CN102468319A - 发光芯片、发光装置、打印头及图像形成设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了发光芯片、发光装置、打印头及图像形成设备。其中发光芯片包括：衬底；多个发光元件，其在衬底上排列成一行，每个发光元件均包括发光区域，该发光区域在该排列的排列方向上的长度与在垂直于该排列方向的方向上的长度不同；以及点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分均沿对应的一个发光元件的发光区域的排列方向或垂直于排列方向中较短的方向设置在该发光区域上，每个连接部分均连接至发光区域上设置的电极，点亮信号供给互连通过多个连接部分给多个发光元件提供用于进行点亮的电流。

Description

发光芯片、发光装置、打印头及图像形成设备

技术领域

本发明涉及一种发光芯片、发光装置、打印头和图像形成设备。

背景技术

近些年，采用了利用LED打印头(LPH)的记录装置，该LPH包括大量沿第一扫描方向排列的用作发光元件的发光二极管(LED)。

日本专利申请特许公开第2001-94155号公开了排列成一行并且分别具有正方形发光区域的多个发光元件，以及在多个发光元件的发光区域上延伸并且连接至电极的互连的结构。

本发明的目的是从排列成一行的多个发光元件中有效地提取光，其中每个发光元件都具有发光区域，该发光区域沿排列方向的长度不同于沿与排列方向垂直的方向的长度。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种发光芯片，包括：衬底；多个发光元件，其在衬底上排列成一行，每个发光元件都具有发光区域，该发光区域沿该排列的排列方向的长度不同于沿与该排列方向垂直的方向的长度；以及点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分均沿对应的一个发光元件的发光区域的排列方向或者与排列方向垂直的方向中较短的方向设置在该发光区域上，每个连接部分连接至设置在发光区域上的电极，点亮电流供给互连通过所述多个连接部分给所述多个发光元件提供用于点亮的电流。

根据本发明的第二方面，在第一方面的发光芯片中，每个发光元件的发光区域沿与排列的排列方向垂直的方向的长度比沿排列方向的长度长，所述点亮电流供给互连包括沿排列方向延伸的主干部分和从主干部分分支出来的多个辅助部分，以及包含于所述点亮电流供给互连中的多个连接部分分别连接至所述多个辅助部分，并且沿排列的排列方向设置。

根据本发明的第三方面，在第二方面的发光芯片中，将所述多个辅助部分提供给各对发光元件，其中各对发光元件由所述多个发光元件中的两个相邻的发光元件组成。

根据本发明的第四方面，在第二方面的发光芯片中，所述点亮电流供给互连的主干部分和多个连接部分被设置为跨过(cross)将所述多个发光元件彼此隔离的隔离沟槽的各个正向台面梯级部分。

根据本发明的第五方面，在第三方面的发光芯片中，所述点亮电流供给互连的主干部分和多个连接部分被设置为跨过将所述多个发光元件彼此隔离的隔离沟槽的各个正向台面梯级部分。

根据本发明的第六方面，在第二至第五方面的发光芯片中，包含于所述点亮电流供给互连的主干部分或者多个辅助部分中的多个发光元件的侧面上的每个边缘都具有反射表面，该反射表面将以一定发散角发出的光朝向与对应的一个发光元件的发射区域垂直的方向进行反射，使得所述光在与其垂直的方向上变窄。

根据本发明的第七方面，在第二至第五方面的发光芯片中，包含于所述点亮电流供给互连的主干部分或者多个辅助部分中的所述多个发光元件的侧面上的每个边缘都具有如下形状的表面：从对应的一个发光元件的发光区域的边缘或者从对应的一个发光元件的台面梯级部分开始沿与所述对应的一个发光元件的发光区域垂直的方向扩展。

根据本发明的第八方面，提供了一种发光芯片，包括：衬底；多个发光元件，其在衬底上排列成一行，每个发光元件均包括发光区域，该发光区域沿排列的排列方向的长度与沿垂直于所述排列方向的方向的长度不同；以及点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分在对应的一个发光元件的发光区域上沿排列方向或垂直于排列方向的方向中使发光区域的光被遮挡的面积较小的方向延伸，每个连接部分均连接至设置在发光区域上的电极，所述点亮电流供给互连通过所述多个连接部分给所述多个发光元件提供用于进行点亮的电流。

根据本发明的第九方面，提供了一种发光装置，该发光装置包括多个发光芯片，每个发光芯片均包括：衬底；多个发光元件，其在衬底上排列成一行，每个发光元件均包括发光区域，该发光区域沿排列的排列方向的长度与沿垂直于所述排列方向的方向的长度不同；多个传递元件，其在衬底上被设置为对应于各个发光元件，每个传递元件均通过变为ON状态来将对应的发光元件指定为点亮或不点亮的控制目标；以及点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分都沿对应的一个发光元件的发光区域的排列方向或垂直于排列方向的方向中较短的方向设置在该发光区域上，每个连接部分都连接至设置在发光区域上的电极，点亮电流供给互连通过所述多个连接部分给所述多个发光元件提供用于进行点亮的电流。所述发光装置还包括：传递信号提供单元，其将传递信号传送给多个发光芯片，以驱动这些发光芯片的每个传递元件，使得ON状态顺序传播；以及点亮电流提供单元，其为所述多个发光芯片提供用于进行点亮的电流。

根据本发明的第十方面，提供了一种打印头，包括：发光单元；以及光学单元，用于使发光单元发出的光形成图像。所述发光单元包括多个发光芯片，每个发光芯片包括：衬底；多个发光元件，其在衬底上排列成一行，每个发光元件均包括发光区域，该发光区域沿排列的排列方向的长度与沿垂直于所述排列方向的方向的长度不同；多个传递元件，其在衬底上被设置为对应于各发光元件，每个传递元件均通过变为ON状态来将对应的发光元件指定为点亮或不点亮的控制目标；以及点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分均沿对应的一个发光元件的发光区域的排列方向或垂直于排列方向的方向中的较短方向设置在该发光区域上，每个连接部分均连接至设置在发光区域上的电极，所述点亮电流供给互连通过所述多个连接部分给所述多个发光元件提供用于点亮的电流。所述发光单元还包括：传递信号提供单元，其将传递信号传送给多个发光芯片，以驱动这些发光芯片的每个传递元件，使得ON状态顺序传播；以及点亮电流提供单元，其为所述多个发光芯片提供用于进行点亮的电流。

根据本发明的第十一方面，提供了一种图像形成设备，包括：图像载体；充电单元，用于对图像载体进行充电；曝光单元，用于通过光学单元对图像载体进行曝光；显影单元，其对曝光单元曝光的并且形成在图像载体上的静电潜像进行显影；以及转印(transfer)单元，其将显影在图像载体上的图像转印至转印体。所述曝光单元包括多个发光芯片，每个发光芯片包括：衬底；多个发光元件，其在衬底上排列成一行，每个发光元件均包括发光区域，该发光区域在排列的排列方向上的长度与在垂直于排列方向的方向上的长度不同；多个传递元件，其在衬底上被设置为对应于各个发光元件，每个传递元件通过变为ON状态来将对应的发光元件指定为点亮或不点亮的控制目标；以及点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分均沿对应的一个发光元件的发光区域的排列方向或垂直于排列方向的方向中较短的方向设置在该发光区域上，每个连接部分均连接至设置在发光区域上的电极，所述点亮电流供给互连通过多个连接部分给多个发光元件提供用于点亮的电流。所述曝光单元进一步包括：传递信号提供单元，其将传递信号传送给多个发光芯片，以驱动这些发光芯片的每个传递元件，使得ON状态顺序传播；以及点亮电流提供单元，其给多个发光芯片提供用于点亮的电流。

根据本发明的第一方面，与每个连接部分沿发光元件的排列方向或垂直于排列方向的方向中发光区域较长的方向设置的情况相比，可以有效地从发光元件提取光。

根据本发明的第二方面，与每个连接部分沿垂直于排列方向的方向设置的情况相比，即使每个发光区域的形状沿垂直于排列方向的方向的长度比沿排列方向的长度长，也可以有效地从发光元件提取光。

根据本发明的第三方面，与给各个发光元件设置辅助部分的情况相比，即使点亮电流供给互连的辅助部分的形状变化，也可以减小发光区域的光被遮挡的面积。

根据本发明的第四和第五方面，与点亮电流供给互连的主干部分或者连接部分跨过反向台面梯级部分的情况相比，可以防止点亮电流供给互连由于梯级差而断开。

根据本发明的第六和第七方面，通过采用点亮电流供给互连的主干部分或辅助部分的边缘的形状，可以增大能够从发光元件提取出来的光的量。

根据本发明的第八方面，与沿发光元件的排列方向或者垂直于排列方向的方向中发光区域的光被遮挡的面积较大的方向设置每个连接部分的情况相比，可以有效地从发光元件提取光。

根据本发明的第九方面，与未采用本发明构造的情况相比，可以有效地从发光元件提取光。

根据本发明的第十方面，与未采用本发明构造的情况相比，可以通过有效地利用来自发光元件的光进行曝光。

根据本发明的第十一方面，与未采用本发明构造的情况相比，可以通过有效地利用来自发光元件的光形成图像。

附图说明

基于以下附图，将详细地描述本发明的示例性实施例，其中：

图1是示出应用第一示例性实施例的图像形成设备的整体构造的实例的示意图；

图2是示出了打印头的结构的截面图；

图3是发光装置的俯视图；

图4A和图4B是示出发光芯片、电路板上的发光装置的信号产生电路和互连(配线)的构造的示意图；

图5是用于说明其上安装有自扫描发光装置阵列(SLED)的发光芯片的电路构造的等效电路示意图；

图6A和图6B是发光芯片的平面布局及截面图；

图7是用于说明发光装置和发光芯片的操作的时序图；

图8A至图8C是用于说明第一示例性实施例中发光芯片的发光部分的结构的视图；

图9A至图9D是用于说明点亮信号线的连接部分被设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向延伸的情况与点亮信号线的连接部分被设置为沿与发光晶闸管阵列的排列方向垂直的方向延伸的情况相比较的视图；

图10A和图10B是用于说明第二示例性实施例中发光芯片的发光部分的结构的视图；以及

图11A和图11B是用于说明第三示例性实施例中发光芯片的发光部分的结构的视图。

具体实施方式

在诸如打印机、复印机或传真机之类的电子照相图像形成设备中，以如下方式在记录纸张上形成图像。首先，通过使光记录单元发光以将图像信息转印到均匀带电的感光体上来在该感光体上形成静电潜像。然后，利用调色剂对静电潜像进行显影使其可视。最后，将调色剂图像转印并定影到记录纸张上。除了利用激光束沿第一扫描方向进行激光扫描来执行曝光的光扫描记录单元以外，近年来响应于对设备小型化的要求，还采用了利用下面的LED打印头(LPH)的记录装置作为这种光记录单元。该LPH包括大量沿第一扫描方向排列的发光二极管(LED)，这些发光二极管用作发光元件。

同时，发光晶闸管用作其上安装有自扫描发光装置阵列(SLED)的发光芯片中的发光元件，其中多个发光元件在衬底上排成一行并且顺序地进行点亮控制。与发光二极管不同，发光晶闸管具有pnpn四层结构，并且主要利用四层结构中的两个内层来发光。因此，与仅具有两层的典型发光二极管相比，发光晶闸管具有可以向外部提取较少的光量(light amount)的特性。因此，对于发光晶闸管，为了增大从发光元件发出的光量，更需要发光元件具有较大的用于发光的发光区域并且高效地从发光元件提取光。

下文中，将参照附图详细给出对本发明示例性实施例的描述。

[第一示例性实施例]

(图像形成设备1)

图1是示出应用了第一示例性实施例的图像形成设备1的整体构造的实例的示意图。图1所示的图像形成设备1通常称作串联式(tandem)图像形成设备。图像形成设备1包括图像形成处理单元10、图像输出控制器30、和图像处理器40。图像形成处理单元10根据不同颜色的图像数据形成图像。图像输出控制器30控制图像形成处理单元10。连接至诸如个人计算机(PC)2以及图像读取设备3之类的装置的图像处理器40对从上述装置接收到的图像数据执行预定的图像处理。

图像形成处理单元10包括图像形成单元11，该图像形成单元11包括以预定间隔平行排列的多个引擎。图像形成单元11由四个图像形成单元11Y、11M、11C和11K组成。图像形成单元11Y、11M、11C和11K中的每一个都包括感光鼓12、充电装置13、打印头14和显影装置15。在感光鼓12(其为图像载体的一个实例)上，形成静电潜像，且感光鼓12保持调色剂图像。充电装置13(作为充电单元的一个实例)以预定电位对感光鼓12的表面进行充电。打印头14对由充电装置13进行了充电的感光鼓12进行曝光。显影装置15(作为显影单元的一个实例)对由打印头14形成的静电潜像进行显影。图像形成单元11Y、11M、11C和11K分别形成黄色(Y)、品红色(M)、青色(C)和黑色(K)调色剂图像。

此外，图像形成处理单元10还包括纸张传输带21、驱动辊22、转印辊23和定影装置24。纸张传输带21传输作为转印体的一个实例的记录纸张25，以通过多层转印将分别形成在图像形成单元11Y、11M、11C和11K的感光鼓12上的不同颜色的调色剂图像转印到记录纸张25上。驱动辊22是驱动纸张传输带21的辊。每个转印辊23(作为转印单元的一个实例)将形成在相应感光鼓12上的调色剂图像转印到记录纸张25上。定影装置24将调色剂图像定影到记录纸张25上。

在该图像形成设备1中，图像形成处理单元10基于由图像输出控制器30提供的各种控制信号来执行图像形成操作。在图像输出控制器30的控制下，由图像处理器40对从个人计算机(PC)2或图像读取设备3接收的图像数据进行图像处理，然后将得到的数据提供给相应的图像形成单元11。然后，例如在黑色(K)图像形成单元11K中，在感光鼓12沿箭头A的方向转动的同时，由充电装置13以预定电位对感光鼓12进行充电，然后由基于由图像处理器40提供的图像数据而发光的打印头14对感光鼓12进行曝光。通过该操作，在感光鼓12上形成了黑色(K)图像的静电潜像。之后，由显影装置15对形成在感光鼓12上的静电潜像进行显影，从而在感光鼓12上形成了黑色(K)的调色剂图像。分别在图像形成单元11Y、11M和11C中形成黄色(Y)、品红色(M)和青色(C)的调色剂图像。

在各图像形成单元11中形成的各感光鼓12上的各种颜色的调色剂图像按顺序被施加至转印辊23的转印电场静电转印到随着纸张传输带21的运动而提供的记录纸张25上。此处，纸张传输带21沿箭头B的方向运动。通过该操作，在记录纸张25上形成了合成调色剂图像(其上叠加有各种颜色的调色剂)。

此后，其上静电转印有合成调色剂图像的记录纸张25被传输至定影装置24。传输至定影装置24的记录纸张25上的合成调色剂图像由定影装置24通过利用加热和加压的定影处理而定影在记录纸张25上，然后从图像形成设备1输出。

(打印头14)

图2是示出打印头14的结构的截面示意图。打印头14(作为曝光单元的一个实例)包括外壳61；发光装置65(作为发光单元的一个实例)；和棒状透镜阵列64，发光装置65包括具有对感光鼓12进行曝光的光源部分63的多个发光元件(在第一示例性实施例中为发光晶闸管)，棒状透镜阵列64(作为光学单元的一个实例)使由光源部分63发出的光在感光鼓12的表面上形成图像。

发光装置65还包括其上安装有光源部分63、驱动光源部分63的信号产生电路110(见稍后描述的图3)等的电路板62。

外壳61例如由金属制成，并用于支撑电路板62和棒状透镜阵列64。外壳61被设置为使得光源部分63中的各发光元件的发光点位于棒状透镜阵列64的焦平面上。此外，棒状透镜阵列64沿感光鼓12的轴向(即后面描述的图3和图4B中的第一扫描方向和X方向)布置。

(发光装置65)

图3是发光装置65的俯视图。

如图3所示，在发光装置65中，光源部分63由在电路板62上以交错方式沿X方向(第一扫描方向)布置成两行的四十个发光芯片C1至C40构成。

在该说明书中，标号“C1至C40”表示彼此之间由标号进行区分的多个发光芯片，并且意味着包括发光芯片C1和C40以及标号介于其中的发光芯片。即，“发光芯片C1至C40”包括按照标号数值顺序从发光芯片C1至发光芯片C40的发光芯片。这同样适用于其他组件。

发光芯片C1至C40的构造可以彼此相同。从而，在不单独进行区分时，将发光芯片C1至C40标记为发光芯片C。

在第一示例性实施例中，发光芯片C的总数为四十；但是该构造不限于此。

如上所述，发光装置65安装有驱动光源部分63的信号产生电路110。信号产生电路110例如由集成电路(IC)或其他电路构造。

以下将详细描述发光芯片C1至C40的排列。

图4A和图4B是示出发光芯片C的构造、发光装置65的信号产生电路110的构造以及电路板62上的互连(配线)构造的示意图。图4A示出了发光芯片C的构造，而图4B示出了发光装置65的信号产生电路110的构造、以及电路板62上的互连(配线)的构造。

首先，描述图4A所示的发光芯片C的构造。

发光芯片C包括发光部分102，该发光部分102由在矩形衬底80表面上的一长边侧沿该长边设置成一行的多个发光元件(在第一示例性实施例中为发光晶闸管L1、L2、L3、...)组成。发光芯片C还包括在衬底80表面上的长度方向上的两个端部处的多个端子(

端子、

端子、Vga端子和

端子)，这些端子是用于接收各种控制信号等的多个焊盘。这些端子从衬底80的一端开始按照

端子和Vga端子的顺序设置，而从衬底80的另一端开始按照

端子和端子的顺序设置。发光部分102设置在Vga端子和

端子之间。另外，在衬底80的背面，设置了作为Vsub端子的背面电极85(见后面描述的图6B)。

注意“成一行”不仅包括如图4A所示的多个发光元件布置成直线的情况，还包括多个发光元件布置成在垂直于排列方向的方向上彼此之间具有不同位移的情况。例如，当发光元件的发光区域被视为一个像素时，发光元件可以被布置成在垂直于排列方向的方向上具有几个或几十个像素的位移。可选地，每两个相邻的发光元件之间可以交替地布置，或者针对多个发光元件中的每个发光元件布置成Z字形图案。

接下来，参照图4B描述发光装置65的信号产生电路110的构造、以及电路板62上的互连(配线)构造。

如上所述，发光装置65的电路板62安装有信号产生电路110和发光芯片C1至C40，并且设置有在信号产生电路110与发光芯片C1至C40之间进行连接的互连(配线)。

首先，描述信号产生电路110的构造。

信号产生电路110从图像输出控制器30和图像处理器40(见图1)接收进行了图像处理的图像数据和各种控制信号的输入。信号产生电路110基于图像数据和各种控制信号来重排图像数据并且校正光量。

信号产生电路110包括传递信号产生部件120，其作为传递信号提供单元的一个实例，该传递信号产生部件120基于各种控制信号向发光芯片C1至C40传输作为传递信号实例的第一传递信号

和第二传递信号

信号产生电路110还包括点亮信号产生部件140，其作为点亮电流提供单元的一个实例，该点亮信号产生部件140基于各种控制信号分别向发光芯片C1至C40传输点亮信号

至

当彼此不单独区分时，将点亮信号至

标记为点亮信号

而且，信号产生电路110还包括基准电位提供部件160，其向发光芯片C1至C40提供作为电位基准的基准电位Vsub；和电源电位提供部件170，其提供用于驱动发光芯片C1至C40的电源电位Vga。

接下来，描述发光芯片C1至C40的排列。

奇数编号的发光芯片C1、C3、C5、...沿各衬底80的长度方向以一定间隔排列成一行。偶数编号的发光芯片C2、C4、C6、...也沿各衬底80的长度方向以一定间隔排列成一行。奇数编号的发光芯片C1、C3、C5、...，和偶数编号的发光芯片C2、C4、C6、...在相对于彼此而旋转180度的同时以交错方式排列，使得设置在各发光芯片C中的发光部分102侧的长边彼此相对。发光芯片C的位置被设置为使得发光元件沿第一扫描方向在各发光芯片C之间以预定间隔排列。图4A所示的发光部分102的发光元件的排列方向(在第一示例性实施例中为发光晶闸管L1、L2、L3、...的数值顺序)由图4B的发光芯片C1、C2、C3、...中的箭头表示。

下面描述用于在信号产生电路110与发光芯片C1至C40之间进行连接的互连(配线)。

电路板62设有电源线200a，其连接至背面电极85(见后面描述的图6B)并且提供基准电位Vsub。此处，背面电极85是Vsub端子，并且设置给每个发光芯片C的衬底80的背面。

电路板62设有电源线200b，其连接至设置给每个发光芯片C的Vga端子并且提供用于进行驱动的电源电位Vga。

电路板62还设有第一传递信号线201和第二传递信号线202，这些传递信号线将来自信号产生电路110的传递信号产生部件120的第一传递信号

和第二传递信号

分别传输至发光芯片C1至C40中的每一个的端子和

端子。第一传递信号

和第二传递信号

被共同(并行)传输至发光芯片C1至C40。

另外，电路板62还设有点亮信号线204-1至204-40，用于将来自信号产生电路110的点亮信号产生部件140的点亮信号

至

分别传输至发光芯片C1至C40中的每一个的端子。

如上所述，基准电位Vsub和电源电位Vga被共同提供给电路板62上的所有发光芯片C1至C40。第一传递信号

和第二传递信号还被共同(并行)传输至发光芯片C1至C40。另一方面，点亮信号

至

被分别传输至发光芯片C1至C40。

(发光芯片C)

图5是用于说明其上安装有自扫描发光装置阵列(SLED)的发光芯片C的电路构造的等效电路图。除了端子(

端子、

端子、Vga端子和

端子)之外的以下描述的每个元件都基于每个发光芯片C上的布局(见稍后描述的图6A和图6B)进行布置。尽管各端子(端子、

端子、Vga端子和

端子)与图4A所示的各端子处于不同的位置，但是为了方便描述，将这些端子示为位于图5的左侧。另外，设置在衬底80背面的Vsub端子被显示为从衬底80的外部引入。

此处，以发光芯片C1作为实例描述发光芯片C与信号产生电路110的关系。因此，在图5中，发光芯片C被表示为发光芯片C1(C)。其他发光芯片C2至C40的构造与发光芯片C1的相同。

如上所述，发光芯片C1(C)包括发光晶闸管阵列(发光部分102(见图4A))，其作为阵列发光元件的实例，由在衬底80上排列成一行的发光晶闸管L1、L2、L3、...组成。

另外，发光芯片C1(C)还包括传递晶闸管阵列，作为阵列传递元件的实例，其由以与发光晶闸管阵列类似的方式排列成一行的传递晶闸管T1、T2、T3、...(作为传递元件的实例)组成。

发光芯片C1(C)还包括耦合二极管Dx1、Dx2、Dx3、...，它们位于以发光晶闸管T1、T2、T3、...的标号数值顺序取得的两个相邻的传递晶闸管所组成的各对传递晶闸管之间。

发光芯片C1(C)还包括电源线电阻Rgx1、Rgx2、Rgx3、...。

另外，发光芯片C1(C)包括一个启动二极管Dx0。发光芯片C1(C)还包括限流电阻R1和R2，其设置为用于防止过电流流经以下将描述的用于传输第一传递信号

的第一传递信号线72和用于传输第二传递信号的第二传递信号线73。

发光晶闸管阵列中的发光晶闸管L1、L2、L3...和传递晶闸管阵列中的传递晶闸管T1、T2、T3...从图5的左侧开始按照标号的数值顺序排列。类似地，耦合二极管Dx1、Dx2、Dx3...和电源线电阻Rgx1、Rgx2、Rgx3...也从图5的左侧开始按照标号的数值顺序排列。

发光晶闸管阵列和传递晶闸管阵列在图5中从上到下按照传递晶闸管阵列和发光晶闸管阵列的顺序排列。

当不单独区分时，将发光晶闸管L1、L2、L3...，传递晶闸管T1、T2、T3...，耦合二极管Dx1、Dx2、Dx3...，和电源线电阻Rgx1、Rgx2、Rgx3...分别表示为发光晶闸管L，传递晶闸管T、耦合二极管Dx和电源线电阻Rgx。

发光晶闸管阵列中的发光晶闸管L的数量可以是预定数量。在第一示例性实施例中，如果发光晶闸管L的数量设为128，则例如传递晶闸管T的数量也为128。类似地，电源线电阻Rgx的数量也为128。然而，耦合二极管Dx的数量比传递晶闸管T的数量少一个，即为127个。

应该注意，传递晶闸管T的数量可以大于发光晶闸管L的数量。

上述晶闸管(发光晶闸管L、传递晶闸管T)的每一个是具有栅极端子、阳极端子和阴极端子三个端子的半导体器件。

本文中，可将每个传递晶闸管T的栅极端子、阳极端子和阴极端子分别称作第一栅极端子、第一阳极端子和第一阴极端子。类似地，可将每个发光晶闸管L的栅极端子、阳极端子和阴极端子分别称作第二栅极端子、第二阳极端子和第二阴极端子。

接下来，描述发光芯片C1(C)中的元件的电连接。

每个传递晶闸管T的阳极端子和每个发光晶闸管L的阳极端子都连接至发光芯片C1(C)的衬底80(阳极共用)。

然后，这些阳极端子经由设置在衬底80背面上的作为Vsub端子的背面电极85(见下面描述的图6B)连接至电源线200a(见图4B)。从基准电位提供部件160向电源线200a提供基准电位Vsub。

奇数编号的传递晶闸管T1、T3、T5、...的阴极端子沿传递晶闸管T的排列连接至第一传递信号线72。然后，第一传递信号线72经由限流电阻R1连接至

端子。第一传递信号线201(见图4B)连接至

端子以传输第一传递信号

另一方面，偶数编号的传递晶闸管T2、T4、...的阴极端子沿传递晶闸管T的排列连接至第二传递信号线73。然后，第二传递信号线73经由限流电阻R2连接至

端子。第二传递信号线202(见图4B)连接至

端子以传输第二传递信号

发光晶闸管L1、L2、L3、...的阴极端子连接至作为点亮电流供给互连的一个实例的点亮信号线75。然后，点亮信号线75连接至

端子。在发光芯片C1中，

端子经由限流电阻RI连接至点亮信号线204-1以传输来自点亮信号产生部件140的点亮信号

点亮信号

给发光晶闸管L1、L2、L3、...提供用于点亮的电流。在其他点亮芯片C2至C40中，

端子经由各限流电阻RI连接至各点亮信号线204-2至204-40以传输点亮信号

至

传递晶闸管T1、T2、T3、...的栅极端子Gt1、Gt2、Gt3、...分别逐一连接至相同编号的发光晶闸管L1、L2、L3、...的栅极端子Gl1、Gl2、Gl3、...。因此，相同编号的栅极端子Gt1、Gt2、Gt3、...和栅极端子Gl1、Gl2、Gl3、...具有相同电位。相应地，栅极端子例如被表示为栅极端子Gt1(栅极端子Gl1)，以表示这些端子具有相同电位。

当不单独进行区分时，将栅极端子Gt1、Gt2、Gt3、...和栅极端子Gl1、Gl2、Gl3、...分别表示为栅极端子Gt和栅极端子Gl。另外，栅极端子被表示为栅极端子Gt(栅极端子Gl)以表示这些端子具有相同电位。

耦合二极管Dx1、Dx2、Dx3、...连接在从传递晶闸管T1、T2、T3、...的栅极端子Gt1、Gt2、Gt3、...中按数值顺序取出的两个相邻栅极端子Gt所组成的各对栅极端子之间。即，耦合二极管Dx1、Dx2、Dx3、...串联连接为分别插入相邻的栅极端子Gt1和Gt2、Gt2和Gt3、Gt3和Gt4、...之间。以使得电流从栅极端子Gt1流向栅极端子Gt2的方向来布置耦合二极管Dx1。其他耦合二极管Dx2、Dx3、Dx4、...也以相同方式来布置。

各传递晶闸管T的栅极端子Gt(栅极端子Gl)经由设置成对应于各传递晶闸管T的各电源线电阻Rgx而连接至电源线71。然后，电源线71连接至Vga端子，并且通过电源线71，从电源电位提供部件170提供电源电位Vga。

传递晶闸管阵列一侧的传递晶闸管T1的栅极端子Gt1连接至启动二极管Dx0的阴极端子。另一方面，启动二极管Dx0的阳极端子连接至第二传递信号线73。

在图5中，包括发光芯片C1(C)的传递晶闸管T、耦合二极管Dx、电源线电阻Rgx、启动二极管Dx0和限流电阻R1和R2的部分被表示为传递部分101。包括发光晶闸管L的部分对应于发光部分102。

图6A和图6B是发光芯片C的平面布局和截面图。由于此处没有示出发光芯片C与信号产生电路110之间的连接关系，因此没有必要使用发光芯片C1作为实例。因此，使用标号“发光芯片C”。

图6A是发光芯片C的平面布局，并且示出了集中在发光晶闸管L1至L4和传递晶闸管T1至T4的部分。虽然端子(端子、

端子、Vga端子和

端子)的位置与图4A中的不同，但是为了便于描述，将这些端子设置在图6A的左端。另外，设置在衬底80背面上的Vsub端子被示为从衬底80的外部引入。如果这些端子设置为对应于图4A，则

端子、

端子和限流电阻R2设置在图6A中的衬底80的右端。启动二极管Dx0可以设置在衬底80的右端。

图6B是沿图6A所示的线VIB-VIB截取的截面图。因此，图6B的截面图按照图6B从下到上的顺序示出了发光晶闸管L1、传递晶闸管T1、耦合二极管Dx1和电源线电阻Rgx1的截面。在图6A和图6B中，主要元件和端子以其名称来表示。

如图6B所示，发光芯片C包括如下形成的多个岛(第一岛301至第六岛306以及没有参考标号的多个岛)。采用诸如GaAs或者GaAlAs之类的复合半导体，在p型衬底80上顺序层叠p型第一半导体层81、n型第二半导体层82、p型第三半导体层83和n型第四半导体层84。然后，去除以下部分的周边：n型第四半导体层84、p型第三半导体层83、n型第二半导体层82以及p型第一半导层81上距离与n型第二半导体层82的界面预定深度的一部分。从而，这些岛彼此分离。这些岛称作台面，而形成这些岛的步骤称作台面蚀刻。

如图6A所示，第一岛301设有发光晶闸管L1。

第二岛302设有传递晶闸管T1和耦合二极管Dx1。第三岛303设有电源线电阻Rgx1。第四岛304设有启动二极管Dx0。第五岛305和第六岛306分别设有限流电阻R1和R2。

在发光芯片C中，并行形成类似于第一岛301、第二岛302和第三岛303的岛。这些岛以类似于第一岛301、第二岛302和第三岛303的方式设有发光晶闸管L2、L3、L4、...，传递晶闸管T2、T3、T4、...，耦合二极管Dx2、Dx3、Dx4、...等。省略对它们的描述。

另外，衬底80的背面还设有作为Vsub端子的背面电极85。

此处，参照图6A和图6B详细地描述第一岛301至第六岛306。以下将描述电源线71、第一传递信号线72、第二传递信号线73和点亮信号线75。

设置在第一岛301中的发光晶闸管L1具有设置在p型衬底80上的p型第一半导体层81的阳极端子、设置在n型第四半导体层84的区域311(发光区域)上的n型欧姆电极321的阴极端子、以及设置在去除n型第四半导体层84后露出的p型第三半导体层83上的p型欧姆电极331的栅极端子Gl1。从光发射未被设置在区域311表面上的n型欧姆电极321和后面要描述的点亮信号线75阻止(遮挡)的部分发光。

在第一示例性实施例中，发光区域311的表面具有矩形区域的形状，其较短的方向是发光部分102的发光晶闸管阵列的方向，而其较长的方向是与发光部分102的发光晶闸管阵列垂直的方向。

以下，无论是对发光晶闸管L1还是对其他发光晶闸管L都使用发光区域311和n型欧姆电极321的表述。

设置在第二岛302中的传递晶闸管T1具有设置在p型衬底80上的p型第一半导体层81的阳极端子、设置在n型第四半导体层84的区域313上的n型欧姆电极323的阴极端子、以及设置在去除n型第四半导体层84之后露出的p型第三半导体层83上的p型欧姆电极332的栅极端子Gt1。

类似地，设置在第二岛302中的耦合二极管Dx1具有设置在n型第四半导体层84的区域314上的n型欧姆电极324的阴极端子、和设置在p型第三半导体层83上的p型欧姆电极332的阳极端子。耦合二极管Dx1的阳极端子和传递晶闸管T1的栅极端子Gt1是共用的p型欧姆电极332。

设置在第三岛303中的电源线电阻Rgx1采用设置在去除n型第四半导体层84之后露出的p型第三半导体层83上的p型欧姆电极333和334之间的p型第三半导体层83作为电阻。

设置在第四岛304中的启动二极管Dx0具有设置在n型第四半导体层84的区域315上的n型欧姆电极325的阴极端子、和设置在去除n型第四半导体层84之后露出的p型第三半导体层83上的p型欧姆电极335的阳极端子。

以类似于设置在第三岛303中的电源线电阻Rgx1的方式，设置在第五岛305中的限流电阻R1和设置在第六岛306中的限流电阻R2中的每一个均采用两个p型欧姆电极(没有参考标号)之间的p型第三半导体层83作为电阻。

下面描述图6A中各元件之间的连接关系。注意，点亮信号线75、第一传递信号线72、第二传递信号线73、电源线71及其他互连经由设置在绝缘层86中的通孔(开口)(由图6A中的圆表示)连接至为各个元件设置的电极(n型欧姆电极和p型欧姆电极)。在以下描述中省略对绝缘层86和通孔(开口)的描述。

点亮信号线75包括：设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向延伸的两个主干部分75a；设置在其上设有各发光晶闸管L的岛(在图6A中用于发光晶闸管L1的第一岛301)之间、并且延伸以将两个主干部分75a彼此连接的辅助部分75c；以及将辅助部分75c与设置在各发光区域311上的n型欧姆电极321相连接的连接部分75d。设置在第一岛301中的发光晶闸管L1的发光区域311被点亮信号线75的两个主干部分75a和辅助部分75c中的两个包围。每个连接部分75d均被设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向从两个辅助部分75c中的一个(图6A中的发光区域311的左侧的辅助部分)开始延伸。这同样适用于其他发光晶闸管L。

点亮信号线75利用延伸的两个主干部分75a中的一个连接至

端子。注意，通过使主干部分75a和辅助部分75c成为一体而获得的宽互连可用于

端子与发光晶闸管L1之间的点亮信号线75。

第一传递信号线72连接至n型欧姆电极323，该电极为设置在第二岛302中的传递晶闸管T1的阴极端子。设置在类似于第二岛302的岛中的奇数编号的传递晶闸管T的阴极端子也连接至第一传递信号线72。第一传递信号线72经由设置在第五岛305中的限流电阻R1连接至

端子。

另一方面，第二传递信号线73连接至作为设置在岛(没有参考标号)中的偶数编号的传递晶闸管T的阴极端子的n型欧姆电极(没有参考标号)。第二传递信号线73经由设置在第六岛306中的限流电阻R2连接至

端子。

电源线71连接至作为电源线电阻Rgx1的一个端子的p型欧姆电极334。其它每个电源线电阻Rgx的一个端子也连接至电源线71。电源线71连接至Vga端子。

作为设置在第一岛301中的发光晶闸管L1的栅极端子Gl1的p型欧姆电极331通过互连(没有参考标号)连接至作为第二岛302中的栅极端子Gt1的p型欧姆电极332。

作为栅极端子Gt1的p型欧姆电极332通过互连(没有参考标号)连接至作为设置在第三岛303中的电源线电阻Rgx1的另一端子的p型欧姆电极333。

作为设置在第二岛302中的耦合二极管Dx1的阴极端子的n型欧姆电极324通过互连(没有参考标号)连接至作为相邻设置的传递晶闸管T2的栅极端子Gt2的p型欧姆电极(没有参考标号)。

作为第二岛302中的栅极端子Gt1的p型欧姆电极332通过互连(没有参考标号)连接至作为设置在第四岛304中的启动二极管Dx0的阴极端子的n型欧姆电极325。作为启动二极管Dx0的阳极端子的p型欧姆电极335连接至第二传递信号线73。

虽然此处省略了对类似连接关系的描述，但是它们同样适用于其它发光晶闸管L、传递晶闸管T、耦合二极管Dx等。

以此方式形成图5所示的发光芯片C1(C)。

如上所述，在通过在衬底80上将发光元件布置成一行而形成的每个发光芯片C中，诸如电源线71、第一传递信号线72、第二传递信号线73和点亮信号线75之类的互连被设置为沿发光晶闸管L排列成一行的发光晶闸管阵列(沿阵列方向)延伸。

(发光装置65的操作)

接下来，描述发光装置65的操作。

如上所述，发光装置65包括发光芯片C1至C40(见图3至图4B)。

如图4B所示，基准电位Vsub和电源电位Vga被共同提供给电路板62上的所有发光芯片C1至C40。类似地，第一传递信号

和第二传递信号

被共同(并行)发送至所有发光芯片C1至C40。

另一方面，点亮信号

至

被分别发送至发光芯片C1至C40。点亮信号

至

是基于图像数据将各发光芯片C1至C40的发光晶闸管L设置为点亮或不点亮的信号。因此，点亮信号

至

根据图像数据具有彼此不同的波形。然而，点亮信号

至

同时被并行地发送。

由于发光芯片C1至C40被并行驱动，因此在此仅需描述发光芯片C1的操作。

(晶闸管)

在描述发光芯片C1的操作之前，描述晶闸管(传递晶闸管T和发光晶闸管L)的基本操作。如上所述，每个晶闸管是具有三个端子的半导体器件，三个端子即阳极端子、阴极端子和栅极端子。

以下，作为一个实例，提供给作为Vsub端子的背面电极85的基准电位Vsub(见图5至图6B)被视为0V的高电平电位(以下，表示为“H”)，而提供给Vga端子的电源电位Vga被视为-3.3V的低电平电位(以下，表示为“L”)。

在第一示例性实施例中，发光装置65由负电位驱动。

由于作为晶闸管的阳极端子的p型第一半导体层81具有与p型衬底80相同的电位，因此晶闸管的阳极端子的电位是提供给背面电极85的基准电位Vsub(“H”(0V))。

例如，如图6B所示，每个晶闸管都通过堆叠基于GaAs、GaAlAs等的p型半导体层和n型半导体层来构造。作为一个实例，假设pn结的正向电位(扩散电位)Vd为1.5V。

当向阴极端子施加低于阈值电压的电位(绝对值较大的负值)时，处于没有电流在阳极和阴极端子之间流过的OFF状态的晶闸管变换为ON状态(导通)。晶闸管的阈值电压为栅极端子的电位减去pn结的正向电位Vd(1.5V)。因此，如果栅极端子的电位是0V，则晶闸管的阈值电压是-1.5V。即，当向阴极端子施加低于-1.5V的电位时，晶闸管变为导通。晶闸管在导通时变换到其中有电流在阴极和阳极端子之间流过的状态(ON状态)。

处于ON状态的晶闸管的栅极端子的电位接近其阳极端子的电位。由于阳极端子在此处被设定为基准电位Vsub(0V(“H”))，因此栅极端子的电位被假定为0V(“H”)。同时，处于ON状态的晶闸管的阴极端子的电位接近阳极端子的电位减去pn结的正向电位Vd。由于阳极端子在此处被设定为基准电位Vsub(0V(“H”))，因此处于ON状态的晶闸管的阴极端子的电位被假定为-1.5V。

一旦晶闸管导通，则当阴极端子的电位变为高于保持ON状态所需的电位(绝对值较小的负值，0V或者正值)时(即，当向阴极端子施加高于-1.5V的电位时)，晶闸管就变换到OFF状态(关断)。例如，当阴极端子变为“H”(0V)时，该电位高于-1.5V，并且阴极端子的电位变为等于阳极端子的电位。因此，晶闸管变为关断。

另一方面，由于处于ON状态的晶闸管的阴极端子的电位是-1.5V，因此只要向阴极端子持续施加低于-1.5V的电位(绝对值较大的负值)以提供使得晶闸管的ON状态能够被保持的电流(保持电流)，晶闸管就保持ON状态。

发光晶闸管L在导通时点亮(发光)，并且在关断时不点亮(不发光)。处于ON状态的发光晶闸管L的光量取决于发光区域311的面积及在其阴极和阳极端子之间流过的电流。

<时序图>

图7是说明发光装置65和发光芯片C的操作的时序图。

图7示出了其中发光芯片C1的5个发光晶闸管L(即，发光晶闸管L1至L5)受控点亮或不点亮(称为点亮控制)的时序图的一部分。由于如上所述其他发光芯片C2至C40与发光芯片C1被并行驱动，因此，此处仅需要描述发光芯片C1的操作。

注意，发光芯片C1的发光晶闸管L1、L2、L3和L5被点亮，而发光晶闸管L4未被点亮。

在图7中，时间按照字母顺序从时间点a到时间点k流逝。发光晶闸管L1、L2、L3和L4分别在从时间点b到时间e的时间间隔T(1)、从时间点e到时间点i的时间间隔T(2)、从时间点i到时间点j的时间间隔T(3)、以及从时间点j到时间点k的时间间隔T(4)期间受控点亮或不点亮(进行点亮控制)。然后，以类似方式对标号为5或以上的发光晶闸管L进行点亮控制。

在第一示例性实施例中，时间间隔T(1)、T(2)、T(3)、...具有相同的长度，并且当不单独区分时称为时间间隔T。

注意，只要保持如下所述的信号之间的相互关系，时间间隔T(1)、T(2)、T(3)、...的长度可变。

下面描述第一传递信号

第二传递信号

和点亮信号的波形。从时间点a到时间点b的时间间隔是发光芯片C1(同样适用于发光芯片C2至C40)开始操作的时间间隔。将在以下的操作描述中描述该时间间隔内的信号。

发送至

端子的第一传递信号

(见图5和图6A)和发送至

端子的第二传递信号

(见图5和图6A)是具有“H”和“L”两个电位的信号。第一传递信号

和第二传递信号

以两个连续的时间间隔T(例如，时间间隔T(1)和T(2))的周期重复其波形。

第一传递信号

在时间间隔T(1)的起始时间点b从“H”变换到“L”，在时间点f从“L”变换到“H”。然后，第一传递信号

在时间间隔T(2)的结束时间点i从“H”变换到“L”。

第二传递信号

在时间间隔T(1)的起始时间点b为“H”，在时间点e从“H”变换到“L”。第二传递信号在时间间隔T(2)的结束时间点i保持在“L”。

现在，比较第一传递信号

和第二传递信号

第二传递信号

的波形对应于在时间轴上将第一传递信号的波形平移时间间隔T而到一个延迟点而获得的波形。

第一传递信号

在时间间隔T(3)中以及之后的波形是时间间隔T(1)和T(2)中的波形的重复。另一方面，第二传递信号

在时间间隔T(3)中以及之后的波形是时间间隔T(1)中由虚线表示的波形和时间间隔T(2)中的波形的重复。第二传递信号

在时间间隔T(1)中的波形与时间间隔T(3)中以及之后的波形不同，这是因为时间间隔T(1)是发光装置65开始操作的间隔。

一对传递信号(即，第一传递信号

和第二传递信号

)使得图5至图6B所示的传递晶闸管T的ON状态按如下数字顺序传播，从而将标号与处于ON状态的对应的传递晶闸管T相同的每个发光晶闸管L指定为用于点亮或不点亮(进行点亮控制)的控制目标。

接下来，描述发送至发光芯片C1的

端子的点亮信号

点亮信号

至

分别发送至其它发光芯片C2至C40。点亮信号

是具有“H”和“L”两个电位的信号。

此处，描述用于对发光芯片C1的发光晶闸管L1进行点亮控制的时间间隔T(1)中的点亮信号

注意，假设发光晶闸管L1点亮。

点亮信号

在时间间隔T(1)的起始时间点b为“H”，在时间点c从“H”变换到“L”。点亮信号

然后在时间点d从“L”变换到“H”，并且在时间间隔T(1)的结束时间点e保持在“H”。

现在，参照图4A至图5，根据图7所示的时序图描述发光装置65和发光芯片C1的操作。以下，描述用于对发光晶闸管L1和L2进行点亮控制的时间间隔T(1)和T(2)。

(1)时间点a

<发光装置65>

在时间点a，发光装置65的信号产生电路110的基准电位提供部件160将基准电位Vsub设为“H”(0V)。电源电位提供部件170将电源电位Vga设为“L”(-3.3V)。然后，发光装置65的电路板62上的电源线200a被设为“H”(0V)的基准电位Vsub，从而各个发光芯片C1至C40的Vsub端子都被设为“H”。类似地，电源线200b被设为“L”，从而各个发光芯片C1至C40的Vga端子都被设为“L”。从而，发光芯片C1至C40中的每一个发光芯片的电源线71被设为“L”。

信号产生电路110的传递信号产生部件120将第一传递信号

和第二传递信号

都设为“H”。于是，第一传递信号线201和第二传递信号线202都被设为“H”(见图4B)。从而，发光芯片C1至C40中的每一个的端子和

端子都被设为“H”。经由限流电阻R1连接至

端子的第一传递信号线72的电位也被设为“H”，而经由限流电阻R2连接至

端子的第二传递信号线73的电位也被设为“H”(见图5)。

另外，信号产生电路110的点亮信号产生部件140将点亮信号

至

设为“H”。于是，点亮信号线204-1至204-40被设为“H”(见图4B)。从而，发光芯片C1至C40中的每一个的端子经由限流电阻RI被设为“H”。连接至

端子的点亮信号线75也被设为“H”(见图5)。

接下来，描述发光芯片C1的操作。

在图7以及以下描述中，假设每个端子的电位以台阶状方式改变；然而，实际上每个端子的电位是逐渐变化的。因此，即使当电位正在变化时，只要满足以下条件，晶闸管就将可以导通或关断从而以改变其状态。

<发光芯片C1>

由于传递晶闸管T和发光晶闸管L的阳极端子都连接至Vsub端子，因此这些端子被设置成″H″(0V)。

各奇数编号的传递晶闸管T1、T3、T5、...的阴极端子连接至第一传递信号线72，从而被设置成″H″。各偶数编号的传递晶闸管T2、T4、T6、...的阴极端子连接至第二传递信号线73，从而被设置为″H″。因此，由于阳极端子和阴极端子都被设置成″H″，传递晶闸管T处于OFF状态。

发光晶闸管L的阴极端子连接至点亮信号线75，从而被设置为″H″。因此，由于阳极端子和阴极端子都被设置成″H″，从而发光晶闸管L也处于OFF状态。

位于图5中的传递晶闸管阵列的一端的栅极端子Gt1如上所述连接至启动二极管Dx0的阴极端子。栅极端子Gt1经由电源线电阻Rgx1连接至处于电源电位Vga(“L”(-3.3V))的电源线71。启动二极管Dx0的阳极端子连接至第二传递信号线73，并且经由限流电阻R2连接至处于“H”(0V)的

端子。因此，启动二极管Dx0正向偏置，其阴极端子(栅极端子Gt1)的电位被设置为启动二极管Dx0的阳极端子的电位(“H”(0V))减去pn结的正向电位Vd(1.5V)的值(-1.5V)。同时，当栅极端子Gt1的电位变为-1.5V时，耦合二极管Dx1变为正向偏置，这是因为其阳极端子(栅极端子Gt1)的电位是-1.5V而其阴极端子经由电源线电阻Rgx2连接至电源线71(“L”(-3.3V))。因此，栅极端子Gt2的电位被设置为-3V，其是栅极端子Gt1的电位(-1.5V)减去pn结的正向电位Vd(1.5V)。然而，编号为3以上的栅极端子Gt不受被设置为“H”(0V)的启动二极管Dx0的阳极端子的影响，从而栅极端子Gt的电位是电源线71的电位“L”(-3.3V)。

由于栅极端子Gt连接至各栅极端子Gl，所以栅极端子Gl的电位与各栅极端子Gt的电位相同。因此，传递晶闸管T和发光晶闸管L的阈值电压是各栅极端子Gt和Gl的电位减去pn结的正向电位Vd(1.5V)。即，传递晶闸管T1和发光晶闸管L1的阈值电压是-3V；传递晶闸管T2和发光晶闸管L2的阈值电压是-4.5V；以及编号为3以上的传递晶闸管T和发光晶闸管L的阈值电压是-4.8V。

(2)时间点b

在图7所示的时间点b，第一传递信号

从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)。从而，发光装置65开始操作。

当第一传递信号

从“H”变换为“L”时，第一传递信号线72的电位经由

端子和限流电阻R1从“H”变换为“L”。于是，阈值电压为-3V的传递晶闸管T1变为导通。然而，阴极端子连接至第一传递信号线72的编号为3以上的奇数编号的传递晶闸管T不能导通，这是因为这些传递晶闸管的阈值电压是-4.8V。另外，偶数编号的传递晶闸管T不能导通，这是因为第二传递信号

处于“H”(0V)以及第二传递信号线73的电位为“H”。传递晶闸管T1导通将第一传递信号线72的电位设置为值-1.5V，该值为阳极端子的电位(“H”(0V))减去pn结的正向电位Vd(1.5V)。

当传递晶闸管T1变为导通时，栅极端子Gt1的电位变为“H”(0V)，其为传递晶闸管T1的阳极端子的电位。栅极端子Gt2的电位变为-1.5V；栅极端子Gt3的电位变为-3V；以及编号为4以上的栅极端子Gt的电位变为“L”(-3.3V)。

从而，发光晶闸管L1的阈值电压变为-1.5V；传递晶闸管T2和发光晶闸管L2的阈值电压变为-3V；传递晶闸管T3和发光晶闸管L3的阈值电压变为-4.5V；以及编号为4以上的传递晶闸管T和发光晶闸管L的阈值电压变为-4.8V。

然而，处于OFF状态的奇数编号的传递晶闸管T不导通，这是因为第一传递信号线72的电位被处于ON状态的传递晶闸管T1设置为-1.5V。偶数编号的传递晶闸管T不导通，这是因为第二传递信号线73的电位是“H”。没有发光晶闸管L导通，这是因为点亮信号线75的电位是“H”。

恰在时间点b之后(此处，指的是当晶闸管在由于信号电位在时间点b改变而使晶闸管等改变之后处于稳定状态时的时间点)，传递晶闸管T1处于ON状态，而其它传递晶闸管T和发光晶闸管L处于OFF状态。

(3)时间点C

在时间点C，点亮信号

从“H”变换为“L”。

当点亮信号

从“H”变换为“L”时，点亮信号线75的电位经由限流电阻RI和端子从“H”变换为“L”。于是，阈值电压为-1.5V的发光晶闸管L1导通从而点亮(发光)。从而，点亮信号线75的电位变为-1.5V。注意，虽然发光晶闸管L2的阈值电压是-3V，但是发光晶闸管L2不导通，这是因为具有-1.5V的高阈值电压(绝对值小的负值)的发光晶闸管L1导通从而点亮信号线75的电位变为-1.5V。

恰在时间点c之后，传递晶闸管T1处于ON状态，而发光晶闸管L1处于ON状态并且点亮(发光)。

(4)时间点d

在时间点d，点亮信号

从“L”变换为“H”。

当点亮信号

从“L”变换为“H”时，点亮信号线75的电位经由限流电阻RI和端子从“L”变换为“H”。于是，发光晶闸管L1关断从而未被点亮，这是因为其阳极端子和阴极端子的电位都变为“H”。发光晶闸管L1的点亮周期是从点亮信号

从“H”变换为“L”的时间点c到点亮信号

从“L”变换为“H”的时间点d的周期，即，点亮信号

为“L”的周期。

恰在时间点d之后，传递晶闸管T1处于ON状态。

(5)时间点e

在时间点e，第二传递信号

从“H”变换为“L”。此处，用于对发光晶闸管L1进行点亮控制的时间间隔T(1)结束，而用于对发光晶闸管L2进行点亮控制的时间间隔T(2)开始。

当第二传递信号从“H”变换为“L”时，第二传递信号线73的电位经由

端子从“H”变换为“L”。由于传递晶闸管T2如上所述具有-3V的阈值电压，因此传递晶闸管T2导通。从而，栅极端子Gt2(栅极端子Gl2)的电位变为“H”(0V)；栅极端子Gt3(栅极端子Gl3)的电位变为-1.5V；栅极端子Gt4(栅极端子Gl4)的电位变为-3V。另外，编号为5以上的栅极端子Gt(栅极端子Gl)的电位变为-3.3V。

恰在时间点e之后，传递晶闸管T1和T2处于ON状态。

(6)时间点f

在时间点f，第一传递信号

从“L”变换为“H”。

当第一传递信号

从“L”变换为“H”时，第一传递信号线72的电位经由

端子从“L”变换为“H”。于是，处于ON状态的传递晶闸管T1关断，这是因为其阳极端子和阴极端子的电位都变为“H”。然后，栅极端子Gt1(Gl1)的电位经由电源线电阻Rgx1向电源线71的电源电位Vga(“L”(-3.3V))变化。从而，耦合二极管Dx1变为处于一种其中施加了电流不会在其中流经的电位的状态(反向偏置)。从而，栅极端子Gt1(栅极端子Gl1)不再受到被设置为“H”(0V)的栅极端子Gt2(栅极端子Gl2)的影响。即，栅极端子Gt连接至反向偏置的耦合二极管Dx的传递晶闸管T具有-4.8V的阈值电压，从而不会被处于“L”(-3.3V)的第一传递信号

或第二传递信号

导通。

恰在时间点f之后，传递晶闸管T2处于ON状态。

(7)其它时间点

在时间点g，点亮信号

从“H”变换为“L”，则与处于时间点C的发光晶闸管L1一样，发光晶闸管L2导通从而点亮(发光)。

在时间点h，点亮信号

从“L”变换为“H”，则与处于时间点d的发光晶闸管L1一样，发光晶闸管L2关断从而未被点亮。

此外，在时间点i，第一传递信号

从“H”变换为“L”，于是与处于时间点b的传递晶闸管T1或者处于时间点e的传递晶闸管T2一样，阈值电压为-3V的传递晶闸管T3导通。在时间点i，用于对发光晶闸管L2进行点亮控制的时间间隔T(2)结束，而用于对发光晶闸管L3进行点亮控制的时间间隔T(3)开始。

此后，重复上述的相同操作。

如果一些发光晶闸管L未被点亮(未发光)，而是保持未被点亮，则仅需与处于用于对发光晶闸管L4进行点亮控制的如图7所示的从时间点j到时间点k的时间间隔T(4)中的点亮信号

一样保持点亮信号

处于“H”(0V)。通过该操作，即使发光晶闸管L4的阈值电压是-1.5V，发光晶闸管L4也保持不被点亮。

如上所述，各传递晶闸管T的栅极端子Gt经由耦合二极管Dx相互连接。因此，当某一特定栅极端子Gt的电位改变时，经由正向偏置的偶合二极管Dx连接至该特定栅极端子Gt的其它栅极端子Gt的电位也改变。然后，具有该特定栅极端子Gt的传递晶闸管T的阈值电压改变。如果阈值电压高于“L”(-3.3V)(绝对值较小的负值)，则该传递晶闸管T在第一传递信号

或第二传递信号从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)时导通。

于是，其栅极端子Gl连接至处于ON状态的传递晶闸管T的栅极端子Gt的发光晶闸管L具有-1.5V的阈值电压，从而当点亮信号从“H”变换为“L”时，发光晶闸管L导通从而点亮(发光)。

即，当变为ON状态时，传递晶闸管T指定作为进行点亮控制的目标的发光晶闸管L，而点亮信号

使作为进行点亮控制的目标的发光晶闸管L点亮或者不点亮。

以此方式，根据图像数据设置每个点亮信号

的波形，从而控制发光晶闸管L的点亮和不点亮。

接下来，详细描述发光部分102。

图8A至图8C是用于说明第一示例性实施例中的发光芯片C的发光部分102的结构的示意图。图8A是发光部分102的平面图；图8B是沿图8A的线VIIIB-VIIIB截取的截面图；以及图8C是沿图8A的线VIIIC-VIIIC截取的截面图。此处示出了包括发光晶闸管阵列中的四个相邻的发光晶闸管L的一部分。每个发光晶闸管L的发光区域311的表面为矩形形状，其较短的方向为沿发光晶闸管阵列的方向，而其较长的方向为沿垂直于发光晶闸管阵列的方向。例如，发光区域311的较短方向上的长度是16.5μm，而其较长方向上的长度是30μm。

在第一示例性实施例中，形成发光部分102的发光晶闸管阵列中的发光晶闸管L的每个发光区域311被点亮信号线75的两个主干部分75a和两个辅助部分75c包围。每个连接部分75d连接两个辅助部分75c中的一个(在图8A中，为每个发光区域311的左侧的辅助部分75c)和设置在发光区域311上的n型欧姆电极321。即，连接部分75d设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向延伸。

辅助部分75c设置在每一对相邻的发光晶闸管L的发光区域311之间的隔离沟槽中。

此处，对第一示例性实施例中具有设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向延伸的连接部分75d的点亮信号线75进行描述。

图9A至图9D是说明其中点亮信号线75的连接部分75d被设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向延伸的情况与其中点亮信号线75的连接部分75d被设置为沿与发光晶闸管阵列的排列方向垂直的方向延伸的情况相比较的示意图。图9A和图9B是说明其中点亮信号线75的连接部分75d被设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向延伸的情况的示意图，而图9C和图9D是说明点亮信号线75的连接部分75d被设置为沿与发光晶闸管阵列的排列方向垂直的方向延伸的情况的示意图。在任意一种情况下，n型欧姆电极321都分别设置在发光区域311的中央部分。

图9A至图9D示出了两个发光晶闸管L的发光区域311以及用以给这两个发光晶闸管L提供用于发光的电流的点亮信号线75的主干部分75a、辅助部分75c和连接部分75d。此处，描述连接部分75d，以说明连接部分75d被设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向延伸。

在发光芯片C中，发光晶闸管L被排列成一行，以及发光晶闸管L之间的间距P(见图8A)是根据打印头14的分辨率(打印间距)确定的。例如，如果打印间距是1200dpi(每英寸的点数)，则发光晶闸管L的间距P确定为21.16μm。通常，与发光晶闸管L一起提供的通过台面蚀刻形成的那些岛(图6中的第一岛301)之间的沟槽的宽度(隔离沟槽宽度)Wt被设置为工艺技术所能实现的最小尺寸(例如，5μm)。因此，为了增加发光晶闸管L的光亮，很难缩小隔离沟槽宽度Wt来增大发光区域311的面积。

相反，容易在垂直于发光晶闸管阵列的方向上(在作为图4B所示的Y方向的第二扫描方向上)加宽发光区域311，例如从30μm扩展为35μm。

在这种情况下，如果点亮信号线75的连接部分75d被设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向延伸，则即使当每个发光区域311被形成为图9A和图9B所示的其较长方向为沿与发光晶闸管阵列垂直的方向的矩形形状时，发光区域311上光被连接部分75d遮挡的面积也不会改变。即，当每个发光区域311被形成为其较长方向为沿垂直于发光晶闸管阵列的方向的矩形形状时，发光区域311上光被连接部分75d遮挡的面积很小。因此，发光区域311的面积的增大反映在光量以较高效率的增加上。

另一方面，如果点亮信号线75的连接部分75d被设置为沿垂直于发光晶闸管阵列的方向延伸，则图9C和图9D所示的每个发光区域311在与发光晶闸管阵列垂直的方向上的扩展都要求连接部分75d的长度的扩展，这将导致发光区域311上光被连接部分75d遮挡的面积的增大。即，当每个发光区域311被形成为其较长方向是沿垂直于发光晶闸管阵列的方向的矩形形状时，发光区域311上光被连接部分75d遮挡的面积增大。因此，发光区域311的面积的增大不会引起光量以较高的效率增加。

在发光区域311的周边，很可能出现不涉及光发射的非辐射复合。因此，每个n型欧姆电极321的位置都可以是发光区域311的中央部分；然而，其它位置也可以接受，只要n型欧姆电极321所处的位置上光被连接部分75d遮挡的面积与其中每个连接部分75d沿发光晶闸管阵列的排列方向或垂直于排列方向的方向中发光区域311较长的方向设置的情况相比较小即可。

第一示例性实施例公开了每个连接部分75d平行于在发光晶闸管阵列的排列方向或垂直于排列方向的方向中发光区域311较短的方向延伸的构造，作为沿较短方向的连接部分75d的构造；然而，沿发光区域311的较短方向的连接部分75d的构造不限于此，而是每个连接部分75d弯曲或者相对于较短方向倾斜地延伸的其它构造也是可以接受的，只要与每个连接部分75d沿发光区域311的较长方向设置的情况相比该构造使得光被遮挡的面积较小即可。然而，在发光区域311的周边设置连接部分75d是不可取的。

接下来，返回到图8A至图8C，描述在隔离沟槽中形成的台阶。

在诸如GaAs和GaAlAs之类的复合半导体中，已知通过台面蚀刻形成的隔离沟槽根据晶向包括正向台面梯级部分92，其侧表面具有平滑形状(其切线的斜率具有相同符号)；和反向台面梯级部分93，其侧表面具有悬臂形状。图8B示出了正向台面梯级部分92，而图8C示出了反向台面梯级部分93。当正向台面梯级部分92和反向台面梯级部分93不单独进行区分时，隔离沟槽的侧表面被称作台面梯级部分。

如果通过诸如溅射方法和真空沉积方法之类的物理方法在反向台面梯级部分93上形成诸如铝和铝合金之类的互连材料，则悬臂形状的梯级的背部被遮蔽(阴影效应)，这会降低互连材料的薄膜形成比率，从而减小有效的薄膜厚度(图8C中的主干部分75a)。为此，在反向台面梯级部分93上设置的互连在台阶部分很可能具有断开(由于梯级差导致的断开)。另一方面，在正向台面梯级部分92，阴影效应不大可能发生，从而可以防止在正向台面梯级部分92上设置的互连中出现由于梯级差导致的断开。在图8B和图8C中，未被处理的点亮信号线75的形状由虚线表示。

如上所述，如图4A、图5和图6A所示，诸如电源线71、第一传递信号线72、第二传递信号线73、和点亮信号线75之类的互连被设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向(衬底80的较长方向)延伸。

如图6A所示，这些互连被形成为跨在多个岛上。例如，如果发光晶闸管L的数量是128，则这些互连被设置在256个梯级上。因此，为了防止由于梯级差导致的断开，对衬底80的晶向进行选择，使得这些互连设置在正向台面梯级部分92上。即，正向台面梯级部分92如图8B所示显示为沿着发光晶闸管阵列的方向，而反向台面梯级部分93如图8C所示显示为沿着与发光晶闸管阵列垂直的方向。

在第一示例性实施例中，连接部分75d被设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向延伸。即，在正向台面梯级部分92上沿该方向设置连接部分75d。因此，还可以防止在连接部分75d中出现由于梯级差导致的断开。

下面，描述如沿线VIIIB-VIIIB截取的图8B的截面图所示的设置为与发光区域311的边缘相接触的点亮信号线75的辅助部分75c的边缘。

如上所述，当打印间距是1200dpi时，发光晶闸管L之间的间距是21.16μm。于是，例如，如果隔离沟槽宽度Wt被设置为4.6μm，以及点亮信号线75的辅助部分75c的互连宽度W1被设置为4.6μm，则隔离沟槽宽度Wt等于互连宽度W1。

于是，点亮信号线75的辅助部分75c被设置为填充隔离沟槽，而点亮信号线75的辅助部分75c的边缘被设置为与发光区域311的边缘接触。另外，辅助部分75c的每个侧表面75e具有弧形截面，从而侧表面75e随着与发光区域311的距离变大而变得更宽。

从发光区域311发出的光束之中在棒状透镜阵列64中被捕获的光束对感光鼓12进行曝光。然而，一些光束(拒收光束)沿相对于发光区域311倾斜的方向从发光区域311发出，从而不能在棒状透镜阵列64中被捕获。

相应地，如果辅助部分75c的每个侧表面75e都具有如图8B所示的弧形(凹形)截面，则沿相对于与发光区域311垂直的方向倾斜的方向(例如，沿箭头D的方向)传播的光束在侧表面75e上被反射，然后在棒状透镜阵列64中被捕获(转向例如垂直于发光区域311的箭头C的方向)。

另一方面，如图8C所示，主干部分75a的边缘还被设置为与发光区域311的边缘接触。与辅助部分75c的侧表面75e一样，在主干部分75a的侧表面75e上，沿相对于与发光区域311垂直的方向倾斜的方向(例如，沿箭头E的方向)传播的光束也被反射并且然后在棒状透镜阵列64中被捕获(转向例如垂直于发光区域311的箭头C的方向)。

如上所述，在第一示例性实施例中，发光区域311的边缘与点亮信号线75(主干部分75a和辅助部分75c)的边缘接触。另外，沿相对于发光区域311倾斜的方向从发光区域311发出的光束通过利用点亮信号线75(主干部分75a和辅助部分75c)的侧表面75e作为反射面(反射镜)而被反射。

例如，铝或铝合金被用作点亮信号线75的互连材料。如果使用酸或其他试剂对这种互连材料进行蚀刻，则蚀刻从诸如光刻胶之类的蚀刻停止薄膜(蚀刻掩模)的边缘开始沿横向(蚀刻掩模的下侧)以及互连材料的薄膜厚度的方向进行(侧向蚀刻)。从而，经过蚀刻的互连材料的每个侧表面75e具有弧形，该弧形中心位于蚀刻掩模的边缘。因此，在考虑侧向蚀刻宽度(侧向蚀刻量)的情况下设置蚀刻掩模宽度使得点亮信号线75(主干部分75a和辅助部分75c)的边缘能够与发光区域311的边缘接触，并且使得点亮信号线75(主干部分75a和辅助部分75c)的侧表面75e能够被处理成弧形。即，如果点亮信号线75(主干部分75a和辅助部分75c)的侧表面75e如上所述在形成互连的蚀刻工艺中被处理成弧形，则可以在无需提供新工艺的情况下形成反射表面；然而，可以在不同于用于形成互连的蚀刻工艺的工艺中将侧表面75e处理成弧形，只要侧表面75e最终被处理成弧形即可。

注意，点亮信号线75(主干部分75a和辅助部分75c)的侧表面75e例如可以是平坦的或者凸形的，而不为弧形(凹形)，并且只需要能够反射来自发光区域311的光并且有助于增加光量即可。

另外，由于第一示例性实施例的点亮信号线75具有的两个主干部分75a都设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向延伸，从而互连宽度被有效地加宽，因此与仅使用一个主干部分75a的情况相比，减小了点亮信号线75的电阻。

[第二示例性实施例]

在第二示例性实施例中，与第一示例性实施例不同，发光芯片C的点亮信号线75被构造为不包围发光区域311。在其它方面，其构造与第一示例性实施例类似。因此，将仅描述不同部分，以及赋予相似部分相同的参考标号，其中省略这些相似部分的详细描述。

图10A和图10B是用于说明第二示例性实施例中的发光芯片C的发光部分102的结构的示意图。图10A是发光部分102的平面图；而图10B是沿图10A的线XB-XB截取的截面图。在此示出了包括发光晶闸管阵列中的四个相邻的发光晶闸管L的部分。每个发光晶闸管L的发光区域311的表面具有矩形形状，并且其较短方向是沿发光晶闸管阵列的方向，而其较长方向是沿与发光晶闸管阵列垂直的方向。例如，发光区域311的较短方向上的长度是16.5μm，而其较长方向的长度是30μm。

第二示例性实施例的发光芯片C的点亮信号线75为L形，包括：主干部分75a；从主干部分75a分支出来的辅助部分75c；以及连接部分75d，其将辅助部分75c与设置在各发光区域311的表面上的n型欧姆电极321连接起来。注意，第二示例性实施例的发光芯片C的点亮信号线75具有一个主干部分75a。

点亮信号线75的主干部分75a沿发光晶闸管L的发光区域311的边缘设置，而辅助部分75c设置在将发光晶闸管L彼此分隔的发光区域311之间的隔离沟槽中。

例如，如果隔离沟槽宽度Wt被设置为5μm，点亮信号线75的辅助部分75c的互连宽度W2被设置为4.5μm，则隔离沟槽宽度Wt大于互连宽度W2。于是，如图10B所示，点亮信号线75的辅助部分75c设置在各隔离沟槽中，以及辅助部分75c的边缘与发光区域311的边缘不接触，并且每个边缘均具有以下形状：其反射表面从正向台面梯级部分92(台面梯级部分)开始上升。类似地，点亮信号线75的主干部分75a的边缘均具有与发光区域311的边缘不接触的形状，未在附图中对此进行显示。

未经过处理的点亮信号线75(辅助部分75c)的截面形状在图10B中以虚线表示。

由于第二示例性实施例中的点亮信号线75没有包围发光区域311，因此即使点亮信号线75被形成为在发光区域311之内相对于预定位置有位移，光被点亮信号线75(主干部分75a和辅助部分75c)中覆盖发光区域311的一部分遮挡的面积相比于第一示例性实施例来说也较小。

另外，在第二示例性实施中，如图10B所示，点亮信号线75的辅助部分75c的互连宽度W2被设置为比隔离沟槽宽度Wt窄，从而使得所形成的主干部分75a和辅助部分75c的边缘不接触发光区域311的边缘。通过这种构造，即使点亮信号线75被形成为在发光区域311之内相对于预定位置有位移，光被覆盖发光区域311的点亮信号线75遮挡的面积也会减小。

注意，与第一实施例一样，使用通过将主干部分75a和辅助部分75c形成为与发光区域311的边缘接触并且其每个侧表面75e均为弧形所获得的镜面效应，可以增加棒状透镜阵列64所捕获的光量。

[第三示例性实施例]

在第三示例性实施例中，发光芯片C的点亮信号线75的辅助部分75c被构造成为均由两个相邻的发光晶闸管L组成的各对发光晶闸管L的发光区域311所共用。在其他方面，其构造与第二实施例类似。因此，将仅描述不同部分，以及给类似部分赋予了相同的参考标号，并且省略对类似部分的详细描述。

图11A和11B是用于说明第三示例性实施例中发光芯片C的发光部分102的结构的示意图。图11A是发光部分102的平面图；图11B是沿图11A的线XIB-XIB截取的截面图。此处，示出了包括发光晶闸管阵列中的四个相邻的发光晶闸管L的部分。每个发光晶闸管L的发光区域311的表面具有矩形形状，其较短方向是沿发光晶闸管阵列的方向，而其较长方向是沿与发光晶闸管阵列垂直的方向。例如，发光区域311的较短方向上的长度是16.5μm，而其较长方向上的长度是30μm。

第三示例性实施例的发光芯片C的点亮信号线75包括：主干部分75a；从主干部分75a分支出来的辅助部分75c；以及连接部分75d，其将辅助部分75c与各发光区域311的n型欧姆电极321连接起来。

点亮信号线75的主干部分75a沿发光区域311的边缘设置为沿发光晶闸管阵列的排列方向延伸。另外，点亮信号线75的辅助部分75c被设置为位于发光晶闸管L的发光区域311的隔离沟槽中。例如，隔离沟槽宽度Wt被设置为4.6μm，而点亮信号线75的辅助部分75c的互连宽度W1被设置为4.6μm。因此，与第一示例性实施例一样，隔离沟槽宽度Wt等于互连宽度W1。通过这种构造，点亮信号线75的辅助部分75c的边缘被设置为与发光区域311的边缘接触。另外，辅助部分75c的每个侧表面75e具有弧形横截面，使得随着与发光区域311的距离变得越大，侧表面75e变得越宽。

与第一示例性实施例一样，连接部分75d被设置为沿发光晶闸管阵列延伸。在第三示例性实施例中，点亮信号线75的辅助部分75c被设置成为两个相邻的发光区域311构成的各对发光区域所共用。因此，在图11A中，连接部分75d被设置为从辅助部分75c开始向左和右延伸，从而沿发光晶闸管阵列的排列方向延伸。

此外，由于第三示例性实施例的点亮信号线75的辅助部分75c被设置成为两个相邻的发光区域311所构成的各对发光区域所共用，因此即使点亮信号线75被形成为比预定宽度宽从而辅助部分75c覆盖发光区域311，也只有各发光区域311的一部分边缘被覆盖。即使点亮信号线75的形状以此方式改变，也可以防止光量的减小。

在第三示例性实施例中，点亮信号线75的辅助部分75c(同样适用于主干部分75a)的边缘被设置为与发光区域311的边缘接触，如图11B所示。通过将点亮信号线75的每个侧表面75e的截面形状形成为弧形，来增加棒状透镜阵列64所捕获的光量。注意，与第二示例性实施例相同，点亮信号线75的辅助部分75c的互连宽度W1可以设置得比隔离沟槽宽度Wt窄。

此外，在第三示例性实施例中，可以设置两个主干部分75a，并且这两个主干部分75a可以通过辅助部分75c彼此连接。通过这种构造，可以减小点亮信号线75的电阻。

第一至第三示例性实施例中所示的发光区域311的尺寸、隔离沟槽宽度Wt、以及点亮信号线75的辅助部分75c的宽度W1和W2仅作为示例，其可以被设置为其他值。

在第一至第三示例性实施例中，发光区域311的形状是“矩形”，但是例如可以是“菱形”或者“椭圆形”来代替“矩形”，只要该形状在与发光晶闸管L阵列的排列方向垂直的方向上的长度比在排列方向上的长度长即可。

第一至第三示例性实示例中所示的高电平电位“H”和低电平电位“L”的值仅作为示例。这些电位在考虑到发光装置65的操作时可以被设置为其他值。

在第一至第三示例性实施例中，传递晶闸管T由处于两个相位的第一传递信号

和第二传递信号

驱动；然而，可以通过给每三个传递晶闸管T发送三相位的传递信号来驱动传递晶闸管T。

在第一至第三示例性实施例中，假设每个发光芯片C安装有一个自扫描发光装置阵列(SLED)；然而，SLED的数量可以是两个或以上。如果安装两个或以上的SLED，则发光芯片C可以代替每个自扫描发光装置阵列(SLED)。

在第一至第三示例性实施例中，描述了其阳极端子共同设置为衬底80的共阳极晶闸管(传递晶闸管T和发光晶闸管L)。可以通过改变电路极性代替使用其阴极端子被设置为衬底80的共阴极晶闸管。

此外，在第一至第三示例性实施例中，假设了发光元件为发光晶闸管L。然而，发光元件可以是其发光区域上设有互连的发光二极管或其他发光元件。

为了示出和说明，提供了上述对本发明的示例性实施例的描述。其目的并不在于穷尽或将本发明限于所公开的精确形式。显然，多种改进和变型对于本领域技术人员来说是显而易见的。选择并描述这些示例性实施例是为了更好地说明本发明的原理及其实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解用于各种实施例的本发明以及具有适于期望的特定用途的各种变型的本发明。其目的在于由所附权利要求及其等同物来限定本发明的范围。

Claims (11)

1.一种发光芯片，包括：

衬底；

多个发光元件，其在所述衬底上排列成一行，每个发光元件均具有发光区域，所述发光区域沿排列的排列方向的长度不同于沿与所述排列方向垂直的方向的长度；以及

点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分均沿对应的一个发光元件的发光区域的所述排列方向或者与所述排列方向垂直的方向中较短的方向设置在所述发光区域上，每个连接部分均连接至设置在所述发光区域上的电极，所述点亮电流供给互连通过所述多个连接部分给所述多个发光元件提供用于进行点亮的电流。

2.根据权利要求1所述的发光芯片，其中

每个发光元件的发光区域沿与所述排列的排列方向垂直的方向的长度比沿所述排列方向的长度长，

所述点亮电流供给互连包括沿所述排列方向延伸的主干部分和从所述主干部分分支出来的多个辅助部分，以及

包含于所述点亮电流供给互连中的所述多个连接部分分别连接至所述多个辅助部分，并且沿所述排列的排列方向设置。

3.根据权利要求2所述的发光芯片，其中所述多个辅助部分用于均由所述多个发光元件中的两个相邻的发光元件组成的各对发光元件。

4.根据权利要求2所述的发光芯片，其中所述点亮电流供给互连的主干部分和多个连接部分被设置为跨过将所述多个发光元件彼此隔离的隔离沟槽的各正向台面梯级部分。

5.根据权利要求3所述的发光芯片，其中所述点亮电流供给互连的主干部分和多个连接部分被设置为跨过将所述多个发光元件彼此隔离的隔离沟槽的各个正向台面梯级部分。

6.根据权利要求2至5中的任意一项所述的发光芯片，其中包含于所述点亮电流供给互连的主干部分或者多个辅助部分中的所述多个发光元件的侧面上的边缘中的每个边缘均具有反射表面，所述反射表面将以一定发散角发出的光朝向与对应的一个发光元件的发光区域垂直的方向反射，使得所述光在与其垂直的方向上变窄。

7.根据权利要求2至5中的任意一项所述的发光芯片，其中包含于所述点亮电流供给互连的主干部分或者多个辅助部分中的所述多个发光元件的侧面上的边缘中的每个边缘均具有为以下形状的表面：从对应的一个发光元件的发光区域的边缘或者从所述对应的一个发光元件的台面梯级部分开始沿与所述对应的一个发光元件的发光区域垂直的方向扩展。

8.一种发光芯片，包括：

衬底；

多个发光元件，其在衬底上排列成一行，每个发光元件均包括发光区域，所述发光区域沿所述排列的排列方向的长度和沿与所述排列方向垂直的方向的长度不同；以及

点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分在对应的一个发光元件的发光区域上沿所述排列方向或垂直于所述排列方向的方向中使所述发光区域的光被遮挡的面积较小的方向延伸，每个连接部分均连接至设置在所述发光区域上的电极，所述点亮电流供给互连通过所述多个连接部分给所述多个发光元件提供用于进行点亮的电流。

9.一种发光装置，包括：

多个发光芯片，每个发光芯片均包括：

衬底；

多个发光元件，其在衬底上排列成一行，每个发光元件均包括发光区域，所述发光区域沿所述排列的排列方向的长度与沿与所述排列方向垂直的方向的长度不同；

多个传递元件，其所述衬底上被设置为对应于各个发光元件，每个传递元件均通过变为ON状态来将对应的发光元件指定为点亮或不点亮的控制目标；以及

点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分均沿对应的一个发光元件的发光区域的所述排列方向或垂直于所述排列方向的方向中较短的方向设置在所述发光区域上，每个连接部分均连接至设置在所述发光区域上的电极，所述点亮电流供给互连通过所述多个连接部分给所述多个发光元件提供用于进行点亮的电流，

所述发光装置还包括：

传递信号提供单元，其将传递信号传送给所述多个发光芯片，以驱动所述多个发光芯片中的每个传递元件，使得ON状态顺序传播；以及

点亮电流提供单元，其为所述多个发光芯片提供用于进行点亮的电流。

10.一种打印头，包括：

发光单元；以及

光学单元，用于使所述发光单元发出的光形成图像，

所述发光单元包括：

多个发光芯片，每个发光芯片均包括：

衬底；

多个发光元件，其在所述衬底上排列成一行，每个发光元件均包括发光区域，所述发光区域沿所述排列的排列方向的长度与沿与所述排列方向垂直的方向的长度不同；

多个传递元件，其在所述衬底上设置为对应于各发光元件，每个传递元件均通过变为ON状态将对应的发光元件指定为点亮或不点亮的控制目标；以及

点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分均沿对应的一个发光元件的发光区域的所述排列方向或垂直于所述排列方向的方向中较短的方向设置在所述发光区域上，每个连接部分均连接至设置在所述发光区域上的电极，所述点亮电流供给互连通过所述多个连接部分给所述多个发光元件提供用于进行点亮的电流，

所述发光单元还包括：

传递信号提供单元，其将传递信号传送给所述多个发光芯片，以驱动所述多个发光芯片的每个传递元件，使得ON状态顺序传播；以及

点亮电流提供单元，其为所述多个发光芯片提供用于进行点亮的电流。

11.一种图像形成设备，包括：

图像载体；

充电单元，用于对所述图像载体进行充电；

曝光单元，用于通过光学单元对所述图像载体进行曝光；

显影单元，用于对被所述曝光单元曝光、并且形成在所述图像载体上的静电潜像进行显影；以及

转印单元，用于将显影在所述图像载体上的图像转印至转印体，

所述曝光单元包括：

多个发光芯片，每个发光芯片均包括：

衬底；

多个发光元件，其在衬底上排列成一行，每个发光元件均包括发光区域，所述发光区域在所述排列的排列方向上的长度与沿与排列方向垂直的方向上的长度不同；

多个传递元件，其在所述衬底上设置为对应于各个发光元件，每个传递元件通过变为ON状态将对应的发光元件指定为用于点亮或不点亮的控制目标；以及

点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分均沿对应的一个发光元件的发光区域的所述排列方向或垂直于所述排列方向的方向中较短的方向设置在所述发光区域上，每个连接部分均连接至设置在所述发光区域上的电极，所述点亮电流供给互连通过所述多个连接部分给所述多个发光元件提供用于进行点亮的电流，

所述曝光单元还包括：

传递信号提供单元，用于将传递信号传输至多个发光芯片，以驱动所述多个发光芯片的每个传递元件，使得ON状态顺序传播；以及

点亮电流提供单元，用于给所述多个发光芯片提供用于进行点亮的电流。

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