JP2012027979A - 半導体メモリ - Google Patents
半導体メモリ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012027979A JP2012027979A JP2010165951A JP2010165951A JP2012027979A JP 2012027979 A JP2012027979 A JP 2012027979A JP 2010165951 A JP2010165951 A JP 2010165951A JP 2010165951 A JP2010165951 A JP 2010165951A JP 2012027979 A JP2012027979 A JP 2012027979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- erase
- voltage
- verification
- memory cell
- erasing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の半導体メモリは、行列状に配列されたメモリセルを含み、複数のメモリセルが直列に接続されたセルユニットが多数形成されたメモリセルアレイと、選択されたメモリセルに消去電圧を印加し、メモリセルに蓄積されたデータを消去する消去手段と、選択されたメモリセルの消去状態を検証する検証手段と、消去手段により印加される消去電圧を決定する消去電圧決定手段とを有する。検証手段は、消去前ベリファイと、消去後ベリファイとを含み、消去電圧決定手段は、消去後ベリファイが不合格であったとき、消去前ベリファイの検証結果に応じて次に印加される消去パルスの電圧を決定する。
【選択図】 図8
Description
110:入出力バッファ 120:アドレスレジスタ
130:コントローラ 140:ワード線駆動回路
150:センスアンプ回路 160:列制御回路
170:内部電圧発生回路 180:内部メモリ
Claims (18)
- 行列状に配列されたメモリセルを含み、複数のメモリセルが直列に接続されたセルユニットが多数形成されたメモリセルアレイと、
選択されたメモリセルに消去電圧を印加し、メモリセルに蓄積されたデータを消去する消去手段と、
選択されたメモリセルの消去状態を検証する検証手段と、
前記消去手段により印加される消去電圧を決定する消去電圧決定手段とを有し、
前記検証手段は、前記消去手段により消去電圧が印加される前に選択されたメモリセルの第1の消去状態を検証し、かつ前記消去手段により消去電圧を印加した後に選択されたメモリセルの第2の消去状態を検証し、
前記消去電圧決定手段は、前記第2の消去状態の検証が不合格であったとき、前記第1の消去状態の検証結果に応じて前回印加された消去電圧と異なる消去電圧を決定する、
半導体メモリ。 - 前記消去電圧決定手段は、前記第2の消去状態の検証が不合格であって、前記第1の消去状態の検証結果が不合格である場合には、前回印加された消去電圧よりも大きい第1の消去電圧を決定し、前記第1の消去状態の検証結果が合格である場合には、前回印加された消去電圧よりも大きい第2の消去電圧を決定し、前記第1の消去電圧は、前記第2の消去電圧と異なる、請求項1に記載の半導体メモリ。
- 前記第2の消去電圧は、前記第1の消去電圧よりも大きい、請求項2に記載の半導体メモリ。
- 前回印加された消去電圧がVersであるとき、前記第1の消去電圧は、Vers+ΔVersであり、前記第2の消去電圧は、Vers+ΔVers×N(Nは、1よりも大きい数)である、請求項3に記載の半導体メモリ。
- 前記検証手段は、第1の消去状態を検証するとき、選択されたメモリセルのしきい値を判定するために第1の検証電圧を用い、第2の消去状態を検証するとき、選択されたメモリセルのしきい値を判定するために第1の検証電圧と異なる第2の検証電圧を用いる、請求項1ないし4いずれか1つに記載の半導体メモリ。
- 前記第1、第2の検証電圧は、メモリセルのゲートに印加される電圧であって、第1の検証電圧は、第2の検証電圧よりも大きい、請求項5に記載の半導体メモリ。
- 選択されたメモリセルのすべての第2の消去状態が合格と検証されるまで、前記消去手段は、選択されたメモリセルにパルス状の消去電圧を繰り返し印加する、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体メモリ。
- 前記消去手段は、選択されたメモリセルのすべての第2の消去状態が合格と判定された後、追加の消去パルスを選択されたメモリセルに印加する、請求項1ないし7いずれか1つに記載の半導体メモリ。
- 前記消去電圧決定手段は、第2の消去状態による検証が合格でありかつ第1の消去状態の検証が合格であるとき、前記追加の消去パルスの電位を第2の消去状態による検証が合格したときの最後の消去電圧とし、第2の消去状態による検証が合格でありかつ第1の消去状態の検証が不合格であった、前記追加パルスの電位を前記最後の消去電圧よりも高い電圧とする、請求項1ないし8いずれか1つに記載の半導体メモリ。
- 半導体メモリはさらに、前記消去手段による消去シーケンスが実施される期間中に、選択されたメモリセルに書込み電圧を印加する書込み手段を有し、
前記書込み手段は、前記検証手段による第1の消去状態の検証が行われる前に、所定のメモリセルに書込み電圧を印加する、請求項1ない9いずれか1つに記載の半導体メモリ。 - 前記所定のメモリセルは、選択されたブロック内のすべてのメモリセルである、請求項10に記載の半導体メモリ。
- 半導体メモリはさらに、前記消去手段による消去シーケンスが実施される期間中に、選択されたメモリセルに書込み電圧を印加する書込み手段を有し、
前記書込み手段は、前記検証手段による第2の消去状態の検証が行われた後に、所定のメモリセルに書込み電圧を印加する、請求項1ないし12いずれか1つに記載の半導体メモリ。 - 前記所定のメモリセルは、前記第2の消去状態の検証が合格とされたメモリセルである、請求項12に記載の半導体メモリ。
- 行列状に配列されたメモリセルを含み、各メモリセルがデータを蓄積または消去可能であり、複数のメモリセルが直列に接続されたセルユニットが多数形成されたフラッシュメモリのデータの消去方法であって、
消去電圧を印加する前に、選択されたメモリセルの第1の消去状態を検証する第1のステップと、
選択されたメモリセルにパルス状の消去電圧を印加する第2のステップと、
選択されたメモリセルの第2の消去状態を検証する第3のステップと、
第2の消去状態の検証が不合格であったとき、第1の消去状態の検証結果に応じて次に印加するパルス状の消去電圧を決定する第4のステップと、
選択されたメモリセルのすべての第2の消去状態の検証が合格となるまで、第1ないし第4のステップを繰返す第5のステップとを有する、消去方法。 - 前記第4のステップは、 第2の消去状態の検証が不合格であって前記第1の消去状態の検証が不合格である場合には、前回印加された消去電圧よりも大きい第1の消去電圧を決定し、前記第1の消去状態の検証が合格である場合には、前回印加された消去電圧よりも大きい第2の消去電圧を決定し、前記第2の消去電圧は、前記第1の消去電圧よりも大きい、請求項14に記載の消去方法。
- 消去方法はさらに、第1のステップによる検証を行う前に、所定のメモリセルに書込み電圧を印加するステップを含む、請求項14に記載の消去方法。
- 消去方法はさらに、第3のステップによる検証を行った後に、所定のメモリセルに書込み電圧を印加するステップを含む、請求項14に記載の消去方法。
- 消去方法はさらに、第3のステップにおいて選択されたメモリセルのすべてが合格と検証された場合に、選択されたメモリセルに追加の消去パルスを印加する、請求項14に記載の消去方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010165951A JP5565948B2 (ja) | 2010-07-23 | 2010-07-23 | 半導体メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010165951A JP5565948B2 (ja) | 2010-07-23 | 2010-07-23 | 半導体メモリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012027979A true JP2012027979A (ja) | 2012-02-09 |
JP5565948B2 JP5565948B2 (ja) | 2014-08-06 |
Family
ID=45780728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010165951A Active JP5565948B2 (ja) | 2010-07-23 | 2010-07-23 | 半導体メモリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5565948B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022031A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-02-03 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ装置とそれを含むメモリシステム及びそれらのメモリブロック管理、消去、及びプログラム方法 |
KR20170020213A (ko) | 2015-08-12 | 2017-02-22 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 불휘발성 반도체 기억장치 및 그의 소거 방법 |
KR20170037810A (ko) | 2015-09-28 | 2017-04-05 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 소거 방법 |
US9672922B2 (en) | 2015-10-22 | 2017-06-06 | Winbond Electronics Corp. | Non-volatile semiconductor memory device |
US9679659B2 (en) | 2014-10-20 | 2017-06-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of operating a nonvolatile memory device |
US9715935B2 (en) | 2014-10-02 | 2017-07-25 | Winbond Electronics Corp. | Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof |
US9786376B2 (en) | 2015-11-10 | 2017-10-10 | Winbond Electronics Corp. | Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof |
US9865358B2 (en) | 2016-02-18 | 2018-01-09 | Windbond Electronics Corp. | Flash memory device and erase method thereof capable of reducing power consumption |
KR20190105501A (ko) | 2018-03-05 | 2019-09-17 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 반도체 기억장치, 및 nand형 플래시 메모리의 소거방법 |
CN110277123A (zh) * | 2018-03-16 | 2019-09-24 | 东芝存储器株式会社 | 半导体存储装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI556246B (zh) * | 2015-01-29 | 2016-11-01 | 華邦電子股份有限公司 | 高可靠性非揮發性半導體儲存裝置及其資料抹除方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002025283A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-25 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリ素子の消去方法 |
JP2009163782A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-23 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2011150750A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
-
2010
- 2010-07-23 JP JP2010165951A patent/JP5565948B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002025283A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-25 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリ素子の消去方法 |
JP2009163782A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-23 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2011150750A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022031A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-02-03 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ装置とそれを含むメモリシステム及びそれらのメモリブロック管理、消去、及びプログラム方法 |
US9818485B2 (en) | 2012-07-11 | 2017-11-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatle memory device and memory system having the same, and related memory management, erase and programming methods |
US9715935B2 (en) | 2014-10-02 | 2017-07-25 | Winbond Electronics Corp. | Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof |
US9679659B2 (en) | 2014-10-20 | 2017-06-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of operating a nonvolatile memory device |
KR20170020213A (ko) | 2015-08-12 | 2017-02-22 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 불휘발성 반도체 기억장치 및 그의 소거 방법 |
TWI601145B (zh) * | 2015-08-12 | 2017-10-01 | 華邦電子股份有限公司 | 非揮發性半導體記憶裝置及其抹除方法 |
US9779830B2 (en) | 2015-08-12 | 2017-10-03 | Winbond Electronics Corp. | Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof |
US9870828B2 (en) | 2015-09-28 | 2018-01-16 | Winbond Electronics Corp. | Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof |
KR20170037810A (ko) | 2015-09-28 | 2017-04-05 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 소거 방법 |
US9672922B2 (en) | 2015-10-22 | 2017-06-06 | Winbond Electronics Corp. | Non-volatile semiconductor memory device |
US9786376B2 (en) | 2015-11-10 | 2017-10-10 | Winbond Electronics Corp. | Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof |
US9865358B2 (en) | 2016-02-18 | 2018-01-09 | Windbond Electronics Corp. | Flash memory device and erase method thereof capable of reducing power consumption |
KR101913026B1 (ko) | 2016-02-18 | 2018-10-29 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 플래시 메모리 장치 및 이의 소거 방법 |
KR20190105501A (ko) | 2018-03-05 | 2019-09-17 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 반도체 기억장치, 및 nand형 플래시 메모리의 소거방법 |
US10896736B2 (en) | 2018-03-05 | 2021-01-19 | Winbond Electronics Corp. | Semiconductor memory device and NAND-type flash memory erase method |
CN110277123A (zh) * | 2018-03-16 | 2019-09-24 | 东芝存储器株式会社 | 半导体存储装置 |
CN110277123B (zh) * | 2018-03-16 | 2024-04-05 | 铠侠股份有限公司 | 半导体存储装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5565948B2 (ja) | 2014-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6783682B2 (ja) | 半導体記憶装置及びメモリシステム | |
JP5565948B2 (ja) | 半導体メモリ | |
JP5583185B2 (ja) | 不揮発性半導体メモリ | |
JP4902002B1 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP4050555B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法 | |
KR101150645B1 (ko) | 비휘발성 반도체 메모리 장치 | |
JP2008084471A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2008135100A (ja) | 半導体記憶装置及びそのデータ消去方法 | |
JP5931822B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2009301616A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2010067327A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2013143155A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置とその書き込み方法 | |
JP5992983B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2011018397A (ja) | Nand型フラッシュメモリ | |
JP2012084207A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2012119019A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP6088602B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR101668340B1 (ko) | Nand형 플래시 메모리 및 그의 프로그래밍 방법 | |
TWI603333B (zh) | 反及型快閃記憶體及其編程方法 | |
JP2011150749A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP5259667B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP5467938B2 (ja) | 半導体メモリ | |
JP2012123856A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP5450538B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP5787921B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130924 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20131025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131031 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140527 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140616 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5565948 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |