JP2012009129A - 揮発性メモリのために独立したバンクリフレッシュを提供する方法及びシステム - Google Patents
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Abstract
防止する。
【解決手段】各バンクが多くの行を有する多くのバンクを有する揮発性メモリと、目標バンクアドレスを揮発性メモリに提供するように構成され、前記揮発性メモリに対して自動リフレッシュモードで動作するよう指示するメモリコントローラとを含み、前記揮発性メモリは、前記目標バンクアドレスによって識別される目標バンクについて自動リフレッシュ動作を自動リフレッシュモードで実行するように構成され、自動リフレッシュ動作が目標バンクについて実行されている間、目標バンク以外の複数のバンクにおける残りのバンクは、メモリアクセスのために利用可能に制御される。
【選択図】図2
Description
Claims (29)
- メモリシステムであって、
それぞれ複数の行を有する複数のバンクを有する揮発性メモリと、
前記揮発性メモリに対して自動リフレッシュモードで動作するよう命令するように、更に、前記揮発性メモリに目標バンクアドレスを提供するように構成されたメモリコントローラとを備え、
前記揮発性メモリは、前記自動リフレッシュモードにおいて自動リフレッシュ動作を実行するように構成され、前記自動リフレッシュ動作は、前記目標バンクアドレスによって識別された目標バンクについて実行され、
前記自動リフレッシュ動作が、前記目標バンクについて実行されている間、前記目標バンク以外の複数のバンクにおける残りのバンクはメモリアクセスのために利用可能であるメモリシステム。 - 請求項1のメモリシステムにおいて、
前記揮発性メモリは更に、複数のリフレッシュ行カウンタを備え、各リフレッシュ行カウンタは、対応するバンクに関連付けられ、目標行アドレスを保持するように構成され、
前記揮発性メモリは更に、前記目標バンクに関連付けられた前記リフレッシュ行カウンタに格納された前記目標行アドレスを用いて、前記目標バンクについて自動リフレッシュ動作を実行するように構成されたメモリシステム。 - 請求項2のメモリシステムにおいて、前記複数のリフレッシュ行カウンタ内にそれぞれ格納された目標行アドレスは互いに独立しているメモリシステム。
- 請求項2のメモリシステムにおいて、
前記メモリコントローラは更に、前記揮発性メモリに対して自己リフレッシュモードで動作するよう命令するように構成され、
前記揮発性メモリは更に、前記目標バンクアドレスをインクリメントすることによって、前記自己リフレッシュモードにおいて複数のバンクを循環し、現在の目標バンクアドレスを生成するように構成され、
各自己リフレッシュ動作中、前記揮発性メモリは更に、関連するリフレッシュ行カウンタに格納された目標行アドレスに基づいて、現在の目標バンクアドレスによって識別されたバンクをリフレッシュするように構成されたメモリシステム。 - 請求項1に記載のメモリシステムにおいて、
前記目標バンクがアイドルであれば、前記揮発性メモリは更に、前記自動リフレッシュモードで前記目標バンクについて1つ又は複数の追加自動リフレッシュ動作を実行し、前記目標バンクのための1つ又は複数の先行したリフレッシュを生成するメモリシステム。 - 請求項5のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリは、1つ又は複数の先行したリフレッシュが実行されたのであれば、更に、規則的にスケジュールされたリフレッシュの実行を回避し、通常の動作を続けるように構成されたメモリシステム。
- 請求項1のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)又はシンクロナスDRAMのうちの1つであるメモリシステム。
- メモリシステムであって、
バンクアドレスラッチ、複数のバンク、及びそれぞれが対応するバンクに関連付けられた複数のリフレッシュ行カウンタを有し、目標行アドレスを格納するように構成された揮発性メモリと、
前記揮発性メモリに対して自動リフレッシュモードで動作するよう命令するように構成され、更に、前記バンクアドレスラッチへ目標バンクアドレスをロードするように構成されたメモリコントローラとを備え、
前記揮発性メモリは、前記自動リフレッシュモードで自動リフレッシュ動作を実行するように構成され、前記自動リフレッシュ動作は、前記目標バンクに関連付けられた前記リフレッシュ行カウンタに格納された目標行アドレスを用いて、前記目標バンクアドレスによって識別された目標バンクについて実行されるメモリシステム。 - 請求項8のメモリシステムにおいて、前記自動リフレッシュ動作が、前記目標バンクについて実行されている間、前記目標バンク以外の複数のバンクにおける残りのバンクがメモリアクセスのために利用可能であるメモリシステム。
- 請求項8のメモリシステムにおいて、前記複数のリフレッシュ行カウンタ内にそれぞれ格納された目標行アドレスは互いに独立しているメモリシステム。
- 請求項8のメモリシステムにおいて、
前記メモリコントローラは更に、前記揮発性メモリに対して自己リフレッシュモードで動作するよう命令するように構成され、
前記揮発性メモリは更に、前記バンクアドレスラッチをインクリメントすることによって、前記自己リフレッシュモードにおいて複数のバンクを循環し、現在の目標バンクアドレスを生成するように構成され、
各自己リフレッシュ動作中、前記揮発性メモリは更に、関連するリフレッシュ行カウンタに格納された目標行アドレスに基づいて、現在の目標バンクアドレスによって識別されたバンクをリフレッシュするように構成されたメモリシステム。 - 請求項8のメモリシステムにおいて、前記目標バンクがアイドルであれば、前記揮発性メモリは更に、前記自動リフレッシュモードにおいて前記目標バンクについて1つ又は複数の追加の自動リフレッシュ動作を実行し、1つ又は複数の先行するリフレッシュを生成するように構成されたメモリシステム。
- 請求項12のメモリシステムにおいて、1つ又は複数の先行したリフレッシュが実行されたのであれば、前記揮発性メモリは更に、規則的にスケジュールされたリフレッシュの実行を回避し、通常の動作を続けるように構成されたメモリシステム。
- 請求項11のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリが前記自己リフレッシュモードに入ると、前記バンクアドレスラッチに格納された前記目標バンクアドレスは、最後の自動リフレッシュ動作で使用された最後のバンクアドレスを表すメモリシステム。
- 請求項8のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)又はシンクロナスDRAMのうちの1つであるメモリシステム。
- メモリシステムであって、
複数のバンクを有する揮発性メモリと、
目標バンクアドレスを格納するラッチ手段と、
個々の対応するバンクの目標行アドレスを保持するカウンタ手段と、
前記揮発性メモリに対して自動リフレッシュモードで動作するように命令し、前記目標バンクアドレスを前記ラッチ手段にロードするコントローラ手段とを備え、
前記揮発性メモリは、前記ラッチ手段から前記目標バンクアドレスを検索し、前記自動リフレッシュモードで自動リフレッシュ動作を実行するように構成され、前記自動リフレッシュ動作は、前記目標バンクのための前記目標行アドレスを用いて、前記目標バンクアドレスによって識別された目標バンクについて実行されるメモリシステム。 - 請求項16のメモリシステムにおいて、前記自動リフレッシュ動作が、前記目標バンクについて実行されている間、前記目標バンク以外の複数のバンクにおける残りのバンクはメモリアクセスのために利用可能であるメモリシステム。
- 請求項16のメモリシステムにおいて、前記カウンタ手段によって保持される複数のバンクの前記目標行アドレスは互いに独立しているメモリシステム。
- 請求項16のメモリシステムにおいて、
前記コントローラ手段は更に、前記揮発性メモリに対して、自己リフレッシュモードで動作するよう命令するために使用され、
前記揮発性メモリは更に、前記ラッチ手段をインクリメントすることによって、前記自己リフレッシュモードにおいて複数のバンクを循環し、現在の目標バンクアドレスを生成するように構成され、
各自己リフレッシュ動作中、前記揮発性メモリは更に、そのバンクの目標行アドレスに基づいて、現在の目標バンクアドレスによって識別されたバンクをリフレッシュするように構成されたメモリシステム。 - 請求項16のメモリシステムにおいて、前記目標バンクがアイドルであれば、前記揮発性メモリは更に、前記自動リフレッシュモードで前記目標バンクについて1つ又は複数の追加自動リフレッシュ動作を実行し、前記目標バンクのための1つ又は複数の先行したリフレッシュを生成するメモリシステム。
- 請求項20のメモリシステムにおいて、1つ又は複数の先行したリフレッシュが実行されたのであれば、前記揮発性メモリは更に、規則的にスケジュールされたリフレッシュの実行を回避し、通常の動作を続けるように構成されたメモリシステム。
- 請求項19のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリが前記自己リフレッシュモードに入ると、前記ラッチ手段に格納された前記目標バンクアドレスは、最後の自動リフレッシュ動作で使用された最後のバンクアドレスを表すメモリシステム。
- 請求項16のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)又はシンクロナスDRAMのうちの1つであるメモリシステム。
- 複数のバンクを有する揮発性メモリのためにメモリリフレッシュを提供する方法であって、
前記複数のバンクの各々のための目標行アドレスを保持することであって、前記複数のバンクのための目標行アドレスは、互いに独立していることと、
目標バンクアドレスをロードすることと、
前記揮発性メモリに対して、自動リフレッシュモードに入り、前記目標バンクに対応する目標行アドレスを用いて前記目標バンクアドレスによって識別された目標バンクについて自動リフレッシュ動作を実行するように命令することとを備えた方法。 - 請求項24の方法において、前記自動リフレッシュ動作が、前記目標バンクについて実行されている間、前記目標バンク以外の複数のバンクにおける残りのバンクはメモリアクセスのために利用可能である方法。
- 請求項24の方法において、更に、
自己リフレッシュモードで動作するように前記揮発性メモリに命令することと、
前記目標バンクアドレスをインクリメントすることによって、前記自己リフレッシュモードにおいて複数のバンクを循環し、各自己リフレッシュ動作中、識別されたバンクに対応する前記目標行アドレスに基づいて前記目標バンクアドレスによって識別されたバンクについてリフレッシュを実行することとを備える方法。 - 請求項24の方法において、更に、
前記目標バンクがアイドルであれば、前記自動リフレッシュモードで前記目標バンクに関する1つ又は複数の追加自動リフレッシュ動作を実行し、前記目標バンクのための1つ又は複数の先行したリフレッシュを生成することを備える方法。 - 請求項27の方法において、更に、
1つ又は複数の先行したリフレッシュが実行された場合には、規則的にスケジュールされたリフレッシュの実行を回避し、前記揮発性メモリの通常動作を継続することを備える方法。 - 請求項24の方法において、前記揮発性メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)又はシンクロナスDRAMのうちの1つである方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US57533304P | 2004-05-27 | 2004-05-27 | |
US60/575,333 | 2004-05-27 | ||
US10/982,691 | 2004-11-05 | ||
US10/982,691 US7184350B2 (en) | 2004-05-27 | 2004-11-05 | Method and system for providing independent bank refresh for volatile memories |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007515348A Division JP5175093B2 (ja) | 2004-05-27 | 2005-05-27 | 揮発性メモリのために独立したバンクリフレッシュを提供する方法及びシステム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012009129A true JP2012009129A (ja) | 2012-01-12 |
JP2012009129A5 JP2012009129A5 (ja) | 2014-12-18 |
JP5819125B2 JP5819125B2 (ja) | 2015-11-18 |
Family
ID=34981522
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007515348A Active JP5175093B2 (ja) | 2004-05-27 | 2005-05-27 | 揮発性メモリのために独立したバンクリフレッシュを提供する方法及びシステム |
JP2011160968A Active JP5819125B2 (ja) | 2004-05-27 | 2011-07-22 | 揮発性メモリのために独立したバンクリフレッシュを提供する方法及びシステム |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007515348A Active JP5175093B2 (ja) | 2004-05-27 | 2005-05-27 | 揮発性メモリのために独立したバンクリフレッシュを提供する方法及びシステム |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7184350B2 (ja) |
EP (1) | EP1756833B1 (ja) |
JP (2) | JP5175093B2 (ja) |
KR (1) | KR100870478B1 (ja) |
CN (1) | CN102543158B (ja) |
IL (1) | IL179501A0 (ja) |
MX (1) | MXPA06013732A (ja) |
TW (1) | TW200615969A (ja) |
WO (1) | WO2005119690A1 (ja) |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100543914B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2006-01-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리프레쉬 동작시 피크 전류를 줄일 수 있는 반도체 메모리장치 |
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- 2005-05-27 TW TW094117497A patent/TW200615969A/zh unknown
- 2005-05-27 JP JP2007515348A patent/JP5175093B2/ja active Active
- 2005-05-27 KR KR1020067027314A patent/KR100870478B1/ko active IP Right Grant
- 2005-05-27 WO PCT/US2005/018580 patent/WO2005119690A1/en active Application Filing
- 2005-05-27 MX MXPA06013732A patent/MXPA06013732A/es active IP Right Grant
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TW200615969A (en) | 2006-05-16 |
JP5819125B2 (ja) | 2015-11-18 |
US20070121409A1 (en) | 2007-05-31 |
KR20070027619A (ko) | 2007-03-09 |
WO2005119690A1 (en) | 2005-12-15 |
EP1756833A1 (en) | 2007-02-28 |
EP1756833B1 (en) | 2014-06-04 |
JP2008500644A (ja) | 2008-01-10 |
US7184350B2 (en) | 2007-02-27 |
KR100870478B1 (ko) | 2008-11-27 |
CN102543158A (zh) | 2012-07-04 |
JP5175093B2 (ja) | 2013-04-03 |
CN102543158B (zh) | 2015-01-21 |
MXPA06013732A (es) | 2007-03-15 |
US7583552B2 (en) | 2009-09-01 |
US20050265104A1 (en) | 2005-12-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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