JP2011526734A5

JP2011526734A5 -

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Publication number: JP2011526734A5
Application number: JP2011512930A
Authority: JP
Filing date: 2009-05-29
Publication date: 2012-07-19

Claims

処理領域（２０２）を通して１または複数の基板（１５０）を搬送するように構成された第１のコンベヤ（１１１）と、
前記第１のコンベヤ（１１１）上に配置された前記１または複数の基板（１５０）に、１または複数の波長の電磁エネルギーを供給する放射伝熱組立体（２０１）と、
対流伝熱組立体（２０３）と
を備えた基板（１５０）を処理する装置であって、前記対流伝熱組立体（２０３）が、
加熱素子（２４０）を内蔵するプレナム（２４５）、および
前記プレナム（２４５）に内蔵された前記加熱素子（２４０）と、前記処理領域（２０２）内で前記第１のコンベヤ（１１１）上に配置された前記基板（１５０）の表面とにガスを通過させるように構成された流体供給デバイス（２２９）を含んでおり、
所望の熱プロファイルを達成するために、前記放射伝熱組立体（２０１）と前記対流伝熱組立体（２０３）が個別に制御される、基板（１５０）を処理する装置。
前記プレナム（２４５）が、前記基板（１５０）の前記表面を通過した前記ガスを受け取るように配置された入口ポート（２４４）を有し、
前記対流伝熱組立体（２０３）が、前記入口ポート（２４４）から受け取った前記ガスと流体連通する熱交換面（２３２）を有する熱交換組立体（２３０）をさらに備える、請求項１に記載の装置。
前記熱交換組立体（２３０）が、前記熱交換面（２３２）と熱連通して前記入口ポート（２４４）から受け取った前記ガスから熱を除去する熱コントローラ（２３１）をさらに備える、請求項２に記載の装置。
前記第１のコンベヤ（１１１）および前記処理領域（２０２）の一部を取り囲む１または複数の壁（２５１）をさらに備え、
前記プレナム（２４５）が、前記加熱素子（２４０）と前記処理領域（２０２）との間に配置された出口ポート（２４３）をさらに備え、前記流体供給デバイス（２２９）によって供給される前記ガスが、前記出口ポート（２４３）を通って前記処理領域（２０２）の一部を取り囲む前記１または複数の壁（２５１）の間を流れてから前記入口ポート（２４４）に入る、請求項２に記載の装置。
前記放射伝熱組立体（２０１）が、１または複数のランプ（２０４Ａ）および前記ランプ（２０４Ａ）に電気的に結合された電源を有し、
前記装置が、前記ランプ（２０４Ａ）によって前記基板（１５０）に供給される電磁エネルギーの前記波長を調整するコントローラをさらに備える、請求項１に記載の装置。
前記コンベヤ（１１１）が、基板（１５０）が前記処理領域（２０２）を通り、前記入口ポート（２４４）および出口ポート（２４３）を通過するように、前記基板（１５０）を搬送するベルト（１１６）を備えている、請求項４に記載の装置。
回転アクチュエータ（１３０）に結合された第１の基板支持体（１３１）と、
前記回転アクチュエータ（１３０）が第１の方向に向く角度に配置されたときに、前記第１の基板支持体（１３１）を受け取るように配置された第１のスクリーン印刷チャンバ（１０２）と、
前記回転アクチュエータ（１３０）が第２の方向に向く角度に配置されたときに、前記第１の基板支持体（１３１）から基板（１５０）を搬送するように配置された第２のコンベヤ（１１２）であって、前記第１のコンベヤ（１１１）と搬送可能に連通する第２のコンベヤ（１１２）と
をさらに備える、請求項１に記載の装置。
前記回転アクチュエータ（１３０）に結合された第２の基板支持体（１３１）と、
前記回転アクチュエータ（１３０）が前記第１の方向に向く角度に配置されたときに、前記第２の基板支持体（１３１）に基板（１５０）を搬送するように配置された第３のコンベヤ（１１１）と、
前記回転アクチュエータ（１３０）が前記第１の方向に向く角度に配置されたときに、前記第２の基板支持体（１３１）から基板（１５０）を受け取るように配置された第４のコンベヤ（１１２）と
をさらに備える、請求項７に記載の装置。
前記対流伝熱組立体（２０３）が、
前記プレナム（２４５）に内蔵された複数の熱交換管（２４８）であって、前記流体供給デバイス（２２９）が、前記複数の熱交換管（２４８）の第１の表面、前記加熱素子（２４０）、および前記処理領域（２０２）内に配置された前記１または複数の基板（１５０）を通過するようにガスを移動させる、複数の熱交換管（２４８）と、
前記複数の熱交換管（２４８）の温度を制御する熱交換デバイス（２３０）と、
前記１または複数の基板（１５０）の前記表面を通過した前記ガスを受け取って、前記受け取ったガスを前記複数の熱交換管（２４８）の第２の表面を通過するように導くように配置されたプレナム入口と
をさらに備える、請求項１に記載の装置。
スクリーン印刷チャンバ（１０２）内に基板（１５０）を配置し、次いで、スクリーン印刷プロセスを用いて前記基板（１５０）上に材料を堆積させること、
前記材料を堆積させた後に、前記基板（１５０）を乾燥チャンバ（２００）の処理領域（２０２）に搬送すること、
前記処理領域（２０２）内に配置された前記基板（１５０）の表面に、放射伝熱組立体（２０１）により一定量の電磁エネルギーを供給すること、
前記処理領域（２０２）内に配置された前記基板（１５０）の前記表面を通過するように加熱ガスを対流伝熱組立体（２０３）により供給すること、および
所望の熱プロファイルと達成するために、前記放射伝熱組立体（２０１）と前記対流伝熱組立体（２０３）を個別に制御すること
を含む、基板（１５０）の処理方法。
前記一定量の電磁エネルギーを供給することが、前記堆積させた材料による前記電磁エネルギーの吸収を促進するとともに、前記基板（１５０）内に含まれる１または複数の材料により吸収されるエネルギーの量を最小限に抑えるために、１または複数の所望の波長の前記電磁エネルギーを供給することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
加熱ガスを供給することが、
熱交換面（２３２）の温度を制御すること、および
前記加熱ガスが前記基板（１５０）を通って前記熱交換面（２３２）に供給された後に前記加熱ガスの少なくとも一部を供給することであって、前記熱交換面（２３２）の温度が、前記加熱ガスの前記一部に含まれる揮発性成分が前記熱交換面（２３２）上で凝縮するように制御されること
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
前記第１の熱交換面（２３２）の温度が約４０℃〜約３００℃である、請求項１２に記載の方法。
加熱ガスを供給することが、
加熱素子（２４０）にガスを通すことによって前記ガスを加熱すること、
前記加熱ガスを、前記処理領域（２０２）の一領域を通るように導くこと、および
前記処理領域（２０２）を通るように導かれた前記加熱ガスの少なくとも一部を受け取って、前記加熱ガスの前記少なくとも一部を前記加熱素子（２４０）に通すことにより、前記加熱ガスの前記一部を再循環させること
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
前記基板（１５０）がシリコン含有基板である、請求項１０に記載の方法。