JP2012009129A5 - - Google Patents

Description

図２は更に、独立したリフレッシュ方法を実現するために使用することができる揮発性メモリ１１０の１つの実施例を示す。揮発性メモリ１１０は更に、バンクアドレスラッチ２００、リフレッシュトリガ２３０、多くのリフレッシュ行カウンタ２１０ａ〜ｄ、及び多くのバンク２２０ａ〜ｄを含む。バンクアドレスラッチ２００は、リフレッシュされるべき具体的なバンクについての目標バンクアドレスを格納するために使用される。バンク２２０ａ〜ｄは、対応するリフレッシュ行カウンタ２１０ａ〜ｄにそれぞれ関連付けられる。リフレッシュ行カウンタ２１０ａ〜ｄのための初期値は、パワーアップまたはリセットして初期化される。例えば、リフレッシュ行カウンタ２１０ａは、バンク２２０ａに関連付けられる。リフレッシュ行カウンタ２１０ａ〜ｄは、それぞれのバンク２２０ａ〜ｄにおいてリフレッシュされるべきである行についての目標行アドレスを保持するのに使用される。リフレッシュ行カウンタ２１０ａ〜ｄに格納される目標行アドレスは、互いに独立している。リフレッシュトリガ２３０は、以下にさらに記述されるように、自己リフレッシュモード中、バンクアドレスラッチ２００を制御するのに使用される。例えば、リフレッシュトリガ２３０は、クロックまたは他のタイミングメカニズムであることができる。

Claims (9)

1. メモリシステムであって、
   それぞれ複数の行を有する複数のバンクを有する揮発性メモリと、
   前記揮発性メモリに対して自動リフレッシュモードで動作するよう命令するように、更に、前記揮発性メモリに目標バンクアドレスを提供するように構成されたメモリコントローラとを備え、
   前記揮発性メモリは、バンクアドレスラッチに前記目標バンクアドレスを格納するように、及び前記自動リフレッシュモードにおいて自動リフレッシュ動作を実行するように構成され、前記自動リフレッシュ動作は、前記目標バンクアドレスによって識別された目標バンクについて実行され、
   前記自動リフレッシュ動作が、前記目標バンクについて実行されている間、前記目標バンク以外の複数のバンクにおける残りのバンクはメモリアクセスのために利用可能であり、
   前記メモリコントローラは更に、前記揮発性メモリに対して自己リフレッシュモードで動作するよう命令するように構成され、
   前記揮発性メモリは、複数のリフレッシュ行カウンタを備え、各リフレッシュ行カウンタは、対応するバンクに関連付けられ、前記バンクアドレスラッチに目標行アドレスを保持するように構成され、
   自己リフレッシュ動作中、前記揮発性メモリは更に、前記目標行アドレスに基づいて、前記目標バンクをリフレッシュするように構成され、前記目標バンクは、最後の自動リフレッシュ動作で使用された前記目標バンクアドレスを表す前記バンクアドレスラッチに格納された前記目標バンクアドレスによって識別され、
   前記揮発性メモリは更に、前記目標バンクアドレスをインクリメントすることによって、前記自己リフレッシュモードにおいて前記複数のバンクを循環し、現在の目標バンクアドレスを生成するように構成され、
   各自己リフレッシュ動作中、前記揮発性メモリは更に、関連付けられたリフレッシュ行カウンタに格納された前記目標行アドレスに基づいて、前記バンクアドレスラッチの内の前記現在の目標バンクアドレスによって識別された前記バンクをリフレッシュするように構成されたメモリシステム。
2. 請求項１のメモリシステムにおいて、
   前記揮発性メモリは更に、前記目標バンクに関連付けられた前記リフレッシュ行カウンタに格納された前記目標行アドレスを用いて、前記目標バンクについて自動リフレッシュ動作を実行するように構成されたメモリシステム。
3. 請求項２のメモリシステムにおいて、前記複数のリフレッシュ行カウンタ内にそれぞれ格納された前記目標行アドレスは互いに独立しているメモリシステム。
4. 請求項１のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）又はシンクロナスＤＲＡＭのうちの１つであるメモリシステム。
5. 請求項１に記載のメモリシステムにおいて、
   前記目標バンクがアイドルであれば、前記揮発性メモリは更に、前記自動リフレッシュモードで前記目標バンクについて１つ又は複数の追加自動リフレッシュ動作を実行し、前記目標バンクのために、規則的にスケジュールされたリフレッシュを実行する前に、１つ又は複数の先行したリフレッシュを生成するメモリシステム。
6. 複数のバンクを有する揮発性メモリのためにメモリリフレッシュを提供する方法であって、
   前記複数のバンクの各々のための目標行アドレスを保持することであって、前記複数のバンクのための目標行アドレスは、互いに独立していることと、
   バンクアドレスラッチ内の目標バンクアドレスを格納することと、
   前記揮発性メモリに対して、自動リフレッシュモードに入り、前記目標バンクに対応する前記目標行アドレスを用いて前記目標バンクアドレスによって識別された目標バンクについて自動リフレッシュ動作を実行するように命令することと、
   自己リフレッシュモードで動作するように前記揮発性メモリに命令することと、
   自己リフレッシュ動作中、前記目標バンクに対応する前記目標行アドレスを用いて最後の自動リフレッシュ動作で使用された前記目標バンクアドレスを表す前記バンクアドレスラッチに格納された前記目標バンクアドレスによって識別された前記目標バンクについてのリフレッシュを実行することと、
   前記バンクアドレスラッチ内の前記目標バンクアドレスをインクリメントすることによって、前記自己リフレッシュモードにおいて前記複数のバンクを循環し、各自己リフレッシュ動作中、前記識別されたバンクに対応する前記目標行アドレスに基づいて前記バンクアドレスラッチ内の前記目標バンクアドレスによって識別された前記バンクについて前記リフレッシュを実行することとを備えた方法。
7. 請求項６に記載の方法において、前記自動リフレッシュ動作が、前記目標バンクについて実行されている間、前記目標バンク以外の複数のバンクにおける残りのバンクはメモリアクセスのために利用可能である方法。
8. 請求項６の方法において、前記揮発性メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）又はシンクロナスＤＲＡＭのうちの１つである方法。
9. 請求項６に記載の方法において、
   前記目標バンクがアイドルであれば、前記自動リフレッシュモードで前記目標バンクについて１つ又は複数の追加自動リフレッシュ動作を実行し、前記目標バンクのために、規則的にスケジュールされたリフレッシュを実行する前に、１つ又は複数のリフレッシュを生成することを更に備える方法。