JP2012037467A - 回転磁界センサ - Google Patents

Abstract

【課題】磁気検出素子の設置箇所を少なくしながら、ノイズ磁界に起因した検出角度の誤差を低減する。
【解決手段】磁界発生部２は、第１の位置における第１の部分磁界ＭＦ１と第２の位置における第２の部分磁界ＭＦ２とを含む回転磁界を発生する。部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ同じ回転方向に回転する。第１の検出部１０は、第１の位置において、主成分として第１の部分磁界ＭＦ１を含む第１の印加磁界の方向が第１の方向に対してなす第１の角度を検出する。第２の検出部２０は、第２の位置において、主成分として第２の部分磁界ＭＦ２を含む第２の印加磁界の方向が第２の方向に対してなす第２の角度を検出する。第１の角度の検出値と第２の角度の検出値に基づいて、回転磁界の、基準位置における方向が基準方向に対してなす角度の検出値が算出される。
【選択図】図１

Description

本発明は、回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度を検出する回転磁界センサに関する。

近年、自動車のステアリングの回転位置の検出等の種々の用途で、対象物の回転位置を検出するために、回転磁界センサが広く利用されている。回転磁界センサは、対象物の回転位置を検出する場合に限らず、対象物の直線的な変位を検出する場合にも利用されている。回転磁界センサが用いられるシステムでは、一般的に、対象物の回転や直線的な運動に連動して方向が回転する回転磁界を発生する手段（例えば磁石）が設けられる。回転磁界センサは、磁気検出素子を用いて、回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度を検出する。これにより、対象物の回転位置や直線的な変位が検出される。

回転磁界センサとしては、特許文献１に記載されているように、２つのブリッジ回路（ホイートストンブリッジ回路）を有するものが知られている。この回転磁界センサにおいて、２つのブリッジ回路は、それぞれ、４つの磁気検出素子としての磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とも記す。）を含み、回転磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。２つのブリッジ回路の出力信号の位相は、各ブリッジ回路の出力信号の周期の１／４だけ異なっている。回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度は、２つのブリッジ回路の出力信号に基づいて算出される。

また、従来、位相が１８０°異なる一対の検出信号を出力する一対の磁気検出素子を備えた回転磁界センサは、種々提案されている。例えば、特許文献２には、エンコーダとセンサユニットとを備えた回転検出装置が記載されている。この回転検出装置において、エンコーダは、回転部材の回転中心と同心に設けられた被検出部を有し、この被検出部の磁気特性は、円周方向に関して交互に変化している。この回転検出装置では、センサユニットの検出部に、同種類の一対の磁気検出素子が、エンコーダの円周方向に関する位相を一致させると共に、磁束の流れ方向に関する位相を１８０°異ならせた状態で配置されている。

特許文献２には、一対の磁気検出素子の出力信号を差動式ラインレシーバに入力することにより、ケーブル中を送られる信号に外部から加わる電気的ノイズの影響を除くことができる旨が記載されている。

また、特許文献３には、回転体の回転に伴って回転するマグネットと、第１および第２の磁気検出素子群とを備えた回転角度検出装置が記載されている。この回転角度検出装置において、マグネットは、円柱状に形成され、Ｎ極とＳ極の２極に平行着磁されている。第１および第２の磁気検出素子群は、それぞれ、マグネットの回転軸の周囲に９０°間隔で配置された４つの磁気検出素子としてのホール素子で構成されている。第１の磁気検出素子群の４つのホール素子Ｈ１〜Ｈ４と、第２の磁気検出素子群の４つのホール素子Ｈ５〜Ｈ８は、４５°間隔で交互に配置されている。第１の磁気検出素子群の４つのホール素子Ｈ１〜Ｈ４は、互いに９０°の位相差を有するサイン波形の信号を出力する。同様に、第２の磁気検出素子群の４つのホール素子Ｈ５〜Ｈ８も、互いに９０°の位相差を有するサイン波形の信号を出力する。

特許文献３に記載された回転角度検出装置では、１８０°間隔にある２つのホール素子の出力信号から差分データを生成し、この差分データに基づいて回転体の回転角度を検出する。具体的には、この回転角度検出装置では、それぞれ１８０°間隔にある２つのホール素子の４つの組、すなわちＨ１，Ｈ２と、Ｈ３，Ｈ４と、Ｈ５，Ｈ６と、Ｈ７，Ｈ８のそれぞれから、差分データＨ１−Ｈ２、Ｈ３−Ｈ４、Ｈ６−Ｈ５、Ｈ８−Ｈ７を生成する。そして、差分データＨ１−Ｈ２と差分データＨ３−Ｈ４から、第１の磁気検出素子群によって検出された回転角度θ１を算出し、差分データＨ６−Ｈ５と差分データＨ８−Ｈ７から、第２の磁気検出素子群によって検出された回転体の回転角度θ２を算出する。

特許文献３には、１８０°間隔にある２つのホール素子の出力信号から差分データを生成することにより、マグネットのセンターと、８つのホール素子が配置されたホールアレイのセンターとの間のずれをキャンセルすることができる旨が記載されている。また、特許文献３には、第１の磁気検出素子群によって検出された回転角度と、第２の磁気検出素子群によって検出された回転角度とを比較して、異常発生の有無を判定することが記載されている。

特開２００３−６５７９５号公報 特開２００９−１８６４１０号公報 特開２００５−３１５６９６号公報

ところで、回転磁界センサでは、磁気検出素子に対して、検出すべき回転磁界の他に、検出すべき回転磁界以外の磁界（以下、ノイズ磁界と言う。）が印加される場合がある。ノイズ磁界としては、例えばモーターからの漏れ磁界や地磁気がある。このように磁気検出素子に対してノイズ磁界が印加される場合には、磁気検出素子は、回転磁界とノイズ磁界との合成磁界を検出することになる。そのため、検出すべき回転磁界の方向とノイズ磁界の方向が異なるときには、回転磁界センサの検出角度に誤差が生じる。例えば、磁界の大きさを磁束密度で表したときに、検出すべき回転磁界の大きさが２０ｍＴであり、ノイズ磁界の大きさが地磁気相当の０．０５ｍＴであり、ノイズ磁界の方向が検出すべき回転磁界の方向に直交している場合には、合成磁界の方向が、検出すべき回転磁界の方向に対して０．１４°だけ異なり、その結果、回転磁界センサの検出角度に０．１４°の誤差が生じる。このことから、例えば、回転磁界センサの検出角度に０．１°の角度精度（分解能）が要求される場合には、地磁気でさえも非常に大きなノイズ源となることが分かる。

回転磁界センサにおいて、上述のようなノイズ磁界に起因した検出角度の誤差を低減するために、磁気検出素子と、回転磁界を発生する磁石とを、一体の磁気シールドで囲うという対策が考えられる。また、ノイズ磁界の発生源が分かっている場合には、磁気検出素子とノイズ磁界の発生源との間に磁気シールドを設けるという対策も考えられる。しかしながら、これらの対策では、磁気シールドを含めた回転磁界センサの設計が大掛かりになったり、回転磁界センサのコストが高くなったり、回転磁界センサの組立工程や設置に種々の制約が生じたりするという問題点がある。

特許文献２に記載された回転検出装置では、電気的ノイズは、一対の磁気検出素子のそれぞれ出力信号に対して、正負の符号が同じ誤差を生じさせる。そのため、一対の磁気検出素子のそれぞれ出力信号の差を求めることにより、電気的ノイズに起因する検出角度の誤差を低減することができる。しかし、特許文献２に記載された回転検出装置では、ノイズ磁界は、一対の磁気検出素子のそれぞれ出力信号に対して、正負の符号が反対の誤差を生じさせる。そのため、一対の磁気検出素子のそれぞれ出力信号の差を求めることによっては、ノイズ磁界に起因する検出角度の誤差を低減することはできない。

特許文献３に記載された回転角度検出装置では、１８０°間隔にある２つのホール素子の出力信号から差分データを生成することによって、ノイズ磁界に起因する検出角度の誤差を低減することが可能である。しかしながら、この回転角度検出装置では、１つの検出角度、すなわち角度θ１またはθ２を得るためには、少なくとも、マグネットの回転軸の周囲に９０°間隔で配置された４つの磁気検出素子（ホール素子）が必要である。そのため、特許文献３に記載された回転角度検出装置は、その用途が、４つの磁気検出素子を９０°間隔で配置できるような場合に限定されるという問題点がある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁気検出素子の設置箇所を少なくしながら、ノイズ磁界に起因した検出角度の誤差を低減できるようにした回転磁界センサを提供することにある。

本発明の回転磁界センサは、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度を検出するものである。本発明の回転磁界センサは、回転磁界を発生する磁界発生部を備えている。磁界発生部が発生する回転磁界は、第１の位置における第１の部分磁界と第２の位置における第２の部分磁界とを含んでいる。第１の部分磁界と第２の部分磁界は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ同じ回転方向に回転する。本発明の回転磁界センサは、更に、第１の位置において、主成分として第１の部分磁界を含む第１の印加磁界の方向が第１の方向に対してなす第１の角度を検出するための第１の検出部と、第２の位置において、主成分として第２の部分磁界を含む第２の印加磁界の方向が第２の方向に対してなす第２の角度を検出するための第２の検出部とを備えている。

第１の検出部は、それぞれ、少なくとも１つの磁気検出素子を含み、第１の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する第１および第２の検出回路と、第１および第２の検出回路の出力信号に基づいて第１の角度の検出値である第１の角度検出値を算出する第１の演算回路とを有している。

第２の検出部は、それぞれ、少なくとも１つの磁気検出素子を含み、第２の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する第３および第４の検出回路と、第３および第４の検出回路の出力信号に基づいて第２の角度の検出値である第２の角度検出値を算出する第２の演算回路とを有している。

第１ないし第４の検出回路の出力信号は、周期が互いに等しい。第２の検出回路の出力信号の位相は、第１の検出回路の出力信号の位相に対して、上記周期の１／４の奇数倍だけ異なっている。第４の検出回路の出力信号の位相は、第３の検出回路の出力信号の位相に対して、上記周期の１／４の奇数倍だけ異なっている。

本発明の回転磁界センサは、更に、第１の角度検出値と第２の角度検出値とに基づいて、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する検出値を算出する第３の演算回路を備えている。

本発明の回転磁界センサでは、磁界発生部は、第１の位置における第１の部分磁界と第２の位置における第２の部分磁界とを含む回転磁界を発生する。第１の部分磁界と第２の部分磁界は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ同じ回転方向に回転する。本発明では、第１の検出部によって、第１の位置において、主成分として第１の部分磁界を含む第１の印加磁界の方向が第１の方向に対してなす第１の角度が検出される。また、第２の検出部によって、第２の位置において、主成分として第２の部分磁界を含む第２の印加磁界の方向が第２の方向に対してなす第２の角度が検出される。そして、第１の角度の検出値である第１の角度検出値と第２の角度の検出値である第２の角度検出値とに基づいて、第３の演算回路によって、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する検出値が算出される。

本発明の回転磁界センサに対しては外部から、回転磁界以外のノイズ磁界が印加されてもよい。この場合、第１の印加磁界は、第１の部分磁界とノイズ磁界との合成磁界であり、第２の印加磁界は、第２の部分磁界とノイズ磁界との合成磁界であってもよい。本発明の回転磁界センサに対して外部からノイズ磁界が印加された場合には、ノイズ磁界に起因した第１の角度検出値の誤差と、ノイズ磁界に起因した第２の角度検出値の誤差は、正負の符号が反対の値になる。これにより、本発明によれば、ノイズ磁界に起因した検出角度の誤差を低減することが可能になる。

また、本発明の回転磁界センサにおいて、第１の方向と第２の方向は、互いに１８０°異なっていてもよい。

また、本発明の回転磁界センサにおいて、第１ないし第４の検出回路は、それぞれ、少なくとも１つの磁気検出素子として、直列に接続された一対の磁気検出素子を含んでいてもよい。この場合、第１ないし第４の検出回路は、それぞれ、直列に接続された第１の対の磁気検出素子と、直列に接続された第２の対の磁気検出素子とを含むホイートストンブリッジ回路を有していてもよい。磁気検出素子は磁気抵抗効果素子であってもよい。磁気抵抗効果素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、印加される磁界の方向に応じて磁化の方向が変化する自由層と、磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有していてもよい。また、第２の検出回路における磁気抵抗効果素子の磁化固定層の磁化方向は、第１の検出回路における磁気抵抗効果素子の磁化固定層の磁化方向に直交し、第４の検出回路における磁気抵抗効果素子の磁化固定層の磁化方向は、第３の検出回路における磁気抵抗効果素子の磁化固定層の磁化方向に直交していてもよい。

また、本発明の回転磁界センサにおいて、第１の角度検出値は、第１の印加磁界の成分が第１の部分磁界のみであって、第１の部分磁界の方向が理想的に回転する場合に想定される第１の角度の理論値に対する第１の角度誤差を含み、第２の角度検出値は、第２の印加磁界の成分が第２の部分磁界のみであって、第２の部分磁界の方向が理想的に回転する場合に想定される第２の角度の理論値に対する第２の角度誤差を含んでいてもよい。第１の角度誤差と第２の角度誤差は、第１および第２の部分磁界の方向の変化に伴って互いに等しい誤差周期で周期的に変化し、且つ第１の角度誤差の変化は第１の角度検出値の変化に依存し、第２の角度誤差の変化は第２の角度検出値の変化に依存し、第１の角度検出値の位相と第２の角度検出値の位相は、誤差周期の１／２の奇数倍だけ異なっていてもよい。この場合、第１の方向と第２の方向は、第１および第２の部分磁界の回転方向について、誤差周期の１／２の奇数倍だけ異なっていてもよい。また、誤差周期は、各検出回路の出力信号の周期の１／４であってもよい。

また、本発明の回転磁界センサにおいて、回転磁界は、更に、第３の位置における第３の部分磁界と第４の位置における第４の部分磁界とを含んでいてもよい。第３の部分磁界と第４の部分磁界は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ第１および第２の部分磁界と同じ回転方向に回転する。この場合、本発明の回転磁界センサは、更に、第３の位置において、主成分として第３の部分磁界を含む第３の印加磁界の方向が第３の方向に対してなす第３の角度を検出するための第３の検出部と、第４の位置において、主成分として第４の部分磁界を含む第４の印加磁界の方向が第４の方向に対してなす第４の角度を検出するための第４の検出部とを備えていてもよい。

第３の検出部は、それぞれ、少なくとも１つの磁気検出素子を含み、第３の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する第５および第６の検出回路と、第５および第６の検出回路の出力信号に基づいて第３の角度の検出値である第３の角度検出値を算出する第４の演算回路とを有している。第４の検出部は、それぞれ、少なくとも１つの磁気検出素子を含み、第４の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する第７および第８の検出回路と、第７および第８の検出回路の出力信号に基づいて第４の角度の検出値である第４の角度検出値を算出する第５の演算回路とを有している。第１ないし第８の検出回路の出力信号は、周期が互いに等しい。第６の検出回路の出力信号の位相は、第５の検出回路の出力信号の位相に対して、上記周期の１／４の奇数倍だけ異なっている。第８の検出回路の出力信号の位相は、第７の検出回路の出力信号の位相に対して、上記周期の１／４の奇数倍だけ異なっている。

また、本発明の回転磁界センサは、更に、第３の角度検出値と第４の角度検出値とに基づいて、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する検出値を算出する第６の演算回路と、第３の演算回路によって算出された検出値と、第６の演算回路によって算出された検出値とに基づいて、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度の検出値を算出する第７の演算回路とを備えていてもよい。

本発明の回転磁界センサが上記第３の検出部、第４の検出部、第６の演算回路および第７の演算回路を備えている場合、回転磁界センサに対しては外部から、回転磁界以外のノイズ磁界が印加されてもよい。この場合、第１の印加磁界は、第１の部分磁界とノイズ磁界との合成磁界であり、第２の印加磁界は、第２の部分磁界とノイズ磁界との合成磁界であり、第３の印加磁界は、第３の部分磁界とノイズ磁界との合成磁界であり、第４の印加磁界は、第４の部分磁界とノイズ磁界との合成磁界であってもよい。また、この場合、第１の方向と第２の方向は互いに１８０°異なり、第３の方向と第４の方向は互いに１８０°異なっていてもよい。

また、本発明の回転磁界センサが上記第３の検出部、第４の検出部、第６の演算回路および第７の演算回路を備えている場合、第１の角度検出値は、第１の印加磁界の成分が第１の部分磁界のみであって、第１の部分磁界の方向が理想的に回転する場合に想定される第１の角度の理論値に対する第１の角度誤差を含んでいてもよい。第２の角度検出値は、第２の印加磁界の成分が第２の部分磁界のみであって、第２の部分磁界の方向が理想的に回転する場合に想定される第２の角度の理論値に対する第２の角度誤差を含んでいてもよい。第３の角度検出値は、第３の印加磁界の成分が第３の部分磁界のみであって、第３の部分磁界の方向が理想的に回転する場合に想定される第３の角度の理論値に対する第３の角度誤差を含んでいてもよい。第４の角度検出値は、第４の印加磁界の成分が第４の部分磁界のみであって、第４の部分磁界の方向が理想的に回転する場合に想定される第４の角度の理論値に対する第４の角度誤差を含んでいてもよい。

第１ないし第４の角度誤差は、第１ないし第４の部分磁界の方向の変化に伴って互いに等しい誤差周期で周期的に変化し、且つ第１ないし第４の角度誤差の変化は、それぞれ第１ないし第４の部分磁界の方向の変化に依存する。この場合、第３の位置と第４の位置は、それぞれ、第１の位置と第２の位置に対して、誤差周期の１／２の奇数倍に相当する量だけずれていてもよい。

また、本発明の回転磁界センサにおいて、第１ないし第４の角度誤差がそれぞれ上記角度誤差を含む場合、誤差周期は、回転磁界の方向の回転の周期の１／２であってもよい。また、第１の角度誤差は、第１の部分磁界の方向の変化に依存して上記誤差周期で変化する成分と、第１の角度検出値の変化に依存して第２の誤差周期で変化する成分とを含んでいてもよい。第２の角度誤差は、第２の部分磁界の方向の変化に依存して上記誤差周期で変化する成分と、第２の角度検出値の変化に依存して第２の誤差周期で変化する成分とを含んでいてもよい。第３の角度誤差は、第３の部分磁界の方向の変化に依存して上記誤差周期で変化する成分と、第３の角度検出値の変化に依存して第２の誤差周期で変化する成分とを含んでいてもよい。第４の角度誤差は、第４の部分磁界の方向の変化に依存して上記誤差周期で変化する成分と、第４の角度検出値の変化に依存して第２の誤差周期で変化する成分とを含んでいてもよい。この場合、第１の角度検出値の位相と第２の角度検出値の位相は、第２の誤差周期の１／２の奇数倍だけ異なり、第３の角度検出値の位相と第４の角度検出値の位相は、第２の誤差周期の１／２の奇数倍だけ異なっていてもよい。

本発明では、前述のように、回転磁界センサに対して外部からノイズ磁界が印加された場合には、ノイズ磁界に起因した第１の角度検出値の誤差と、ノイズ磁界に起因した第２の角度検出値の誤差は、正負の符号が反対の値になる。これにより、本発明によれば、ノイズ磁界に起因した検出角度の誤差を低減することが可能になる。また、本発明では、第１および第２の位置に第１および第２の検出部を配置することにより、上記の効果が得られる。これらのことから、本発明によれば、磁気検出素子の設置箇所を少なくしながら、ノイズ磁界に起因した検出角度の誤差を低減することが可能になるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す側面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る回転磁界センサの構成を示す回路図である。 本発明の第１の実施の形態における方向と角度の定義を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態における第１および第２の印加磁界とノイズ磁界との関係を模式的に示す説明図である。 図３に示した回転磁界センサにおける１つのＭＲ素子の一部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態における第１の変形例の回転磁界センサの概略の構成を示す側面図である。 本発明の第１の実施の形態における第２の変形例の回転磁界センサの概略の構成を示す側面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す側面図である。 本発明の第２の実施の形態における変形例の回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態における変形例の回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。 本発明の第４の実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。 本発明の第４の実施の形態に係る回転磁界センサにおける検出回路の出力信号の波形の歪みの態様を示す波形図である。 本発明の第４の実施の形態における第１の角度検出値と第１の角度誤差との関係を示す波形図である。 本発明の第４の実施の形態における角度誤差低減の作用を示す説明図である。 本発明の第４の実施の形態における角度の検出値と角度誤差との関係を示す波形図である。 本発明の第５の実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。 本発明の第５の実施の形態における変形例の回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。 本発明の第５の実施の形態に係る回転磁界センサの構成を示すブロック図である。 本発明の第５の実施の形態における第１の部分磁界、第１の角度検出値および第１の角度誤差の関係を示す波形図である。 本発明の第５の実施の形態における角度誤差低減の作用を示す説明図である。 本発明の第５の実施の形態における角度の検出値と角度誤差との関係を示す波形図である。 本発明の第６の実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。 本発明の第６の実施の形態における変形例の回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１、図２および図４を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成について説明する。図１は、本実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。図２は、本実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す側面図である。図４は、本実施の形態における方向と角度の定義を示す説明図である。

本実施の形態に係る回転磁界センサ１は、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度を検出するものである。回転磁界は、第１の位置における第１の部分磁界ＭＦ１と第２の位置における第２の部分磁界ＭＦ２とを含んでいる。第１の部分磁界ＭＦ１と第２の部分磁界ＭＦ２は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ同じ回転方向に回転する。

図１および図２に示したように、回転磁界センサ１は、回転磁界を発生する磁界発生部２と、第１の位置において、主成分として第１の部分磁界ＭＦ１を含む第１の印加磁界の方向が第１の方向に対してなす第１の角度を検出するための第１の検出部１０と、第２の位置において、主成分として第２の部分磁界ＭＦ２を含む第２の印加磁界の方向が第２の方向に対してなす第２の角度を検出するための第２の検出部２０とを備えている。なお、図１および図２では、便宜上、第１の部分磁界ＭＦ１を示す矢印と第１の検出部１０とを離れた位置に記載し、第２の部分磁界ＭＦ２を示す矢印と第２の検出部２０とを離れた位置に記載している。しかし、実際には、第１の検出部１０は、第１の部分磁界ＭＦ１の発生位置である第１の位置に配置され、第２の検出部２０は、第２の部分磁界ＭＦ２の発生位置である第２の位置に配置されている。方向と角度の定義については、後で詳しく説明する。

磁界発生部２は、回転位置を検出する対象物である回転軸６の軸方向の一端部に取り付けられた円板部５と、この円板部５に取り付けられた一対の磁石３，４とを備えている。回転軸６は、その中心軸を中心として回転する。それに連動して、磁界発生部２も、回転軸６の中心軸を含む回転中心Ｃを中心として回転する。一対の磁石３，４は、回転中心Ｃを含む仮想の平面に対して対称な位置に配置されている。ここで、円板部５に関して、図１および図２における下側の面を「下面」と定義し、図１および図２における上側の面を「上面」と定義する。円板部５の上面および下面は、いずれも回転中心Ｃに垂直である。磁石３，４は、円板部５の上面に固定されている。円板部５の下面には、回転軸６の一端部が固定されている。磁界発生部２では、回転中心Ｃを中心として磁石３，４が回転することにより、磁石３，４が発生する磁界に基づいて、回転磁界が発生される。

磁石３，４は、それぞれＮ極とＳ極とを有している。磁石３のＮ極とＳ極は、円板部５の上面の上に、Ｓ極、Ｎ極の順に配置されている。磁石４のＮ極とＳ極は、円板部５の上面の上に、Ｎ極、Ｓ極の順に配置されている。一対の磁石３，４が発生する回転磁界の方向は、磁界発生部２が回転することによって、回転中心Ｃを中心として回転する。図１および図２では、磁石３のＮ極から磁石４のＳ極に向かう磁束の主要部分と、磁石４のＮ極から磁石３のＳ極に向かう磁束の主要部分を、記号Ｍを付した曲線で表している。主に磁石３のＮ極から磁石４のＳ極に向かう磁束が、第１の位置における第１の部分磁界ＭＦ１を発生させる。また、主に磁石４のＮ極から磁石３のＳ極に向かう磁束が、第２の位置における第２の部分磁界ＭＦ２を発生させる。

第１および第２の検出部１０，２０は、円板部５の上面の上方において、磁石３と磁石４との間に配置されている。本実施の形態では、特に、第１の検出部１０は、回転中心Ｃ上における第１の部分磁界ＭＦ１の発生位置である第１の位置に配置され、第２の検出部２０は、回転中心Ｃ上における第２の部分磁界ＭＦ２の発生位置である第２の位置に配置されている。なお、図１および図２では、第１の検出部１０と第２の検出部２０を別体として描いているが、第１の検出部１０と第２の検出部２０は、それぞれ第１の位置と第２の位置に配置されていれば、一体化されていてもよい。本実施の形態では、第１の部分磁界ＭＦ１の方向は、磁石３のＮ極から磁石４のＳ極に向かう方向であり、第２の部分磁界ＭＦ２の方向は、磁石４のＮ極から磁石３のＳ極に向かう方向である。第１の部分磁界ＭＦ１の方向と第２の部分磁界ＭＦ２の方向は、互いに１８０°異なっている。磁界発生部２が回転すると、第１の部分磁界ＭＦ１と第２の部分磁界ＭＦ２は、同じ回転方向に回転する。

ここで、図４を参照して、本実施の形態における方向と角度の定義について説明する。図４において（ａ）は、第１の位置における方向と角度の定義を示している。図４において（ｂ）は、第２の位置における方向と角度の定義を示している。まず、図１および図２に示した回転中心Ｃに平行で、円板部５の上面から離れる方向をＺ方向と定義する。次に、Ｚ方向に垂直な仮想の平面上において、互いに直交する２つの方向をＸ方向とＹ方向と定義する。図４では、Ｘ方向を右側に向かう方向として表し、Ｙ方向を上側に向かう方向として表している。また、Ｘ方向とは反対の方向を−Ｘ方向と定義し、Ｙ方向とは反対の方向を−Ｙ方向と定義する。

第１の位置は、第１の検出部１０が第１の印加磁界を検出する位置である。本実施の形態では、第１の位置は、円板部５の上面の上方における回転中心Ｃ上の位置である。第１の方向Ｄ１は、第１の検出部１０が第１の印加磁界の方向ＤＭ１を表すときの基準の方向である。本実施の形態では、第１の方向Ｄ１はＹ方向と一致している。第１の印加磁界は、主成分として第１の部分磁界ＭＦ１を含んでいる。第１の印加磁界の方向ＤＭ１と第１の部分磁界ＭＦ１の方向は、図４（ａ）において時計回り方向に回転するものとする。第１の印加磁界の方向ＤＭ１が第１の方向Ｄ１に対してなす第１の角度を記号θ１で表し、第１の部分磁界ＭＦ１の方向が第１の方向Ｄ１に対してなす角度を記号θ１ｍ（図４（ａ）では図示せず）で表す。第１の印加磁界の成分が第１の部分磁界ＭＦ１のみであるときには、θ１はθ１ｍと一致する。角度θ１，θ１ｍは、第１の方向Ｄ１から時計回り方向に見たときに正の値で表し、第１の方向Ｄ１から反時計回り方向に見たときに負の値で表す。

第２の位置は、第２の検出部２０が第２の印加磁界を検出する位置である。本実施の形態では、第２の位置は、円板部５の上面の上方における回転中心Ｃ上の位置であり、第１の位置よりも円板部５の上面に近い位置である。第２の方向Ｄ２は、第２の検出部２０が第２の印加磁界の方向ＤＭ２を表すときの基準の方向である。本実施の形態では、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は、互いに１８０°異なっている。また、本実施の形態では、第２の方向Ｄ２は−Ｙ方向と一致している。第２の印加磁界は、主成分として第２の部分磁界ＭＦ２を含んでいる。第２の印加磁界の方向ＤＭ２と第２の部分磁界ＭＦ２の方向は、図４（ｂ）において時計回り方向に回転するものとする。第２の印加磁界の方向が第２の方向Ｄ２に対してなす第２の角度を記号θ２で表し、第２の部分磁界ＭＦ２の方向が第２の方向Ｄ２に対してなす角度を記号θ２ｍ（図４（ｂ）では図示せず）で表す。第２の印加磁界の成分が第２の部分磁界ＭＦ２のみであるときには、θ２はθ２ｍと一致する。角度θ２，θ２ｍは、第２の方向Ｄ２から時計回り方向に見たときに正の値で表し、第２の方向Ｄ２から反時計回り方向に見たときに負の値で表す。本実施の形態では、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は互いに１８０°異なり、第１の部分磁界ＭＦ１の方向と第２の部分磁界ＭＦ２の方向も互いに１８０°異なっていることから、角度θ１ｍと角度θ２ｍは等しくなる。

基準位置と基準方向は、それぞれ、第１の位置と第１の方向Ｄ１と一致していてもよいし、第２の位置と第２の方向Ｄ２と一致していてもよいし、これらの位置および方向と異なる任意の位置と方向であってもよい。

次に、図３を参照して、回転磁界センサ１の構成について詳しく説明する。図３は、回転磁界センサ１の構成を示す回路図である。回転磁界センサ１は、前述のように、第１の検出部１０と第２の検出部２０とを備えている。第１の検出部１０は、第１および第２の検出回路１１，１２と、第１の演算回路１３とを有している。第１および第２の検出回路１１，１２は、それぞれ第１の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。第１の演算回路１３は、第１および第２の検出回路１１，１２の出力信号に基づいて第１の角度θ１の検出値である第１の角度検出値θ１ｓを算出する。

第２の検出部２０の構成は、基本的には、第１の検出部１０と同様である。すなわち、第２の検出部２０は、第３および第４の検出回路２１，２２と、第２の演算回路２３とを有している。第３および第４の検出回路２１，２２は、それぞれ第２の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。第２の演算回路２３は、第３および第４の検出回路２１，２２の出力信号に基づいて第２の角度θ２の検出値である第２の角度検出値θ２ｓを算出する。

第１ないし第４の検出回路１１，１２，２１，２２の出力信号は、周期が互いに等しい。以下の説明では、第１ないし第４の検出回路１１，１２，２１，２２の出力信号の周期を周期Ｔと記す。第２の検出回路１２の出力信号の位相は、第１の検出回路１１の出力信号の位相に対して、周期Ｔの１／４の奇数倍だけ異なっている。第４の検出回路２２の出力信号の位相は、第３の検出回路２１の出力信号の位相に対して、周期Ｔの１／４の奇数倍だけ異なっている。

本実施の形態では、第１の部分磁界ＭＦ１の方向と第２の部分磁界ＭＦ２の方向が互いに１８０°異なり、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２も互いに１８０°異なっていることから、第１の角度検出値θ１ｓと第２の角度検出値θ２ｓの位相は等しくなる。

回転磁界センサ１は、更に、第１の検出部１０によって得られた第１の角度検出値θ１ｓと第２の検出部２０によって得られた第２の角度検出値θ２ｓとに基づいて、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する検出値θｓを算出する第３の演算回路３０を備えている。本実施の形態では、第３の演算回路３０は、下記の式（１）によって、θｓを算出する。

θｓ＝（θ１ｓ＋θ２ｓ）／２ …（１）

第１ないし第４の検出回路１１，１２，２１，２２は、少なくとも１つの磁気検出素子を含んでいる。第１ないし第４の検出回路１１，１２，２１，２２は、それぞれ、少なくとも１つの磁気検出素子として、直列に接続された一対の磁気検出素子を含んでいてもよい。この場合、第１ないし第４の検出回路１１，１２，２１，２２は、それぞれ、直列に接続された第１の対の磁気検出素子と、直列に接続された第２の対の磁気検出素子とを含むホイートストンブリッジ回路を有していてもよい。以下、第１ないし第４の検出回路１１，１２，２１，２２が、それぞれ上記ホイートストンブリッジ回路を有している場合の例について説明する。

第１の検出回路１１は、ホイートストンブリッジ回路１４と、差分検出器１５とを有している。ホイートストンブリッジ回路１４は、電源ポートＶ１と、グランドポートＧ１と、２つの出力ポートＥ１１，Ｅ１２と、直列に接続された第１の対の磁気検出素子Ｒ１１，Ｒ１２と、直列に接続された第２の対の磁気検出素子Ｒ１３，Ｒ１４とを含んでいる。磁気検出素子Ｒ１１，Ｒ１３の各一端は、電源ポートＶ１に接続されている。磁気検出素子Ｒ１１の他端は、磁気検出素子Ｒ１２の一端と出力ポートＥ１１に接続されている。磁気検出素子Ｒ１３の他端は、磁気検出素子Ｒ１４の一端と出力ポートＥ１２に接続されている。磁気検出素子Ｒ１２，Ｒ１４の各他端は、グランドポートＧ１に接続されている。電源ポートＶ１には、所定の大きさの電源電圧が印加される。グランドポートＧ１はグランドに接続される。差分検出器１５は、出力ポートＥ１１，Ｅ１２の電位差に対応する信号を第１の演算回路１３に出力する。

第２の検出回路１２は、ホイートストンブリッジ回路１６と、差分検出器１７とを有している。ホイートストンブリッジ回路１６は、電源ポートＶ２と、グランドポートＧ２と、２つの出力ポートＥ２１，Ｅ２２と、直列に接続された第１の対の磁気検出素子Ｒ２１，Ｒ２２と、直列に接続された第２の対の磁気検出素子Ｒ２３，Ｒ２４とを含んでいる。磁気検出素子Ｒ２１，Ｒ２３の各一端は、電源ポートＶ２に接続されている。磁気検出素子Ｒ２１の他端は、磁気検出素子Ｒ２２の一端と出力ポートＥ２１に接続されている。磁気検出素子Ｒ２３の他端は、磁気検出素子Ｒ２４の一端と出力ポートＥ２２に接続されている。磁気検出素子Ｒ２２，Ｒ２４の各他端は、グランドポートＧ２に接続されている。電源ポートＶ２には、所定の大きさの電源電圧が印加される。グランドポートＧ２はグランドに接続される。差分検出器１７は、出力ポートＥ２１，Ｅ２２の電位差に対応する信号を第１の演算回路１３に出力する。

第３の検出回路２１は、ホイートストンブリッジ回路２４と、差分検出器２５とを有している。ホイートストンブリッジ回路２４は、電源ポートＶ３と、グランドポートＧ３と、２つの出力ポートＥ３１，Ｅ３２と、直列に接続された第１の対の磁気検出素子Ｒ３１，Ｒ３２と、直列に接続された第２の対の磁気検出素子Ｒ３３，Ｒ３４とを含んでいる。磁気検出素子Ｒ３１，Ｒ３３の各一端は、電源ポートＶ３に接続されている。磁気検出素子Ｒ３１の他端は、磁気検出素子Ｒ３２の一端と出力ポートＥ３１に接続されている。磁気検出素子Ｒ３３の他端は、磁気検出素子Ｒ３４の一端と出力ポートＥ３２に接続されている。磁気検出素子Ｒ３２，Ｒ３４の各他端は、グランドポートＧ３に接続されている。電源ポートＶ３には、所定の大きさの電源電圧が印加される。グランドポートＧ３はグランドに接続される。差分検出器２５は、出力ポートＥ３１，Ｅ３２の電位差に対応する信号を第２の演算回路２３に出力する。

第４の検出回路２２は、ホイートストンブリッジ回路２６と、差分検出器２７とを有している。ホイートストンブリッジ回路２６は、電源ポートＶ４と、グランドポートＧ４と、２つの出力ポートＥ４１，Ｅ４２と、直列に接続された第１の対の磁気検出素子Ｒ４１，Ｒ４２と、直列に接続された第２の対の磁気検出素子Ｒ４３，Ｒ４４とを含んでいる。磁気検出素子Ｒ４１，Ｒ４３の各一端は、電源ポートＶ４に接続されている。磁気検出素子Ｒ４１の他端は、磁気検出素子Ｒ４２の一端と出力ポートＥ４１に接続されている。磁気検出素子Ｒ４３の他端は、磁気検出素子Ｒ４４の一端と出力ポートＥ４２に接続されている。磁気検出素子Ｒ４２，Ｒ４４の各他端は、グランドポートＧ４に接続されている。電源ポートＶ４には、所定の大きさの電源電圧が印加される。グランドポートＧ４はグランドに接続される。差分検出器２７は、出力ポートＥ４１，Ｅ４２の電位差に対応する信号を第２の演算回路２３に出力する。

本実施の形態では、ホイートストンブリッジ回路（以下、ブリッジ回路と記す。）１４，１６，２４，２６に含まれる全ての磁気検出素子として、ＭＲ素子、特にＴＭＲ素子を用いている。なお、ＴＭＲ素子の代りにＧＭＲ素子を用いてもよい。ＴＭＲ素子またはＧＭＲ素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、印加される磁界の方向に応じて磁化の方向が変化する自由層と、磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有している。ＴＭＲ素子では、非磁性層はトンネルバリア層である。ＧＭＲ素子では、非磁性層は非磁性導電層である。ＴＭＲ素子またはＧＭＲ素子では、自由層の磁化の方向が磁化固定層の磁化の方向に対してなす角度に応じて抵抗値が変化し、この角度が０°のときに抵抗値は最小値となり、角度が１８０°のときに抵抗値は最大値となる。以下の説明では、ブリッジ回路１４，１６，２４，２６に含まれる磁気検出素子をＭＲ素子と記す。図３において、塗りつぶした矢印は、ＭＲ素子における磁化固定層の磁化の方向を表し、白抜きの矢印は、ＭＲ素子における自由層の磁化の方向を表している。

第１の検出回路１１では、ＭＲ素子Ｒ１１，Ｒ１４における磁化固定層の磁化の方向はＸ方向であり、ＭＲ素子Ｒ１２，Ｒ１３における磁化固定層の磁化の方向は−Ｘ方向である。この場合、第１の印加磁界のＸ方向の成分の強度に応じて、出力ポートＥ１１，Ｅ１２の電位差が変化する。従って、第１の検出回路１１は、第１の印加磁界のＸ方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。図４（ａ）に示した第１の角度θ１が０°のときと１８０°のときは、第１の印加磁界のＸ方向の成分の強度は０である。第１の角度θ１が０°よりも大きく１８０゜よりも小さいときは、第１の印加磁界のＸ方向の成分の強度は正の値である。第１の角度θ１が１８０°よりも大きく３６０゜よりも小さいときは、第１の印加磁界のＸ方向の成分の強度は負の値である。

第２の検出回路１２では、ＭＲ素子Ｒ２１，Ｒ２４における磁化固定層の磁化の方向はＹ方向であり、ＭＲ素子Ｒ２２，Ｒ２３における磁化固定層の磁化の方向は−Ｙ方向である。この場合、第１の印加磁界のＹ方向の成分の強度に応じて、出力ポートＥ２１，Ｅ２２の電位差が変化する。従って、第２の検出回路１２は、第１の印加磁界のＹ方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。図４（ａ）に示した第１の角度θ１が９０°のときと２７０°のときは、第１の印加磁界のＹ方向の成分の強度は０である。第１の角度θ１が０°以上９０゜未満のとき、および２７０°より大きく３６０°以下のときは、第１の印加磁界のＹ方向の成分の強度は正の値である。第１の角度θ１が９０°よりも大きく２７０゜よりも小さいときは、第１の印加磁界のＹ方向の成分の強度は負の値である。

図３に示した例では、第２の検出回路１２におけるＭＲ素子の磁化固定層の磁化方向は、第１の検出回路１１におけるＭＲ素子の磁化固定層の磁化方向に直交している。理想的には、第１の検出回路１１の出力信号の波形はサイン（Sine）波形になり、第２の検出回路１２の出力信号の波形はコサイン（Cosine）波形になる。この場合、第２の検出回路１２の出力信号の位相は、第１の検出回路１１の出力信号の位相に対して、周期Ｔの１／４だけ異なっている。ここで、第１の検出回路１１の出力信号をｓｉｎθ１ｓと表し、第２の検出回路１２の出力信号をｃｏｓθ１ｓと表すと、第１の角度検出値θ１ｓは、下記の式（２）によって算出することができる。なお、“ａｔａｎ”は、アークタンジェントを表す。

θ１ｓ＝ａｔａｎ（ｓｉｎθ１ｓ／ｃｏｓθ１ｓ） …（２）

なお、３６０°の範囲内で、式（２）におけるθ１ｓの解には、１８０°異なる２つの値がある。しかし、ｓｉｎθ１ｓとｃｏｓθ１ｓの正負の組み合わせにより、θ１ｓの真の値が、式（２）におけるθ１ｓの２つの解のいずれであるかを判別することができる。すなわち、ｓｉｎθ１ｓが正の値のときは、θ１ｓは０°よりも大きく１８０゜よりも小さい。ｓｉｎθ１ｓが負の値のときは、θ１ｓは１８０°よりも大きく３６０゜よりも小さい。ｃｏｓθ１ｓが正の値のときは、θ１ｓは、０°以上９０゜未満、および２７０°より大きく３６０°以下の範囲内である。ｃｏｓθ１ｓが負の値のときは、θ１ｓは、９０°よりも大きく２７０゜よりも小さい。第１の演算回路１３は、式（２）と、上記のｓｉｎθ１ｓとｃｏｓθ１ｓの正負の組み合わせの判定により、３６０°の範囲内でθ１ｓを求める。なお、第２の検出回路１２の出力信号の位相が、第１の検出回路１１の出力信号の位相に対して、周期Ｔの１／４だけ異なる場合に限らず、第２の検出回路１２の出力信号の位相が、第１の検出回路１１の出力信号の位相に対して、周期Ｔの１／４の奇数倍だけ異なっていれば、θ１ｓを求めることができる。

第３の検出回路２１では、ＭＲ素子Ｒ３１，Ｒ３４における磁化固定層の磁化の方向は−Ｘ方向であり、ＭＲ素子Ｒ３２，Ｒ３３における磁化固定層の磁化の方向はＸ方向である。この場合、第２の印加磁界の−Ｘ方向の成分の強度に応じて、出力ポートＥ３１，Ｅ３２の電位差が変化する。従って、第３の検出回路２１は、第２の印加磁界の−Ｘ方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。図４（ｂ）に示した第２の角度θ２が０°のときと１８０°のときは、第２の印加磁界の−Ｘ方向の成分の強度は０である。第２の角度θ２が０°よりも大きく１８０゜よりも小さいときは、第２の印加磁界の−Ｘ方向の成分の強度は正の値である。第２の角度θ２が１８０°よりも大きく３６０゜よりも小さいときは、第２の印加磁界の−Ｘ方向の成分の強度は負の値である。

第４の検出回路２２では、ＭＲ素子Ｒ４１，Ｒ４４における磁化固定層の磁化の方向は−Ｙ方向であり、ＭＲ素子Ｒ４２，Ｒ４３における磁化固定層の磁化の方向はＹ方向である。この場合、第２の印加磁界の−Ｙ方向の成分の強度に応じて、出力ポートＥ４１，Ｅ４２の電位差が変化する。従って、第４の検出回路２２は、第２の印加磁界の−Ｙ方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。図４（ｂ）に示した第２の角度θ２が９０°のときと２７０°のときは、第２の印加磁界の−Ｙ方向の成分の強度は０である。第２の角度θ２が０°以上９０゜未満のとき、および２７０°より大きく３６０°以下のときは、第２の印加磁界の−Ｙ方向の成分の強度は正の値である。第２の角度θ２が９０°よりも大きく２７０゜よりも小さいときは、第２の印加磁界の−Ｙ方向の成分の強度は負の値である。

図３に示した例では、第４の検出回路２２におけるＭＲ素子の磁化固定層の磁化方向は、第３の検出回路２１におけるＭＲ素子の磁化固定層の磁化方向に直交している。理想的には、第３の検出回路２１の出力信号の波形はサイン（Sine）波形になり、第４の検出回路２２の出力信号の波形はコサイン（Cosine）波形になる。この場合、第４の検出回路２２の出力信号の位相は、第３の検出回路２１の出力信号の位相に対して、周期Ｔの１／４だけ異なっている。ここで、第３の検出回路２１の出力信号をｓｉｎθ２ｓと表し、第４の検出回路２２の出力信号をｃｏｓθ２ｓと表すと、第２の角度検出値θ２ｓは、下記の式（３）によって算出することができる。

θ２ｓ＝ａｔａｎ（ｓｉｎθ２ｓ／ｃｏｓθ２ｓ） …（３）

第２の演算回路２３は、前述のθ１ｓの求め方と同様に、式（３）と、ｓｉｎθ２ｓとｃｏｓθ２ｓの正負の組み合わせの判定により、３６０°の範囲内でθ２ｓを求める。なお、第４の検出回路２２の出力信号の位相が、第３の検出回路２１の出力信号の位相に対して、周期Ｔの１／４だけ異なる場合に限らず、第４の検出回路２２の出力信号の位相が、第３の検出回路２１の出力信号の位相に対して、周期Ｔの１／４の奇数倍だけ異なっていれば、θ２ｓを求めることができる。

第１ないし第３の演算回路１３，２３，３０は、例えば、１つのマイクロコンピュータによって実現することができる。

次に、図６を参照して、ＭＲ素子の構成の一例について説明する。図６は、図３に示した回転磁界センサ１における１つのＭＲ素子の一部を示す斜視図である。この例では、１つのＭＲ素子は、複数の下部電極と、複数のＭＲ膜と、複数の上部電極とを有している。複数の下部電極４２は図示しない基板上に配置されている。個々の下部電極４２は細長い形状を有している。下部電極４２の長手方向に隣接する２つの下部電極４２の間には、間隙が形成されている。図６に示したように、下部電極４２の上面上において、長手方向の両端の近傍に、それぞれＭＲ膜５０が配置されている。ＭＲ膜５０は、下部電極４２側から順に積層された自由層５１、非磁性層５２、磁化固定層５３および反強磁性層５４を含んでいる。自由層５１は、下部電極４２に電気的に接続されている。反強磁性層５４は、反強磁性材料よりなり、磁化固定層５３との間で交換結合を生じさせて、磁化固定層５３の磁化の方向を固定する。複数の上部電極４３は、複数のＭＲ膜５０の上に配置されている。個々の上部電極４３は細長い形状を有し、下部電極４２の長手方向に隣接する２つの下部電極４２上に配置されて隣接する２つのＭＲ膜５０の反強磁性層５４同士を電気的に接続する。このような構成により、図６に示したＭＲ素子は、複数の下部電極４２と複数の上部電極４３とによって直列に接続された複数のＭＲ膜５０を有している。なお、ＭＲ膜５０における層５１〜５４の配置は、図６に示した配置とは上下が反対でもよい。

次に、図３ないし図５を参照して、回転磁界センサ１の作用および効果について説明する。回転磁界センサ１では、第１の検出部１０によって、第１および第２の検出回路１１，１２の出力信号に基づいて第１の角度θ１の検出値である第１の角度検出値θ１ｓを求める。また、第２の検出部２０によって、第３および第４の検出回路２１，２２の出力信号に基づいて第２の角度θ２の検出値である第２の角度検出値θ２ｓを求める。そして、第１の角度検出値θ１ｓと第２の角度検出値θ２ｓとに基づいて、第３の演算回路３０によって、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する検出値θｓを算出する。

本実施の形態によれば、回転磁界センサ１に対して外部から、回転磁界以外のノイズ磁界が印加された場合であっても、ノイズ磁界に起因した検出値θｓの誤差を低減することが可能になる。以下、これについて詳しく説明する。なお、以下の説明では、上記のノイズ磁界をノイズ磁界Ｈ_extと記す。図４において記号Ｈ_extを付した矢印は、ノイズ磁界Ｈ_extの一例を示している。

まず、図５を参照して、第１および第２の印加磁界とノイズ磁界Ｈ_extとの関係について説明する。図５は、第１および第２の印加磁界とノイズ磁界Ｈ_extとの関係を模式的に示す説明図である。ノイズ磁界Ｈ_extがない場合には、第１の印加磁界の成分は第１の部分磁界ＭＦ１のみであり、第２の印加磁界の成分は第２の部分磁界ＭＦ２のみである。図５において、記号ＡＭＦ１ａを付した矢印は、この場合における第１の印加磁界を表し、記号ＡＭＦ２ａを付した矢印は、この場合における第２の印加磁界を表している。図５に示したように、第１の印加磁界ＡＭＦ１ａの方向と第２の印加磁界ＡＭＦ２ａの方向は、第１の部分磁界ＭＦ１の方向と第２の部分磁界ＭＦ２の方向と同様に、互いに１８０°異なっている。

ノイズ磁界Ｈ_extが印加された場合には、第１の印加磁界は、第１の部分磁界ＭＦ１とノイズ磁界Ｈ_extとの合成磁界となり、第２の印加磁界は、第２の部分磁界ＭＦ２とノイズ磁界Ｈ_extとの合成磁界となる。図５において、記号ＡＭＦ１ｂを付した矢印は、この場合における第１の印加磁界を表し、記号ＡＭＦ２ｂを付した矢印は、この場合における第２の印加磁界を表している。

次に、第１および第２の角度検出値θ１ｓ，θ２ｓとノイズ磁界Ｈ_extとの関係について説明する。ノイズ磁界Ｈ_extがない場合には、第１の角度検出値θ１ｓは、第１の印加磁界ＡＭＦ１ａ、すなわち第１の部分磁界ＭＦ１の方向が第１の方向Ｄ１に対してなす角度θ１ｍと等しくなる。ノイズ磁界Ｈ_extが印加された場合には、第１の角度検出値θ１ｓは、第１の印加磁界ＡＭＦ１ｂ、すなわち第１の部分磁界ＭＦ１とノイズ磁界Ｈ_extとの合成磁界が第１の方向Ｄ１に対してなす角度と等しくなる。この合成磁界が第１の方向Ｄ１に対してなす角度と角度θ１ｍとの差は、ノイズ磁界Ｈ_extに起因して生じるものであり、角度検出値θ１ｓの誤差となるものである。本実施の形態では、この誤差を第１のノイズ誤差と呼び、記号ｄθ１ｎで表す。図５には、ｄθ１ｎも示している。

同様に、ノイズ磁界Ｈ_extがない場合には、第２の角度検出値θ２ｓは、第２の印加磁界ＡＭＦ２ａ、すなわち第２の部分磁界ＭＦ２の方向が第２の方向Ｄ２に対してなす角度θ２ｍと等しくなる。ノイズ磁界Ｈ_extが印加された場合には、第２の角度検出値θ２ｓは、第２の印加磁界ＡＭＦ２ｂ、すなわち第２の部分磁界ＭＦ２とノイズ磁界Ｈ_extとの合成磁界が第２の方向Ｄ２に対してなす角度と等しくなる。この合成磁界が第２の方向Ｄ２に対してなす角度と角度θ２ｍとの差は、ノイズ磁界Ｈ_extに起因して生じるものであり、角度検出値θ２ｓの誤差となるものである。本実施の形態では、この誤差を第２のノイズ誤差と呼び、記号ｄθ２ｎで表す。図５には、ｄθ２ｎも示している。

なお、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎは、第１の部分磁界ＭＦ１から時計回り方向に見たときに正の値で表し、第１の部分磁界ＭＦ１から反時計回り方向に見たときに負の値で表すものとする。また、第２のノイズ誤差ｄθ２ｎは、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎと同様に、第２の部分磁界ＭＦ２から時計回り方向に見たときに正の値で表し、第２の部分磁界ＭＦ２から反時計回り方向に見たときに負の値で表すものとする。

図５に示した例では、第１の印加磁界ＡＭＦ１ｂの方向は、第１の部分磁界ＭＦ１の方向に対して、図５における反時計回り方向に第１のノイズ誤差ｄθ１ｎの絶対値｜ｄθ１ｎ｜だけ異なっている。また、第２の印加磁界ＡＭＦ２ｂの方向は、第２の部分磁界ＭＦ２の方向に対して、図５における時計回り方向に第２のノイズ誤差ｄθ２ｎの絶対値｜ｄθ２ｎ｜だけ異なっている。この場合、第１の角度検出値θ１ｓと第２の角度検出値θ２ｓは、それぞれ下記の式（４），（５）で表される。

θ１ｓ＝θ１ｍ−｜ｄθ１ｎ｜ …（４）
θ２ｓ＝θ２ｍ＋｜ｄθ２ｎ｜ …（５）

次に、検出値θｓとノイズ磁界Ｈ_extとの関係について説明する。前述のように、第３の演算回路３０は、第１の角度検出値θ１ｓと第２の角度検出値θ２ｓとに基づいて、式（１）によって、検出値θｓを算出する。式（１）に、式（４），（５）を代入すると、下記の式（６）が得られる。

θｓ＝（θ１ｓ＋θ２ｓ）／２
＝（θ１ｍ−｜ｄθ１ｎ｜＋θ２ｍ＋｜ｄθ２ｎ｜）／２
＝（θ１ｍ＋θ２ｍ）／２＋（−｜ｄθ１ｎ｜＋｜ｄθ２ｎ｜）／２ …（６）

前述のように、角度θ１ｍと角度θ２ｍは等しくなる。ここで、回転磁界センサ１によって検出される、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度を角度θと記す。角度θが角度θ１ｍと等しいと仮定すると、ノイズ磁界Ｈ_extが印加されない場合には、検出値θｓは、理想的には、角度θと等しくなる。しかし、式（６）から理解されるように、検出値θｓは、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎと第２のノイズ誤差ｄθ２ｎの両方と対応関係を有する誤差を含んでいる。この誤差は、ノイズ磁界Ｈ_extに起因して生じるものである。

次に、本実施の形態によれば、ノイズ磁界Ｈ_extに起因した検出値θｓの誤差を低減することが可能になる理由について説明する。図５に示した例では、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎは負の値（−｜ｄθ１ｎ｜）になり、第２のノイズ誤差ｄθ２ｎは正の値（｜ｄθ２ｎ｜）になる。従って、式（６）によって検出値θｓを算出する際に、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎの値と第２のノイズ誤差ｄθ２ｎの値が相殺されて検出値θｓの誤差の絶対値は、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎの絶対値と第２のノイズ誤差ｄθ２ｎの絶対値のいずれよりも小さくなる。

なお、ノイズ磁界Ｈ_extの方向が図５に示した例とは反対方向である場合には、第１の印加磁界ＡＭＦ１ｂの方向は、第１の部分磁界ＭＦ１の方向に対して、図５における時計回り方向に第１のノイズ誤差ｄθ１ｎの絶対値｜ｄθ１ｎ｜だけ異なり、第２の印加磁界ＡＭＦ２ｂの方向は、第２の部分磁界ＭＦ２の方向に対して、図５における反時計回り方向に第２のノイズ誤差ｄθ２ｎの絶対値｜ｄθ２ｎ｜だけ異なる。すなわち、この場合には、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎは正の値（｜ｄθ１ｎ｜）になり、第２のノイズ誤差ｄθ２ｎは負の値（−｜ｄθ２ｎ｜）になる。この場合にも、検出値θｓを算出する際に、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎの値と第２のノイズ誤差ｄθ２ｎの値が相殺されて検出値θｓの誤差の絶対値は、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎの絶対値と第２のノイズ誤差ｄθ２ｎの絶対値のいずれよりも小さくなる。

もし、回転磁界センサが、第１の検出部１０と第２の検出部２０の一方のみを備え、第１の角度検出値θ１ｓと第２の角度検出値θ２ｓの一方を検出値θｓとする場合には、検出値θｓに含まれる誤差は、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎまたは第２のノイズ誤差ｄθ２ｎとなる。これに対し、本実施の形態に係る回転磁界センサは、第１の検出部１０と第２の検出部２０を備え、式（６）によって検出値θｓを算出する。本実施の形態では、上記の例に限らず、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎと第２のノイズ誤差ｄθ２ｎが共に０になる場合を除いて、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎと第２のノイズ誤差ｄθ２ｎは、正負の符号が反対の値になる。そのため、上述のように、第３の演算回路３０によって検出値θｓを算出する際に、検出値θｓに含まれる誤差の絶対値は、第１のノイズ誤差ｄθ１ｎの絶対値と第２のノイズ誤差ｄθ２ｎの絶対値のいずれよりも小さくなる。これにより、本実施の形態によれば、ノイズ磁界Ｈ_extに起因した検出角度の誤差を低減することが可能になる。

また、本実施の形態では、第１および第２の検出回路１１，１２を有する第１の検出部１０は第１の位置に配置され、第３および第４の検出回路２１，２２を有する第２の検出部２０は第２の位置に配置されている。そのため、本実施の形態によれば、第１ないし第４の検出回路１１，１２，２１，２２を互いに異なる場所に設置する場合に比べて、第１ないし第４の検出回路１１，１２，２１，２２の設置箇所を少なくすることができる。また、第１ないし第４の検出回路１１，１２，２１，２２は、それぞれ、少なくとも１つのＭＲ素子を含んでいる。本実施の形態によれば、上述のように、第１ないし第４の検出回路１１，１２，２１，２２の設置箇所を少なくすることができるので、検出回路１１，１２，２１，２２に含まれるＭＲ素子の設置箇所を少なくすることができる。以上のことから、本実施の形態によれば、磁気検出素子（ＭＲ素子）の設置箇所を少なくしながら、ノイズ磁界Ｈ_extに起因した検出角度の誤差を低減することが可能になる。

［変形例］
以下、本実施の形態における第１および第２の変形例について説明する。始めに、図７を参照して、本実施の形態における第１の変形例の回転磁界センサ１について説明する。図７は、第１の変形例の回転磁界センサ１の概略の構成を示す側面図である。第１の変形例では、一対の磁石３，４は、円板部５の上面から離れるに従って互いの距離が大きくなるように、回転中心Ｃに対して傾いている。磁石３のＮ極とＳ極は、回転中心Ｃに対して傾き、且つ円板部５の上面から離れる方向に、Ｓ極、Ｎ極の順に配置されている。磁石４のＮ極とＳ極は、回転中心Ｃに対して傾き、且つ円板部５の上面から離れる方向に、Ｎ極、Ｓ極の順に配置されている。

図７では、磁石３のＮ極から磁石４のＳ極に向かう磁束の主要部分と、磁石４のＮ極から磁石３のＳ極に向かう磁束の主要部分を、記号Ｍを付した曲線または直線で表している。これらの磁束の主要部分は、一対の磁石３，４が回転中心Ｃに対して傾いていない場合（図２）に比べて、図７における上方に変位している。図２に示したように、一対の磁石３，４が回転中心Ｃに対して傾いていない場合には、磁石４のＮ極から磁石３のＳ極に向かう磁束の主要部分が、円板部５の上面よりも下方を通過する可能性がある。この場合には、第２の検出部２０を最適な位置、すなわち磁石４のＮ極から磁石３のＳ極に向かう磁束の主要部分が通過する位置に設置することが困難になる場合がある。これに対し、第１の変形例によれば、磁石４のＮ極から磁石３のＳ極に向かう磁束の主要部分が、円板部５の上面よりも上方を通過するように、磁束の分布を調整することが可能になる。これにより、容易に、第２の検出部２０を最適な位置に設置することが可能になる。

次に、図８を参照して、本実施の形態における第２の変形例の回転磁界センサ１について説明する。図８は、第２の変形例の回転磁界センサ１の概略の構成を示す側面図である。第２の変形例では、一対の磁石３，４は、円板部５の上面から離れた位置に配置されている。磁界発生部２は、図１および図２に示した本実施の形態における磁界発生部２の構成要素に加えて、円板部５の上面に固定された支持部７，８を有している。磁石３，４は、それぞれ支持部７，８の上に固定されている。

図８では、回転磁界のうち、磁石３のＮ極から磁石４のＳ極に向かう磁束の主要部分と、磁石４のＮ極から磁石３のＳ極に向かう磁束の主要部分を、記号Ｍを付した曲線で表している。これらの磁束の主要部分は、磁石３，４が円板部５の上面に固定されている場合（図２）に比べて、図８における上方に変位している。これにより、第２の変形例によれば、第１の変形例と同様に、容易に、第２の検出部２０を最適な位置に設置することが可能になる。

［第２の実施の形態］
次に、図９および図１０を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る回転磁界センサについて説明する。図９は、本実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。図１０は、本実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す側面図である。図９および図１０に示したように、本実施の形態に係る回転磁界センサ６１は、第１の実施の形態における磁界発生部２の代りに、磁界発生部６２を備えている。

磁界発生部６２は、回転位置を検出する対象物である回転軸６６に取り付けられたリング状の磁石６３を有している。図９および図１０において、記号Ｃを付した一点鎖線は、回転軸６６の中心軸を含む回転中心を示している。磁石６３は、回転中心Ｃを中心として対称に配置されるように、図示しない固定手段によって回転軸６６に固定されている。磁石６３は、回転軸６６に連動して、回転中心Ｃを中心として回転する。これにより、磁石６３が発生する磁界に基づいて、回転磁界が発生される。

磁石６３は、それぞれ、１組以上のＮ極とＳ極が交互にリング状に配列された第１層６３Ａおよび第２層６３Ｂを有している。第１層６３Ａおよび第２層６３Ｂは、図９および図１０における上下方向（回転中心Ｃに平行な方向）に積層されている。第１層６３ＡのＮ極と第２層６３ＢのＳ極は、上下に隣接するように配置されている。第１層６３ＡのＳ極と第２層６３ＢのＮ極も、上下に隣接するように配置されている。

図９および図１０に示したように、第１および第２の検出部１０，２０は、磁石６３の外周部の外側の位置において、回転中心Ｃに平行な方向に並ぶように配置されている。第１の検出部１０が配置された位置が第１の位置であり、第２の検出部２０が配置された位置が第２の位置である。第１の位置は、第１層６３Ａと第２層６３Ｂの界面を含む仮想の平面よりも上方にある。第２の位置は、上記仮想の平面よりも下方にある。回転磁界は、第１の位置における第１の部分磁界ＭＦ１と第２の位置における第２の部分磁界ＭＦ２とを含んでいる。主に第１層６３Ａの近傍における磁束が第１の部分磁界ＭＦ１を発生させる。第１層６３Ａの近傍における磁束には、上下に隣接する第１層６３Ａと第２層６３Ｂにおける異なる２つの極の間の磁束と、第１層６３Ａにおいて回転方向に隣接する異なる２つの極の間の磁束とが含まれる。また、主に第２層６３Ｂの近傍における磁束が第２の部分磁界ＭＦ２を発生させる。第２層６３Ｂの近傍における磁束には、上下に隣接する第１層６３Ａと第２層６３Ｂにおける異なる２つの極の間の磁束と、第２層６３Ｂにおいて回転方向に隣接する異なる２つの極の間の磁束とが含まれる。図１０では、第１層６３ＡのＮ極から第２層６３ＢのＳ極に向かう磁束の主要部分を、記号Ｍを付した曲線で表している。第１の部分磁界ＭＦ１と第２の部分磁界ＭＦ２は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ同じ回転方向に回転する。

第１の検出部１０は、第１の位置において、主成分として第１の部分磁界ＭＦ１を含む第１の印加磁界の方向が第１の方向Ｄ１に対してなす第１の角度を検出する。第２の検出部２０は、第２の位置において、主成分として第２の部分磁界ＭＦ２を含む第２の印加磁界の方向が第２の方向Ｄ２に対してなす第２の角度を検出する。第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は、互いに１８０°異なっている。第１の方向Ｄ１は、例えば、回転中心Ｃから第１の検出部１０に向かう方向である。

図９に示した例では、第１層６３Ａおよび第２層６３Ｂは、それぞれ、５組のＮ極とＳ極とを含み、磁石６３が１回転する間に、第１の部分磁界ＭＦ１と第２の部分磁界ＭＦ２は５回転する。この場合、検出回路１１，１２，２１，２２の出力信号における１周期すなわち電気角の３６０°は、磁石６３の１／５回転すなわち磁石６３の回転角の７２°に相当する。

［変形例］
次に、図１１を参照して、本実施の形態における変形例について説明する。図１１は、本実施の形態における変形例の回転磁界センサ６１の概略の構成を示す側面図である。図１１に示したように、変形例の回転磁界センサ６１は、磁界発生部６２の代りに、磁界発生部７２を備えている。

磁界発生部７２は、一方向に長い磁石７３を有している。磁石７３は、対象物の直線的な運動に連動して、その長手方向に直線的に移動する。これにより、磁石７３が発生する磁界に基づいて、回転磁界が発生される。磁石７３は、それぞれ、複数組のＮ極とＳ極が交互に直線状に配列された第１層７３Ａおよび第２層７３Ｂを有している。第１層７３Ａおよび第２層７３Ｂは、図１１における上下方向（磁石７３の移動方向に直交する方向）に積層されている。第１層７３ＡのＮ極と第２層７３ＢのＳ極は、上下に隣接するように配置されている。第１層７３ＡのＳ極と第２層７３ＢのＮ極も、上下に隣接するように配置されている。

図１１に示したように、第１および第２の検出部１０，２０は、磁石７３の側方において、図１１における上下方向（第１層７３Ａと第２層７３Ｂの積層方向）に並ぶように配置されている。第１の検出部１０が配置された位置が第１の位置であり、第２の検出部２０が配置された位置が第２の位置である。第１の位置は、第１層７３Ａと第２層７３Ｂの界面を含む仮想の平面よりも上方にある。第２の位置は、上記仮想の平面よりも下方にある。回転磁界は、第１の位置における第１の部分磁界ＭＦ１と第２の位置における第２の部分磁界ＭＦ２とを含んでいる。主に第１層７３Ａの近傍における磁束が第１の部分磁界ＭＦ１を発生させる。第１層７３Ａの近傍における磁束には、上下に隣接する第１層７３Ａと第２層７３Ｂにおける異なる２つの極の間の磁束と、第１層７３Ａにおいて磁石７３の移動方向に隣接する異なる２つの極の間の磁束とが含まれる。また、主に第２層７３Ｂの近傍における磁束が第２の部分磁界ＭＦ２を発生させる。第２層７３Ｂの近傍における磁束には、上下に隣接する第１層７３Ａと第２層７３Ｂにおける異なる２つの極の間の磁束と、第２層７３Ｂにおいて磁石７３の移動方向に隣接する異なる２つの極の間の磁束とが含まれる。第１の部分磁界ＭＦ１と第２の部分磁界ＭＦ２は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ同じ回転方向に回転する。

第１の検出部１０は、第１の位置において、主成分として第１の部分磁界ＭＦ１を含む第１の印加磁界の方向が第１の方向Ｄ１に対してなす第１の角度を検出する。第２の検出部２０は、第２の位置において、主成分として第２の部分磁界ＭＦ２を含む第２の印加磁界の方向が第２の方向Ｄ２に対してなす第２の角度を検出する。第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は、互いに１８０°異なっている。第１の方向Ｄ１は、例えば、第１の検出部１０に向いた磁石７３の側面に垂直であって、磁石７３から第１の検出部１０に向かう方向である。

磁石７３が、１ピッチ分すなわちＮ極とＳ極の１組分だけ移動すると、第１の部分磁界ＭＦ１と第２の部分磁界ＭＦ２がそれぞれ１回転する。この場合、検出回路１１，１２，２１，２２の出力信号における１周期すなわち電気角の３６０°は、磁石７３の１ピッチに相当する。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、図１２を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る回転磁界センサについて説明する。図１２は、本実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。図１２に示したように、本実施の形態に係る回転磁界センサ８１は、第２の実施の形態における磁界発生部６２の代りに、磁界発生部８２を備えている。

磁界発生部８２は、回転位置を検出する対象物である回転軸６６に取り付けられたリング状の磁石８３を有している。図１２において、記号Ｃを付した一点鎖線は、回転軸６６の中心軸を含む回転中心を示している。磁石８３は、回転中心Ｃを中心として対称に配置されるように、図示しない固定手段によって回転軸６６に固定されている。磁石８３は、回転軸６６に連動して、回転中心Ｃを中心として回転する。これにより、磁石８３が発生する磁界に基づいて、回転磁界が発生される。磁石８３は、２ｎ組（ｎは１以上の整数）のＮ極とＳ極が交互にリング状に配列されて構成されている。図１２に示した例では、磁石８３は、２組のＮ極とＳ極を含んでいる。

図１２に示したように、第１および第２の検出部１０，２０は、磁石８３を挟むように、回転中心Ｃを含む仮想の平面に対して対称な位置に配置されている。第１の検出部１０が配置された位置が第１の位置であり、第２の検出部２０が配置された位置が第２の位置である。回転磁界は、第１の位置における第１の部分磁界ＭＦ１と第２の位置における第２の部分磁界ＭＦ２とを含んでいる。第１の部分磁界ＭＦ１と第２の部分磁界ＭＦ２は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ同じ回転方向に回転する。

第１の検出部１０は、第１の位置において、主成分として第１の部分磁界ＭＦ１を含む第１の印加磁界の方向が第１の方向Ｄ１に対してなす第１の角度を検出する。第２の検出部２０は、第２の位置において、主成分として第２の部分磁界ＭＦ２を含む第２の印加磁界の方向が第２の方向Ｄ２に対してなす第２の角度を検出する。第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は、互いに１８０°異なっている。第１の方向Ｄ１は、例えば、回転中心Ｃから第１の検出部１０に向かう方向である。

図１２に示した例では、磁石８３が１回転する間に、第１の部分磁界ＭＦ１と第２の部分磁界ＭＦ２は２回転する。この場合、検出回路１１，１２，２１，２２の出力信号における１周期すなわち電気角の３６０°は、磁石８３の１／２回転すなわち磁石８３の回転角の１８０°に相当する。

［変形例］
次に、図１３を参照して、本実施の形態における変形例について説明する。図１３は、本実施の形態における変形例の回転磁界センサ８１の概略の構成を示す側面図である。図１３に示したように、変形例の回転磁界センサ８１は、磁界発生部８２の代りに、磁界発生部９２を備えている。

磁界発生部９２は、一方向に長い磁石９３を有している。磁石９３は、対象物の直線的な運動に連動して、その長手方向に直線的に移動する。これにより、磁石９３が発生する磁界に基づいて、回転磁界が発生される。磁石９３は、複数組のＮ極とＳ極が交互に直線状に配列されて構成されている。

図１３に示したように、第１および第２の検出部１０，２０は、磁石９３の側方において、磁石９３の移動方向に平行な方向に並ぶように配置されている。第２の検出部２０は、第１の検出部１０に対して、磁石９３の１／２ピッチだけずれた位置に配置されている。第１の検出部１０が配置された位置が第１の位置であり、第２の検出部２０が配置された位置が第２の位置である。回転磁界は、第１の位置における第１の部分磁界ＭＦ１と第２の位置における第２の部分磁界ＭＦ２とを含んでいる。第１の部分磁界ＭＦ１と第２の部分磁界ＭＦ２は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ同じ回転方向に回転する。

第１の検出部１０は、第１の位置において、主成分として第１の部分磁界ＭＦ１を含む第１の印加磁界の方向が第１の方向Ｄ１に対してなす第１の角度を検出する。第２の検出部２０は、第２の位置において、主成分として第２の部分磁界ＭＦ２を含む第２の印加磁界の方向が第２の方向Ｄ２に対してなす第２の角度を検出する。第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は、互いに１８０°異なっている。第１の方向Ｄ１は、例えば、第１の検出部１０に向いた磁石９３の側面に垂直であって、磁石９３から第１の検出部１０に向かう方向である。

磁石９３が、１ピッチ分だけ移動すると、第１の部分磁界ＭＦ１と第２の部分磁界ＭＦ２がそれぞれ１回転する。この場合、検出回路１１，１２，２１，２２の出力信号における１周期すなわち電気角の３６０°は、磁石９３の１ピッチに相当する。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、図１４を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る回転磁界センサについて説明する。図１４は、本実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。本実施の形態に係る回転磁界センサ１０１の構成は、基本的には、第１の実施の形態に係る回転磁界センサ１と同じである。

本実施の形態では、第１の検出部１０が第１の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第１の方向Ｄ１と、第２の検出部２０が第２の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第２の方向Ｄ２の関係が、第１の実施の形態とは異なっている。具体的には、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は、第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２の回転方向について、４５°の奇数倍だけ異なっている。これを実現するために、図１４に示した例では、第２の検出部２０の姿勢を第１の実施の形態と異ならせている。図１４に示した例では、第２の検出部２０は、第１の実施の形態における図１に示した状態から、回転中心Ｃに垂直な仮想の平面内において、磁界発生部２の回転方向に４５°回転した姿勢で配置されている。第１の検出部１０の姿勢は、第１の実施の形態における図１に示した状態と同じである。この場合、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は、第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２の回転方向について、１８０°＋４５°、すなわち２２５°（４５°の５倍）だけ異なる。なお、第２の検出部２０の姿勢を上記のように設定する代りに、第２の検出部２０に含まれるＭＲ素子における磁化固定層の磁化の方向を、第１の実施の形態における方向に対して、磁界発生部２の回転方向に４５°回転してもよい。あるいは、第１の検出部１０を、図１に示した状態から、回転中心Ｃに垂直な仮想の平面内において、磁界発生部２の回転方向に−４５°回転した姿勢で配置してもよい。あるいは、第１の検出部１０に含まれるＭＲ素子における磁化固定層の磁化の方向を、第１の実施の形態における方向に対して、磁界発生部２の回転方向に−４５°回転してもよい。

本実施の形態では、第１の印加磁界の方向が第１の方向Ｄ１に対してなす第１の角度θ１の検出値である第１の角度検出値θ１ｓの位相と、第２の印加磁界の方向が第１の方向Ｄ２に対してなす第２の角度θ２の検出値である第２の角度検出値θ２ｓの位相は、π／４（電気角４５°）の奇数倍だけ異なっている。図１４に示した例では、第１の部分磁界ＭＦ１の方向と第２の部分磁界ＭＦ２の方向は１８０°異なり、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２の回転方向について２２５°異なっていることから、第１の角度検出値θ１ｓと第２の角度検出値θ２ｓの位相は、π／４（電気角４５°）だけ異なる。この場合、第３の演算回路３０は、下記の式（７）によって、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する検出値θｓを算出する。

θｓ＝（θ１ｓ＋θ２ｓ＋π／４）／２ …（７）

次に、回転磁界センサ１０１の作用および効果について説明する。回転磁界センサ１０１では、第１の検出部１０の第１および第２の検出回路１１，１２の出力信号に基づいて算出された第１の角度検出値θ１ｓと、第２の検出部２０の第３および第４の検出回路２１，２２の出力信号に基づいて算出された第２の角度検出値θ２ｓとに基づいて、第３の演算回路３０によって、式（７）を用いて、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度θと対応関係を有する検出値θｓを算出する。

第１の実施の形態で説明したように、検出回路１１，１２，２１，２２の各出力信号の波形は、理想的には正弦曲線（サイン（Sine）波形とコサイン（Cosine）波形を含む）となる。しかし、実際には、ＭＲ素子に起因してＭＲ素子の出力信号波形が歪むことによって、検出回路１１，１２，２１，２２の各出力信号の波形は、正弦曲線から歪む。ＭＲ素子に起因してＭＲ素子の出力信号波形が歪む場合としては、例えば、ＭＲ素子の磁化固定層の磁化方向が回転磁界等の影響によって変動する場合や、ＭＲ素子の自由層の磁化方向が、自由層の形状異方性や保磁力等の影響によって、第１の印加磁界の方向または第２の印加磁界の方向と一致しない場合がある。図１５は、検出回路の出力信号の波形の歪みの態様を示している。図１５には、検出回路１１，１２，２１，２２を代表して、検出回路１２の出力信号の波形を示している。図１５において、横軸は角度θ１を示し、縦軸は検出回路１２の出力信号ｃｏｓθ１ｓを示している。符号１１０は、理想的な正弦曲線を示している。符号１１１，１１２で示す２つの波形は、ＭＲ素子に起因して歪んだ波形を示している。

上述のようにＭＲ素子に起因して検出回路１１，１２の出力信号の波形が歪むために、第１の角度検出値θ１ｓは、第１の印加磁界の成分が第１の部分磁界ＭＦ１のみであって、第１の部分磁界ＭＦ１の方向が理想的に回転する場合に想定される第１の角度θ１の理論値に対する第１の角度誤差を含んでいる。同様に、ＭＲ素子に起因して検出回路２１，２２の出力信号の波形が歪むために、第２の角度検出値θ２ｓは、第２の印加磁界の成分が第２の部分磁界ＭＦ２のみであって、第２の部分磁界ＭＦ２の方向が理想的に回転する場合に想定される第２の角度θ２の理論値に対する第２の角度誤差を含んでいる。本実施の形態では、第１の角度誤差を記号ｄθ１で表し、第２の角度誤差を記号ｄθ２で表す。第１の角度誤差ｄθ１と第２の角度誤差ｄθ２は、第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２の方向の変化に伴って互いに等しい誤差周期で周期的に変化し、且つ第１の角度誤差ｄθ１の変化は第１の角度検出値θ１ｓの変化に依存し、第２の角度誤差ｄθ２の変化は第２の角度検出値θ２ｓの変化に依存している。検出回路の出力信号の波形が図１５に示したように歪む場合には、誤差周期は、各検出回路の出力信号の周期の１／４、すなわちπ／２（電気角９０°）となる。

図１６は、第１の角度検出値θ１ｓと第１の角度誤差ｄθ１との関係を示している。図１６において、横軸は第１の角度θ１を示し、縦軸は第１の角度θ１、第１の角度検出値θ１ｓおよび第１の角度誤差ｄθ１を示している。また、図１６では、便宜上、縦軸における角度θ１と第１の角度検出値θ１ｓの値については、実際の角度が９０°〜２７０゜の範囲では１８０°を引いた値で表し、実際の角度が２７０°〜３６０゜の範囲では３６０°を引いた値で表している。これ以降の説明で使用する図１６と同様の図においても、図１６と同様の表し方を用いる。第２の角度検出値θ２ｓと第２の角度誤差ｄθ２との関係は、図１６と同様である。なお、理解を容易にするために、図１６における第１の角度検出値θ１ｓの波形は、角度誤差ｄθ１成分を強調して描いている。これは、図１６と同様の他の図でも同様である。

本実施の形態では、第１の角度検出値θ１ｓの位相と第２の角度検出値θ２ｓの位相は、誤差周期の１／２すなわちπ／４（電気角４５°）の奇数倍だけ異なっている。これを実現するために、本実施の形態では、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２を、第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２の回転方向について、誤差周期の１／２（電気角４５°）の奇数倍だけ異ならせている。例えば、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２が、第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２の回転方向について、誤差周期の１／２（電気角４５°）の５倍に相当する空間上の角度である２２５°だけ異なっている場合には、第１の角度検出値θ１ｓの位相と第２の角度検出値θ２ｓの位相は、誤差周期の１／２すなわちπ／４（電気角４５°）だけ異なる。

本実施の形態によれば、第１の角度誤差ｄθ１と第２の角度誤差ｄθ２とを相殺することが可能になる。このことを、図１７および図１８を参照して説明する。図１７において、（ａ）は、図１６に示した第１の角度検出値θ１ｓと第１の角度誤差ｄθ１との関係を示している。図１７において、（ｂ）は、第２の角度検出値θ２ｓと第２の角度誤差ｄθ２との関係を示している。図１７に示した例では、第１の角度誤差ｄθ１および第２の角度誤差ｄθ２の振幅は±０．０９°である。本実施の形態では、第１の角度検出値θ１ｓと第２の角度検出値θ２ｓの位相を、誤差周期の１／２すなわちπ／４の奇数倍だけずらしている。そして、第１の角度検出値θ１ｓと第２の角度検出値θ２ｓを用いて、角度θの検出値θｓを算出する。従って、検出値θｓを算出する際に、第１の角度誤差ｄθ１の位相と第２の角度誤差ｄθ２の位相は、互いに逆相になる。これにより、第１の角度誤差ｄθ１と第２の角度誤差ｄθ２が相殺される。

図１８は、上述のようにして算出された検出値θｓと、この検出値θｓに含まれる角度誤差との関係を表している。本実施の形態では、検出値θｓに含まれる角度誤差を記号ｄθで表す。図１８に示されるように、角度誤差ｄθは、第１の角度誤差ｄθ１および第２の角度誤差ｄθ２に比べて、大幅に小さくなっている。図１８に示した例では、角度誤差ｄθの振幅は±０．０２°である。

また、本実施の形態では、ＭＲ素子における磁化固定層の磁化の方向以外は全く同じ構成の２つの検出部１０，２０を用いて検出角度を補正している。そのため、各検出部における角度誤差が温度の関数であったとしても、温度による角度誤差の変動分も含めて各検出部における角度誤差を相殺して、検出角度を補正することができる。そのため、本実施の形態によれば、最終的に、温度による誤差の変動の少ない角度検出値を得ることが可能になる。

また、本実施の形態では、検出値θｓの算出方法は、第１の角度検出値θ１ｓと第２の角度検出値θ２ｓの位相差を補正する点を除いて、第１の実施の形態における検出値θｓの算出方法と同じである。従って、第１の実施の形態で説明したように、回転磁界センサ１０１に対して外部から、回転磁界以外のノイズ磁界Ｈ_extが印加された場合に、ノイズ磁界Ｈ_extに起因して生じる第１の角度検出値θ１ｓの第１のノイズ誤差ｄθ１ｎと、ノイズ磁界Ｈ_extに起因して生じる第２の角度検出値θ２ｓの第２のノイズ誤差ｄθ２ｎは、正負の符号が反対の値になる。そのため、本実施の形態によれば、第１の実施の形態における説明と同じ理由によって、ノイズ磁界Ｈ_extに起因した検出値θｓの誤差を低減することが可能になる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、磁界発生部２を第２または第３の実施の形態における構成とし、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２が第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２の回転方向について４５°の奇数倍だけ異なるように、第１および第２の検出部１０，２０を配置してもよい。

［第５の実施の形態］
次に、図１９ないし図２１を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る回転磁界センサについて説明する。図１９は、本実施の形態に係る回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。図２０は、本実施の形態における変形例の回転磁界センサの概略の構成を示す斜視図である。図２１は、本実施の形態に係る回転磁界センサの構成を示すブロック図である。始めに、本実施の形態に係る回転磁界センサ１２１の構成について説明する。図２１に示したように、回転磁界センサ１２１は、第１および第２の複合検出部２１０Ａ，２１０Ｂを備えている。

複合検出部２１０Ａ，２１０Ｂの構成は、それぞれ、第１の実施の形態に係る回転磁界センサ１から磁界発生部２を除いた構成と同様である。具体的には、第１の複合検出部２１０Ａは、第１の検出部１０および第２の検出部２０および第３の演算回路３０と同様の構成の第１の検出部１０Ａ、第２の検出部２０Ａおよび第３の演算回路３０Ａを備えている。同様に、第２の複合検出部２１０Ｂは、第１の検出部１０、第２の検出部２０および第３の演算回路３０と同様の構成の第３の検出部１０Ｂ、第４の検出部２０Ｂおよび第６の演算回路３０Ｂを備えている。第１の検出部１０Ａは第１の位置に配置され、第２の検出部２０Ａは第２の位置に配置され、第３の検出部１０Ｂは第３の位置に配置され、第４の検出部２０Ｂは第４の位置に配置されている。

図１９に示したように、本実施の形態に係る回転磁界センサ１２１は、更に、回転磁界を発生する磁界発生部１２２を備えている。磁界発生部１２２の構成は、第２の実施の形態における磁界発生部６２の構成と同様である。具体的には、磁界発生部１２２は、回転軸６６に取り付けられたリング状の磁石１２３を有している。また、磁石１２３は、第１層６３Ａおよび第２層６３Ｂと同様の構成の第１層１２３Ａおよび第２層１２３Ｂを有している。

第１および第２の検出部１０Ａ，２０Ａの、磁石１２３に対する相対的な位置関係は、第２の実施の形態における第１および第２の検出部１０，２０の、磁石６３に対する相対的な位置関係と同様である。第３および第４の検出部１０Ｂ，２０Ｂの、磁石１２３に対する相対的な位置関係も、第２の実施の形態における第１および第２の検出部１０，２０の、磁石６３に対する相対的な位置関係と同様である。第３および第４の検出部１０Ｂ，２０Ｂは、第１および第２の検出部１０Ａ，２０Ａに対して、回転磁界の回転の周期の１／４すなわち電気角９０°に相当する量だけずれた位置に配置されている。

第１の検出部１０Ａが配置された位置が第１の位置であり、第２の検出部２０Ａが配置された位置が第２の位置である。回転磁界は、第１の位置における第１の部分磁界ＭＦ１と第２の位置における第２の部分磁界ＭＦ２とを含んでいる。第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２は、第２の実施の形態と同じ原理により、磁石１２３によって発生される。第１の部分磁界ＭＦ１と第２の部分磁界ＭＦ２は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ同じ回転方向に回転する。

第１の検出部１０Ａは、第１の位置において、主成分として第１の部分磁界ＭＦ１を含む第１の印加磁界の方向が第１の方向Ｄ１に対してなす第１の角度を検出する。第２の検出部２０Ａは、第２の位置において、主成分として第２の部分磁界ＭＦ２を含む第２の印加磁界の方向が第２の方向Ｄ２に対してなす第２の角度を検出する。第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は、互いに１８０°異なっている。第１の方向Ｄ１は、例えば、回転中心Ｃから第１の検出部１０Ａに向かう方向である。

また、第３の検出部１０Ｂが配置された位置が第３の位置であり、第４の検出部２０Ｂが配置された位置が第４の位置である。回転磁界は、更に、第３の位置における第３の部分磁界ＭＦ３と第４の位置における第４の部分磁界ＭＦ４とを含んでいる。第３および第４の部分磁界ＭＦ３，ＭＦ４は、第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２と同じ原理により、磁石１２３によって発生される。第３の部分磁界ＭＦ３と第４の部分磁界ＭＦ４は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２と同じ回転方向に回転する。

第３の検出部１０Ｂは、第３の位置において、主成分として第３の部分磁界ＭＦ３を含む第３の印加磁界の方向が第３の方向に対してなす第３の角度を検出する。第４の検出部２０Ｂは、第４の位置において、主成分として第４の部分磁界ＭＦ４を含む第４の印加磁界の方向が第４の方向に対してなす第４の角度を検出する。第３の方向は、第３の検出部１０Ｂが第３の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である。第４の方向は、第４の検出部２０Ｂが第４の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である。第３および第４の方向、ならびに第３および第４の角度の定義は、図４を用いて説明した第１および第２の方向、ならびに第１および第２の角度と同様である。本実施の形態では、第３の方向と第４の方向は、互いに１８０°異なっている。第３の方向は、例えば、回転中心Ｃから第３の検出部１０Ｂに向かう方向である。

本実施の形態では、第３の方向に対して第３の部分磁界ＭＦ３の方向がなす角度は、第１の方向に対して第１の部分磁界ＭＦ１の方向がなす角度に対して、電気角９０°に相当する角度だけ異なっている。同様に、第４の方向に対して第４の部分磁界ＭＦ４の方向がなす角度は、第２の方向に対して第２の部分磁界ＭＦ２の方向がなす角度に対して、電気角９０°に相当する角度だけ異なっている。

第１の検出部１０Ａは、第１の検出回路１１Ａと、第２の検出回路１２Ａと、第１の演算回路１３Ａとを有している。第１の検出回路１１Ａ、第２の検出回路１２Ａおよび第１の演算回路１３Ａの構成は、第１の実施の形態における第１の検出回路１１、第２の検出回路１２および第１の演算回路１３と同じである。第１および第２の検出回路１１Ａ，１２Ａは、それぞれ第１の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。第１の演算回路１３Ａは、第１および第２の検出回路１１Ａ，１２Ａの出力信号に基づいて第１の角度θ１の検出値である第１の角度検出値θ１ｓを算出する。

第２の検出部２０Ａは、第３の検出回路２１Ａと、第４の検出回路２２Ａと、第２の演算回路２３Ａとを有している。第３の検出回路２１Ａ、第４の検出回路２２Ａおよび第２の演算回路２３Ａの構成は、第１の実施の形態における第３の検出回路２１、第４の検出回路２２および第２の演算回路２３と同じである。第３および第４の検出回路２１Ａ，２２Ａは、それぞれ第２の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。第２の演算回路２３Ａは、第３および第４の検出回路２１Ａ，２２Ａの出力信号に基づいて第２の角度θ２の検出値である第２の角度検出値θ２ｓを算出する。

第３の検出部１０Ｂは、第５の検出回路１１Ｂと、第６の検出回路１２Ｂと、第４の演算回路１３Ｂとを有している。第５の検出回路１１Ｂ、第６の検出回路１２Ｂおよび第４の演算回路１３Ｂの構成は、第１の実施の形態における第１の検出回路１１、第２の検出回路１２および第１の演算回路１３と同じである。第５および第６の検出回路１１Ｂ，１２Ｂは、それぞれ第３の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。第４の演算回路１３Ｂは、第５および第６の検出回路１１Ｂ，１２Ｂの出力信号に基づいて第３の角度θ３の検出値である第３の角度検出値θ３ｓを算出する。

第４の検出部２０Ｂは、第７の検出回路２１Ｂと、第８の検出回路２２Ｂと、第５の演算回路２３Ｂとを有している。第７の検出回路２１Ｂ、第８の検出回路２２Ｂおよび第５の演算回路２３Ｂの構成は、第１の実施の形態における第３の検出回路２１、第４の検出回路２２および第２の演算回路２３と同じである。第７および第８の検出回路２１Ｂ，２２Ｂは、それぞれ第４の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。第５の演算回路２３Ｂは、第７および第８の検出回路２１Ｂ，２２Ｂの出力信号に基づいて第４の角度θ４の検出値である第４の角度検出値θ４ｓを算出する。

第１ないし第８の検出回路１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａ，１１Ｂ，１２Ｂ，２１Ｂ，２２Ｂの出力信号は、周期が互いに等しい。以下の説明では、第１ないし第８の検出回路１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａ，１１Ｂ，１２Ｂ，２１Ｂ，２２Ｂの出力信号の周期を周期Ｔと記す。第２の検出回路１２Ａの出力信号の位相は、第１の検出回路１１Ａの出力信号の位相に対して、周期Ｔの１／４の奇数倍だけ異なっている。第４の検出回路２２Ａの出力信号の位相は、第３の検出回路２１Ａの出力信号の位相に対して、周期Ｔの１／４の奇数倍だけ異なっている。第６の検出回路１２Ｂの出力信号の位相は、第５の検出回路１１Ｂの出力信号の位相に対して、周期Ｔの１／４の奇数倍だけ異なっている。第８の検出回路２２Ｂの出力信号の位相は、第７の検出回路２１Ｂの出力信号の位相に対して、周期Ｔの１／４の奇数倍だけ異なっている。

第３の演算回路３０Ａは、第１の検出部１０Ａによって第１の印加磁界を検出して得られた第１の角度検出値θ１ｓと、第２の検出部２０Ａによって第２の印加磁界を検出して得られた第２の角度検出値θ２ｓとに基づいて、第１の基準位置における回転磁界の方向が第１の基準方向に対してなす角度の検出値θＡｓを算出する。検出値θＡｓの算出方法は、第１の実施の形態における検出値θｓの算出方法と同じである。検出値θＡｓは、誤差を考慮しなければ、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度との差が一定値（０を含む）になるという関係を有している。従って、検出値θＡｓは、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する。

第６の演算回路３０Ｂは、第３の検出部１０Ｂによって第３の印加磁界を検出して得られた第３の角度検出値θ３ｓと、第４の検出部２０Ｂによって第４の印加磁界を検出して得られた第４の角度検出値θ４ｓとに基づいて、第２の基準位置における回転磁界の方向が第２の基準方向に対してなす角度の検出値θＢｓを算出する。検出値θＢｓの算出方法は、第１の実施の形態における検出値θｓの算出方法と同じである。検出値θＢｓは、誤差を考慮しなければ、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度との差が一定値（０を含む）になるという関係を有している。従って、検出値θＢｓは、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する。

図２１に示したように、回転磁界センサ１２１は、更に、第３の演算回路３０Ａによって算出された角度の検出値θＡｓと、第６の演算回路３０Ｂによって算出された角度の検出値θＢｓとに基づいて、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度の検出値θｓを算出する第７の演算回路２１１を備えている。第７の演算回路２１１は、例えばマイクロコンピュータによって実現することができる。なお、回転磁界センサ１２１の基準位置と基準方向は、それぞれ、第１の基準位置と第１の基準方向と一致していてもよいし、第２の基準位置と第２の基準方向と一致していてもよいし、これらの位置および方向と異なる任意の位置と方向であってもよい。

次に、本実施の形態における変形例の回転磁界センサ１２１の構成について説明する。図２０に示したように、本実施の形態における変形例の回転磁界センサ１２１は、磁界発生部１２２の代りに、磁界発生部１３２を備えている。磁界発生部１３２の構成は、第２の実施の形態における磁界発生部７２の構成と同様である。具体的には、磁界発生部１３２は、磁石７３と同様の構成の磁石１３３を有している。磁石１３３は、対象物の直線的な運動に連動して、その長手方向に直線的に移動する。これにより、磁石１３３が発生する磁界に基づいて、回転磁界が発生される。磁石１３３は、第１層７３Ａおよび第２層７３Ｂと同様の構成の第１層１３３Ａおよび第２層１３３Ｂを有している。

第１および第２の検出部１０Ａ，２０Ａの、磁石１３３に対する相対的な位置関係は、第２の実施の形態における第１および第２の検出部１０，２０の、磁石７３に対する相対的な位置関係と同様である。第３および第４の検出部１０Ｂ，２０Ｂの、磁石１３３に対する相対的な位置関係も、第２の実施の形態における第１および第２の検出部１０，２０の、磁石７３に対する相対的な位置関係と同様である。変形例では、第３および第４の検出部１０Ｂ，２０Ｂは、第１および第２の検出部１０Ａ，２０Ａに対して、回転磁界の回転の周期の１／４すなわち電気角９０°に相当する量、すなわち磁石１３３の１／４ピッチだけずれた位置に配置されている。

次に、第７の演算回路２１１における検出値θｓの算出方法について説明する。本実施の形態では、第１の印加磁界を検出して得られた第１の角度検出値θ１ｓと第２の印加磁界を検出して得られた第２の角度検出値θ２ｓとに基づいて、検出値θＡｓを算出する。また、第３の印加磁界を検出して得られた第３の角度検出値θ３ｓと第４の印加磁界を検出して得られた第４の角度検出値θ４ｓとに基づいて、検出値θＢｓを算出する。図１９および図２０に示した例では、第３の位置と第４の位置は、それぞれ、第１の位置と第２の位置に対して、電気角９０°に相当する量だけずれており、検出値θＡｓ，θＢｓの位相は、電気角９０°だけ異なる。これらの例では、第７の演算回路２１１は、下記の式（８）によって、θｓを算出する。

θｓ＝（θＡｓ＋θＢｓ＋π／２）／２ …（８）

次に、回転磁界センサ１２１の効果について説明する。本実施の形態に係る回転磁界センサ１２１は、回転磁界に起因して発生する角度誤差を低減するのに適している。始めに、図１９、図２０および図２２を参照して、回転磁界に起因して角度誤差が発生する理由について説明する。図示しないが、図１９に示した例では、第１の部分磁界ＭＦ１は、磁石１２３の半径方向の成分Ｈｒと、回転中心Ｃに垂直な平面内において、Ｈｒに直交する方向の成分Ｈθとを含んでいる。図示しないが、図２０に示した例では、第１の部分磁界ＭＦ１は、第１の検出部１０Ａと第２の検出部２０Ａが並べられた方向に垂直な仮想の平面内において、磁石１３３の移動方向に直交する方向の成分Ｈｒと、この平面内において、Ｈｒに直交する方向の成分Ｈθとを含んでいる。

ここで、図１９または図２０に示した例において、第１の印加磁界の成分が第１の部分磁界ＭＦ１のみであって、第１の検出部１０Ａによって第１の印加磁界の方向を検出して第１の角度検出値θ１ｓを得る場合を考える。図２２は、この場合におけるＨｒ、Ｈθ、θ１ｓならびに第１の角度誤差の関係の一例を示している。本実施の形態では、第１の角度誤差を記号ｄθ１で表す。図２２において、横軸は、角度θ１を示し、縦軸は、Ｈｒ、Ｈθ、θ１ｓ、ｄθ１を示している。なお、理解を容易にするために、図２２における第１の角度誤差ｄθ１の波形は、振幅を実際よりも大きく描いている。図１９または図２０に示した例では、第１の部分磁界ＭＦ１の方向や第１の部分磁界ＭＦ１の一方向の成分の強度が正弦関数的に変化しない場合がある。この場合、第１の角度検出値θ１ｓは、第１の印加磁界の成分が第１の部分磁界ＭＦ１のみであって、第１の部分磁界ＭＦ１の方向が理想的に回転する場合に想定される第１の角度θ１の理論値に対する第１の角度誤差ｄθ１を含むことになる。この場合における第１の角度誤差ｄθ１の変化は、第１の部分磁界ＭＦ１の方向の変化に依存する。第１の角度誤差ｄθ１の誤差周期は、第１の部分磁界ＭＦ１の方向の回転の周期の１／２である。

同様に、第２の検出部２０Ａによって第２の印加磁界の方向を検出して第２の角度検出値θ２ｓを得る場合も、第２の角度検出値θ２ｓは、第２の印加磁界の成分が第２の部分磁界ＭＦ２のみであって、第２の部分磁界ＭＦ２の方向が理想的に回転する場合に想定される第２の角度θ２の理論値に対する第２の角度誤差を含むことになる。本実施の形態では、第２の角度誤差を記号ｄθ２で表す。この場合における第２の角度誤差ｄθ２の変化は、第２の部分磁界ＭＦ２の方向の変化に依存する。第２の角度誤差ｄθ２の誤差周期は、第２の部分磁界ＭＦ２の方向の回転の周期の１／２である。

また、第３の検出部１０Ｂによって第３の印加磁界の方向を検出して第３の角度検出値θ３ｓを得る場合も、第３の角度検出値θ３ｓは、第３の印加磁界の成分が第３の部分磁界ＭＦ３のみであって、第３の部分磁界ＭＦ３の方向が理想的に回転する場合に想定される第３の角度θ３の理論値に対する第３の角度誤差を含むことになる。本実施の形態では、第３の角度誤差を記号ｄθ３で表す。この場合における第３の角度誤差ｄθ３の変化は、第３の部分磁界ＭＦ３の方向の変化に依存する。第３の角度誤差ｄθ３の誤差周期は、第３の部分磁界ＭＦ３の方向の回転の周期の１／２である。

また、第４の検出部２０Ｂによって第４の印加磁界の方向を検出して第４の角度検出値θ４ｓを得る場合も、第４の角度検出値θ４ｓは、第４の印加磁界の成分が第４の部分磁界ＭＦ４のみであって、第４の部分磁界ＭＦ４の方向が理想的に回転する場合に想定される第４の角度θ４の理論値に対する第４の角度誤差を含むことになる。本実施の形態では、第４の角度誤差を記号ｄθ４で表す。この場合における第４の角度誤差ｄθ４の変化は、第４の部分磁界ＭＦ４の方向の変化に依存する。第４の角度誤差ｄθ４の誤差周期は、第４の部分磁界ＭＦ４の方向の回転の周期の１／２である。

前述のように、第１の部分磁界ＭＦ１と第２の部分磁界ＭＦ２は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ同じ回転方向に回転するものであり、第３の部分磁界ＭＦ３と第４の部分磁界ＭＦ４は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２と同じ回転方向に回転するものである。従って、第１ないし第４の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２，ＭＦ３，ＭＦ４の方向の回転の周期は互いに等しく、第１ないし第４の角度誤差ｄθ１，ｄθ２，ｄθ３，ｄθ４は、第１ないし第４の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２，ＭＦ３，ＭＦ４の方向の変化に伴って互いに等しい誤差周期で周期的に変化する。

次に、図２３および図２４を参照して、回転磁界センサ１２１によって、回転磁界に起因して発生する角度誤差を低減できることを説明する。図２３において、（ａ）は、検出値θＡｓと、検出値θＡｓに含まれる角度誤差ｄθＡとの関係を示している。図２３において、（ｂ）は、検出値θＢｓと、検出値θＢｓに含まれる角度誤差ｄθＢとの関係を示している。図２３では、第１の基準位置における回転磁界の方向が第１の基準方向に対してなす角度を記号θＡで表し、第２の基準位置における回転磁界の方向が第２の基準方向に対してなす角度を記号θＢで表している。前述のように、検出値θＡｓ，θＢｓの算出方法は、いずれも第１の実施の形態における検出値θｓの算出方法と同じである。例えば、第１の実施の形態で説明したように、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２が互いに１８０°異なり、第３の方向Ｄ３と第４の方向Ｄ４も互いに１８０°異なっている場合、検出値θＡｓ，θＢｓは、いずれも、第１の実施の形態における式（１）によって算出される。式（１）から理解されるように、検出値θＡｓは、第１の角度検出値θ１ｓと第２の角度検出値θ２ｓの両方と対応関係を有していることから、検出値θＡｓに含まれる角度誤差ｄθＡも、第１の角度検出値θ１ｓに含まれる第１の角度誤差ｄθ１と第２の角度検出値θ２ｓに含まれる第２の角度誤差ｄθ２の両方と対応関係を有している。角度誤差ｄθ１，ｄθ２，ｄθＡの位相は一致している。同様に、検出値θＢｓは、第３の角度検出値θ３ｓと第４の角度検出値θ４ｓの両方と対応関係を有していることから、検出値θＢｓに含まれる角度誤差ｄθＢも、第３の角度検出値θ３ｓに含まれる第３の角度誤差ｄθ３と第４の角度検出値θ４ｓに含まれる第４の角度誤差ｄθ４の両方と対応関係を有している。角度誤差ｄθ３，ｄθ４，ｄθＢの位相は一致している。

図２３に示した例では、角度誤差ｄθＡ，ｄθＢの振幅は±０．１７°である。本実施の形態では、第３の位置と第４の位置は、それぞれ、第１の位置と第２の位置に対して、誤差周期の１／２（電気角９０°）に相当する量だけずれており、検出値θＡｓ，θＢｓの位相は、誤差周期の１／２（電気角９０°）だけ異なる。従って、検出値θｓを算出する際に、角度誤差ｄθＡの位相と角度誤差ｄθＢの位相は、互いに逆相になる。これにより、角度誤差ｄθＡと角度誤差ｄθＢとが相殺される。

図２４は、上述のようにして算出された検出値θｓと、この検出値θｓに含まれる角度誤差との関係を表している。図２４では、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度を記号θで表し、検出値θｓに含まれる角度誤差を記号ｄθで表している。図２４に示されるように、角度誤差ｄθは、角度誤差ｄθＡ，ｄθＢに比べて、大幅に小さくなっている。図２４に示した例では、角度誤差ｄθの振幅は±０．０３°である。

なお、本実施の形態では、第３の位置と第４の位置は、それぞれ、第１の位置と第２の位置に対して、誤差周期の１／２に相当する量だけずれている。しかし、第３の位置と第４の位置は、それぞれ、第１の位置と第２の位置に対して、誤差周期の１／２の奇数倍に相当する量だけずれていればよい。この場合に、角度誤差ｄθＡと角度誤差ｄθＢが相殺されて、検出値θｓに含まれる角度誤差ｄθを大幅に低減することができる。

また、本実施の形態では、検出値θＡｓ，θＢｓの位相差は、電気角９０°に限らず任意の大きさでよい。検出値θＡｓ，θＢｓの位相差をβとすると、第７の演算回路２１１は、下記の式（９）によって、θｓを算出する。

θｓ＝（θＡｓ＋θＢｓ＋β）／２ …（９）

また、本実施の形態によれば、回転磁界センサ１２１に対して外部から、回転磁界以外のノイズ磁界Ｈ_extが印加された場合であっても、ノイズ磁界Ｈ_extに起因した検出値θＡｓ，θＡｓの誤差を低減することが可能になる。以下、これについて詳しく説明する。ノイズ磁界Ｈ_extが印加された場合には、第１の印加磁界は、第１の部分磁界ＭＦ１とノイズ磁界Ｈ_extとの合成磁界になり、第２の印加磁界は、第２の部分磁界ＭＦ２とノイズ磁界Ｈ_extとの合成磁界になる。前述のように、第３の演算回路３０Ａにおける検出値θＡｓの算出方法は、第１の実施の形態における検出値θｓの算出方法と同じである。従って、第１の実施の形態で説明したように、ノイズ磁界Ｈ_extに起因して生じる第１の角度検出値θ１ｓの第１のノイズ誤差と、ノイズ磁界Ｈ_extに起因して生じる第２の角度検出値θ２ｓの第２のノイズ誤差は、正負の符号が反対の値になる。そのため、本実施の形態によれば、第１の実施の形態における説明と同じ理由によって、ノイズ磁界Ｈ_extに起因した検出値θＡｓの誤差を低減することが可能になる。

同様に、ノイズ磁界Ｈ_extが印加された場合には、第３の印加磁界は、第３の部分磁界ＭＦ３とノイズ磁界Ｈ_extとの合成磁界になり、第４の印加磁界は、第４の部分磁界ＭＦ４とノイズ磁界Ｈ_extとの合成磁界になる。この場合、第１および第２のノイズ誤差と同様に、ノイズ磁界Ｈ_extに起因して、第３の角度検出値θ３ｓには第３のノイズ誤差が生じ、第４の角度検出値θ４ｓには第４のノイズ誤差が生じる。前述のように、第６の演算回路３０Ｂにおける検出値θＢｓの算出方法は、第１の実施の形態における検出値θｓの算出方法と同じである。従って、第３のノイズ誤差と第４のノイズ誤差は、正負の符号が反対の値になる。そのため、本実施の形態によれば、第１の実施の形態における説明と同じ理由によって、ノイズ磁界Ｈ_extに起因した検出値θＢｓの誤差を低減することが可能になる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第６の実施の形態］
次に、本発明の第６の実施の形態に係る回転磁界センサについて説明する。本実施の形態に係る回転磁界センサ１４１は、回転磁界に起因して発生する角度誤差の成分と、ＭＲ素子に起因して発生する角度誤差の成分の両方を低減することを可能にするものである。

始めに、図２５を参照して、本実施の形態に係る回転磁界センサ１４１の構成について説明する。図２５は、本実施の形態に係る回転磁界センサ１４１の概略の構成を示す斜視図である。回転磁界センサ１４１の構成は、基本的には、図１９に示した第５の実施の形態に係る回転磁界センサ１２１と同じである。本実施の形態では、第１の検出部１０Ａが第１の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第１の方向Ｄ１と、第２の検出部２０Ａが第２の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第２の方向Ｄ２は、第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２の回転方向について、４５°の奇数倍だけ異なっている。同様に、第３の検出部１０Ｂが第３の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第３の方向Ｄ３と、第４の検出部４０が第４の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第４の方向Ｄ４は、第３および第４の部分磁界ＭＦ３，ＭＦ４の回転方向について、４５°の奇数倍だけ異なっている。これを実現するために、図２５に示した例では、第２および第４の検出部２０Ａ，２０Ｂの姿勢を、図１９に示した状態と異ならせている。図２５に示した例では、第２および第４の検出部２０Ａ，２０Ｂは、それぞれ、図１９に示した状態から、回転中心Ｃに垂直な仮想の平面内において、検出部２０Ａ，２０Ｂのそれぞれの中心を通り回転中心Ｃに平行な軸を中心として４５°回転した姿勢で配置されている。第１および第３の検出部１０Ａ，１０Ｂの姿勢は、図１９に示した状態と同じである。

次に、図２６を参照して、本実施の形態における変形例の回転磁界センサ１４１の構成について説明する。図２６は、本実施の形態における変形例の回転磁界センサ１４１の概略の構成を示す斜視図である。変形例の回転磁界センサ１４１の構成は、基本的には、図２０に示した第５の実施の形態における変形例の回転磁界センサ１２１と同じである。変形例では、第２および第４の検出部２０Ａ，２０Ｂの姿勢が、図２０に示した状態とは異なっている。具体的には、検出部２０Ａ，２０Ｂは、それぞれ、図２０に示した状態から、検出部２０Ａ，２０Ｂが並べられた仮想の平面内において、検出部２０Ａ，２０Ｂのそれぞれの中心を通り上記仮想の平面に垂直な軸を中心として４５°回転した姿勢で配置されている。第１および第３の検出部１０Ａ，１０Ｂの姿勢は、図２０に示した状態と同じである。なお、検出部２０Ａ，２０Ｂの姿勢を上記のように設定する代りに、検出部２０Ａ，２０Ｂに含まれるＭＲ素子における磁化固定層の磁化の方向を、第５の実施の形態における方向に対して４５°回転してもよい。あるいは、検出部１０Ａ，１０Ｂを図２０に示した状態から、検出部１０Ａ，１０Ｂが並べられた仮想の平面内において、検出部１０Ａ，１０Ｂのそれぞれの中心を通り上記仮想の平面に垂直な軸を中心として−４５°回転した姿勢で配置してもよい。あるいは、検出部１０Ａ，１０Ｂに含まれるＭＲ素子における磁化固定層の磁化の方向を、第５の実施の形態における方向に対して−４５°回転してもよい。

図２５および図２６に示した例では、第１の検出部１０Ａが第１の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第１の方向Ｄ１と、第２の検出部２０Ａが第２の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第２の方向Ｄ２は、第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２の回転方向について、４５°の奇数倍だけ異なっている。そのため、第４の実施の形態で説明したように、第１の印加磁界の方向が第１の方向Ｄ１に対してなす第１の角度θ１の検出値である第１の角度検出値θ１ｓの位相と、第２の印加磁界の方向が第１の方向Ｄ２に対してなす第２の角度θ２の検出値である第２の角度検出値θ２ｓの位相は、π／４（電気角４５°）の奇数倍だけ異なっている。

同様に、第３の検出部１０Ｂが第３の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第３の方向Ｄ３と、第４の検出部４０が第４の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第４の方向Ｄ４は、第３および第４の部分磁界ＭＦ３，ＭＦ４の回転方向について、４５°の奇数倍だけ異なっている。そのため、第４の実施の形態で説明したように、第３の印加磁界の方向が第３の方向Ｄ３に対してなす第３の角度θ３の検出値である第３の角度検出値θ３ｓの位相と、第４の印加磁界の方向が第４の方向Ｄ４に対してなす第４の角度θ４の検出値である第４の角度検出値θ４ｓの位相は、π／４（電気角４５°）の奇数倍だけ異なっている。

また、図２５および図２６に示した例では、第５の実施の形態と同様に、第３の位置と第４の位置は、それぞれ、第１の位置と第２の位置に対して、電気角９０°に相当する量だけずれており、検出値θＡｓの位相と検出値θＢｓの位相は、電気角９０°だけ異なっている。

次に、本実施の形態における、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度の検出値θｓの算出方法について説明する。本実施の形態における第１の複合検出部２１０Ａでは、第１の検出部１０Ａによって得られた第１の角度検出値θ１ｓと、第２の検出部２０Ａによって得られた第２の角度検出値θ２ｓとに基づいて、検出値θＡｓを算出する。本実施の形態における第２の複合検出部２１０Ｂでは、第３の検出部１０Ｂによって得られた第３の角度検出値θ３ｓと、第４の検出部２０Ｂによって得られた第４の角度検出値θ４ｓとに基づいて、検出値θＢｓを算出する。検出値θＡｓ，θＢｓの算出方法は、第４の実施の形態における検出値θｓの算出方法と同じである。

本実施の形態における第７の演算回路２１１は、複合検出部２１０Ａ，２１０Ｂによって得られた検出値θＡｓ，θＢｓに基づいて、検出値θｓを算出する。第７の演算回路２１１における検出値θｓの算出方法は、第５の実施の形態と同じである。

次に、回転磁界センサ１４１の効果について説明する。始めに、角度誤差が、回転磁界に起因して発生する角度誤差の成分と、ＭＲ素子に起因して発生する角度誤差の成分とを含む場合があることについて説明する。図２５および図２６に示した例では、第５の実施の形態で説明したように、第１ないし第４の角度検出値θ１ｓ，θ２ｓ，θ３ｓ，θ４ｓは、それぞれ、回転磁界に起因して発生する角度誤差の成分を含む場合がある。また、第４の実施の形態で説明したように、第１ないし第４の角度検出値θ１ｓ，θ２ｓ，θ３ｓ，θ４ｓは、それぞれ、ＭＲ素子に起因して発生する角度誤差の成分を含む場合がある。

従って、第１の角度検出値θ１ｓにおける第１の角度誤差ｄθ１、第２の角度検出値θ２ｓにおける第２の角度誤差ｄθ２、第３の角度検出値θ３ｓにおける第３の角度誤差ｄθ３、および第４の角度検出値θ４ｓにおける第４の角度誤差ｄθ４は、それぞれ、回転磁界に起因して発生する第１の誤差成分と、ＭＲ素子に起因して発生する第２の誤差成分とを含む場合がある。第１の誤差成分は、回転磁界の方向の変化に依存して、回転磁界の方向の回転の周期の１／２すなわち電気角１８０°の第１の誤差周期で変化する。第２の誤差成分は、第１ないし第８の検出回路１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａ，１１Ｂ，１２Ｂ，２１Ｂ，２２Ｂ（図２１参照）の出力信号の周期の１／４すなわち電気角９０°の第２の誤差周期で変化する。

本実施の形態では、第１の角度検出値θ１ｓの位相と第２の角度検出値θ２ｓの位相を、第２の誤差周期の１／２（電気角４５°）の奇数倍だけ異ならせている。また、第３の角度検出値θ３ｓの位相と第４の角度検出値θ４ｓの位相を、第２の誤差周期の１／２（電気角４５°）の奇数倍だけ異ならせている。本実施の形態では、第４の実施の形態における検出値θｓの算出方法と同じ方法によって、検出値θＡｓ，θＢｓを算出する。そのため、本実施の形態によれば、検出値θＡｓを算出する際に、第１の角度誤差ｄθ１中の第２の誤差成分と第２の角度誤差ｄθ２中の第２の誤差成分とが相殺され、検出値θＢｓを算出する際に、第３の角度誤差ｄθ３中の第２の誤差成分と第４の角度誤差ｄθ４中の第２の誤差成分とが相殺される。

また、第４の実施の形態における検出値θｓの算出方法と同じ方法によって、検出値θＡｓ，θＢｓを算出することから、回転磁界センサ１４１に対して外部から、回転磁界以外のノイズ磁界Ｈ_extが印加された場合であっても、検出値θＡｓ，θＢｓを算出する際に、ノイズ磁界Ｈ_extに起因した検出値θＡｓ，θＢｓの誤差を低減することが可能になる。

更に、本実施の形態では、第３の位置と第４の位置は、それぞれ、第１の位置と第２の位置に対して、第１の誤差周期の１／２（電気角９０°）に相当する量だけずれている。本実施の形態では、第５の実施の形態と同じ方法によって、検出値θｓを算出する。そのため、本実施の形態によれば、検出値θｓを算出する際に、検出値θＡｓに含まれる第１および第２の角度誤差ｄθ１，ｄθ２中の第１の誤差成分と、検出値θＢｓに含まれる第３および第４の角度誤差ｄθ３，ｄθ４中の第１の誤差成分とが相殺される。なお、第５の実施の形態と同様に、本実施の形態においても、第３の位置と第４の位置は、それぞれ、第１の位置と第２の位置に対して、第１の誤差周期の１／２の奇数倍に相当する量だけずれていればよい。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第４または第５の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、各実施の形態における複数の検出部の配置は一例であり、複数の検出部の配置は、特許請求の範囲に記載された要件を満たす範囲内で種々の変更が可能である。

１…回転磁界センサ、２…磁界発生部、３，４…磁石、５…板部、６…軸部、１０…第１の検出部、１１…第１の検出回路、１２…第２の検出回路、１３…第１の演算回路、１４，１６，２４，２６…ホイートストンブリッジ回路、２０…第２の検出部、２１…第３の検出回路、２２…第４の検出回路、２３…第２の演算回路、３０…第３の演算回路。

また、本発明の回転磁界センサにおいて、第１ないし第４の角度検出値がそれぞれ上記角度誤差を含む場合、誤差周期は、回転磁界の方向の回転の周期の１／２であってもよい。また、第１の角度誤差は、第１の部分磁界の方向の変化に依存して上記誤差周期で変化する成分と、第１の角度検出値の変化に依存して第２の誤差周期で変化する成分とを含んでいてもよい。第２の角度誤差は、第２の部分磁界の方向の変化に依存して上記誤差周期で変化する成分と、第２の角度検出値の変化に依存して第２の誤差周期で変化する成分とを含んでいてもよい。第３の角度誤差は、第３の部分磁界の方向の変化に依存して上記誤差周期で変化する成分と、第３の角度検出値の変化に依存して第２の誤差周期で変化する成分とを含んでいてもよい。第４の角度誤差は、第４の部分磁界の方向の変化に依存して上記誤差周期で変化する成分と、第４の角度検出値の変化に依存して第２の誤差周期で変化する成分とを含んでいてもよい。この場合、第１の角度検出値の位相と第２の角度検出値の位相は、第２の誤差周期の１／２の奇数倍だけ異なり、第３の角度検出値の位相と第４の角度検出値の位相は、第２の誤差周期の１／２の奇数倍だけ異なっていてもよい。

第２の位置は、第２の検出部２０が第２の印加磁界を検出する位置である。本実施の形態では、第２の位置は、円板部５の上面の上方における回転中心Ｃ上の位置であり、第１の位置よりも円板部５の上面に近い位置である。第２の方向Ｄ２は、第２の検出部２０が第２の印加磁界の方向ＤＭ２を表すときの基準の方向である。本実施の形態では、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は、互いに１８０°異なっている。また、本実施の形態では、第２の方向Ｄ２は−Ｙ方向と一致している。第２の印加磁界は、主成分として第２の部分磁界ＭＦ２を含んでいる。第２の印加磁界の方向ＤＭ２と第２の部分磁界ＭＦ２の方向は、図４（ｂ）において時計回り方向に回転するものとする。第２の印加磁界の方向ＤＭ２が第２の方向Ｄ２に対してなす第２の角度を記号θ２で表し、第２の部分磁界ＭＦ２の方向が第２の方向Ｄ２に対してなす角度を記号θ２ｍ（図４（ｂ）では図示せず）で表す。第２の印加磁界の成分が第２の部分磁界ＭＦ２のみであるときには、θ２はθ２ｍと一致する。角度θ２，θ２ｍは、第２の方向Ｄ２から時計回り方向に見たときに正の値で表し、第２の方向Ｄ２から反時計回り方向に見たときに負の値で表す。本実施の形態では、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は互いに１８０°異なり、第１の部分磁界ＭＦ１の方向と第２の部分磁界ＭＦ２の方向も互いに１８０°異なっていることから、角度θ１ｍと角度θ２ｍは等しくなる。

本実施の形態では、第１の印加磁界の方向が第１の方向Ｄ１に対してなす第１の角度θ１の検出値である第１の角度検出値θ１ｓの位相と、第２の印加磁界の方向が第２の方向Ｄ２に対してなす第２の角度θ２の検出値である第２の角度検出値θ２ｓの位相は、π／４（電気角４５°）の奇数倍だけ異なっている。図１４に示した例では、第１の部分磁界ＭＦ１の方向と第２の部分磁界ＭＦ２の方向は１８０°異なり、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２は第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２の回転方向について２２５°異なっていることから、第１の角度検出値θ１ｓと第２の角度検出値θ２ｓの位相は、π／４（電気角４５°）だけ異なる。この場合、第３の演算回路３０は、下記の式（７）によって、基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する検出値θｓを算出する。

また、本実施の形態によれば、回転磁界センサ１２１に対して外部から、回転磁界以外のノイズ磁界Ｈ_extが印加された場合であっても、ノイズ磁界Ｈ_extに起因した検出値θＡｓ，θＢｓの誤差を低減することが可能になる。以下、これについて詳しく説明する。ノイズ磁界Ｈ_extが印加された場合には、第１の印加磁界は、第１の部分磁界ＭＦ１とノイズ磁界Ｈ_extとの合成磁界になり、第２の印加磁界は、第２の部分磁界ＭＦ２とノイズ磁界Ｈ_extとの合成磁界になる。前述のように、第３の演算回路３０Ａにおける検出値θＡｓの算出方法は、第１の実施の形態における検出値θｓの算出方法と同じである。従って、第１の実施の形態で説明したように、ノイズ磁界Ｈ_extに起因して生じる第１の角度検出値θ１ｓの第１のノイズ誤差と、ノイズ磁界Ｈ_extに起因して生じる第２の角度検出値θ２ｓの第２のノイズ誤差は、正負の符号が反対の値になる。そのため、本実施の形態によれば、第１の実施の形態における説明と同じ理由によって、ノイズ磁界Ｈ_extに起因した検出値θＡｓの誤差を低減することが可能になる。

始めに、図２５を参照して、本実施の形態に係る回転磁界センサ１４１の構成について説明する。図２５は、本実施の形態に係る回転磁界センサ１４１の概略の構成を示す斜視図である。回転磁界センサ１４１の構成は、基本的には、図１９に示した第５の実施の形態に係る回転磁界センサ１２１と同じである。本実施の形態では、第１の検出部１０Ａが第１の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第１の方向Ｄ１と、第２の検出部２０Ａが第２の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第２の方向Ｄ２は、第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２の回転方向について、４５°の奇数倍だけ異なっている。同様に、第３の検出部１０Ｂが第３の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第３の方向Ｄ３と、第４の検出部２０Ｂが第４の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第４の方向Ｄ４は、第３および第４の部分磁界ＭＦ３，ＭＦ４の回転方向について、４５°の奇数倍だけ異なっている。これを実現するために、図２５に示した例では、第２および第４の検出部２０Ａ，２０Ｂの姿勢を、図１９に示した状態と異ならせている。図２５に示した例では、第２および第４の検出部２０Ａ，２０Ｂは、それぞれ、図１９に示した状態から、回転中心Ｃに垂直な仮想の平面内において、検出部２０Ａ，２０Ｂのそれぞれの中心を通り回転中心Ｃに平行な軸を中心として４５°回転した姿勢で配置されている。第１および第３の検出部１０Ａ，１０Ｂの姿勢は、図１９に示した状態と同じである。

図２５および図２６に示した例では、第１の検出部１０Ａが第１の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第１の方向Ｄ１と、第２の検出部２０Ａが第２の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第２の方向Ｄ２は、第１および第２の部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２の回転方向について、４５°の奇数倍だけ異なっている。そのため、第４の実施の形態で説明したように、第１の印加磁界の方向が第１の方向Ｄ１に対してなす第１の角度θ１の検出値である第１の角度検出値θ１ｓの位相と、第２の印加磁界の方向が第２の方向Ｄ２に対してなす第２の角度θ２の検出値である第２の角度検出値θ２ｓの位相は、π／４（電気角４５°）の奇数倍だけ異なっている。

同様に、第３の検出部１０Ｂが第３の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第３の方向Ｄ３と、第４の検出部２０Ｂが第４の印加磁界の方向を表すときの基準の方向である第４の方向Ｄ４は、第３および第４の部分磁界ＭＦ３，ＭＦ４の回転方向について、４５°の奇数倍だけ異なっている。そのため、第４の実施の形態で説明したように、第３の印加磁界の方向が第３の方向Ｄ３に対してなす第３の角度θ３の検出値である第３の角度検出値θ３ｓの位相と、第４の印加磁界の方向が第４の方向Ｄ４に対してなす第４の角度θ４の検出値である第４の角度検出値θ４ｓの位相は、π／４（電気角４５°）の奇数倍だけ異なっている。

Claims (17)

1. 基準位置における回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度を検出する回転磁界センサであって、
   前記回転磁界であって、第１の位置における第１の部分磁界と第２の位置における第２の部分磁界とを含み、第１の部分磁界と第２の部分磁界は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ同じ回転方向に回転するものである回転磁界を発生する磁界発生部と、
   前記第１の位置において、主成分として前記第１の部分磁界を含む第１の印加磁界の方向が第１の方向に対してなす第１の角度を検出するための第１の検出部と、
   前記第２の位置において、主成分として前記第２の部分磁界を含む第２の印加磁界の方向が第２の方向に対してなす第２の角度を検出するための第２の検出部とを備え、
   前記第１の検出部は、それぞれ、少なくとも１つの磁気検出素子を含み、前記第１の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する第１および第２の検出回路と、前記第１および第２の検出回路の出力信号に基づいて前記第１の角度の検出値である第１の角度検出値を算出する第１の演算回路とを有し、
   前記第２の検出部は、それぞれ、少なくとも１つの磁気検出素子を含み、前記第２の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する第３および第４の検出回路と、前記第３および第４の検出回路の出力信号に基づいて前記第２の角度の検出値である第２の角度検出値を算出する第２の演算回路とを有し、
   前記第１ないし第４の検出回路の出力信号は、周期が互いに等しく、
   前記第２の検出回路の出力信号の位相は、前記第１の検出回路の出力信号の位相に対して、前記周期の１／４の奇数倍だけ異なり、
   前記第４の検出回路の出力信号の位相は、前記第３の検出回路の出力信号の位相に対して、前記周期の１／４の奇数倍だけ異なり、
   回転磁界センサは、更に、前記第１の角度検出値と第２の角度検出値とに基づいて、前記基準位置における前記回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する検出値を算出する第３の演算回路を備えたことを特徴とする回転磁界センサ。
2. 前記回転磁界センサに対して外部から、前記回転磁界以外のノイズ磁界が印加され、
   前記第１の印加磁界は、前記第１の部分磁界と前記ノイズ磁界との合成磁界であり、
   前記第２の印加磁界は、前記第２の部分磁界と前記ノイズ磁界との合成磁界であることを特徴とする請求項１記載の回転磁界センサ。
3. 前記第１の方向と第２の方向は、互いに１８０°異なることを特徴とする請求項１または２記載の回転磁界センサ。
4. 前記第１ないし第４の検出回路は、それぞれ、前記少なくとも１つの磁気検出素子として、直列に接続された一対の磁気検出素子を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の回転磁界センサ。
5. 前記第１ないし第４の検出回路は、それぞれ、直列に接続された第１の対の磁気検出素子と、直列に接続された第２の対の磁気検出素子とを含むホイートストンブリッジ回路を有することを特徴とする請求項４記載の回転磁界センサ。
6. 前記磁気検出素子は磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項４または５記載の回転磁界センサ。
7. 前記磁気抵抗効果素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、印加される磁界の方向に応じて磁化の方向が変化する自由層と、前記磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有することを特徴とする請求項６記載の回転磁界センサ。
8. 前記第２の検出回路における磁気抵抗効果素子の磁化固定層の磁化方向は、前記第１の検出回路における磁気抵抗効果素子の磁化固定層の磁化方向に直交し、
   前記第４の検出回路における磁気抵抗効果素子の磁化固定層の磁化方向は、前記第３の検出回路における磁気抵抗効果素子の磁化固定層の磁化方向に直交していることを特徴とする請求項７記載の回転磁界センサ。
9. 前記第１の角度検出値は、前記第１の印加磁界の成分が前記第１の部分磁界のみであって、前記第１の部分磁界の方向が理想的に回転する場合に想定される前記第１の角度の理論値に対する第１の角度誤差を含み、
   前記第２の角度検出値は、前記第２の印加磁界の成分が前記第２の部分磁界のみであって、前記第２の部分磁界の方向が理想的に回転する場合に想定される前記第２の角度の理論値に対する第２の角度誤差を含み、
   前記第１の角度誤差と第２の角度誤差は、前記第１および第２の部分磁界の方向の変化に伴って互いに等しい誤差周期で周期的に変化し、且つ前記第１の角度誤差の変化は前記第１の角度検出値の変化に依存し、前記第２の角度誤差の変化は前記第２の角度検出値の変化に依存し、
   前記第１の角度検出値の位相と前記第２の角度検出値の位相は、前記誤差周期の１／２の奇数倍だけ異なることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の回転磁界センサ。
10. 前記第１の方向と第２の方向は、前記第１および第２の部分磁界の回転方向について、前記誤差周期の１／２の奇数倍だけ異なることを特徴とする請求項９記載の回転磁界センサ。
11. 前記誤差周期は、各検出回路の出力信号の周期の１／４であることを特徴とする請求項９または１０記載の回転磁界センサ。
12. 前記回転磁界は、更に、第３の位置における第３の部分磁界と第４の位置における第４の部分磁界とを含み、第３の部分磁界と第４の部分磁界は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ前記第１および第２の部分磁界と同じ回転方向に回転するものであり、
    回転磁界センサは、更に、
    前記第３の位置において、主成分として前記第３の部分磁界を含む第３の印加磁界の方向が第３の方向に対してなす第３の角度を検出するための第３の検出部と、
    前記第４の位置において、主成分として前記第４の部分磁界を含む第４の印加磁界の方向が第４の方向に対してなす第４の角度を検出するための第４の検出部とを備え、
    前記第３の検出部は、それぞれ、少なくとも１つの磁気検出素子を含み、前記第３の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する第５および第６の検出回路と、前記第５および第６の検出回路の出力信号に基づいて前記第３の角度の検出値である第３の角度検出値を算出する第４の演算回路とを有し、
    前記第４の検出部は、それぞれ、少なくとも１つの磁気検出素子を含み、前記第４の印加磁界の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する第７および第８の検出回路と、前記第７および第８の検出回路の出力信号に基づいて前記第４の角度の検出値である第４の角度検出値を算出する第５の演算回路とを有し、
    前記第１ないし第８の検出回路の出力信号は、周期が互いに等しく、
    前記第６の検出回路の出力信号の位相は、前記第５の検出回路の出力信号の位相に対して、前記周期の１／４の奇数倍だけ異なり、
    前記第８の検出回路の出力信号の位相は、前記第７の検出回路の出力信号の位相に対して、前記周期の１／４の奇数倍だけ異なり、
    回転磁界センサは、更に、
    前記第３の角度検出値と第４の角度検出値とに基づいて、前記基準位置における前記回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する検出値を算出する第６の演算回路と、
    前記第３の演算回路によって算出された検出値と、前記第６の演算回路によって算出された検出値とに基づいて、前記基準位置における前記回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度の検出値を算出する第７の演算回路とを備えたことを特徴とする請求項１記載の回転磁界センサ。
13. 前記回転磁界センサに対して外部から、前記回転磁界以外のノイズ磁界が印加され、
    前記第１の印加磁界は、前記第１の部分磁界と前記ノイズ磁界との合成磁界であり、
    前記第２の印加磁界は、前記第２の部分磁界と前記ノイズ磁界との合成磁界であり、
    前記第３の印加磁界は、前記第３の部分磁界と前記ノイズ磁界との合成磁界であり、
    前記第４の印加磁界は、前記第４の部分磁界と前記ノイズ磁界との合成磁界であることを特徴とする請求項１２記載の回転磁界センサ。
14. 前記第１の方向と第２の方向は互いに１８０°異なり、前記第３の方向と第４の方向は互いに１８０°異なることを特徴とする請求項１２または１３記載の回転磁界センサ。
15. 前記第１の角度検出値は、前記第１の印加磁界の成分が前記第１の部分磁界のみであって、前記第１の部分磁界の方向が理想的に回転する場合に想定される前記第１の角度の理論値に対する第１の角度誤差を含み、
    前記第２の角度検出値は、前記第２の印加磁界の成分が前記第２の部分磁界のみであって、前記第２の部分磁界の方向が理想的に回転する場合に想定される前記第２の角度の理論値に対する第２の角度誤差を含み、
    前記第３の角度検出値は、前記第３の印加磁界の成分が前記第３の部分磁界のみであって、前記第３の部分磁界の方向が理想的に回転する場合に想定される前記第３の角度の理論値に対する第３の角度誤差を含み、
    前記第４の角度検出値は、前記第４の印加磁界の成分が前記第４の部分磁界のみであって、前記第４の部分磁界の方向が理想的に回転する場合に想定される前記第４の角度の理論値に対する第４の角度誤差を含み、
    前記第１ないし第４の角度誤差は、前記第１ないし第４の部分磁界の方向の変化に伴って互いに等しい誤差周期で周期的に変化し、且つ前記第１ないし第４の角度誤差の変化は、それぞれ前記第１ないし第４の部分磁界の方向の変化に依存し、
    前記第３の位置と第４の位置は、それぞれ、前記第１の位置と第２の位置に対して、前記誤差周期の１／２の奇数倍に相当する量だけずれていることを特徴とする請求項１２ないし１４のいずれかに記載の回転磁界センサ。
16. 前記誤差周期は、前記回転磁界の方向の回転の周期の１／２であることを特徴とする請求項１５記載の回転磁界センサ。
17. 前記第１の角度誤差は、前記第１の部分磁界の方向の変化に依存して前記誤差周期で変化する成分と、前記第１の角度検出値の変化に依存して第２の誤差周期で変化する成分とを含み、
    前記第２の角度誤差は、前記第２の部分磁界の方向の変化に依存して前記誤差周期で変化する成分と、前記第２の角度検出値の変化に依存して前記第２の誤差周期で変化する成分とを含み、
    前記第３の角度誤差は、前記第３の部分磁界の方向の変化に依存して前記誤差周期で変化する成分と、前記第３の角度検出値の変化に依存して前記第２の誤差周期で変化する成分とを含み、
    前記第４の角度誤差は、前記第４の部分磁界の方向の変化に依存して前記誤差周期で変化する成分と、前記第４の角度検出値の変化に依存して前記第２の誤差周期で変化する成分とを含み、
    前記第１の角度検出値の位相と前記第２の角度検出値の位相は、前記第２の誤差周期の１／２の奇数倍だけ異なり、
    前記第３の角度検出値の位相と前記第４の角度検出値の位相は、前記第２の誤差周期の１／２の奇数倍だけ異なることを特徴とする請求項１５または１６記載の回転磁界センサ。

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