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄ
ｉｏｄｅ）等の半導体発光素子を複数個設けた半導体発
光装置と、該半導体発光装置と電気的に接続されたドラ
イバＩＣとからなる例えばＬＥＤプリントヘッドが製品
化されている。

【０００３】前記ＬＥＤプリントヘッドは、導電性のパ
ターンが形成されたプリント基板上に複数の発光素子と
該発光素子と電気的に接続された複数の電極をプリント
基板の長手方向へと配置した構造となっており、前記ド
ライバＩＣは、その表面にドライバＩＣの長手方向へと
複数の電極を配置している。

【０００４】前記発光素子の電極と前記ドライバＩＣの
電極は導電性を有するワイヤにより電気的に接続されて
おり、前記ドライバＩＣが前記ワイヤを介して発光素子
へ電気信号を送出することにより、発光素子を発光駆動
させ、前記発光素子から送出された光により一列毎の印
字が行われる。

【０００５】近年では、画像の高解像度化に伴って、半
導体発光装置の各々の発光素子間距離が短くなる傾向に
なっている。

【０００６】例えば、３００ｄｐｉ（ｄｏｔ ｐｅｒ
ｉｎｃｈ）の半導体発光装置では、発光素子間の距離は
約８４μｍであり、６００ｄｐｉの半導体発光装置で
は、発光素子間の距離は約４２μｍと、３００ｄｐｉの
半導体発光装置に比べて約半分の距離である。

【０００７】約４２μｍの極めて細かい発光素子間隔を
有する半導体発光装置では、前記発光素子と接続された
電極の幅も小さくしなければならない。

【０００８】このように発光素子間隔が短く隣接する複
数の電極にワイヤを取り付けることは難しく、電極にワ
イヤを取り付けることができないことや、隣接するワイ
ヤ同士が接触するなどの問題が生じる。

【０００９】このような問題を解決する為に、例えば、
従来のように全ての発光素子に個別の電極を設けず、複
数の共通電極と個別電極を形成し、前記共通電極と個別
電極との組み合わせを利用することにより、任意の発光
部を発光させる技術が提案されている（例えば、特開平
８−２７４３７４号公報参照）。

【００１０】図１１は、前記従来の半導体発光装置の部
分上面図を示している。

【００１１】尚、図１１において、図１１左右側を前記
発光装置の長手左右側とし、図１１上下側を前記発光装
置の短手左右側とする。

【００１２】図１１において、例えばＳｉ等からなる絶
縁基板１００上には、ｎ型層１２１とｐ型層１２２から
成る発光部１２０と、２つの発光部１２０のｐ型層１２
２と電気的に接続され前記絶縁基板１００上で保護膜１
１０を介して形成された共通電極１３０と、発光装置の
長手左側から順に第１番目、第３番目と続く奇数番目の
発光部１２０のｎ型層１２１と接続され前記絶縁基板１
００上で保護膜１１０を介して形成された第1導電パタ
ーン１４０と、発光装置の長手左側から順に第２番目、
第４番目と続く偶数番目のｎ型層１２１と接続され保護
膜１１０を介して前記第1導電パターン１４０上で形成
された第２導電パターン１５０とからなる。

【００１３】図１２は、図１０に示す半導体発光装置の
Ａ−Ａ’線断面図である。

【００１４】尚、図１２において、図１２左右側を発光
装置の短手左右側とし、図１２上下側を各々半導体発光
装置の上側と下側とする。

【００１５】図１２において、例えばＳｉ等からなる絶
縁基板１００上略中央にｎ型層１２１が形成され、前記
ｎ型層１２１上にｐ型層１２２が形成されている。

【００１６】又、前記絶縁基板１００と前記ｎ型層１２
１と前記ｐ型層１２２の表面には保護膜１１０が形成さ
れ、前記ｐ型層１２２上と前記ｎ型層１２１上の一部に
は保護膜１１０が形成されておらず露出しており、前記
ｐ型層１２２上と短手右側の保護膜１１０上には共通電
極１３０が形成されており、前記ｐ型層１２２と前記共
通電極１３０は電気的に接続されている。

【００１７】更に、前記ｎ型層１２１上には前記保護膜
１１０が形成されておらず前記ｎ型層１２１の上面は露
出している。この露出したｎ型層１２１上には第1導電
パターン１４０が形成されており、前記第1導電パター
ン１４０は、短手左側の保護膜１１０上にも形成されて
いる。

【００１８】又、短手左側の第1導電パターン１４０上
にも保護膜１１０が形成されている。

【００１９】このように２つの発光部１２０と接続され
た共通電極１３０を形成し、前記共通電極１３０と前記
第1導電パターン１４０又は前記第２導電パターン１５
０との間に電流を流すことにより所望の発光部１２０を
発光させることが可能である。この為、共通電極１３０
の数は前記発光部１２０の数の半分で良く、前記共通電
極１３０に接続するワイヤの数を少なくすることができ
る。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】図１１に示す従来の半
導体発光装置では、複数の発光部１２０が、複数の共通
電極１３０と、複数の第1導電パターン１４０及び複数
の第２導電パターン１５０との間に配置されている。
又、前記共通電極１３０にワイヤボンディングを施すに
は、前記共通電極１３０の縦及び横の長さが少なくとも
約１００μｍ必要である。

【００２１】この為、前記半導体発光装置の短手方向の
長さは、前記共通電極１３０の一辺の長さ約１００μｍ
と、前記発光部１２０の短手方向の長さ（例えば、６０
０ｄｐｉで約２５μｍ）と、前記第1導電パターン１４
０及び前記第２導電パターン１５０を配する為に必要な
長さ（例えば、約８０μｍ）と、前記第1導電パターン
１４０又は前記第２導電パターン１５０と接続された電
極(図示せず)の長さ約１００μｍの合計長さである、少
なくとも約３０５μｍの長さが必要である。

【００２２】この為、前記半導体発光装置の短手方向の
長さが長くなり、基板のコストや装置の簡略化の観点か
ら見て好ましくない。

【００２３】又、前記第1導電パターン１４０と前記第
２導電パターン１５０に接続された図示せぬ２つの電極
を前記半導体発光装置の長手左右両端に配置した構成と
することも容易に考えられるが、通常、半導体発光装置
では複数の発光部が長手方向に連続して配置されていな
ければ画像に切れ目が生じてしまう為、前記導電バター
ン１４０、１５０の電極を半導体発光装置の長手左右両
端に配置することはできない。

【００２４】そこで、本発明では、基板上に形成され各
々が電気的に絶縁された複数のｎ領域にワイヤボンド用
のｐ型電極とｎ型電極を平面的に重ねた構造とすること
により、半導体発光装置のサイズを小さくすることを可
能にしている。

【００２５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体発
光装置は、基板上に互いに絶縁され基板の長手方向に配
列した複数のｎ型半導体領域と、各ｎ型半導体領域の対
角線方向に沿ってｎ型半導体領域上に形成した複数のｐ
型半導体領域と、各ｎ型半導体領域上の対応するｐ型半
導体領域を各々接続するように基板の長手方向に沿って
形成した複数の共通電極と、各ｎ型半導体領域に被さる
ように各ｎ型半導体領域と接続形成したワイヤーボンド
用のｎ型電極と、所定のｎ型半導体領域に被さるように
所定の共通電極と接続して形成したワイヤーボンド用の
ｐ型電極と、を有することを特徴とする。

【００２６】請求項２記載の半導体発光装置は、請求項
１記載の半導体発光装置であって、前記ｎ型電極は、前
記ｎ型半導体領域内の対角線によって２分割されたｎ型
半導体領域の一方の領域に配置されていることを特徴と
する。

【００２７】請求項３記載の半導体発光装置は、請求項
２記載の半導体発光装置であって、前記ｐ型電極は、対
角線によって２分割されたｎ型半導体領域の内、ｎ型電
極が配置された領域と反対の領域に配置されていること
を特徴とする。

【００２８】

【発明の実施の形態】図１は、本発明を適用してなる半
導体発光装置の上面図である。

【００２９】尚、図１において、図１左右側を前記発光
装置の長手左右側とし、図１上下側を前記発光装置の短
手左右側とする。

【００３０】又、図１において、短手左側から短手右側
へ順に発光装置の長手方向へと延びる４つの共通電極
を、各々第１行目〜第４行目の共通電極とする。

【００３１】図１において、前記半導体発光装置は、例
えばＧａＡｓからなる絶縁性の基板２００上に上面の形
状が略長方形であり互いに絶縁する複数のｎ型のＡｌＧ
ａＡｓ層３００を有している。

【００３２】各ｎ型ＡｌＧａＡｓ層３００には、その対
角線方向に長手左側から長手右側へ順に略階段状となる
ように４つの発光部４００が配置されている。各々の領
域のＡｌＧａＡｓ層３００の間には分離溝５００が形成
されている。

【００３３】前記分離溝５００は、各々の領域のＡｌＧ
ａＡｓ層３００が電気的に接続することを防止してい
る。

【００３４】以下、複数の領域の内、図１に示す４つの
ｎ型ＡｌＧａＡｓ層３００を、左側から右側へ順に領域
Ａ〜Ｄと呼ぶ。

【００３５】各領域の最も短手左側に形成された発光部
４００は、半導体発光装置の長辺と平行となると共に発
光装置の最も短手左側に形成された共通電極（１行目の
共通電極）と電気的に接続されている。

【００３６】又、各領域の発光装置短手左側から順に２
〜４番目に形成されている発光部４００は、各々発光装
置短手左側から２〜４行目に形成されている共通電極６
００により電気的に接続されている。

【００３７】領域Ａ及びＢの短手左側には、一辺の長さ
が約１００μｍであるｎ型電極６１０が形成されてお
り、前記ｎ型電極６１０は、各々領域Ａと領域ＢのＡｌ
ＧａＡｓ層３００と電気的に接続されている。

【００３８】尚、領域Ｂのｎ型電極６１０と共通電極６
００の間には絶縁膜が形成されている為、前記ｎ型電極
６１０と前記共通電極６００は電気的に接続していな
い。

【００３９】一方、領域Ａの短手右側に配置されたｐ型
電極６２０は、４行目の共通電極６００と電気的に接続
されており、領域Ｂの短手右側に配置されたｐ型電極６
２０は、３行目に位置する共通電極６００と電気的に接
続されている。

【００４０】尚、領域Ａのｐ型電極６２０と、３行目の
共通電極６００との間には、絶縁膜が形成されており、
領域Ｂのｐ型電極６２０と４行目の共通電極６００との
間にも絶縁膜が形成されている。その為、領域Ａのｐ型
電極６２０と３行目の共通電極６００、そして、領域Ｂ
のｐ型電極６２０と４行目の共通電極６００は各々電気
的に接続されていない。

【００４１】領域Ｃ及びＤの短手右側に配置されたｎ型
電極６１０は、各々領域Ｃ及びＤのＡｌＧａＡｓ層３０
０と電気的に接続されている。

【００４２】尚、領域Ｃ及び領域Ｄのｎ型電極６１０と
共通電極６００との間には絶縁膜が形成されている為、
前記領域Ｃ及び領域Ｄのｎ型電極６１０と前記共通電極
６００は電気的に接続されていない。

【００４３】一方、領域Ｃの短手左側に配置されたｐ型
電極６２０は、２行目に位置する共通電極６００と電気
的に接続されており、領域Ｄの短手左側に配置されたｐ
型電極６２０は、１行目に位置する共通電極６００と電
気的に接続されている。

【００４４】尚、領域Ｃのｐ型電極６２０と１行目に位
置する共通電極６００との間には絶縁膜が形成され、領
域Ｄのｐ型電極６２０と２行目に位置する共通電極６０
０との間には絶縁膜が形成されている為、領域Ｃ、Ｄの
ｐ型電極６２０は、各々前記１行目、２行目の共通電極
６００と電気的に接続されていない。

【００４５】図２は、図１に示す半導体発光装置のＡ−
Ａ‘線断面図である。

【００４６】尚、図２において、図２左右側を各々発光
装置の長手左側、長手右側とし、図２上下側を各々発光
装置の上側、下側とする。

【００４７】図２において、例えばＧａＡｓからなる絶
縁性の基板２００上には、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層３００が
形成されており、前記ＡｌＧａＡｓ層３００の領域Ａと
領域Ｂの境界付近には、分離溝５００が形成されてい
る。前記ＡｌＧａＡｓ層３００の領域Ａ長手右側にはｐ
型層３１０が形成されており、前記ｐ型層３１０から長
手右側に位置する前記ＡｌＧａＡｓ層３００上と前記基
板２００上には、例えばＳｉ₃Ｎ₄からなる絶縁膜７００
が形成されている。

【００４８】又、前記ｐ型層３１０と前記絶縁膜７００
上には共通電極６００が形成されており、前記ｐ型層３
１０上に配置された共通電極６００を除く前記共通電極
６００上と領域Ａ中央及び短手左側の絶縁膜７００上に
は例えばＳｉ₃Ｎ₄からなる絶縁膜７２０が形成されてい
る。

【００４９】尚、領域Ａ長手左側のＡｌＧａＡｓ層３０
０上には例えばＡｕからなるｎ型電極６１０が形成され
ている。

【００５０】図３は、図１に示す半導体発光装置のＢ−
Ｂ‘線断面図である。

【００５１】尚、図３では、図３左右側を各々長手左右
側とし、図３上下側を各々発光装置の上下側としてい
る。

【００５２】図３において、ＧａＡｓからなる絶縁基板
２００上の内、分離溝５００を除く領域にはｎ型のＡｌ
ＧａＡｓ層３００が形成されており、図３長手左側のＡ
ｌＧａＡｓ層３００にはｐ型層３１０が形成されてい
る。

【００５３】前記ｐ型層３１０上を除くｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ層３００上には、例えばＳｉ₃Ｎ₄膜からなる絶縁膜７
００が形成されており、前記絶縁膜７００は、共通電極
６００とＡｌＧａＡｓ層３００が電気的に接続すること
を防いでいる。又、前記ｐ型層３１０上と前記ｐ型層３
１０長手左側の絶縁膜７００を除く絶縁膜７００上には
例えばＡｕからなる共通電極６００が形成されている。

【００５４】領域Ａの長手左側に位置する絶縁膜７００
上と、前記ｐ型層３１０上を除く前記共通電極６００上
には、例えばＳｉ₃Ｎ₄からなる絶縁膜７２０が形成され
ており、領域Ａ短手右側に位置する絶縁膜７２０には、
開口穴７３０が形成され、この領域にｐ型電極６１０が
配置されている。

【００５５】次に本実施例の半導体発光装置の製造方法
を図４〜図１０を用いて以下に説明する。

【００５６】図４〜図６は、図１Ａ−Ａ‘線断面領域の
形成過程を示しており、図７〜図１０は、図１Ｂ−Ｂ’
線断面領域の形成過程を示している。

【００５７】尚、図４〜図１０では、図１及び図２と同
様に、紙面左右側を各々長手左右側、紙面上下側を各々
発光装置上下側としている。

【００５８】図４（ａ）、図７（ａ）において、例えば
３―５族化合物半導体のＧａＡｓからなる絶縁性の基板
２００上に、例えばＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａ
ｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法等を用いてｎ型ＡｌＧａＡｓ層３００が形
成される。

【００５９】次に、図４（ｂ）、図７（ｂ）では、Ａｌ
ＧａＡｓ層３００を島状にする為に、例えばリン酸系エ
ッチャント（リン酸１：エタノール４：過酸化水素１）
を用いてＡｌＧａＡｓ層３００の内、分離溝５００を形
成する領域を除去する。

【００６０】図４（ｃ）、図７（ｃ）では、前記ＡｌＧ
ａＡｓ層３００上と前記分離溝５００が形成された基板
２００上に、例えば約４００度の温度下でプラズマＣＶ
Ｄ法を用いて例えばＳｉ₃Ｎ₄からなる絶縁膜７００を形
成する。

【００６１】図５（ｄ）、図８（ｄ）では、ＡｌＧａＡ
ｓ層３００にｐ型層３１０を形成すると共に、後述する
共通電極６００を除去する領域にレジスト膜８００を形
成する。

【００６２】具体的には、先ず、前記絶縁膜７００上に
レジスト膜８００を形成し、フォトリソグラフィー技術
とＢＨＦ(バッファードフッ酸)を用いて前記絶縁膜７０
０及び前記レジスト膜８００をエッチングすることによ
り開口穴７１０を形成する。

【００６３】続いて、前記基板２００をアニール炉に入
れ真空中で約７００度の温度を約１時間程保つことによ
り、ｐ型層３１０を形成するＡｌＧａＡｓ層３００の領
域に硫化亜鉛を拡散する。

【００６４】このようにして、前記ＡｌＧａＡｓ層３０
０に深さが約１．０〜２．０μｍのｐ型層３１０が形成
される。又、開口穴７１０から長手右側の絶縁膜７００
上に形成されたレジスト膜８００を除去する。

【００６５】図５（ｅ）、図８（ｅ）では、例えば真空
蒸着法を用いてＡｕ合金を蒸着させることにより前記絶
縁膜７００上と前記ｐ型層３１０上と前記レジスト膜８
００上に例えばＡｕからなる共通電極６００を形成す
る。

【００６６】続いて、図５（ｆ）、図８（ｆ）におい
て、例えばレジスト剥離液を用いて前記レジスト膜８０
０を除去することにより、前記レジスト膜８００と共に
前記レジスト膜８００上に配置された共通電極６００を
除去する。

【００６７】次の工程では、図６（ｇ）において、共通
電極６００上と長手左側の絶縁膜７００上に例えば、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄膜からなる絶縁膜７２０を形成し、前記絶縁膜７
２０上にレジスト膜８１０を形成する。その後、例えば
フォトリソグラフィー技術とＢＨＦエッチングを用いる
ことにより、後述するｎ型電極６１０を形成する領域の
ＡｌＧａＡｓ層３００上方に形成された絶縁膜７００、
７２０及びレジスト膜８１０を除去し開口穴７３０を形
成する。

【００６８】この時、図９（ｇ）では、共通電極６００
上面と、前記共通電極６００長手左側の絶縁膜７００上
に絶縁膜７２０を形成する。

【００６９】図６（ｈ）において、レジスト膜８１０上
面と前記開口穴７３０に位置するＡｌＧａＡｓ層３００
上に例えばＡｕからなるｎ型電極６１０を形成する。

【００７０】一方、図９（ｈ）では、前記レジスト膜８
１０上方に例えばＡｕからなる合金を真空蒸着させるこ
とによりｎ型電極６１０を形成する。

【００７１】図６（ｉ）において、前記レジスト膜８１
０を例えばレジスト剥離液を用いて除去することによ
り、前記レジスト膜８１０と共に前記レジスト膜８１０
上に配置された前記ｎ型電極６１０を除去し、前記開口
穴７３０近傍にのみｎ型電極６１０を残す。又、ｐ型層
３１０とＡｌＧａＡｓ層３００の接続部から発光される
光を上方に放出する為に、例えばフォトグラフィ技術と
ＢＨＦを用いることによりｐ型層３１０上方に位置する
絶縁膜７２０を除去する。

【００７２】一方、図９（ｉ）において、前記レジスト
膜８１０を例えばレジスト剥離液を用いて除去すること
により、前記レジスト膜８１０と共に前記レジスト膜８
１０上に配置された前記ｎ型電極６１０を除去する。

【００７３】次に図１０（ｊ）において、前記絶縁膜７
２０上にレジスト膜８２０を形成し、例えばフォトリソ
グラフィ技術とＢＨＦを用いて所定領域の前記絶縁膜７
２０と前記レジスト膜８２０を除去し、開口穴７４０を
形成する。その後、前記レジスト膜８２０と前記開口穴
７４０上に例えばＡｕからなるｐ型電極６２０を例えば
真空蒸着を用いて形成する。

【００７４】尚、この時、Ａ−Ａ‘の断面領域では、表
面全体に前記レジスト膜８２０が形成され、前記レジス
ト膜８２０上に前記ｐ型電極６２０が形成される（図示
せず）。

【００７５】図１０（ｋ）において、前記レジスト膜８
２０を例えばレジスト剥離液を用いて除去し、続いてｐ
型層３１０とＡｌＧａＡｓ層３００の接続部から発光さ
れる光を上方に放出する為に、前記ｐ型層３１０上に位
置する絶縁膜７２０を例えばフォトリソグラフィ技術と
ＢＨＦを用いることにより削除する。

【００７６】又、この特、Ａ−Ａ‘の断面領域では、表
面全体に形成されたｐ型電極６２０が前記レジスト膜８
２０と共に除去される(図示せず)。

【００７７】このようにして、図１に示す本実施例の半
導体発光装置が形成される。

【００７８】尚、本実施例では、領域Ａ〜Ｄまでについ
て詳細に説明したが、領域Ｄ以降に発光装置の長手方向
へと続く領域について以下に説明する。

【００７９】領域Ｄ以降の領域では、以下の点を除き領
域Ｄと略同じ構造である。

【００８０】その異なる点は、領域Ｄ以降の各領域には
ｎ型電極６１０しか形成されておらず、ｐ型電極６２０
は形成されていないことである。

【００８１】このような構造とした理由は、領域Ｄ以降
の各領域に形成された複数の発光部４００は、夫々発光
装置の長手方向に延びている複数の共通電極６００と接
続されており、前記共通電極６００への電流供給即ち領
域Ｄ以降の発光部４００への電流供給は、領域Ａ〜領域
Ｄに形成されているｐ型電極６２０を通して行えるから
である。

【００８２】前記半導体発光装置とドライバＩＣを接続
する際には、前記半導体発光装置の各領域に形成された
ｎ型電極６１０とドライバＩＣ（図示せず）に設けられ
た電極との間にワイヤボンディングによりワイヤを打ち
付けると共に発光装置のｐ型電極６２０とドライバＩＣ
に設けられた電極との間にワイヤボンディングによりワ
イヤを打ち付けることにより、半導体発光装置のｎ型、
ｐ型電極６１０、６２０とドライバＩＣに設けられた電
極とを電気的に接続する。

【００８３】次に、本実施例の半導体発光装置を発光制
御させる際の動作を以下に説明する。

【００８４】先ず、領域Ａの長手左側から長手右側の４
つの発光部４００を順に発光させたい場合には、領域Ａ
の長手左側に配されたｎ型電極６１０と、領域Ａ長手右
側に配されたｐ型電極６２０、領域Ｂ長手右側に配され
たｐ型電極６２０、領域Ｃ長手左側に配されたｐ型電極
６２０、領域Ｄ長手左側方に配されたｐ型電極６２０と
の間で順に電流を流すことにより発光させることが可能
である。

【００８５】次に、領域Ｂの長手左側から右側へ４つの
発光部４００を順に発光させたい場合には、領域Ｂの長
手左側に配されたｎ型電極６１０と、領域Ａ長手右側に
配されたｐ型電極６２０、領域Ｂ長手右側に配されたｐ
型電極６２０、領域Ｃ長手左側に配されたｐ型電極６２
０、領域Ｄ長手左側に配されたｐ型電極６２０との間で
順に電流を流すことにより発光させることが可能であ
る。

【００８６】又、領域Ｃの長手左側から長手右側へ順に
４つの発光部４００を順に発光させたい場合には、領域
Ｃの長手右側に配されたｎ型電極６１０と、領域Ａ長手
右側に配されたｐ型電極６２０、領域Ｂ長手右側に配さ
れたｐ型電極６２０、領域Ｃ長手左側に配されたｐ型電
極６２０、領域Ｄ長手左側に配されたｐ型電極６２０と
の間で順に電流を流すことにより発光させることが可能
である。

【００８７】更に、領域Ｄの長手左側から長手右側の４
つの発光部４００を順に発光させたい場合には、領域Ｄ
の長手右側に配されたｎ型電極６１０と、領域Ａ長手右
側に配されたｐ型電極６２０、領域Ｂ長手右側に配され
たｐ型電極６２０、領域Ｃ長手左側に配されたｐ型電極
６２０、領域Ｄ長手左側に配されたｐ型電極６２０との
間で順に電流を流すことにより発光させることが可能で
ある。

【００８８】尚、発光装置長手方向の領域Ｄ以降に続く
領域で、発光部４００を発光させる際には、領域Ｄ以降
の各領域に形成されたｎ型電極６１０と、領域Ａ〜領域
Ｄに形成されているｐ型電極６２０との間に電流を流し
込むことにより、所望の発光部４００を発光させること
が可能である。

【００８９】例えば、領域Ｄに続く領域(領域Ｆとする)
の複数の発光部４００を順に発光させる場合には、領域
Ｆに形成されているｎ型電極６１０と、領域Ａ〜Ｄに形
成されているｐ型電極６２０との間に順に電流を流し込
むことにより、発光部４００を発光させることができ
る。

【００９０】以上説明したように、本実施の半導体発光
装置は、基板２００上に電気的に分離された複数のｎ型
ＡｌＧａＡｓ層３００を形成し、各々のｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ層３００上の一つの対角線上には複数のｐ型層が形成
されている。

【００９１】又、前記対角線により分けられたｎ型Ａｌ
ＧａＡｓ層３００のＡ〜Ｄ領域の内、一方の領域にはｎ
型電極６１０が収まるように配置され、片方の領域には
ｐ型電極６２０が収まる様に配置されている。

【００９２】更に、領域Ｄ以降の領域では、対角線によ
り分けられたｎ型層３００の一方の領域にｎ型電極６１
０が形成されており、片方の領域ではｐ型電極は形成さ
れていない。

【００９３】このように、本実施例では、半導体発光装
置の短手方向の長さを、略前記ｎ型電極６１０の短手方
向の長さと前記ｐ型電極６２０の短手方向の長さの合計
値とすることができた。

【００９４】それゆえ、本実施例では、半導体発光装置
を従来に比べて小型で低コストとすることができる。

【００９５】尚、本実施例では、発光装置の短手方向へ
４つの発光部４００が収まるように形成したが、前記発
光装置の短手方向へ５以上の発光部４００を収めるよう
に形成することも考えられる。

【００９６】この場合、各領域に形成された発光部４０
０の数ほど共通電極６００が形成され、共通電極６００
の数が増加するほどｐ型電極６２０を有する領域が増加
する。

【００９７】例えば、１つの領域に発光部４００を７つ
設ける場合には、ｎ型電極６１０とｐ型電極６２０を有
する領域が７つ必要であり、その他の領域では、ｎ型電
極６１０のみを設ければ良くｐ型電極６２０を設ける必
要がない。

【００９８】

【発明の効果】小型で低コストな半導体発光装置を実現
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明を適用してなる実施例である半導体発
光装置の上面図である。

【図２】 図１に示す半導体発光装置のＡ−Ａ‘線断面
図である。

【図３】 図１に示す半導体発光装置のＢ−Ｂ‘線断面
図である。

【図４】 本実施例装置の製造工程を示す断面図であ
る。

【図５】 本実施例装置の製造工程を示す断面図であ
る。

【図６】 本実施例装置の製造工程を示す断面図であ
る。

【図７】 本実施例装置の製造工程を示す断面図であ
る。

【図８】 本実施例装置の製造工程を示す断面図であ
る。

【図９】 本実施例装置の製造工程を示す断面図であ
る。

【図１０】 本実施例装置の製造工程を示す断面図であ
る。

【図１１】 従来の半導体発光装置の上面図である。

【図１２】 図１１に示す半導体発光装置のＡ−Ａ‘線
断面図である。

【符号の説明】

１００ 基板 １１０ 保護膜 １２０ 発光部 １２１ ｎ型層 １２２ ｐ型層 １３０ 共通電極 １４０ 第１導電パターン １５０ 第２導電パターン １６０ 保護膜 ２００ 基板 ３００ ＡｌＧａＡｓ層 ３１０ ｐ型層 ４００ 発光部 ５００ 分離溝 ６００ 共通電極 ６１０ ｎ型電極 ６２０ ｐ型電極 ７００ 絶縁膜 ７１０ 開口穴 ７２０ 絶縁膜 ７３０ 開口穴 ７４０ 開口穴 ７５０ 絶縁膜 ８００ レジスト膜 ８１０ レジスト膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に互いに絶縁され基板の長手方向
   に配列した複数のｎ型半導体領域と、 各ｎ型半導体領域の対角線方向に沿ってｎ型半導体領域
   上に形成した複数のｐ型半導体領域と、 各ｎ型半導体領域上の対応するｐ型半導体領域を各々接
   続するように基板の長手方向に沿って形成した複数の共
   通電極と、 各ｎ型半導体領域に被さるように各ｎ型半導体領域と接
   続形成したワイヤーボンド用のｎ型電極と、所定のｎ型
   半導体領域に被さるように所定の共通電極と接続して形
   成したワイヤーボンド用のｐ型電極と、 を有することを特徴とする半導体発光装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体発光装置であっ
   て、 前記ｎ型電極は、前記ｎ型半導体領域内の対角線によっ
   て２分割されたｎ型半導体領域の一方の領域に配置され
   ていることを特徴とする半導体発光装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の半導体発光装置であっ
   て、 前記ｐ型電極は、対角線によって２分割されたｎ型半導
   体領域の内、ｎ型電極が配置された領域と反対の領域に
   配置されていることを特徴とする半導体発光装置。