JP2012028803A - 強度変化の補償を伴う投影系及びそのための補償素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】投影対物レンズの物体面上に配置されたパターンを投影対物レンズの像面上に結像するための投影対物レンズにおいて、基板を有する少なくとも1つ光学構成部品が設けられ、少なくとも1つの基板表面がその光学構成部品の有効断面全体にわたって反射率及び/又は透過率の空間変調が大きい干渉層システムで覆われ、その変調を投影対物レンズの残りの構成部品の空間透過率分布に適応させて、ひとみ面上で測定された放射光の強度分布が、干渉層システムを備えない投影対物レンズに比べて相当に減少した空間変調を有する。
【選択図】図1
Description
T(L)=e-αL
によれば、透過強度は、吸収率α及び横行した距離Lとともに指数関数的に減少する。その結果、視野位置に応じてひとみ全体に不均一な透過が生じる。
Δl=(1−10-K・Δd)[%]
をもたらす。
SiO2:k=0.0015/cm
H2O:k=0.038/cm
BaF2:k−0.03/cm
特に水H2Oは、CaF2の20倍の吸収性を有する。
これらのフィルタは、位置依存効果を有し、これは、少なくとも適正な概算では、入射角に関係ない。したがって、それらはひとみ内のひとみに、また視野内の視野に作用する。中間領域において、それらはある平面の副ひとみに作用する。
これらのフィルタは、角度依存効果を有し、これは、少なくとも適正な概算では、位置に関係ない。したがって、それらはひとみ内の視野に、また視野内のひとみに作用する。
これらのフィルタは、空間変化型フィルタと角度変化型フィルタとの重なり合いから生じる効果を有する。
ここではたとえば回転対称浸漬媒質について、分析計算を行う。吸収の視野依存性自体が回転対称的であるので、回転対称フィルタ素子だけが必要であるとも言える。したがって、視野点変化は、x方向にだけに起きる(図13bを参照)。
吸収物質及びそれから作製された光学素子の透過挙動でも、投影露光装置の使用に伴って変化する。この変化は、シミュレーション又は測定により、好ましくはパラメータβによって説明されることができ、特にβ=α又はβ=Kが当てはまるであろう。したがって、パラメータβは、浸漬媒質の、新しくシミュレートされた、又は測定された透過指数、又は浸漬媒質の新しく測定された吸収係数Kである。
透過挙動に関する同様な問題部分は、使用される他の光学的有効素子の透過挙動と大きく異なる、すなわち大量に吸収する、具体的には一桁分又は複数桁分までも大量に吸収する透過挙動を示す光学的有効素子を含むいずれの投影露光装置にも発生する。浸漬媒質の伝統的な概念を以上に使用したのは、より理解しやすくするためだけである。本発明の保護範囲をいずれの意味でも制限するつもりはない。
Claims (23)
- 照明系及び投影対物レンズを有する投影露光装置であって、投影対物レンズが、光学的有効吸収素子を含み、この光学的有効吸収素子が位置付けられている位置において、各々が物体位置から生じている上側開口光線及び下側開口光線の光路長が、光学的有効吸収素子の領域で異なっていることにより、射出瞳において強度差を発生させており、投影露光装置が、コントラストの改善に効果的な空間変化型フィルタ素子を備え、
前記フィルタ素子は、前記投影対物レンズの視野面の近傍でも、瞳面の近傍でもなく、前記投影対物レンズの中間領域に位置するか、若しくは、前記投影対物レンズの視野面近傍に位置する、投影露光装置。 - 前記フィルタ素子が、視野及びひとみにわたる透過を有し、これが前記光学的有効吸収素子によって生じる透過プロファイルに関して反対に延在している、請求項1に記載の投影露光装置。
- 前記光学的有効吸収素子が、屈折率n>1.6、好ましくはn>1.8、又はさらにn>1.9である、請求項1又は2に記載の投影露光装置。
- 光学的有効吸収素子が、投影対物レンズの像面に面する表面を有し、その表面が平坦であり、その表面の像面からの距離が投影光の波長λの4倍より短く又はさらに波長λより短い、請求項1〜3のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 投影対物レンズの像側幾何学的開口Aが、0.6を超える、特に0.75又はさらに0.85を超える値を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 投影対物レンズの像側開口数NAが、0.9を超える、特に1.1又はさらに1.3を超える値を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 前記光学的有効吸収素子が、液体又は固体である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 前記光学的有効吸収素子が、像面の前の最後の光学的有効吸収素子である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 前記光学的有効吸収素子が、液浸対物レンズの液体レンズである、請求項1〜8のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 液体が水である、請求項7〜9のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 液体レンズの、物体面に面する側が、平面である、請求項9〜10のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 液体レンズの、物体面に面する側が、凸状である、請求項9〜10のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 前記フィルタ素子が、照明系又は投影対物レンズに取り付けられている請求項1〜12のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 少なくとも1つのフィルタ素子が、照明系内に位置しており、このフィルタ素子が、照明系に関連する第2投影対物レンズの視野面の近傍に位置する空間変化型のものである、請求項13に記載の投影露光装置。
- 前記フィルタ素子が、照明系からの光又は投影光に対して光学的に有効な表面上に層プロファイルで生成されていて、前記空間変化型フィルタ素子が、空間変化型の透過を有する層によって生成されている、請求項13又は14に記載の投影露光装置。
- 少なくとも1つのフィルタ素子が、ニュートラルフィルタ構成部品を有する、請求項13〜15のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 投影露光装置が、ニュートラルフィルタ構成部品によって吸収された熱を補償するための装置を有する、請求項16に記載の投影露光装置。
- 層の少なくとも1つが、少なくとも部分的に反射性である、請求項15〜17のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 投影露光装置が、部分的に反射する層によって生成された外来光を、補償するための装置を有する、請求項18に記載の投影露光装置。
- 少なくとも1つのフィルタ素子が、交換可能又は挿入可能である、請求項13〜19のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 投影露光装置が、第2光学的有効素子を有し、この第2光学的有効素子が、前記フィルタ素子の交換又は挿入から生じる像エラーの第2補正に寄与する、請求項20に記載の投影露光装置。
- 第2光学的有効素子による第2補正が、前記素子の位置の変更又は前記素子の形の変更によって生じている、請求項21に記載の投影露光装置。
- 第2光学的有効素子の形の変更が、前記素子の表面の材料の除去によって、又は前記素子に対する若しくは素子内部での力の作用によって生じている、請求項22に記載の投影露光装置。
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US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2005076321A1 (ja) | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
WO2005119368A2 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
ATE441937T1 (de) | 2004-07-12 | 2009-09-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren |
JP4599936B2 (ja) | 2004-08-17 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7397533B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2506289A3 (en) | 2005-01-31 | 2013-05-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102005041938A1 (de) * | 2005-09-03 | 2007-03-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
US7629572B2 (en) * | 2005-10-28 | 2009-12-08 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Optical devices and related systems and methods |
US7518797B2 (en) | 2005-12-02 | 2009-04-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic exposure apparatus |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006013459A1 (de) * | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zur Übertragung von Strukturelementen einer Photomaske auf ein Substrat und Verfahren zur Übertragung von Strukturelementen einer Photomaske auf ein Substrat |
DE102006021797A1 (de) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
EP1930771A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-11 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objectives having mirror elements with reflective coatings |
CN101578542B (zh) | 2006-12-28 | 2011-06-08 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 具有倾斜偏转镜的折反射投射物镜、投射曝光设备、投射曝光方法以及镜 |
DE102007023411A1 (de) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element, Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie mit mindestens einem derartigen optischen Element sowie Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
KR101440652B1 (ko) | 2007-01-30 | 2014-09-22 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템 |
JP5165700B2 (ja) | 2007-02-28 | 2013-03-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 瞳補正を有する反射屈折投影対物系 |
WO2008119794A1 (en) * | 2007-04-03 | 2008-10-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system, in particular illumination device or projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus |
US7929115B2 (en) * | 2007-06-01 | 2011-04-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective and projection exposure apparatus for microlithography |
US7817250B2 (en) | 2007-07-18 | 2010-10-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus |
WO2009013230A1 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus |
KR101393912B1 (ko) | 2007-08-20 | 2014-05-12 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사 코팅을 갖는 미러 소자들을 구비하는 투영 대물렌즈 |
JP5097166B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
JP5473350B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2014-04-16 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
DE102009047179B8 (de) | 2009-11-26 | 2016-08-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv |
DE102011084152A1 (de) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Einstellung der Intensitätsverteilung in einem optischen System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie optisches System |
DE102012205615A1 (de) | 2012-04-04 | 2013-10-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beschichtungsverfahren, Beschichtungsanlage und optisches Element mit Beschichtung |
JP6069919B2 (ja) | 2012-07-11 | 2017-02-01 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法 |
JP5746259B2 (ja) * | 2013-05-07 | 2015-07-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射コーティングを備えたミラー要素を有する投影対物系 |
KR102030100B1 (ko) | 2015-03-05 | 2019-10-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검사와 계측을 위한 방법 및 장치 |
DE102016212373A1 (de) | 2016-07-07 | 2018-01-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017202802A1 (de) * | 2017-02-21 | 2018-08-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Objektiv und optisches System mit einem solchen Objektiv |
DE102017208340A1 (de) | 2017-05-17 | 2018-11-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsobjektiv mit Einstellung der Pupillentransmission |
JP7253717B2 (ja) * | 2019-05-30 | 2023-04-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 投影装置及びヘッドアップディスプレイ |
JP7402702B2 (ja) * | 2020-01-31 | 2023-12-21 | リコーインダストリアルソリューションズ株式会社 | 結像光学系および画像表示装置および撮像装置 |
Citations (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0778753A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JPH07211617A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Hitachi Ltd | パターン形成方法,マスク、及び投影露光装置 |
JPH07294819A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Nikon Corp | 反射屈折投影光学系 |
JPH0862502A (ja) * | 1994-08-23 | 1996-03-08 | Nikon Corp | 反射屈折縮小投影光学系 |
JPH08316125A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JPH10303127A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-11-13 | Canon Inc | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
JPH1138323A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Nikon Corp | 反射光学系及び露光装置 |
JPH11271680A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-10-08 | Carl Zeiss:Fa | 偏光補償器を有する光学系 |
JP2000058436A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2000331927A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-11-30 | Canon Inc | 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置 |
JP2001015431A (ja) * | 1999-06-26 | 2001-01-19 | Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss | 対物レンズ、特に、半導体リソグラフィー投影露光装置の対物レンズ、およびその製造方法 |
JP2001053002A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-02-23 | Carl Zeiss:Fa | 真空紫外線用光学システム |
JP2001168000A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、および該製造方法によって製造された露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法 |
JP2001237165A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2003504861A (ja) * | 1999-07-01 | 2003-02-04 | エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ | 空間濾波による画像向上装置および方法 |
JP2003077827A (ja) * | 2001-05-19 | 2003-03-14 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | マイクロリソグラフィ照明方法およびその方法を実行するための投影レンズ |
JP2003519401A (ja) * | 1999-12-23 | 2003-06-17 | エイエスエムエル ユーエス, インコーポレイテッド | フッ化カルシウム(CaF2)ストレスプレートおよびそれを作製する方法 |
JP2003177319A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-06-27 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Euvフォトリソグラフィ用の反射投影レンズ |
WO2004019128A2 (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
JP2004526331A (ja) * | 2001-05-15 | 2004-08-26 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | フッ化物結晶レンズを含む対物レンズ |
JP2004529393A (ja) * | 2001-06-13 | 2004-09-24 | フンダソン・デ・アンパロ・ア・ペスキサ・ド・エスタド・デ・サンパウロ | フル・コンプレックス変調を伴う光学的要素 |
JP2004535603A (ja) * | 2001-07-18 | 2004-11-25 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 結晶レンズを備えた対物レンズにおける複屈折の補正 |
JP2004335746A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2005508018A (ja) * | 2001-10-30 | 2005-03-24 | アプティカル リサーチ アソシエイツ | 光学系における収差を軽減する構造及び方法 |
JP2005519348A (ja) * | 2002-03-08 | 2005-06-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 液浸リソグラフィ用の屈折投影対物レンズ |
JP2005521227A (ja) * | 2001-06-01 | 2005-07-14 | エイエスエムエル ネザランドス ベスローテン フェンノートシャップ | 立方晶系光学系における複屈折の補正 |
JP2005191381A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005195713A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2005235921A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 光学系の調整方法、結像光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2005530333A (ja) * | 2002-03-06 | 2005-10-06 | コーニング トローペル コーポレイション | 放射対称複屈折のための補償器 |
JP2005531021A (ja) * | 2002-06-25 | 2005-10-13 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 反射屈折縮小対物レンズ |
JP2007520893A (ja) * | 2004-02-03 | 2007-07-26 | ロチェスター インスティテュート オブ テクノロジー | 流体を使用したフォトリソグラフィ法及びそのシステム |
JP2007529762A (ja) * | 2003-12-19 | 2007-10-25 | カール ツァイス エスエムテー アクチエンゲゼルシャフト | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
JP2007538277A (ja) * | 2004-05-17 | 2007-12-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 中間像を有するカタジオプトリック投影対物レンズ |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0023231B1 (de) * | 1979-07-27 | 1982-08-11 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US5222112A (en) | 1990-12-27 | 1993-06-22 | Hitachi, Ltd. | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system |
US5333166A (en) | 1992-08-28 | 1994-07-26 | Intel Corporation | Self-apodizing collimator for x-ray lithography |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US6104945A (en) * | 1995-08-01 | 2000-08-15 | Medispectra, Inc. | Spectral volume microprobe arrays |
US20010041843A1 (en) | 1999-02-02 | 2001-11-15 | Mark Modell | Spectral volume microprobe arrays |
US6243203B1 (en) * | 1998-04-24 | 2001-06-05 | U.S. Philips Corporation | Optical system with anti-reflection coating |
US6480330B1 (en) * | 2000-02-24 | 2002-11-12 | Silicon Valley Group, Inc. | Ultraviolet polarization beam splitter for microlithography |
KR100379246B1 (ko) * | 2000-07-12 | 2003-04-08 | 한국과학기술연구원 | 두께에 따라 빔의 세기 분포 조절이 용이한 연속 중성밀도필터 |
US20020089758A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Optical component thickness adjustment method, optical component, and position adjustment method for optical component |
JP4929529B2 (ja) | 2001-03-27 | 2012-05-09 | 株式会社ニコン | 光学系の製造方法、および該製造方法で製造された光学系を備えた露光装置 |
US6862398B2 (en) * | 2001-03-30 | 2005-03-01 | Texas Instruments Incorporated | System for directed molecular interaction in surface plasmon resonance analysis |
US20030081722A1 (en) | 2001-08-27 | 2003-05-01 | Nikon Corporation | Multilayer-film mirrors for use in extreme UV optical systems, and methods for manufacturing such mirrors exhibiting improved wave aberrations |
JP2003266011A (ja) | 2001-09-17 | 2003-09-24 | Cark Zeiss Smt Ag | 光学部材用の基板の塗布方法および塗布装置 |
DE10237430A1 (de) | 2001-09-17 | 2003-04-03 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Verfahren und Beschichtungsanlage zum Beschichten von Substraten für optische Komponenten |
JP4016179B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-12-05 | ソニー株式会社 | 露光装置及び収束レンズの制御方法 |
DE10218989A1 (de) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsverfahren und Projektionssystem mit optischer Filterung |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
DE60308161T2 (de) * | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
-
2005
- 2005-06-03 US US11/628,356 patent/US8605257B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-03 KR KR1020117023187A patent/KR101248328B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-06-03 WO PCT/EP2005/005979 patent/WO2005119369A1/en active Application Filing
- 2005-06-03 EP EP05746777A patent/EP1759248A1/en not_active Withdrawn
- 2005-06-03 JP JP2007513861A patent/JP4913041B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-03 KR KR1020077000237A patent/KR101199076B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-09-22 JP JP2011207458A patent/JP5134716B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0778753A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JPH07211617A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Hitachi Ltd | パターン形成方法,マスク、及び投影露光装置 |
JPH07294819A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Nikon Corp | 反射屈折投影光学系 |
JPH0862502A (ja) * | 1994-08-23 | 1996-03-08 | Nikon Corp | 反射屈折縮小投影光学系 |
JPH08316125A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH10303127A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-11-13 | Canon Inc | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JPH1138323A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Nikon Corp | 反射光学系及び露光装置 |
JPH11271680A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-10-08 | Carl Zeiss:Fa | 偏光補償器を有する光学系 |
JP2000058436A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2000331927A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-11-30 | Canon Inc | 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置 |
JP2001015431A (ja) * | 1999-06-26 | 2001-01-19 | Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss | 対物レンズ、特に、半導体リソグラフィー投影露光装置の対物レンズ、およびその製造方法 |
JP2003504861A (ja) * | 1999-07-01 | 2003-02-04 | エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ | 空間濾波による画像向上装置および方法 |
JP2001053002A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-02-23 | Carl Zeiss:Fa | 真空紫外線用光学システム |
JP2001168000A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、および該製造方法によって製造された露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法 |
JP2003519401A (ja) * | 1999-12-23 | 2003-06-17 | エイエスエムエル ユーエス, インコーポレイテッド | フッ化カルシウム(CaF2)ストレスプレートおよびそれを作製する方法 |
JP2001237165A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2004526331A (ja) * | 2001-05-15 | 2004-08-26 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | フッ化物結晶レンズを含む対物レンズ |
JP2003077827A (ja) * | 2001-05-19 | 2003-03-14 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | マイクロリソグラフィ照明方法およびその方法を実行するための投影レンズ |
JP2005521227A (ja) * | 2001-06-01 | 2005-07-14 | エイエスエムエル ネザランドス ベスローテン フェンノートシャップ | 立方晶系光学系における複屈折の補正 |
JP2004529393A (ja) * | 2001-06-13 | 2004-09-24 | フンダソン・デ・アンパロ・ア・ペスキサ・ド・エスタド・デ・サンパウロ | フル・コンプレックス変調を伴う光学的要素 |
JP2004535603A (ja) * | 2001-07-18 | 2004-11-25 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 結晶レンズを備えた対物レンズにおける複屈折の補正 |
JP2003177319A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-06-27 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Euvフォトリソグラフィ用の反射投影レンズ |
JP2005508018A (ja) * | 2001-10-30 | 2005-03-24 | アプティカル リサーチ アソシエイツ | 光学系における収差を軽減する構造及び方法 |
JP2005530333A (ja) * | 2002-03-06 | 2005-10-06 | コーニング トローペル コーポレイション | 放射対称複屈折のための補償器 |
JP2005519348A (ja) * | 2002-03-08 | 2005-06-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 液浸リソグラフィ用の屈折投影対物レンズ |
JP2005531021A (ja) * | 2002-06-25 | 2005-10-13 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 反射屈折縮小対物レンズ |
JP2005536775A (ja) * | 2002-08-23 | 2005-12-02 | 株式会社ニコン | 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法 |
WO2004019128A2 (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
JP2004335746A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2007529762A (ja) * | 2003-12-19 | 2007-10-25 | カール ツァイス エスエムテー アクチエンゲゼルシャフト | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
JP2005191381A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005195713A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2007520893A (ja) * | 2004-02-03 | 2007-07-26 | ロチェスター インスティテュート オブ テクノロジー | 流体を使用したフォトリソグラフィ法及びそのシステム |
JP2005235921A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 光学系の調整方法、結像光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2007538277A (ja) * | 2004-05-17 | 2007-12-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 中間像を有するカタジオプトリック投影対物レンズ |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN5007009443; D.L.WINDT: J.VAC.SCI.TECHNOL.B V12 N6, 199411, P3826-3832 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101248328B1 (ko) | 2013-04-01 |
JP4913041B2 (ja) | 2012-04-11 |
KR101199076B1 (ko) | 2012-11-07 |
KR20070041497A (ko) | 2007-04-18 |
JP5134716B2 (ja) | 2013-01-30 |
JP2008502127A (ja) | 2008-01-24 |
US20080094599A1 (en) | 2008-04-24 |
US8605257B2 (en) | 2013-12-10 |
WO2005119369A1 (en) | 2005-12-15 |
EP1759248A1 (en) | 2007-03-07 |
KR20110123792A (ko) | 2011-11-15 |
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---|---|---|
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JP2008502127A5 (ja) | ||
KR100549776B1 (ko) | 공간필터링을 통한 이미지향상의 장치 및 방법 | |
EP2177934B1 (en) | High transmission, high aperture catadioptric projection objective and projection exposure apparatus | |
US6898011B2 (en) | Multi-layered film reflector manufacturing method | |
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US8441613B2 (en) | Projection objective and projection exposure apparatus for microlithography | |
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