TWI554839B - 微影投射曝光裝置之照明系統 - Google Patents

微影投射曝光裝置之照明系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI554839B
TWI554839B TW100115724A TW100115724A TWI554839B TW I554839 B TWI554839 B TW I554839B TW 100115724 A TW100115724 A TW 100115724A TW 100115724 A TW100115724 A TW 100115724A TW I554839 B TWI554839 B TW I554839B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
pass
double
illumination system
projected
Prior art date
Application number
TW100115724A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201216006A (en
Inventor
馬可斯 帝俊瑟
戴米安 費歐卡
葛哈德 威爾漢 吉格勒
Original Assignee
卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 filed Critical 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司
Publication of TW201216006A publication Critical patent/TW201216006A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI554839B publication Critical patent/TWI554839B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08—Catadioptric systems
    • G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70941—Stray fields and charges, e.g. stray light, scattered light, flare, transmission loss

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Description

微影投射曝光裝置之照明系統
本發明一般關於微影投射曝光裝置之照明系統，尤其是關於包含用做為空間光調變器(spatial light modulator)之反射元件(reflective element)之陣列的照明系統。
微影(亦稱為光學微影或簡稱為微影)為製造積體電路、液晶顯示器、以及其他微結構裝置之技術。微影製程配合蝕刻製程是用於圖案化(pattern)形成於基板(例如矽晶圓)上之薄膜堆疊(thin film stack)的特徵(feature)。於製造各層時，晶圓首先塗佈光阻(photoresist)，其中光阻為對輻射敏感的材料，而輻射如深紫外線光(deep ultraviolet，DUV)或極紫外線光(extreme ultraviolet，EUV)。接著，頂部具有光阻的晶圓於投射曝光裝置中曝光於投射光。此裝置將含有圖案之光罩(mask)投射到光阻上，使得僅在某些由光罩圖案所決定的位置曝光光阻。曝光後，顯影光阻，而產生對應光罩圖案的影像。然後，蝕刻製程將圖案轉移到晶圓上的薄膜堆疊。最後，移除光阻。以不同的光罩重複這樣的製程，造成多層微結構的組件。
投射曝光裝置典型包含照射光罩的照明系統、對準光罩的光罩台(mask stage)、投射物鏡(projection objective)、以及對準塗有光阻之晶圓的晶圓台(wafer alignment stage)。照明系統照射光罩上可具有例如矩形或曲形狹縫的場。
理想上，照明系統以具有良好界定的強度(intensity)與角分布(angular distribution)之投射光來照射光罩上之照射場的各點。角分布一詞描述朝光罩上特定點聚集之光束的光能量，在構成光束之各方向的光線中是如何的分布。
照射到光罩之投射光的角分布通常配合要投射到光阻的圖案種類。舉例而言，相對較大尺寸的特徵可能需要與小尺寸特徵不同的角分布。投射光最常用的角分布為傳統、環形、雙極、以及四極照射設定(illumination setting)。這些用語指涉照明系統之系統瞳表面(system pupil surface)中的強度分布。例如，以環形照射設定而言，在系統瞳表面中僅照射環形區域。因此，在投射光的角分布中僅有小範圍的角度，所以所有光線以類似的角度傾斜地照射到光罩。
先前技術已知有不同方法來修改光罩平面中投射光的角分布，而達到所需的照射設定。為了達到在光罩平面(mask plane)產生不同角分布的最大靈活性(flexibility)，已提出使用反射鏡陣列(mirror array)或其他的空間光調變器來照射瞳表面。
於EP 1 262 836 A1中，反射鏡陣列實施成微機電系統(micro-electromechanical system，MEMS)，其包含超過1000個顯微反射鏡(microscopic mirror)。各反射鏡可繞兩個正交傾斜軸傾斜。因此，照到此類反射鏡裝置的輻射幾乎可反射到半球的任何期望方向。設置在反射鏡陣列與瞳表面間的聚光器透鏡(condenser lens)，將反射鏡所產生的反射角轉譯(translate)成瞳表面中的位置。此已知的照明系統可以複數個光點來照射瞳表面，其中各光點與一個特定反射鏡相關且可藉由傾斜反射鏡而自由地移動過瞳表面。
類似的照明系統可由US2006/0087634 A1、US 7,061,582 B2、以及WO 2005/026843 A2得知。
然而，於照明系統中利用反射鏡陣列亦需要某程度上重新設計照明系統。舉例而言，使用反射鏡陣列需要額外的光束折疊裝置(beam folding means)，例如稜鏡(prism)或平面折疊鏡(plane folding mirror)，而使照明系統的整體尺寸保持很小。
於US 2009/0116093 A1文中提出使用特殊稜鏡，其包含第一表面及第二表面，照到其之投射光以全內反射(total internal reflection)的方式而被反射。第一表面將投射光朝向投射光離開稜鏡之表面反射，並照落到反射鏡陣列。從反射鏡陣列反射的投射光經由此表面再次進入稜鏡，並照到第二表面。從第二表面將投射光導到設置在稜鏡與照明系統之瞳表面間的聚光器透鏡。因此，除了光耦合出稜鏡並光耦合入稜鏡而使投射光通過該表面兩次外，稜鏡類似於傳統的K稜鏡。於傳統K稜鏡中，形成於第一反射面與第二反射面間的稜鏡角(prism angle)不同，而使此表面也以全內反射來反射所有的光。
使用稜鏡而非反射鏡達到光束折疊的目的是有利的，因為目前反射鏡的反射塗層針對典型用於微影照明系統之波長具有的反射率實質不超過95%，而全內反射的程序造成幾近100%的反射率。
然而，結果於前述US 2009/0116093 A1所揭露之照明系統之瞳表面中的光強度分布常常讓人不滿意。具體而言，在瞳表面中對強度分布有不想要的光貢獻(light contribution)。這些光貢獻干擾(perturb)了投射光照到光罩的角光分布。
因此，本發明之目的在於改善包含反射式空間光調變器與光束折疊單元之照明系統，以防止或至少顯著降低對瞳表面中之強度分布有不想要的光貢獻。
根據本發明，此目的的達成是藉由微影投射曝光裝置之照明系統，其包含用於產生投射光之光源，以及瞳表面。照明系統更包含空間光調變器，用於改變於瞳表面之強度分布。空間光調變器包含反射元件之陣列，該等反射元件將照到之投射光反射到複數個方向，其取決於施加到該等反射元件之控制訊號。光束折疊單元包含至少一稜鏡，其中光束折疊單元導引光源產生的投射光朝向空間光調變器。至少一稜鏡具有讓投射光照到兩次之雙通表面(double pass surface)，第一次為離開至少一稜鏡且被該等反射元件反射之前，而第二次為進入至少一稜鏡且被該等反射元件反射之後。根據本發明，照明系統更包含瞳擾抑制手段(pupil perturbation suppressing means)，其組態成當投射光第一次照到雙通表面時，降低投射光的反射；及/或避免此類反射造成的光部分(light portion)影響在瞳表面的強度分布。
本發明是基於發現干擾瞳表面所需強度分布之光部分是由投射光在雙通表面之反射所造成的。若光以非零度入射角通過雙通表面離開稜鏡，則少部分的光被反射。通常此類反射少到在照明系統中並不重要，因為反射光會被照明系統的一些組件吸收，而降低可用於照射光罩的光量，但是卻不會干擾光罩的照射。
然而，於雙通表面用於光束折疊單元之至少一稜鏡的案例中，在雙通表面被反射的光通常不會照到照明系統的一些吸收性組件，而是會導引朝向瞳表面。更具體而言，反射的光會從稜鏡射出成準直的光(collimated light)，其係由後續的聚光器剛好聚焦到瞳表面中心。
此類對瞳表面中心(即光學軸(optical axis)上)之強度分布有不想要的光貢獻，在某些非傳統照射設定(例如環形、雙極、或四極照射設定)狀況下尤其有不利的影響。以這些照射設定而言，根本不應照射瞳表面中心。但對需要照射瞳表面中心的傳統照射設定而言，來自雙通表面反射的光貢獻可能因為干涉效應(interference effect)而犧牲瞳照射的品質。
為了抑制這樣的瞳照射干擾，本發明提出降低投射光在雙通表面的反射，及/或避免此類反射造成的光部分影響在瞳表面的強度分布。
於一實施例，瞳擾抑制手段包含抗反射塗層，其塗佈於雙通表面。雖然此類抗反射塗層通常吸收某些量的光，但是降低反射的正面效應勝於使用抗反射塗層造成的小小光損失(light loss)。
於另一實施例，瞳擾抑制手段包含繞射結構，其應用於雙通表面。藉由適當地決定繞射結構的尺寸，可達到雙通表面反射的光歷經破壞性干涉(destructive interference)而降低反射。
根據另一實施例，瞳擾抑制手段包含確保投射光第一次照到雙通表面時之入射角(αi)等於布魯斯特角(Brewster angle)。此方法探索以下事實：若以布魯斯特角照到時，於p極化狀態的光不會於光學表面反射。即使照到雙通表面的光不具有較佳的極化狀態，此方法會降低約50%的反射光量。對p極化狀態的光而言，當第一次照到雙通表面時，愈高的極化程度導致上述的降低增加。因此，當第一次照到雙通表面時，較佳至少80%，更佳至少95%的投射光是p極化狀態。理想上100%的投射光是p極化狀態，因為如此在雙通表面就不會有光被反射。
可提供極化單元於極化系統，將投射光照到極化單元時之極化初始狀態轉變成p極化狀態。此類極化單元可包含半波板(half-wave plate)、1/4波板(quarter-wave plate)、以及具有非均勻厚度的至少兩個雙折射板(birefringent plate)。利用此類極化單元，任何任意空間分布的定義極化狀態皆可轉換成p極化狀態。
根據又另一實施例，瞳擾抑制手段包含液體，填充形成於雙通表面與空間光調變器之該等反射元件之間的間隙。此類液體顯著降低於雙通表面的反射，因為其使得在雙通表面的折射率接近於1。若液體的折射率等於至少一稜鏡的折射率，則在雙通表面根本不會發生反射。
根據另一實施例，至少一稜鏡包含第一反射面以及第二反射面。瞳擾抑制手段包含確保雙通表面與第一反射面及第二反射面形成不同角度之手段，使得於雙通表面反射造成之光部分不會到達瞳表面。雙通表面的傾斜配向(oblique orientation)破壞至少一稜鏡的對稱性，此對稱性乃是至少一稜鏡之雙通表面反射的光朝向瞳表面中心導向的基本原因。
根據又另一實施例，瞳擾抑制手段包含確保雙通表面設置在離空間光調變器一段距離之手段，使得投射光第一次照到雙通表面的區域與投射光第二次照到雙通表面的區域完全分開。由於不想要的反射僅發生在投射光第一次照到雙通表面的區域，所以此區域與投射光第二次照到的區域在空間上分離，可避免反射的光達到稜鏡之被空間光調變器反射之投射光行進通過的部分。
根據又另一實施例，瞳擾抑制手段包含遮蔽器(obscurator)，用於插入投射光在稜鏡與瞳表面間之光路徑的位置，使得遮蔽器阻礙雙通表面反射造成之光部分而不會到達瞳表面。此手段僅對瞳表面中心為黑暗的照射設定有用，而移除在最後可能階段(即剛好在到達瞳表面之前)不想要的光部分。
遮蔽器可包含光強度感測器(light intensity sensor)，用於偵測照到其之投射光的強度。然後，遮蔽器的吸收而損失的投射光或至少部分投射光，用於提供關於投射光強度的資訊。於本文中，應注意照明系統通常含有光強度感測器，用於監控光源所產生的投射光強度。此類光強度感測器必須分出小量但非可忽視的投射光量。然而，若於本發明中使用此類遮蔽器做為光強度感測器，則遮蔽器不會產生額外的光損失，或至少是減低的額外光損失。使用監測器光強度感測器(monitor light intensity sensor)做為遮蔽器，僅需要感測器位置上的光強度是與光源所產生的強度成比例，或至少是知道這兩個強度之間的相依關係。通常可滿足此條件。
根據本發明第二觀點，藉由微影投射曝光裝置的照明系統達成上述目的，其包含用於產生投射光之光源，以及瞳表面。照明系統更包含空間光調變器，用於改變於瞳表面之強度分布。空間光調變器包含反射元件之陣列，該等反射元件將照到之投射光反射到複數個方向，其取決於施加到該等反射元件之控制訊號。提供光束折疊單元，且其包含至少一稜鏡。光束折疊單元導引光源產生的投射光朝向空間光調變器。至少一稜鏡具有讓投射光照到兩次之雙通表面，第一次為離開至少一稜鏡且被該等反射元件反射之前，而第二次為進入至少一稜鏡且被該等反射元件反射之後。根據此第二觀點，照明系統更包含光強度偵測器，其偵測在光源與要照射之光罩間之位置的投射光總強度。此照明系統更包含控制單元，其根據光強度偵測器量到的總強度來控制空間光調變器。
根據本發明第二觀點，沒有採取任何手段來避免在雙通表面因反射造成的光部分到達瞳表面。反而是以計算方式，接受其對瞳表面之強度分布造成的影響。更具體而言，空間光調變器的反射元件控制成：在瞳表面所得的實際強度分布等於所需的強度分布。通常如此會需要一些反射元件不將光朝向瞳表面中心導引(如同沒有此類不想要之反射所必須做的)，因為反射已經對此區域的照射有所影響。於本文中，假設在雙通表面因不想要之反射造成的光部分之強度與光強度偵測器所量到的總強度成比例。然而，應注意，此方法僅對傳統照射設定或應照射瞳表面中心之非傳統照射設定有良好作用。
除了假設總光強度與源自雙通表面不想要之反射對光強度的影響間的比例關係，這些對強度的影響亦可藉由設置光強度偵測器於系統瞳表面而直接於瞳表面處量測。光強度偵測器可於投射操作中斷時插置到光束路徑，或可利用例如半透明鏡將小部分的光從光束路徑耦合出來。
 I.　投射曝光裝置之一般性架構
圖1為投射曝光裝置10之極簡化透視圖，投射曝光裝置10包含產生投射光束之照明系統12。投射光束照射到含有微小結構18之光罩16上的場(field)14。於此實施例，照射場14具有環片段(ring segment)形狀。然而，亦考量其他形狀的照射場(illuminated field)14，例如矩形。
投射物鏡20將照射場14內的結構18成像到由基板24所支撐的感光層(light sensitive layer)22(例如光阻)。基板24可由矽晶圓形成，並設置於晶圓台(wafer stage)(未顯示)上，使得感光層22的頂表面精確地位於投射物鏡20之影像平面(image plane)中。光罩16利用光罩台(未顯示)定位於投射物鏡20的物件平面(object plane)中。由於投射物鏡20具有放大率β，且|β|<1，所以將照射場14內結構18的縮小影像(minified image)14’投射到感光層22。
於投射期間，光罩16及基板24沿著掃瞄方向移動，掃瞄方向與圖1所示之Y方向相同。然後，照射場14掃描過光罩16，而可連續地投射比照射場14還大的結構區域。此類型的投射曝光裝置通常稱為「步進掃描工具(step-and-scan tool)」或簡稱「掃描機(scanner)」。基板24與光罩16間的速度比等於投射物鏡20的放大率β。若投射物鏡20反轉影像(β<0)，則光罩16與基板24移動於相反方向，如圖1之箭頭A1及A2所示。然而，本發明亦可用於步進器工具(stepper tool)，其中在光罩投射的期間，光罩16與基板24不移動。
II.　照明系統之一般性架構
圖2為圖1之照明系統12的經向(meridional)截面圖。為清晰之故，圖2的圖示極簡化且未依比例繪示。尤其是指說僅由一個或非常少的光學元件代表不同的光學單元。實際上，這些單元可包含明顯更多的透鏡及其他光學元件。
照明系統12包含殼體28及光源30，亦即於此實施例光源30實施成準分子雷射(excimer laser)。光源30發射具有波長約193nm的投射光。也考量其他類型的光源30及其他的波長(例如248nm或157nm)。
於所示實施例中，光源30所發射的投射光進入擴張光束的光束擴張單元(beam expansion unit)32。光束擴張單元32可包含數個透鏡或可實施成例如反射鏡配置。從光束擴張單元32射出的投射光幾乎為準直光束34。
然後投射光束34進入空間光調變單元36，其用於在瞳表面38產生可變的強度分布。參考圖3至圖9將更詳細說明空間光調變單元36的各種實施例。
在空間光調變單元36與瞳表面38之間設置聚光器40，其將從空間光調變單元36射出的不同方向光線轉變到瞳表面38的不同位置。於其他實施例，省略聚光器40，使得空間光調變單元36直接照射到遠場(far field)中的瞳表面38。
在瞳表面38或緊鄰其附近設置光學積分器(optical integrator)42，其包含兩個光柵元件(optical raster element)44、46，光柵元件44、46可包含例如圓柱透鏡(cylindrical lens)陣列或蠅眼透鏡(fly's eye lens)陣列。光學積分器42產生複數個次光源(secondary light source)，各次光源經由另一聚光器48照射設置於場光闌(field stop)52之中間場平面(intermediate field plan)50。此另一聚光器48有助於疊加由次光源射出之光束於中間場平面50中。由於疊加作用，達到非常均勻照射的中間場平面50。場光闌52可包含複數個可移動片(moveable blade)，並在所需範圍內確保光罩16上照射場14有清晰邊緣。
場光闌物鏡(field stop objective)54提供中間場平面50與設置光罩16之光罩平面56間的光學共軛(optical conjugation)。因此，場光闌52藉由場光闌物鏡54清晰地成像到光罩16。
III.　空間光調變單元
於下將說明空間光調變單元36的各種實施例。將清楚可知空間光調變單元36在關於與其結合之瞳擾抑制裝置(pupil perturbation suppressing means)的方面上彼此不同。
1.　第一實施例-抗反射塗層
圖3為圖2之空間光調變單元36之放大截面圖。空間光調變單元36包含空間光調變器58及稜鏡60。
空間光調變器58包含反射鏡陣列62，而反射鏡陣列62包含複數個小的個別反射鏡64，這些反射鏡64可繞兩個較佳彼此垂直對準的傾斜軸彼此獨立地傾斜。反射鏡陣列62可實現成微機電系統(MEMS)，尤其是數位微鏡裝置(digital micro-mirror device，DMD)。
空間光調變器58更包含反射鏡控制單元(mirror control unit)66，其控制反射鏡64的傾斜移動並連接到照明系統12的整體系統控制(overall system control)(未顯示)。用於設定反射鏡64所期望傾斜角的致動器(actuator)，從反射鏡控制單元66接收控制訊號，使得各反射鏡64能以因應控制訊號的反射角來反射照到的光線。於所示實施例中，個別反射鏡64可定向於連續範圍的傾斜角。於其他實施例，致動器組態成使得僅可設定有限數目的離散傾斜角(discrete tilt angle)。
除了反射鏡陣列62，可使用其他反射元件的陣列，而組態成將照到的投射光反射到複數個方向，其取決於施加到反射元件之控制訊號。此類元件包含例如光電單元(electro-optical cell)或聲光單元(acousto-optical cell)。於此類單元中，可分別藉由將適當材料暴露於電場或超音波而改變折射率。可利用這些效應而產生將照到的光導到各種方向之折射率光柵(index grating)。
稜鏡60雖然具有不同功能但是通常具有K稜鏡形狀。更具體而言，稜鏡60具有一對相對的平表面(flat surface)，稱入光面(light entry surface)68及出光面(light exit surface)70。稜鏡60更包含兩個平反射面，稱第一反射面72及第二反射面74。兩個反射面72、74相對於彼此設置成具有稜鏡角β。相對於兩個反射面72、74，平表面76延伸於垂直入光面68及出光面70之平面。由以下可知的因由，此表面於以下稱為雙通表面76。
於所示實施例中，稜鏡60由對投射光有高透射率的材料構成。對具有波長193nm的投射光而言，氟化鈣(CaF2)可用做為光學材料，因氟化鈣比石英玻璃(fused silica)或其他玻璃具有更高的透射率。降低透射損失不僅在投射曝光裝置10的通量方面重要，也避免因吸收投射光在稜鏡60內部產生的熱所造成的問題。
稜鏡60可由單片材料(single piece of material)所製成，也可由個別更小的稜鏡組合而成。舉例而言，圖3所示之稜鏡60的上半部與下半部可由兩個個別的稜鏡所形成，各稜鏡包含其中一個反射面72或74。再者，稜鏡60可具有額外邊緣與表面。舉例而言，可完全省略那些投射光不通過的部分，以降低光學材料的成本。
於下文中，將解釋空間光調變單元36的功能。
至少實質準直的投射光束34以實質垂直入光面68的方式進入稜鏡60，然後藉由全內反射在第一反射面72被完全反射。全內反射的發生是因為兩個反射面72、74間形成的稜鏡角β係選擇成：使得投射光在第一反射面72的入射角等於或大於臨界角(critical angle)αc。以氟化鈣(λ=193 nm時n1.50)而言，臨界角αc約為42°。
被第一反射面72反射後，投射光34照到雙通表面76。於此表面的入射角小於臨界角αc，使得大部分的投射光34離開稜鏡而照到反射鏡陣列62的可傾斜反射鏡64。反射鏡64反射照到的投射光到複數個方向，其取決於反射鏡控制單元66提供到反射鏡64的控制訊號。一般而言，反射鏡64的傾斜角不會超過幾度，使得大部分被反射鏡64反射的光能通過雙通表面76進入稜鏡60。由於這是投射光第二次通過表面76，所以此表面76於此稱為雙通表面。
現於稜鏡60內朝第二反射面74行進的投射光，會具有取決於已反射光之反射鏡64的傾斜角的行進方向。然而，這些方向仍在使得第二反射面74之入射角等於或大於臨界角αc之範圍內。因此，通過雙通表面76進入稜鏡60的投射光在第二反射面76完全反射，並導引朝向出光面70。投射光34由此表面70於各種方向離開稜鏡60及空間光調變單元36。如上所述，然後，聚光器40會將各種方向轉譯成在照明系統12之瞳表面38的不同位置。
於空間光調變單元36之前述功能說明中，已提及當第一次照到時，最大部分的投射光通過雙通表面76。然而，此暗示小部分的投射光會被雙通表面76反射。於圖3中，由虛線78表示的光線代表此類反射的光部分。由於稜鏡60的對稱性，被雙通表面76反射的光會以投射光照到第一反射面72的入射角照到第二反射面74。因此，反射的光部分78會以平行於入射的投射光束34之方向從稜鏡60射出。如圖2所示，聚光器40會將平行反射的光部分聚焦到瞳表面38的中心。因此，因雙通表面76之反射造成的光部分會產生光點，因而干擾在瞳表面38的強度分布。
因雙通表面76之反射造成並影響瞳表面38之強度分布的光部分，對照射光罩16之投射光的角光分布具有不利的效應。對光不應垂直照到光罩16之照射設定而言尤其嚴重，其暗示瞳表面38的中心必須完全是黑暗的。但對應照射瞳表面38之中心照射設定而言，來自反射光的此類影響因為干涉作用可能具有不利的效應。於下文中，這些不利的效應稱為瞳擾(pupil perturbation)效應。
於圖3所示之空間光調變單元36之實施例中，藉由至少塗在雙通表面76讓投射光34第一次照到之部分的抗反射塗層80，來降低當第一次照到雙通表面76時投射光的反射。因此，抗反射塗層80至少在某程度上抑制第一次照到雙通表面76而反射之投射光78可能造成的瞳擾作用。
2.　第二實施例-繞射結構
圖4所示之空間光調變單元36與圖3所示之空間光調變單元36的差異僅在於：以應用到雙通表面76的繞射結構82來取代抗反射塗層80。繞射結構82的尺寸決定成於繞射結構82反射的光為破壞性干涉。如此實質降低投射光34第一次照到雙通表面76時的反射。
3.　第三實施例-布魯斯特角
於圖5所示之空間光調變單元36之實施例中，稜鏡角β增加到以下範圍：投射光34第一次照到雙通表面76時的入射角αi等於之布魯斯特角αp。若氟化鈣用做為稜鏡60的材料，且投射光的波長λ為193nm，則稜鏡的折射率n1為1.5015。假設周遭媒介的折射率為n0且n0=1，則以arctan(n0/n1)表示的布魯斯特角αp約為33.66°。若p極化光以布魯斯特角αp照到雙通表面76，則完全抑制反射。若照到的投射光34並未極化或為圓去極化(circular depolarized)，則可分解成一半的s極化及一半的p極化光，使得反射降低50%。一般而言，p極化程度越高，則在雙通表面76的反射越小。
於所示實施例中，空間光調變單元36包含極化單元(polarizing unit)84，其係設置在光束擴張單元32與稜鏡60的入光面68之間。極化單元84將投射光34照到極化單元84時所具有的極化初始狀態轉變成p極化狀態。為達此目的，極化單元84包含半波板86、1/4波板88、以及具有非均勻厚度分布的兩個雙折射板90、92。以這樣設置的板，可將線性或橢圓狀態極化之任何任意空間分布轉變成p極化狀態。
若製成稜鏡60之光學材料為雙折射，則極化單元84亦可將此考慮進去。舉例而言，若稜鏡60是由本徵(intrinsically)為雙折射之氟化鈣所製成，則晶格(crystal lattice)的向位(orientation)必須為已知，使得可針對各光線計算並考慮因本徵雙折射所造成的阻滯(retardance)。於此案例中，亦可考量將稜鏡60分成兩個或更多個更小的稜鏡，其晶格設置成在各件稜鏡所產生的阻滯至少在某程度上可彼此補償。
稜鏡60之出光面70後，可設置另一極化單元84’，係將被反射鏡64反射後並再次行進通過稜鏡60之投射光34之極化狀態轉變成任何所需的極化狀態。另一極化單元84’亦可包含半波板86’、1/4波板88’、以及具有非均勻厚度的兩個雙折射板90’、92’。
4.　第四實施例-液體
圖6顯示空間光調變單元36包含液體94，係填充形成於雙通表面76與反射鏡64之間的間隙。為達此目的，空間光調變單元36包含包圍此間隙並確保液體94維持在位置的殼體96。液體94可利用泵(pump)(未顯示)在殼體96內部循環。再者，可提供溫度控制器，以確保液體94有固定溫度。
若液體94為高折射率液體，則液體94與稜鏡60之材料的折射率比可趨近1，使得在雙通表面76沒有光被反射。即使具有折射率約1.4的水用做為液體94，且具有折射率1.50的氟化鈣用做為稜鏡60的材料，折射率比還是非常接近1，顯著降低第一次照到雙通表面76之投射光的反射。
5.　第五實施例-傾斜雙通表面
圖7顯示空間光調變單元36之第五實施例，其中不採用任何降低在雙通表面76之反射的手段。然而，避免因此類反射造成之光部分到達瞳表面38。
為達此目的，此實施例之空間光調變單元36包含具有雙通表面76之稜鏡60，其中雙通表面76與第一反射面72及第二反射面74形成不同角度。更具體而言，形成於雙通表面76與第一反射面72之間的角度小於形成於雙通表面76與第二反射面74之間的角度。藉由適當地選擇這些角度，可達到第一次照到雙通表面76時反射的投射光不會到達瞳表面38。
於圖7，虛線78a、78b表示因雙通表面76之反射所造成的光部分。反射光線78a以大入射角照到第二反射面74，而在離開稜鏡60後可在光路徑外。另一光線78b以大入射角照到出光面70，而可以全內反射方式被反射。因此，光線78a、78b對瞳表面38的強度分布皆無影響。
6.　第六實施例-空間上分開
於圖8所示之空間光調變單元36之實施例中，亦不採用任何降低在雙通表面76之反射的手段，但可避免因此類反射造成之光部分到達瞳表面38。
於此實施例，空間光調變器58之反射鏡陣列62設置成與雙通表面76相隔較大距離。此較大距離的效應為投射光34第一次照到雙通表面76的區域與投射光34第二次照到雙通表面76的區域完全分開。然後，在雙通表面76被反射的光部分78不能照到第二反射面74，而是被第一反射面72所反射且不能到達瞳表面38。
7.　第七實施例-瞳遮蔽器
圖9為類似圖2之經向截面示意圖，顯示根據本發明另一實施例之照明系統12。於此實施例，也沒有採用任何降低在雙通表面76之反射的手段。
於圖9中，因此類反射所造成的光部分由虛線78表示。為了避免這些光部分對瞳表面38之強度分布有影響，光遮蔽器(light obscurator)98直接設置在瞳表面38之前。光遮蔽器98於此實施例組態成小圓板(circular plate)，其吸收所有照到的投射光。光遮蔽器98利用三條以120°之角度分開的薄線100維持在瞳表面38的中心位置。這些線100與遮蔽器98可利用適當的操縱器自光路徑移開。
若照明系統12應產生瞳表面38之中心必須完全為黑暗的照射設定，則遮蔽器98插入到光路徑中，使得遮蔽器98阻礙因雙通表面76之反射造成之光部分78。
若照明系統12應產生瞳表面38之中心也必須照射的照射設定，則遮蔽器98自光路徑移開。然後，允許因雙通表面76之反射造成之光部分78對瞳表面38之強度分布有所影響。以計算方式將此影響列入考量，且反射鏡控制單元66確保比沒有光部分78時所需還少的反射鏡64，將投射光導到瞳表面38的中心。
遮蔽器98可包含且尤其是可完全由光強度感測器(light intensity sensor)所形成，其用於偵測照射到之投射光的強度。然後，光強度感測器的輸出訊號可用於監控光源30所產生的投射光強度。如此僅需要在遮蔽器98之位置的光強度與光源30所產生之強度具有已知的相依關係。
亦應了解於上所述實施例中用於抑制因雙通表面之反射造成之瞳擾的手段亦可以各種方式結合地實施。一般而言，若採用降低在雙通表面76之反射的手段，仍會有一些反射的光部分78(儘管非常小)最終可能到達瞳表面38。為完全消除這些反射的光部分所造成的瞳擾，針對瞳表面中心需要為完全黑暗的照射設定，可將光遮蔽器98插入到光束路徑中。
以上已以舉例方式說明較佳實施例。由所提供的揭露中，熟此技藝者不僅會了解本發明及其伴隨優點，也會發現所揭露的結構與方法明顯有各種改變與修改。因此，申請人意欲涵蓋落入本發明精神與範疇的所有此類改變與修改，如申請專利範圍及其均等所界定。
10．．．投射曝光裝置
12．．．照明系統
14．．．場
14’．．．縮小影像
16．．．光罩
18．．．微小結構
20．．．投射物鏡
22．．．感光層
24．．．基板
28．．．殼體
30．．．光源
32．．．光束擴張單元
34．．．投射光
36．．．空間光調變單元
38．．．瞳表面
40．．．聚光器
42．．．光學積分器
44．．．光柵元件
46．．．光柵元件
48．．．聚光器
50．．．中間場平面
52．．．場光闌
54．．．場光闌物鏡
56．．．光罩平面
58．．．空間光調變器
60．．．稜鏡
62．．．反射鏡陣列
64．．．反射鏡
66．．．反射鏡控制單元
68．．．入光面
70．．．出光面
72．．．第一反射面
74．．．第二反射
76．．．雙通表面
78．．．光部分
78a．．．光部分
78b．．．光部分
80．．．抗反射塗層
82．．．繞射結構
84．．．極化單元
84’．．．極化單元
86．．．半波板
86’．．．半波板
88．．．1/4波板
88’．．．1/4波板
90．．．雙折射板
90’．．．雙折射板
92．．．雙折射板
92’．．．雙折射板
94．．．液體
96．．．殼體
98．．．光遮蔽器
100．．．薄線
A1．．．移動方向
A2．．．移動方向
αi．．．入射角
β．．．稜鏡角
參考上述詳細說明配合伴隨圖式可更易於了解本發明的各種特徵及優點，其中：
圖1為根據本發明之投射曝光裝置之極簡化透視圖；
圖2為照明系統之經向截面圖，照明系統為圖1所示之裝置的一部分；
圖3為圖2所示之空間光調變單元之經向放大截面圖，其包含塗佈於雙通表面之抗反射塗層；
圖4為根據本發明第二實施例之空間光調變單元之經向放大截面圖，其包含雙通表面上的繞射結構；
圖5為根據第三實施例之空間光調變單元之經向放大截面圖，其中投射光根據布魯斯特角照射到雙通表面；
圖6為根據第四實施例之空間光調變單元之經向放大截面圖，其包含填充雙通表面與空間光調變器之反射鏡間之間隙的液體；
圖7為根據第五實施例之空間光調變單元之經向放大截面圖，其中雙通表面傾斜地設置；
圖8為根據第六實施例之空間光調變單元之經向放大截面圖，其中增加雙通表面與空間光調變器之間的距離；以及
圖9為根據第七實施例之照明系統之經向截面圖，其中光遮蔽器用於避免反射的光部分到達瞳表面的中心。
12．．．照明系統
14．．．場
16．．．光罩
28．．．殼體
30．．．光源
32．．．光束擴張單元
34．．．投射光
36．．．空間光調變單元
38．．．瞳表面
40．．．聚光器
42．．．光學積分器
44．．．光柵元件
46．．．光柵元件
48．．．聚光器
50．．．中間場平面
52．．．場光闌
54．．．場光闌物鏡
56．．．光罩平面

Claims (12)

  1. 一種微影投射曝光裝置之照明系統，包含：a)一光源，用於產生投射光；b)一瞳表面；c)一空間光調變器，用於改變於該瞳表面之一強度分布，該空間光調變器包含複數個反射元件之一陣列，該等反射鏡將照到之投射光反射到複數個方向，該等方向取決於施加到該等反射元件的複數個控制訊號；d)一光束折疊單元，包含至少一稜鏡，其中該光束折疊單元朝向該空間光調變器導引該光源產生的該投射光；其中該至少一稜鏡具有讓該投射光照到兩次之一雙通表面，第一次為離開該至少一稜鏡且被該等反射元件反射之前，第二次為進入該至少一稜鏡且被該等反射元件反射之後，其特徵在於：瞳擾抑制手段，組態成：- 當該投射光第一次照到該雙通表面時，降低該投射光的反射；及/或- 避免如此反射造成的光部分影響在該瞳表面的該強度分布。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中該瞳擾抑制手段包含一抗反射塗層，塗佈於該雙通表面。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之照明系統，其中該瞳擾抑制手段包含繞射結構，應用於該雙通表面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中該瞳擾抑 制手段包含確保該投射光第一次照到該雙通表面時之入射角等於布魯斯特角。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之照明系統，其中當該投射光第一次照到該雙通表面時，至少80%的該投射光為一p極化狀態。
  6. 如申請專利範圍第4或5項所述之照明系統，包含一極化單元，將該投射光照到該極化單元時之一極化初始狀態轉變成一p極化狀態。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之照明系統，其中該極化單元包含一半波板、一1/4波板、以及具有非均勻厚度的至少兩個雙折射板。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中該瞳擾抑制手段包含液體，填充形成於該雙通表面與該空間光調變器之該等反射元件之間的間隙。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中該至少一稜鏡包含一第一反射面以及一第二反射面，以及其中該瞳擾抑制手段包含確保該雙通表面與該第一反射面及該第二反射面形成不同角度之手段，使得於該雙通表面反射造成之該光部分不會到達該瞳表面。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中該瞳擾抑制手段包含確保該雙通表面設置在離該空間光調變器一距離之手段，使得該投射光第一次照到該雙通表面的區域與該 投射光第二次照到該雙通表面的區域完全分開。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中該瞳擾抑制手段包含一遮蔽器，用於插入該投射光在該至少一稜鏡與該瞳表面間之一光路徑的一位置，使得該遮蔽器阻礙該雙通表面反射造成之該光部分而不會到達該瞳表面。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之照明系統，其中該遮蔽器包含一光強度感測器，用於偵測照射到之投射光的強度。
TW100115724A 2010-05-06 2011-05-05 微影投射曝光裝置之照明系統 TWI554839B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2010/002780 WO2011137917A1 (en) 2010-05-06 2010-05-06 Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201216006A TW201216006A (en) 2012-04-16
TWI554839B true TWI554839B (zh) 2016-10-21

Family

ID=43088066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100115724A TWI554839B (zh) 2010-05-06 2011-05-05 微影投射曝光裝置之照明系統

Country Status (6)

Country Link
US (4) US9091945B2 (zh)
JP (1) JP2013527988A (zh)
KR (1) KR20130069660A (zh)
CN (1) CN102884480B (zh)
TW (1) TWI554839B (zh)
WO (1) WO2011137917A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102884480B (zh) * 2010-05-06 2015-05-06 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光装置的照明系统
US20160149122A1 (en) * 2013-06-14 2016-05-26 The Trustees Of Dartmouth College Methods For Fabricating Magnetic Devices And Associated Systems And Devices
US11131929B2 (en) 2018-11-07 2021-09-28 Waymo Llc Systems and methods that utilize angled photolithography for manufacturing light guide elements
US11131934B2 (en) * 2019-10-29 2021-09-28 Waymo Llc Non-telecentric light guide elements

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002019027A1 (fr) * 2000-08-28 2002-03-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif video de projection
JP2003322711A (ja) * 2002-05-07 2003-11-14 Canon Inc 観察光学系および光学機器
JP2003322822A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Mitsubishi Electric Corp 画像表示装置
JP2004191878A (ja) * 2002-12-13 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリズム装置とこれを用いた投写型表示装置、リアプロジェクタ、及びマルチビジョンシステム
JP2005352080A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Fujinon Corp プロジェクタ用全反射プリズム
WO2008095695A2 (de) * 2007-02-06 2008-08-14 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und vorrichtung zur überwachung von mehrfachspiegelanordnungen in einem beleuchtungssystem einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
WO2009060773A1 (en) * 2007-11-06 2009-05-14 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009125511A1 (ja) * 2008-04-11 2009-10-15 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010096840A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Olympus Corp 投影装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4401060B2 (ja) 2001-06-01 2010-01-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リトグラフ装置、およびデバイス製造方法
KR100480620B1 (ko) 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
EP1668421A2 (en) 2003-09-12 2006-06-14 Carl Zeiss SMT AG Illumination system for a microlithography projection exposure installation
US20060087634A1 (en) 2004-10-25 2006-04-27 Brown Jay M Dynamic illumination uniformity and shape control for lithography
US8379182B2 (en) * 2007-11-16 2013-02-19 Manufacturing Resources International, Inc. Cooling system for outdoor electronic displays
WO2009087805A1 (ja) * 2008-01-11 2009-07-16 Nikon Corporation 空間光変調器、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
CN102884480B (zh) 2010-05-06 2015-05-06 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光装置的照明系统

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002019027A1 (fr) * 2000-08-28 2002-03-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif video de projection
JP2003322822A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Mitsubishi Electric Corp 画像表示装置
JP2003322711A (ja) * 2002-05-07 2003-11-14 Canon Inc 観察光学系および光学機器
JP2004191878A (ja) * 2002-12-13 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリズム装置とこれを用いた投写型表示装置、リアプロジェクタ、及びマルチビジョンシステム
JP2005352080A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Fujinon Corp プロジェクタ用全反射プリズム
WO2008095695A2 (de) * 2007-02-06 2008-08-14 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und vorrichtung zur überwachung von mehrfachspiegelanordnungen in einem beleuchtungssystem einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
WO2009060773A1 (en) * 2007-11-06 2009-05-14 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009125511A1 (ja) * 2008-04-11 2009-10-15 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010096840A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Olympus Corp 投影装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9091945B2 (en) 2015-07-28
US9933706B2 (en) 2018-04-03
WO2011137917A1 (en) 2011-11-10
US20180314165A1 (en) 2018-11-01
CN102884480B (zh) 2015-05-06
JP2013527988A (ja) 2013-07-04
US20150286150A1 (en) 2015-10-08
TW201216006A (en) 2012-04-16
CN102884480A (zh) 2013-01-16
KR20130069660A (ko) 2013-06-26
US9454085B2 (en) 2016-09-27
US20170261861A1 (en) 2017-09-14
US20130021591A1 (en) 2013-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5863974B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ
KR101795610B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI276924B (en) Exposure apparatus and method
JP5480232B2 (ja) 投影露光系、このような投影露光系の補助により微細構造の構成部材を製造する方法、このような系において使用するために適応させた偏光光学素子
KR101443421B1 (ko) 마이크로리소그래피 투사 노광 장치
JP5475756B2 (ja) スペクトル純度フィルタを形成する方法
JP4914408B2 (ja) 光波拡散計測用反射屈折光学システム
JP6222594B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置
JP2003059821A (ja) 偏光器を備えた光学結像システムと、それに使用する水晶板
JP5559294B2 (ja) 光ビームの特性を検出するためのビーム特性モニタ
US20140218708A1 (en) Light modulator and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP2006108686A (ja) スペクトル純度が高められたリソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びそれによって製造されたデバイス
US20180314165A1 (en) Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
KR20100084526A (ko) 스펙트럼 필터, 이러한 스펙트럼 필터를 포함한 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법, 및 이에 의해 제조된 디바이스
JP5485262B2 (ja) アライメントフィーチャ、プリ・アライメント方法、及びリソグラフィ装置
JP2013505593A (ja) スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP2005303084A (ja) 露光装置、露光装置の製造方法、露光装置の調整方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP6140290B2 (ja) マイクロリソグラフィー投影露光装置用光学システム及びマイクロリソグラフィー露光方法
JP6659827B2 (ja) リソグラフィ方法及び装置
WO2012060099A1 (ja) 光源調整方法、露光方法、デバイス製造方法、照明光学系、及び露光装置
JP2011076094A (ja) 反射屈折投影対物系
JP2012099687A (ja) 光源調整方法、露光方法、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees