JPH0694369A - 焼成炉用雰囲気ガス制御装置 - Google Patents

焼成炉用雰囲気ガス制御装置

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JPH0694369A
JPH0694369A JP4271216A JP27121692A JPH0694369A JP H0694369 A JPH0694369 A JP H0694369A JP 4271216 A JP4271216 A JP 4271216A JP 27121692 A JP27121692 A JP 27121692A JP H0694369 A JPH0694369 A JP H0694369A
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gas
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atmosphere gas
firing
atmosphere
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Yasuo Otani
康夫 大谷
Takuo Katayasu
卓雄 潟保
Makoto Sato
佐藤  誠
Tsutomu Tanaka
努武 田中
Yoshimasa Nose
義政 能勢
Kazumi Kobayashi
和美 小林
Tetsuei Uchikawa
哲英 内川
Toshihiro Hamahata
利寛 浜畑
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    • Y02P40/60Production of ceramic materials or ceramic elements, e.g. substitution of clay or shale by alternative raw materials, e.g. ashes

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Abstract

(57)【要約】 【目的】従来は捨てられていた排気ガスを、焼成条件に
悪影響を与えることなく有効に利用し得る焼成炉用雰囲
気ガス制御装置を提供する。 【構成】雰囲気ガス循環装置4を含む。雰囲気ガス循環
装置4は焼成炉1から導かれた排気ガスG1中に含まれ
る成分を調整し、焼成炉1の炉内温度に近い温度に調整
して、ガスG2として焼成炉内に戻す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、焼成炉用雰囲気ガス制
御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】各種電子部品等に用いられるセラミック
スは、所定のセラミック粉末と有機バインダとの混合し
た成形品等の被焼成物を、焼成炉を通して焼成すること
によって得られる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】炉室内の雰囲気ガス処
理は、絶えずフレッシュな雰囲気ガスを炉室内に供給
し、排気を行うことによって行われる。炉室内に投入さ
れるフレッシュな雰囲気ガスは、室温レベルの温度で炉
室内に投入される。このため、フレッシュな雰囲気ガス
の投入により、炉室内が局部的に冷却され、セラミック
焼成条件が変化し、焼成品の特性変動を招く。
【0004】しかも、ガスは、熱エネルギーを有するに
もかかわらず、そのまま、利用されることなく捨てられ
ている。これは、熱エネルギー効率の面から好ましいこ
とではない。
【0005】本発明の課題は、従来は捨てられていたガ
スを、焼成条件に悪影響を与えることなく有効に利用し
得る焼成炉用雰囲気ガス制御装置を提供することであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、 雰囲気ガス循環装置を含む焼成炉用雰
囲気ガス制御装置であって、前記雰囲気ガス循環装置
は、前記焼成炉から雰囲気ガスが導入され、導入された
ガスに含まれる成分濃度を調整すると共に、前記ガスの
温度を前記焼成炉の炉室内温度に近い温度に調整した
後、前記焼成炉内に戻す。
【0007】
【作用】雰囲気ガス循環装置は、焼成炉から導かれたガ
スを、焼成炉内に戻すから、従来は無駄に捨てられてい
たガスを、その熱エネルギーを含めて、有効に利用でき
る。
【0008】雰囲気ガス循環装置は、焼成炉から導かれ
たガス中の成分濃度を調整し、その後にガスを焼成炉内
に戻す。例えば、成分が被焼成物から発生したものであ
る場合には、これらを除去した後に焼成炉に戻される。
被焼成物から発生する成分としては、有機バインダの分
解ガス、蒸気の他、被焼成物を構成する要素、例えばP
b、K、Na、Mn等の金属成分またはこれらの金属酸
化物が含まれる。成分、例えば燃焼用空気が不足した場
合は、不足分が添加される。このため、ガスの循環が被
焼成物の焼成に悪影響を与えることがない。
【0009】雰囲気ガス循環装置は、焼成炉から導かれ
たガスを、焼成炉の炉内温度に近い温度に調整して焼成
炉内に戻すから、炉室内が局部的に冷却されたり、ある
いは過熱されることがない。このため、セラミック焼成
条件の変動や、焼成品の特性変動を招くことがない。
【0010】
【実施例】図1は本発明に係る焼成炉用雰囲気ガス制御
装置を有する焼成装置の構成を示す図である。1は焼成
炉、2は雰囲気ガス制御装置である。焼成炉1には、量
産型連続炉、量産型バッチ炉等の他、試験炉等も含まれ
る。焼成炉1は所定のセラミック粉末と有機バインダと
の混合した成形品等の被焼成物3を、所定の焼成条件で
焼成する。
【0011】雰囲気ガス制御装置2は、焼成炉1に雰囲
気ガスを供給し、焼成炉1内の雰囲気ガスを制御する。
雰囲気ガス制御装置2は雰囲気ガス循環装置4を含んで
いる。5はフレッシュな雰囲気ガスを供給する雰囲気ガ
ス供給装置である。
【0012】雰囲気ガス循環装置4は、焼成炉1から導
かれたガスG1中に含まれる成分濃度を調整し、焼成炉
1の炉内温度に近い温度に調整した後、ガスG2として
焼成炉1の内部に戻す。
【0013】上述のように、雰囲気ガス循環装置4は、
焼成炉1から導かれたガスG1を、焼成炉1の内部に戻
すから、従来は無駄に捨てられていたガスG1を、その
熱エネルギーを含めて、有効に利用できる。
【0014】しかも、雰囲気ガス循環装置4は、焼成炉
1から導かれたガスG1中に含まれる成分の濃度を調整
する。例えば、成分が被焼成物から発生したものである
場合には、これらを除去した後に焼成炉に戻される。被
焼成物から発生する成分としては、有機バインダの分解
ガス及び蒸気の他、被焼成物を構成する要素、例えばP
b、K、Na、Mn等の金属成分またはこれらの金属酸
化物が含まれる。例えば燃焼用空気が不足した場合は、
不足分が添加される。このため、ガスの循環が被焼成物
3の焼成に悪影響を与えることがない。
【0015】更に、雰囲気ガス循環装置4は、焼成炉1
から導かれたガスG1を、焼成炉1の炉内温度に近い温
度に調整して焼成炉1の内部に戻すから、炉室内が局部
的に冷却されたり、あるいは過熱されたりすることがな
い。このため、セラミック焼成条件の変動や、焼成品の
特性変動を招くことがない。
【0016】図2は本発明に係る雰囲気ガス制御装置を
有する焼成装置のさらに具体的な構成を示す図である。
図において、図1と同一の参照符号は同一性ある構成部
分を示している。雰囲気ガス循環装置4は、焼却装置4
1を含んでいる。焼却装置41はガスG1中に含まれる
不要成分を焼却する。焼却装置41は電気ヒータまたは
燃焼機器によって構成でき、図は電気ヒータを用いた例
を示している。411は電気ヒータ駆動用の電源であ
る。不要成分の燃焼に必要な空気はフィルタ412、ブ
ロア413及び電磁弁414を通して、焼却装置41に
供給される。焼却装置41は、有機バインダ、その分解
ガス、蒸気の焼却に必要な温度、例えば750〜800
℃程度に加熱する。焼成炉1から排出されるガスG1は
500℃以下の温度である。
【0017】雰囲気ガス循環装置4は、熱交換装置42
を有する。熱交換装置42は焼却装置41から供給され
た焼却後のガスG4と、焼成炉1に供給されるべき供給
ガスG5との間で熱交換を行い、焼却装置41から出た
ガスG4の熱を利用してフレッシュな供給ガスG5との
熱交換を行い、熱効率を向上させる。
【0018】更に、図示の雰囲気ガス循環装置4は、熱
交換装置42よりも前段において焼却後のガスG4を供
給ガスG5に混合する経路を含む。この経路は冷却装置
43及びブロア44を含む。冷却装置43は焼却後のガ
スを例えば50℃程度まで冷却し、冷却後のガスG6
を、熱交換装置42よりも前段において供給ガスG5に
混合する。冷却後のガスG6及び供給ガスG5は、互い
に混合されて熱交換装置42に供給され、焼却装置41
から出た直後のガスG4との間の熱交換作用により加熱
され、加熱されたガスG2が焼成炉1に供給される。従
って、図2の実施例は雰囲気ガス循環装置4及び雰囲気
ガス供給装置5がガス供給路及びガス循環路を互いに共
用する経路を有する。焼却装置41は、ガスG1を有機
バインダの分解ガスの焼却に必要な750〜800℃程
度に加熱する。従って、焼却装置41は、ガスG1に含
まれる各種成分の焼却とともに、昇温作用をも行うこと
になるから、焼却装置41から出たガスを直接に焼成炉
1に戻すことも可能である。
【0019】雰囲気ガス供給装置5は、図では、ガス1
を供給する経路と、ガス2を供給する経路を持つ。各供
給経路は、フィルタ51、52及び電磁弁53、54を
含んでいる。ガス1及び2は燃焼用空気または窒素ガス
等である。
【0020】6は雰囲気ガス濃度監視装置、7はバルブ
である。雰囲気ガス監視装置6は冷却後のガスG6の濃
度、例えば(空気/窒素)を監視し、電磁弁53、54
の開度または開閉回数等を制御して、焼成炉1の内部の
雰囲気ガス濃度を調整する。バルブ7は過剰な雰囲気ガ
スを排気する弁である。
【0021】図3は本発明に係る焼成炉用雰囲気ガス制
御装置及び焼成装置の別の実施例における構成を示す図
である。図において、図2と同一の参照符号は同一性あ
る構成部分を示している。
【0022】雰囲気ガス循環装置4は、冷却装置45
と、昇温装置46とを含んでいる。冷却装置45は焼成
炉1から導かれたガスG1中に含まれる有機バインダを
凝縮して除去する。冷却装置45は図示では熱交換装置
451と、冷却装置452とを含み、熱交換装置451
で降温した後、後段の冷却装置452によって凝縮温度
まで冷却する。セラミック製品焼成に伴って発生する有
機バインダの分解ガスを凝縮する場合は、後段の冷却装
置452において(−30)℃程度まで冷却する。熱交
換装置451は冷却装置によって置換できる。凝縮成分
は分離路8を通して回収される。
【0023】冷却装置45を通した後のガスG7及びG
8は熱交換装置451によって昇温される。熱交換装置
451からでたGガスは熱交換装置42によって昇温さ
れる。熱交換装置42から出たガスG9は、昇温装置4
6によって加熱された後、焼成炉1に供給される。熱交
換装置42は、冷却装置45よりは前段において、焼成
炉1から導かれたガスG1と、焼成炉1に供給されるべ
き供給ガスとの間で熱交換を行う。
【0024】雰囲気ガス循環装置4は、雰囲気ガス供給
装置5から供給される供給ガスG10に冷却後のガスG
7を混合する経路を含む。ガスG10及びG7はブロア
47によって熱交換装置42に供給される、図4は本発
明に係る焼成炉用雰囲気ガス制御装置及び焼成装置の別
の実施例における構成を示す図である。図において、図
3と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示してい
る。この実施例は、冷却装置45は1個だけであり、不
純物または有機バインダ等を含まない雰囲気ガスの処理
に対応するものである。
【0025】図5は本発明に係る焼成炉用雰囲気ガス制
御装置及び焼成装置の別の実施例における構成を示す図
である。図において、図4と同一の参照符号は同一性あ
る構成部分を示す。この実施例では、ベーパ回収装置4
8を有する。ベーパ回収装置48はPb、K、Na、M
n等の金属成分またはこれらの金属酸化物を析出回収す
る。これらは2基が並列に設けられ、切替コック48
3、484によって切り替え使用できるようになってい
る。
【0026】本発明に係る雰囲気ガス制御装置は、焼成
炉の外部に設置してもよいし、1部または全部を焼成炉
に組み合わせて設置することもできる。図6は本発明に
係る雰囲気ガス制御装置の一部を焼成炉に組み込んだ例
をモデル化して示す部分断面図である。図において、9
は雰囲気ガス制御装置、10は耐火炉体、20は炉室、
30は被焼成物、40は主熱源装置、50は副熱源装
置、60は熱交換装置である。雰囲気ガス制御装置9は
図1〜図5に示した何れかの構成を有する。炉室20を
囲む炉体10は、耐火レンガ等を使用して形成されてい
る。被焼成物30は、有機バインダ等を含むセラミック
製品を耐熱性ケースの内部に配置したものであって、通
常、耐熱性台板70の上に配置されて炉室20の内部に
収納される。
【0027】炉室20は被焼成物30を収納する第1炉
室201と、第2炉室202とに区画されている。20
3は第1炉室201と第2炉室202とを区画する耐火
隔壁である。主熱源装置40は第1炉室201の内部に
配置され、副熱源装置50は第2炉室202の内部に配
置されている。主熱源装置40は被焼成物30の焼成に
必要な熱を得る主力熱源として使用され、副熱源装置5
0はそのバックアップヒータとして用いられる。主熱源
装置40及び副熱源装置50は任意数設けられる。この
ような構造であると、副熱源装置50を、必要数だけ、
必要な熱出力が得られるように駆動することにより、炉
体蓄熱の差を考慮した焼成条件を設定し得る。また、乾
燥、昇温、均熱、冷却等の焼成条件設定を自由に行うこ
とができる。
【0028】好ましくは、主熱源装置40は電熱源であ
り、副熱源装置50はガスバーナ、オイルバーナ等の燃
焼熱源である。副熱源装置50がガスバーナ等の燃焼熱
源であると、電熱源を単独で用いる場合よりも、熱エネ
ルギーコストが安価になる。
【0029】第1炉室201で構成される焼成室は、第
2炉室202に含まれる燃焼室204から区画されてい
る。このため、焼成室201内の雰囲気をコントロール
し、燃焼熱源である副熱源装置50の燃焼動作による製
品干渉を阻止して、一定品質の焼成品が得られる。しか
も、副熱源装置50のための燃焼室204と第1炉室2
01で構成される焼成室とを、隔壁203によって互い
に区画し、その雰囲気をコントロールするようにしてあ
る。このため、燃焼熱源である副熱源装置50の燃焼動
作が変動した場合でも、焼成室201内の、特に酸素濃
度に対する干渉はない。また、隔壁203を介した間接
加熱となるため、脱バインダにムラがなくなり、割れ等
の品質不良も低減される。
【0030】第2炉室202は、燃焼室204と空気供
給路205とを有する。空気供給路205は外部から取
り入れた外気を燃焼室204に供給する経路を構成して
いる。206は隔壁であり、隔壁206は空気供給路2
05を燃焼室204から区画している。
【0031】隔壁203及び206は間接輻射壁を構成
している。焼成室201の周りに形成される間接輻射壁
は、焼成室201の内壁面積の50%前後の面積を持つ
ように構成する。これにより、焼成室201内の温度を
確実、かつ、容易にコントロールすることが可能にな
る。
【0032】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 (a)雰囲気ガス循環装置は、焼成炉から導かれたガス
を、焼成炉内に戻すから、従来は無駄に捨てられていた
ガスを、その熱エネルギーを含めて、有効に利用し、焼
成炉効率を向上させ得る焼成炉用雰囲気ガス制御装置を
提供できる。 (b)雰囲気ガス循環装置は、焼成炉から導かれたガス
中に含まれる成分濃度を調整し、その後に焼成炉内に戻
すから、ガスの循環が被焼成物の焼成に悪影響を与える
ことのない焼成炉用雰囲気ガス制御装置を提供できる。 (c)雰囲気ガス循環装置は、焼成炉から導かれたガス
を、焼成炉の炉内温度に近い温度に調整して焼成炉内に
戻すから、炉室内が局部的に冷却または昇温されること
がなく、焼成条件の変動や、焼成品の特性変動を招くこ
とのない焼成炉用雰囲気ガス制御装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る焼成炉用雰囲気ガス制御装置を有
する焼成装置の構成を示す図である。
【図2】本発明に係る焼成炉用雰囲気ガス制御装置を有
する焼成装置の他の構成を示す図である。
【図3】本発明に係る焼成炉用雰囲気ガス制御装置を有
する焼成装置の他の構成を示す図である。
【図4】本発明に係る焼成炉用雰囲気ガス制御装置を有
する焼成装置の他の構成を示す図である。
【図5】本発明に係る焼成炉用雰囲気ガス制御装置を有
する焼成装置の他の構成を示す図である。
【図6】本発明に係る雰囲気ガス制御装置の一部を焼成
炉憎み込んだ例をモデル化して示す部分断面図である。
【符号の説明】
1 焼成炉 2 雰囲気ガス制御装置 3 雰囲気ガス循環装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 誠 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 田中 努武 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 能勢 義政 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 小林 和美 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 内川 哲英 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 浜畑 利寛 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内

Claims (10)

    . 【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 雰囲気ガス循環装置を含む焼成炉用雰囲
    気ガス制御装置であって、 前記雰囲気ガス循環装置は、前記焼成炉から雰囲気ガス
    が導入され、導入されたガスに含まれる成分濃度を調整
    すると共に、前記ガスの温度を前記焼成炉の炉室内温度
    に近い温度に調整した後、前記焼成炉内に戻す焼成炉用
    雰囲気ガス制御装置。
  2. 【請求項2】 前記雰囲気ガス循環装置は、前記焼成炉
    内に戻されるガスの温度が、前記焼成炉内の温度から5
    0℃以上離れないように調整する請求項1に記載の焼成
    炉用雰囲気ガス制御装置。
  3. 【請求項3】 前記雰囲気ガス循環装置は、導入された
    ガスの不要成分を除去する請求項1または2に記載の焼
    成炉用雰囲気ガス制御装置。
  4. 【請求項4】 前記雰囲気ガス循環装置は、焼却装置を
    含み、前記焼却装置が前記ガス中に含まれる不要成分を
    焼却する請求項3に記載の焼成炉用雰囲気ガス制御装
    置。
  5. 【請求項5】 前記雰囲気ガス循環装置は、熱交換装置
    を含み、前記熱交換装置が前記焼却装置から供給された
    焼却後のガスと、前記焼成炉に供給される供給ガスとの
    間で熱交換を行う請求項4に記載の焼成炉用雰囲気ガス
    制御装置。
  6. 【請求項6】 前記雰囲気ガス循環装置は、前記焼却後
    のガスを前記供給ガスに混合する経路を含む請求項4に
    記載の焼成炉用雰囲気ガス制御装置。
  7. 【請求項7】 前記雰囲気ガス循環装置は、冷却装置を
    含み、前記冷却装置が前記焼却後のガスを冷却し、冷却
    後のガスが前記供給ガスに混合される請求項6に記載の
    焼成炉用雰囲気ガス制御装置。
  8. 【請求項8】 前記雰囲気ガス循環装置は、冷却装置
    と、昇温装置とを含み、前記冷却装置が前記焼成炉から
    導かれたガス中に含まれる各種成分を凝縮して除去し、
    前記昇温装置が前記冷却装置を通した後の前記ガスを加
    熱して前記焼成炉に供給する請求項1に記載の焼成炉用
    雰囲気ガス制御装置。
  9. 【請求項9】 前記雰囲気ガス循環装置は、熱交換装置
    を含み、前記熱交換装置が前記焼成炉から導かれた前記
    ガスと前記焼成炉に供給される供給ガスとの間で熱交換
    を行い前記供給ガスを昇温させ、前記昇温装置が前記熱
    交換装置を通った後の前記供給ガスを昇温する請求項8
    に記載の焼成炉用雰囲気ガス制御装置。
  10. 【請求項10】 前記雰囲気ガス循環装置は、すくなと
    も1部が前記焼成炉と一体化されている請求項1乃至9
    記載の焼成炉用雰囲気ガス制御装置。
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