TWI479590B - 用於絲網印刷之短熱力曲線爐 - Google Patents

用於絲網印刷之短熱力曲線爐 Download PDF

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Description

用於絲網印刷之短熱力曲線爐
本發明是有關用於沉積圖案化層至基板表面的系統，例如絲網印刷製程。
太陽能電池為將太陽光直接轉換成電能的光電(PV)裝置。PV裝置一般具有一或多個p-n接合面。每一接合面在半導體材料內包含二個不同區域，其中一側為p型區，另一側為n型區。PV電池的p-n接合面曝照太陽光(由光子能組成)後，太陽光透過PV作用直接轉換成電能。PV太陽能電池產生特定量的電能，電池則鋪裝成模組尺寸以傳送預定量的系統功率。PV模組結合成具特殊框架與連接器的面板。太陽能電池通常形成於矽基板，其可為單晶或多晶矽基板。典型的PV電池包括p型矽晶圓、基板或厚度一般小於約0.3毫米(mm)的薄板，且n型矽薄層形成在基板的p型區頂部。
過去十年來，光電市場的年成長率已成長超過30%。一些文章指出全世界的太陽能電池功率生產在不久的將來將超過10GWp。預估95%以上的光電模組是以矽晶圓為基底。快速的市場成長率、加上實質降低太陽能電力成本要求對便宜地製造高品質光電裝置而言已帶來許多嚴峻的挑戰。製造可商業化太陽能電池的一主要因素在於增進裝置產率、提高基板產量及/或減少生產裝置所消耗的能量，以降低形成太陽能電池所需的製造成本。
絲網印刷已長期用於印刷物件(如衣服)上的設計，並用於電子產業來印刷電子部件設計，例如基板表面的電觸點或內連線。目前太陽能電池生產製程亦採行絲網印刷製程。
沉積圖案至部件表面後，通常期乾燥沉積材料，以確保沉積圖案在後續傳送步驟期間是穩定的且能承受後續處理步驟，例如用於太陽能電池生產的高溫退火製程。因一般基板對紅外線(IR)的吸收率低所致，製造太陽能電池所採行的傳統輻射加熱型乾燥製程進行時間長，完成又需耗費大量能量。
再者，溶劑材料一般於乾燥製程期間自基板表面的沉積材料移除，其會污染處理之基板和乾燥裝置之部件。又，溶劑自沉積材料蒸發的速度和乾燥沉積材料所需的時間取決於乾燥裝置之處理區的溶劑材料分壓。故需移除蒸發溶劑材料及減少處理時爐內蒸氣量的方法，以減少污染基板和支撐硬體，並加快乾燥製程。
因此，需要用於製造太陽能電池、電子電路或其他有用裝置的絲網印刷設備，以縮短絲網印刷製程期間形成之沉積材料所需的乾燥時間、減少能量消耗，進而增進裝置產率且具有比其他已知設備還低的擁有成本(CoO)。
本發明大體上提出用於處理基板的設備，包含第一輸送裝置，用以傳送一或多個基板通過處理區、輻射熱傳構件，用以傳遞一或多個波長之電磁能至位於第一輸送裝置的一或多個基板、以及對流熱傳構件，包含內設加熱元件的氣室、以及流體輸送裝置，用以促使氣體經過氣室的加熱元件且經過處理區內位於第一輸送裝置的基板表面。
本發明之實施例另提出處理基板的方法，包含沉積材料至基板表面、沉積圖案化材料後，將基板傳送到乾燥腔室的處理區、傳遞電磁能至位於處理區的基板表面、以及輸送加熱氣體經過位於處理區的基板。
本發明之實施例更提出處理基板的方法，包含沉積圖案化材料至基板表面、沉積圖案化材料後，將基板傳送到輸送裝置、利用輸送裝置將基板傳送通過乾燥腔室的至少一部分處理區、傳送基板通過處理區時，傳遞電磁能至基板表面、以及傳送基板通過處理區時，輸送加熱氣體經過基板，其中輸送加熱氣體更包含藉由使氣體流過加熱元件而加熱氣體、引導加熱氣體通過處理區的一區域、以及接收至少一部分引導通過處理區的加熱氣體，及輸送至少一部分加熱氣體經過加熱元件，以再循環部分加熱氣體。
本發明之實施例尚提出用於處理基板的設備，包含第一輸送裝置，用以傳送一或多個基板通過處理區、輻射熱傳構件，用以傳遞一或多個波長之電磁能至位於第一 輸送裝置的一或多個基板、以及對流熱傳構件，包含內設複數個熱交換管和加熱元件的氣室、流體輸送裝置，用以促使氣體流過複數個熱交換管的第一表面和氣室的加熱元件且經過處理區內位於第一輸送裝置的基板表面、熱交換裝置，用以控制複數個熱交換管的溫度、以及氣室入口，設置成接收流過基板表面的氣體及引導經接收之氣體經過熱交換管的第二表面。
本發明之實施例還提出處理基板的方法，包含沉積材料至基板表面、沉積材料後，將基板傳送到乾燥腔室的處理區、傳遞電磁能至位於處理區的基板表面、以及傳送基板通過處理區時，輸送加熱氣體至基板，其中輸送加熱氣體更包含藉由使氣體流過加熱元件而加熱氣體、引導加熱氣體經過位於處理區的基板、以及接收至少一部分引導經過基板的加熱氣體，及輸送加熱氣體至第一熱交換表面，以移除加熱氣體的能量。
本發明之實施例進一步提出用於處理基板的設備，包含具第一轉軸的旋轉致動器構件、耦接旋轉致動器構件的第一基板支撐件、第一輸送裝置，用以傳送一或多個基板通過處理區，且當旋轉致動器構件朝第一方位角度定位時，接收來自第一基板支撐件的基板、輻射熱傳構件，用以傳遞一或多個波長之電磁能至位於第二輸送裝置的一或多個基板、以及對流熱傳構件，包含內設複數個熱交換管和加熱元件的氣室、流體輸送裝置，用以促使氣體流過複數個熱交換管的第一表面、加熱元件和位於處理區的一或多個基板表面、熱交換裝置，用以控制複數個熱交換管的溫度、以及氣室入口，設置接收流過一或多個基板表面的氣體及引導接收之氣體經過複數個熱交換管的第二表面。
本發明提出有效乾燥基板表面之沉積材料的設備和方法。所述設備和方法有益於移除基板表面之沉積材料的溶劑型材料。在一些情況下，材料可以絲網印刷製程沉積而得。在一實施例中，絲網印刷腔室用來沉積圖案化材料至結晶矽基板，接著在乾燥腔室中乾燥沉積材料。在一實施例中，絲網印刷腔室和乾燥腔室均設在旋轉線工具或取自Baccini S.p.A.的SoftlineTM 工具內，其為美國加州聖克拉拉之應用材料公司所擁有。
絲網印刷系統
第1-2圖繪示多重絲網印刷腔室處理系統，或系統100，其可配合用於本發明之各種實施例。在一實施例中，系統100大致含有二送進輸送裝置111、旋轉致動器構件130、二絲網印刷頭102、二送出輸送裝置112和二乾燥腔室200。各送進輸送裝置111配置成平行處理構造，藉以各自接收來自輸入裝置(如輸入輸送裝置113)的基板及將基板傳送到耦接旋轉致動器構件130的印刷巢套131。又，各送出輸送裝置112配置接收來自耦接旋轉致動器構件130之印刷巢套131的處理基板及將處理基板傳送到乾燥腔室200。輸入輸送裝置113和設在乾燥腔室200內的乾燥機輸送裝置114通常是自動化基板搬運裝置，其連接大型生產線，例如連接系統100的旋轉線工具或SoftlineTM 工具。雖然乾燥機輸送裝置114、送進輸送裝置111、送出輸送裝置112和輸入輸送裝置113是以傳送帶型輸送裝置為例描述於下，但也可採用其他類型的輸送裝置、機器裝置或其他類似的基板傳送機構，此不脫離本發明之基本範圍。注意第1-4圖僅繪示受惠所述各種實施例的可能處理系統構造，在不脫離本發明之基本範圍內，當可採用其他輸送裝置構造和其他類型的材料沉積腔室。
第2圖為系統100的平面視圖，其繪示旋轉致動器構件130的位置，其中二印刷巢套131(如元件符號”1”和”3”)定向成能從各印刷巢套131傳送基板150到送出輸送裝置112及接收來自各送進輸送裝置111的基板150。基板大致依循第1及2圖路徑”A”移動。在此構造中，其餘二印刷巢套131(如元件符號”2”和”4”)定向成能進行絲網印刷製程處理位於二絲網印刷腔室內(即第1圖絲網印刷頭102)的基板150。又，在此構造中，印刷巢套131定向成使基板在巢套上的移動方向正切旋轉致動器構件130。將輸送裝置定向正切旋轉致動器構件130容許從二位置傳送及接收基板，例如元件符號”1”和”3”(第2圖)，而不會增加系統的佔地面積。
送進輸送裝置111和送出輸送裝置112一般包括至少一傳送帶116，其利用連接系統控制器101的致動器(未繪示)來支撐及運送基板150至系統100內的預定位置。儘管第1-2圖繪示二傳送帶116型的基板傳送系統，然其他類型的傳送機構也可用來進行同樣的基板傳送及定位功能，此不脫離本發明之基本範圍。
系統控制器101通常用來協助整體系統100的控制及自動化，且一般包括中央處理單元(CPU)(未繪示)、記憶體(未繪示)和支援電路(或I/O)(未繪示)。CPU可為任一型式的電腦處理器，其可用於工業設定來控制不同的腔室製程與硬體(如輸送裝置、偵測器、馬達、流體輸送硬體等)，及監測系統與腔室製程(如基板位置、製程時間、偵測訊號等)。記憶體連接CPU，且可為一或多種容易取得的記憶體，例如隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟、硬碟、或任何其他近端或遠端的數位儲存器。軟體指令與資料可加以編碼及存入記憶體，用以指示CPU。支援電路亦可連接CPU，以藉由傳統方式支援處理器。支援電路包括高速緩衝儲存器、電源供應器、時鐘電路、輸入/輸出電路、次系統等。系統控制器101可讀取的程式(或電腦指令)決定施行於基板的任務。較佳地，程式為系統控制器101可讀取的軟體，其包括至少產生及儲存基板位置資訊的編碼、各種控制部件的移動順序、基板檢視資訊、或其組合物。
用於系統100的二絲網印刷頭102可為取自Baccini S.p.A.的傳統絲網印刷頭，其在絲網印刷製程期間沉積預定圖案之材料至位於印刷巢套131的基板表面。在一實施例中，絲網印刷頭102用來沉積含金屬或介電質之材料至太陽能電池基板上。在一實施例中，基板為太陽能電池基板，其寬度約125mm至156mm，長度約70mm至156mm。
在一實施例中，系統100還含有檢視構件199，以於絲網印刷製程進行前或後檢視基板150。檢視構件199含有一或多個照相機120，用以檢視位於第1及2圖位置”1”與”3”的送進或處理基板。檢視構件199一般含有至少一照相機120(如電荷耦合元件(CCD)照相機)和其他電子部件，其能檢視及將檢視結果傳遞到系統控制器101，進而將遭破壞或不當處理之基板移出生產線。在一實施例中，印刷巢套131含有照燈或其他類似的光輻射裝置，其照射位於支撐平臺138(第4圖)之上的基板150，以供檢視構件199更易檢視。若基板遭到破壞，則可利用支撐平臺138之部件將其移到廢物收集箱107。
檢視構件199還可用來決定基板於各印刷巢套131的精確位置。系統控制器101利用基板150於印刷巢套131上的位置資料來放置及定向絲網印刷頭102的絲網印刷頭部件，以改善後續絲網印刷製程的準確度。在此情況下，可依據檢視製程步驟取得的資料，自動調整絲網印刷頭位置，使絲網印刷頭102對準基板位於印刷巢套131的確切位置。
在一實施例中，如第1-3圖所示，旋轉致動器構件130含有四個印刷巢套131，其在絲網印刷頭102內進行絲網印刷製程時支撐基板150。第3圖為旋轉致動器構件130的立體視圖，其繪示基板150放在四個印刷巢套131上的構造。利用旋轉致動器(未繪示)和系統控制器101使旋轉致動器構件130繞著軸”B’’’旋轉及角度定位，如此可順意將印刷巢套131放置系統內。旋轉致動器構件130還具有一或多個用以協助控制印刷巢套131的支撐部件或其他用來在系統100中進行基板處理程序的自動化裝置。
印刷巢套構造
如第4圖所示，印刷巢套131大致上由輸送裝置構件139組成，其具有饋線軸135、捲線軸136和一或多個耦接饋線軸135及/或捲線軸136的致動器(未繪示)，用以饋送及保持支撐材料137放置越過平臺138。平臺138一般具有基板支撐面，絲網印刷頭102內進行絲網印刷製程時，其上放置基板150和支撐材料137。在一實施例中，支撐材料137為多孔材料，當傳統真空產生裝置(如真空幫浦、真空抽氣器)施加真空至支撐材料137對側時，藉以保持放在支撐材料137一側的基板150留在平臺138上。在一實施例中，真空施加至平臺138之基板支撐面138A的真空埠(未繪示)，使得基板夾持在平臺的基板支撐面138A。在一實施例中，支撐材料137為可蒸發材料，其例如由捲煙用蒸發紙或其他類似材料、或具同樣用途的材料組成。
在一構造中，巢套驅動機構148耦接或嚙合饋線軸135和捲線軸136，藉以精確控制支撐材料137上之基板150在印刷巢套131內移動。在一實施例中，饋線軸135和捲線軸136各自接收一段長度的支撐材料137相對末端。在一實施例中，巢套驅動機構148含有一或多個驅動輪147，其耦接或接觸饋線軸135及/或捲線軸136上的支撐材料137表面，以控制支撐材料137越過平臺138的動作和位置。
參照第4圖，在一構造中，支撐材料137遍及平臺138各處的張力和動作受控於傳統致動器(未繪示)，其能控制饋線軸135及/或捲線軸136的轉動。在一構造中，支撐材料137朝饋線軸135與捲線軸136間之任一方向移動時，其由複數個滑輪140引導及支承。
乾燥爐構造
第1圖大致繪示含有二乾燥腔室200的系統構造，絲網印刷頭102處理完基板150後，其分別接收來自送出輸送裝置112的基板150。第5-6圖大致繪示乾燥腔室200之一或多個實施例，此將進一步描述於下。乾燥腔室200一般含有處理區202，其中能量從熱系統201傳遞到放置其內的一或多個基板，以乾燥一或多個基板表面的沉積材料。在一實施例中，沉積材料為含鋁(Al)膠，例如無鉛的鋁金屬陶瓷膠(如Al金屬陶瓷6214)，其常用於太陽能電池生產製程來形成結晶太陽能電池基板上的背側觸點。在另一實施例中，沉積材料為用於太陽能電池前側的銀(Ag)膠(如DuPontTM 製造的PV 156)或用於太陽能電池背側的銀/鋁(Ag/Al)膠(如DuPontTM 製造的PV 202)。處理區202具有乾燥機輸送裝置114，用以接收來自另一傳送裝置(如送出輸送裝置112)的基板，並於處理區202內移動及/或定位基板150。
第5圖為設在乾燥腔室200內之熱系統201實施例的截面側視圖。熱系統201一般包含輻射加熱構件204和對流加熱構件203，其一起用來快速乾燥基板表面的沉積材料。在此構造中，可個別控制對流和輻射熱傳模式，以於乾燥製程期間達到預定熱力曲線(如溫度對時間)而增進產量及減少能量消耗。在一實施例中，乾燥製程的基板溫度達約150℃至約300℃。一般期不超過沉積材料之黏著劑分解的溫度(如300-350℃)，以免破壞基板上的形成圖案。
在一構造中，如第5圖所示，乾燥機輸送裝置114依循路徑”D”傳送一或多個基板150通過處理區202。乾燥機輸送裝置114通常為自動化基板搬運裝置，用以傳送及/或定位一或多個基板通過處理區202。在一實施例中，如第6圖所示，乾燥機輸送裝置114由單一傳送帶205組成，以於處理區202處理基板時，支撐基板150。在一構造中，傳送帶205為金屬傳送帶、漬玻纖傳送帶、漬陶瓷材料傳送帶或漬金屬傳送帶，其能承受處理區202的處理溫度。
輻射加熱構件204一般含有一或多個電磁能傳遞裝置，以於基板通過處理區202時，提供能量至傳送帶205上的基板。在一實施例中，電磁能傳遞裝置包含一或多個照燈204A(第5及6圖)，用以及/或選擇性傳遞一或多個預定波長之輻射至基板150。出自輻射加熱構件204的輻射能波長一般選擇能讓基板表面的沉積材料吸收。但若處理基板(如半導體基板、太陽能電池或其他類似裝置)之熱預算為一大問題，則期限制傳遞至基板的輻射能波長，使輻射能優先被沉積材料吸收、而非基板組成材料。在一實施例中，若基板由含矽材料組成，則照燈204A傳遞之能量波長經調整或過濾使得大於矽吸收邊緣的波長(一般為約1.06微米)才能傳遞，藉以減少矽基板吸收的能量。
在一實施例中，輻射加熱構件204傳遞的最適波長經選擇及/或調整用於各種基板和基板表面的各種沉積材料，以增進傳遞能量吸收及改善乾燥沉積材料的製程。在一實施例中，照燈204A為紅外線(IR)燈，其最高操作溫度為約1200℃-1800℃、最大發射功率之波長大於約1.4微米。在一實施例中，照燈204A為雙燈絲5千瓦(kW)快中波IR燈，其長度約1公尺且可取自德國Hanau之Heraeus Nobelight GmbH。在一些情況下，期藉由調整傳遞至照燈的功率和照燈的燈絲溫度(如韋恩定律(Wien's Law))，以調整照燈204A的發射輻射波長。因此，利用系統控制器101、耦接照燈204A之電源供應器(未繪示)和對基板表面之沉積材料光吸收特性的了解，可調整照燈204A傳遞的能量波長而改善乾燥製程。
第6圖繪示輻射加熱構件204之一實施例，其採用二照燈204A沿著處理區202長邊設在處理區202內(第5圖)。在此構造中，乾燥製程期間，一或多個基板沿著照燈204A長邊傳送，照燈204A則傳遞能量(路徑”E”)至處理區202之傳送帶205上的一或多個基板。在一些情況下，期在照燈204A上方提供一或多個反射鏡249，以減少不當傳遞至熱系統201之其他區域的熱量及將能量聚焦朝向基板150。又，在一些情況下，照燈204A具有反射鏡置於照燈一側，以減少不當傳遞至熱系統201之其他區域的熱量及將能量聚焦朝向基板150。
熱系統201還使用對流加熱構件203以透過對流熱傳法傳熱給基板，例如輸送加熱氣體(如空氣)越過位於處理區202的基板表面。對流熱傳法大致上以相似的速度加熱基板和沉積材料。若基板導電率很高，例如矽基板，則整個基板的溫度均勻度將相當均一。藉由調整對流氣體的流速及/或溫度亦可輕易控制對流熱傳速度。
參照第5圖，對流加熱構件203一般包含流體輸送裝置229、氣室245和氣體加熱構件240。故藉由引導流體輸送裝置229供應的氣體通過加熱構件240並經過基板150表面，可加熱位於處理區202的基板。在一實施例中，流體輸送裝置229為交流(AC)風扇，其輸送預定流速之氣體通過輻射加熱構件204且進入處理區202(參見路徑”B”)。
氣體加熱構件240一般包含一或多個設在加熱區域241的電阻式加熱元件，用以加熱流體輸送裝置229輸送的氣體。離開氣體加熱構件240的氣體溫度可由傳統加熱元件溫度控制器242、一或多個傳統溫度感測裝置(未繪示)、設在加熱區域241的電阻式加熱元件(未繪示)、和系統控制器101送出的指令控制。一般來說，設在加熱區域241之電阻式加熱元件的功率、尺寸和長度取決於輸送氣體的流速和乾燥製程預定達到的氣體溫度。在一實施例中，氣體加熱構件240出口的氣體溫度控制在約150℃至約300℃之間。
氣室245通常為封閉區，其引導流體輸送裝置229輸送的氣體通過氣體加熱構件240、進入氣室出口區段243、然後流過處理區202。氣室245還含有氣室入口區段244，其接收流過處理區202的氣體而提供氣體返回或再循環路徑，如此可收集及重複利用加熱氣體(如空氣)。再循環路徑大致依循路徑A1 -A6 ，如第5圖所示，其通過熱交換區246、加熱構件240、氣室出口區段243、處理區202和氣室入口區段244。再循環加熱氣體有助於在重新輸送至少一部分空氣至處理區202前，大大減少加熱空氣達預定溫度所需的能量。
在一實施例中，對流加熱構件203尚包含熱交換裝置230，用以移除流體輸送裝置229輸送之氣體和來自處理區202之再循環氣體中的不當污染物(參見元件符號A5 -A6 )。熱交換裝置230含有一或多個熱交換表面232，其耦接熱控制器231及/或過濾型部件，用以移除通過氣室245區段之氣體中的可能污染物。熱控制器231一般用來維持熱交換表面232的溫度低於輸送至處理區202的加熱氣體溫度，藉以凝結及移除再循環氣體中的任何揮發性成分。熱交換表面232也可用來預熱從流體輸送裝置229輸送到氣體加熱構件240的氣體(即路徑”B”)。在空氣進入氣體加熱構件240前預熱氣體亦有助於提高氣體加熱效率及減少乾燥腔室進行乾燥製程時的消耗功率。由於能量消耗往往是太陽能電池裝置生產成本的重要因素，故進行所述預熱及/或再循環氣體的方法有助於降低絲網印刷生產線的擁有成本和裝置的生產成本。
再循環氣體一般含有一或多種揮發性成分，乾燥製程期間揮發性成分蒸發逸出沉積材料而由再循環氣體挾帶。藉著將熱交換表面232的溫度維持低於揮發性成分的露點，揮發性成分將凝結及脫離再循環氣體。熱交換裝置230補集揮發性成分亦有助於減少再循環氣體污染基板和氣室245的部件。在一實施例中，熱交換表面232的溫度維持低於219℃，以移除任何有機溶劑，例如萜品醇(terpinol)或酯。在一實施例中，熱交換表面232的溫度維持在約40℃至約80℃之間，以凝結再循環氣體挾帶的蒸發材料。熱交換表面232的溫度可由系統控制器101和熱控制器231控制，例如傳統再循環流體型或熱電型熱交換裝置。又因重力所致，凝結於熱交換表面232的揮發性成分可流向(即路徑”C”)且收集在氣室245的流體收集區233內。流體收集區233含有一或多個排洩口，用以將收集之蒸氣材料輸送到廢物收集系統(未繪示)。
再者，咸信利用熱交換裝置230收集氣體挾帶的任何揮發性成分也將有助於降低第二次通過處理區202的氣體蒸氣分壓，如此倘若再循環氣體留有大量殘餘蒸氣，流動氣體可接收更大量自沉積材料揮發的溶劑材料。藉由增加流經基板之氣體中的溶劑材料量，可縮短完成乾燥製程所需的時間。
第6圖繪示處理區202的截面側視圖，其垂直第5圖角度且面對方向A4 。如第6圖所示，處理區202由一或多個壁面部分圍住，例如熱系統201的壁面251和乾燥機輸送裝置114的壁面114A，如此對流加熱構件203輸送的加熱氣體和輻射加熱構件204提供的熱量大多將不會損失。參照第5圖，在一實施例中，熱系統201和處理區202至少由一或多個壁面207部分圍住。在一構造中，壁面207在處理區202的相對末端具有小開口208，供傳送帶205傳送基板進出處理區202，同時減少離開乾燥腔室200的加熱氣體量。部分圍住處理區202亦有助於避免流過處理區202之氣體中的任何污染物污染任何鄰接的處理腔室。
在一實施例中，內部屏蔽252用來進一步引導出自氣室出口區段243之出口243A(第5圖)的流動氣體越過位於處理區202的基板150並流進氣室入口區段244的入口244A。內部屏蔽252也可用來反射及進一步引導輻射加熱構件204提供的任何熱量至傳送帶205上的基板150。
藉由調整對流加熱構件203和輻射加熱構件204提供的熱量，可調整及/或最佳化乾燥製程，進而縮短沉積材料的乾燥時間及減少乾燥製程可能引起的任何熱預算問題。在一實施例中，如第5圖所示，對流氣流朝相對基板150移動通過處理區202(即方向”D”)的方向(即方向A4 )輸送以預熱送進基板及加快升溫速度。再者，由於矽基板在IR波長範圍內具低吸收係數和熱傳效率，故結合使用對流熱傳和輻射熱傳模式可大幅縮短乾燥基板所需的時間。因熱傳效率提高而更易達到更高的處理溫度，故可改善各乾燥基板的熱力曲線。
因傳統只用輻射乾燥的製程往往沒有效率且循環時間很長才能匹配其餘生產線的產量，尚咸信採行所述方法還可減少對傳統絲網印刷製程常用之緩衝裝置的需求，以確保沉積材料是乾燥的。咸信利用對流熱傳和波長控制輻射加熱基板可縮短各乾燥腔室200內的加熱循環，使長度小於約2公尺之系統中的乾燥爐產量每小時得以超過1400個結晶矽基板(156mm×156mm)。咸信所述快速熱處理法可縮短循環時間、縮減乾燥腔室200的佔地空間及降低乾燥基板所需的CoO。
第7圖為第5及6圖熱系統201之另一實施例的截面側視圖，其中自處理區202返回的氣體(即路徑A5 、A6 )不再循環。在此構造中，離開流體輸送裝置229的氣體(如路徑”B”)在輸送通過氣體加熱構件240和處理區202前，進入入口氣室249A、流過複數個熱交換管248、然後進入出口氣室249B。熱交換管248一般是密封的，如此依循路徑”B”流動的氣體將通過管內區域248A，且不與自處理區202返回的氣體混合。在一構造中，自處理區202返回的氣體在經由埠口247排出熱系統201前，沿著路徑A5 、A6 經過熱交換管248的外表面。故利用熱控制器231控制熱交換管248的溫度，可預熱從流體輸送裝置229流向氣體加熱構件240的氣體及冷卻自處理區202返回的氣體，以移除任何挾帶的揮發性成分。熱控制器231一般用來維持熱交換管248表面(即熱交換表面232)的溫度低於輸送到處理區202的加熱氣體溫度，以凝結及移除沿著路徑A6 流動之氣體挾帶的任何揮發性成分。因重力所致，凝結於熱交換管248的揮發性成分將流向(即路徑”C”)且收集在氣室245的流體收集區233內。流體收集區233含有一或多個排洩口，用以將收集之蒸氣材料輸送到廢物收集系統(未繪示)。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1-4．．．巢套
100．．．系統
101．．．控制器
102．．．印刷頭
107．．．廢物收集箱
111-114．．．輸送裝置
114A．．．壁面
116．．．傳送帶
120．．．照相機
130．．．致動器構件
131．．．巢套
135、136．．．線軸
137．．．支撐材料
138．．．平臺
138A．．．支撐面
139．．．輸送裝置構件
140．．．滑輪
147．．．驅動輪
148．．．驅動機構
150．．．基板
199．．．檢視構件
200．．．乾燥腔室
201．．．熱系統
202．．．處理區
203、204．．．加熱構件
204A．．．照燈
205．．．傳送帶
207、251．．．壁面
208．．．開口
229．．．流體輸送裝置
230．．．熱交換裝置
231、242．．．控制器
232．．．熱交換表面
233．．．收集區
240．．．加熱構件
241．．．加熱區域
243、244．．．區段
243A．．．出口
244A．．．入口
245、249A-B．．．氣室
246．．．熱交換區
247．．．埠口
248．．．熱交換管
248A．．．區域
249．．．反射鏡
252．．．屏蔽
A-E、A1 -A6 ．．．路徑/方向
B’．．．軸
為讓本發明之上述特徵更明顯易懂，可配合參考實施例說明，其部分乃繪示如附圖式。第1圖為根據本發明一實施例之絲網印刷系統的立體視圖。
第2圖為根據本發明一實施例之第1圖絲網印刷系統的平面視圖。
第3圖為根據本發明一實施例之旋轉致動器構件的立體視圖。
第4圖為根據本發明一實施例之絲網印刷系統中印刷巢套部分的立體視圖。
第5圖為根據本發明一實施例之乾燥腔室的截面側視圖。
第6圖為第5圖乾燥腔室的另一截面側視圖。
第7圖為根據本發明一實施例之乾燥腔室的截面側視圖。
為助於了解，各圖中相同的元件符號代表相似的元件。應理解某一實施例的元件和特徵結構當可併入其他實施例，在此不另外詳述。
須注意的是，雖然所附圖式揭露本發明特定實施例，但其並非用以限定本發明之範圍，當可作各種之更動與潤飾而得等效實施例。
101．．．控制器
114．．．輸送裝置
150．．．基板
200．．．乾燥腔室
201．．．熱系統
202．．．處理區
203、204．．．加熱構件
204A．．．照燈
205．．．傳送帶
207．．．壁面
208．．．開口
229．．．流體輸送裝置
230．．．熱交換裝置
231、242．．．控制器
232．．．熱交換表面
233．．．收集區
240．．．加熱構件
241．．．加熱區域
243、244．．．區段
243A．．．出口
244A．．．入口
245、249A-B．．．氣室
246．．．熱交換區
247．．．埠口
248．．．熱交換管
248A．．．區域
B-D、A1-A6．．．路徑/方向

Claims (15)

  1. 一種用於處理基板的設備，該設備包含：一第一輸送裝置，用以傳送一或多個基板通過被部分圍住之一處理區，其中在一第一方向上傳送該一或多個基板通過該處理區；一輻射熱傳構件，用以傳遞一或多個波長之一電磁能至位於該第一輸送裝置上的該一或多個基板；以及一對流熱傳構件，包含：一氣室，內設一加熱元件；以及一流體輸送裝置，用以移動一氣體經過設於該氣室中的該加熱元件，其中該氣室引導該氣體在一第二方向上流過該處理區內位於該第一輸送裝置的一表面上之各該一或多個基板的一表面，該第二方向與該第一方向相對並平行於該第一輸送裝置之該表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該對流熱傳構件更包含：該氣室設有一入口，用以接收流過該基板之該表面的該氣體；以及一熱交換構件，具有一熱交換表面，流體連通經由該入口接收的該氣體。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該熱交換構 件更包含：一熱控制器，熱力連接該熱交換表面且用以移除經由該入口接收之該氣體中的熱量。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之設備，更包含：一或多個壁面，部分圍住該第一輸送裝置和該處理區；該氣室更包含一出口，設在該加熱元件與該處理區之間，其中該流體輸送裝置輸送的該氣體在進入該入口前，流過該出口和部分圍住該處理區的該一或多個壁面之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之設備，更包含：該輻射熱傳構件設有一或多個照燈和電性耦接該些照燈的一電源供應器；以及一控制器，用以調整該些照燈傳遞至該基板的電磁能之波長。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之設備，其中該第一輸送裝置包含：一傳送帶，用以傳送一基板通過該處理區且經過該入口和該出口。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之設備，更包含：一第一基板支撐件，耦接一旋轉致動器；一第一絲網印刷腔室，經設置以當該旋轉致動器朝一 第一方位角度定位時，接收該第一基板支撐件；以及一第二輸送裝置，經設置以當該旋轉致動器朝一第二方位角度定位時，傳送來自該第一基板支撐件的一基板，其中該第二輸送裝置可轉接該第一輸送裝置。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之設備，更包含：一第二基板支撐件，耦接該旋轉致動器；一第三輸送裝置，經設置以當該旋轉致動器朝該第一方位角度定位時，將一基板傳送到該第二基板支撐件；以及一第四輸送裝置，經設置以當該旋轉致動器朝該第一方位角度定位時，接收來自該第二基板支撐件的一基板。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該對流熱傳構件更包含：複數個熱交換管，設在該氣室內，其中該流體輸送裝置移動一氣體流過該些熱交換管的一第一表面、該加熱元件和位於該處理區內之各該一或多個基板的一表面；一熱交換裝置，用以控制該些熱交換管的一溫度；以及一氣室入口，設置成接收流過該一或多個基板之該表面的該氣體，並引導該經接收之氣體經過該些熱交換管的一第二表面。
  10. 一種處理基板的方法，包含以下步驟：將一基板設置到一絲網印刷腔室內，接著利用一絲網印刷製程，沉積一材料至該基板上；在沉積該材料後，藉由一輸送裝置將該基板傳送到一乾燥腔室的一處理區，其中在一第一方向上傳送該基板；傳遞一電磁能至位於該處理區中之該基板的一表面；以及輸送一加熱氣體在一第二方向上經過位於該處理區內之該輸送裝置的一表面上的該基板的該表面，該第二方向與該第一方向相對並平行於該輸送裝置之該表面。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中傳遞該電磁能之步驟更包含以下步驟：提供一或多個期望波長的該電磁能，以促進沉積之該材料吸收該電磁能，同時減少該基板所含之一或多種材料吸收的能量。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中輸送該加熱氣體之步驟更包含以下步驟：控制一熱交換表面的一溫度；以及在輸送該加熱氣體經過該基板後，輸送至少一部分的該加熱氣體至該熱交換表面，其中該熱交換表面的該溫度經控制使該部分之該加熱氣體挾帶的一揮發性成分凝結於該熱交換表面上。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該熱交換表面的該溫度為介於約40℃與約300℃之間。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中輸送該加熱氣體之步驟更包含以下步驟：使一氣體流過一加熱元件而加熱該氣體；引導該加熱氣體通過該處理區的一區域；以及接收被引導通過該處理區的該加熱氣體的至少一部分，並輸送該加熱氣體的該至少一部分經過該加熱元件，以再循環該加熱氣體之該部分。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該基板為一含矽基板。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101321604B (zh) * 2005-12-06 2011-09-14 武藏高科技有限公司 加工装置及加工方法
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US12018857B2 (en) 2008-06-13 2024-06-25 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US10442226B2 (en) 2008-06-13 2019-10-15 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
WO2011110231A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Q-Cells Se Method and in-line production system for the production of solar cells
US20120060758A1 (en) * 2011-03-24 2012-03-15 Primestar Solar, Inc. Dynamic system for variable heating or cooling of linearly conveyed substrates
US9589817B2 (en) * 2011-04-15 2017-03-07 Illinois Tool Works Inc. Dryer
WO2014084888A1 (en) * 2012-11-30 2014-06-05 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
WO2015100375A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Kateeva, Inc. Thermal treatment of electronic devices
JP6113923B2 (ja) 2014-01-21 2017-04-12 カティーバ， インコーポレイテッド 電子デバイスのカプセル化のための装置および技術
KR102315014B1 (ko) 2014-04-30 2021-10-20 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술
US10676847B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Illinois Tool Works Inc. Discharge nozzle plate for center-to-ends fiber oxidation oven
US10458710B2 (en) 2014-11-07 2019-10-29 Illinois Tool Works Inc. Supply plenum for center-to-ends fiber oxidation oven
CN104441956B (zh) * 2014-12-10 2017-05-24 苏州互强工业设备有限公司 一种丝印烘干线
CN104527218B (zh) * 2014-12-24 2016-01-13 庄统壹 一种网版印刷机及利用该网版印刷机印刷的工艺方法
WO2017144076A1 (en) * 2016-02-22 2017-08-31 Applied Materials Italia S.R.L. Apparatus for processing of a solar cell substrate, system for processing of a solar cell substrate and method for processing of a solar cell substrate
GB2562503A (en) * 2017-05-16 2018-11-21 Asm Assembly Systems Singapore Pte Ltd Workpiece transfer and printing
WO2019081041A1 (en) * 2017-10-27 2019-05-02 Applied Materials Italia S.R.L. CONFIGURED APPARATUS FOR DETERMINING A STATE OF A DEPOSITION ARRANGEMENT, A SYSTEM FOR MANUFACTURING A SOLAR CELL, AND A METHOD FOR DETERMINING A STATUS OF A DEPOSIT ARRANGEMENT
CN110534611A (zh) * 2018-05-25 2019-12-03 米亚索乐装备集成（福建）有限公司 一种用于片状电池的加热设备
DE102018210558A1 (de) * 2018-06-28 2019-02-28 Heidelberger Druckmaschinen Ag Druckvorrichtung mit einem Planarmotorsystem
KR102088778B1 (ko) * 2018-08-07 2020-03-13 김영택 수용성 잉크를 이용한 인쇄기의 열 건조장치
HUE065483T2 (hu) * 2019-04-18 2024-05-28 Exentis Knowledge Gmbh Berendezés és eljárás háromdimenziós szitanyomó munkadarabok elõállítására
EP3725526A1 (de) * 2019-04-18 2020-10-21 Exentis Knowledge GmbH Verfahren zur herstellung von dreidimensionalen siebdruckwerkstücken
CN111186211B (zh) * 2020-02-04 2021-06-04 北部湾大学 一种用于陶瓷花纸印刷机的油墨干燥装置
CN114801452A (zh) * 2021-01-18 2022-07-29 博泽精密科技(苏州)有限公司 一种印刷机械自动上料机构
CN215305176U (zh) * 2021-06-15 2021-12-28 江门市新会恒隆家居创新用品有限公司 多士炉

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5467912A (en) * 1992-11-27 1995-11-21 Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. Reflow soldering apparatus for soldering electronic parts to circuit substrate
JP2004181483A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Senju Metal Ind Co Ltd リフロー炉
US20080032018A1 (en) * 2006-05-19 2008-02-07 Russell Garniss Combination Conveyor Oven

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3216127A (en) * 1962-02-09 1965-11-09 Universal Oil Prod Co Coating oven with catalytic incineration of volatiles
US3961569A (en) * 1974-08-15 1976-06-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Apparatus for continuous microwave sterilization of food in pouches
US3924569A (en) * 1974-08-28 1975-12-09 Goodyear Tire & Rubber Apparatus for treating tire cord fabric
SE455479B (sv) * 1982-03-17 1988-07-18 Svecia Silkscreen Maskiner Ab Torkanleggning for ett tryck pa ett material
US4565917B1 (en) * 1984-01-18 1999-06-08 Vitronics Corp Multi-zone thermal process system utilizing nonfocused infared panel emitters
US4753735A (en) * 1985-03-11 1988-06-28 Allied-Signal Inc. Solvent and apparatus and method for cleaning and drying surfaces of non absorbent articles
US4694586A (en) * 1985-05-17 1987-09-22 David Reznik Apparatus and method for drying and curing coated substrates
CH671231A5 (zh) * 1985-07-24 1989-08-15 Basf Ag
US4757759A (en) * 1986-03-05 1988-07-19 Tam Ceramics, Inc. Multilayer ceramic bar printing and assembling apparatus
DE3633106A1 (de) * 1986-09-30 1988-03-31 Pagendarm Beschichtungstechnik Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines bewegten traegermaterials mit einem ein loesemittel enthaltenden beschichtungsmittel
US4798007A (en) * 1987-05-28 1989-01-17 Eichenlaub John E Explosion-proof, pollution-free infrared dryer
DE3811620A1 (de) * 1988-04-07 1989-10-26 Vits Maschinenbau Gmbh Verfahren und vorrichtung zur waermebehandlung und/oder trocknung einer materialbahn im durchlauf
JPH01262069A (ja) * 1988-04-13 1989-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の加熱装置及び加熱方法
US5883362A (en) * 1988-05-19 1999-03-16 Quadlux, Inc. Apparatus and method for regulating cooking time in a lightwave oven
JPH0248132Y2 (zh) * 1988-09-16 1990-12-18
US5263265A (en) * 1989-10-23 1993-11-23 Despatch Industries Convection/radiation material treatment oven
EP0486035B1 (en) * 1990-11-16 1995-02-01 Setsuo Tate Drying method and devices for coated layer
IT1252949B (it) * 1991-09-30 1995-07-06 Gisulfo Baccini Procedimento per la lavorazione di circuiti tipo green-tape e dispositivo adottante tale procedimento
JPH0694369A (ja) * 1992-09-14 1994-04-05 Tdk Corp 焼成炉用雰囲気ガス制御装置
JP3226651B2 (ja) * 1993-02-02 2001-11-05 千住金属工業株式会社 リフロー炉およびリフロー炉用冷却装置
JPH0899610A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Tsutsunaka Plast Ind Co Ltd 防曇性能を有する合成樹脂製窓材およびその製造方法
JP2718007B2 (ja) * 1995-06-06 1998-02-25 太陽インキ製造株式会社 アルカリ現像可能な一液型フォトソルダーレジスト組成物及びそれを用いたプリント配線板の製造方法
AU2139197A (en) * 1996-03-29 1997-10-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Apparatus and method for drying a coating on a substrate employing multiple drying subzones
TW466772B (en) * 1997-12-26 2001-12-01 Seiko Epson Corp Method for producing silicon oxide film, method for making semiconductor device, semiconductor device, display, and infrared irradiating device
JP3754841B2 (ja) * 1998-06-11 2006-03-15 キヤノン株式会社 光起電力素子およびその製造方法
JP2000238233A (ja) * 1999-02-23 2000-09-05 Fuji Mach Mfg Co Ltd スクリーン検査方法，装置およびスクリーン印刷機
CA2271401C (en) * 1999-02-23 2008-07-29 Tesco Corporation Drilling with casing
JP3934281B2 (ja) * 1999-07-02 2007-06-20 三菱電機株式会社 コンベア炉
WO2001004705A1 (fr) * 1999-07-12 2001-01-18 Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Composition photodurcissable a developpement alcalin et motif de matiere cuite en etant fait
EP1267360A4 (en) * 2000-02-21 2003-04-02 Toyo Ink Mfg Co CONDUCTIVE PASTE OF THE ACTIVE ENERGY RAY CURING TYPE, MANUFACTURING METHOD AND MODULE FOR A SEMICONDUCTOR CIRCUIT SUBSTRATE AND NON-CONTACT ID AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP3964326B2 (ja) * 2000-09-20 2007-08-22 太陽インキ製造株式会社 カルボキシル基含有感光性樹脂、それを含有するアルカリ現像可能な光硬化性・熱硬化性組成物及びその硬化物
JP2002225221A (ja) * 2001-02-02 2002-08-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd スクリーン印刷機及びスクリーン印刷方法
JP3910054B2 (ja) * 2001-12-10 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2004140120A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Canon Inc 多結晶シリコン基板
JP4042592B2 (ja) * 2003-03-05 2008-02-06 ウシオ電機株式会社 加熱装置
EP2610567A1 (en) * 2003-03-26 2013-07-03 Fujifilm Corporation Drying method for a coating layer
US20040226513A1 (en) * 2003-05-12 2004-11-18 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform heating of large area substrates
US7485410B2 (en) * 2004-06-30 2009-02-03 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing thick dielectric pattern and method of manufacturing image displaying apparatus
US20060130767A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
KR101071004B1 (ko) * 2004-12-22 2011-10-06 가부시키가이샤 소쿠도 통합 열 장치
FR2886577B1 (fr) * 2005-06-06 2008-12-26 Mach Dubuit Soc Par Actions Si Machine et dispositif d'impression par serigraphie
JP4319647B2 (ja) * 2005-06-30 2009-08-26 株式会社タムラ古河マシナリー リフロー炉
JP4622705B2 (ja) * 2005-07-01 2011-02-02 パナソニック株式会社 パネルスイッチ用可動接点体
US7805064B2 (en) * 2006-06-26 2010-09-28 TP Solar, Inc. (Corporation of CA, USA) Rapid thermal firing IR conveyor furnace having high intensity heating section
KR100856411B1 (ko) * 2006-12-01 2008-09-04 삼성전자주식회사 조도 보상 방법 및 그 장치와 그 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체
US7851727B2 (en) * 2007-05-16 2010-12-14 Prince Castle LLC Method of controlling an oven with hybrid heating sources
ITUD20080136A1 (it) * 2008-06-13 2009-12-14 Baccini S P A Impianto per la lavorazione di piastre per circuiti elettronici
IT1392992B1 (it) * 2009-02-23 2012-04-02 Applied Materials Inc Procedimento e apparecchiatura per la stampa serigrafica di uno schema a strato multiplo
IT1392991B1 (it) * 2009-02-23 2012-04-02 Applied Materials Inc Procedimento di stampa serigrafica autoregolantesi
IT1392993B1 (it) * 2009-02-23 2012-04-02 Applied Materials Inc Materiale di supporto substrato migliorato utile per procedimenti di stampa serigrafica
US8828776B2 (en) * 2009-04-16 2014-09-09 Tp Solar, Inc. Diffusion furnaces employing ultra low mass transport systems and methods of wafer rapid diffusion processing
CN102356458B (zh) * 2009-04-16 2014-10-15 Tp太阳能公司 利用极低质量运送系统的扩散炉及晶圆快速扩散加工处理的方法
IT1394811B1 (it) * 2009-07-08 2012-07-13 Applied Materials Inc Apparato e procedimento per la manipolazione di substrati danneggiati in sistemi di lavorazione substrati
IT1398433B1 (it) * 2009-09-03 2013-02-22 Applied Materials Inc Apparato e procedimento per la lavorazione di un substrato

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5467912A (en) * 1992-11-27 1995-11-21 Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. Reflow soldering apparatus for soldering electronic parts to circuit substrate
JP2004181483A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Senju Metal Ind Co Ltd リフロー炉
US20080032018A1 (en) * 2006-05-19 2008-02-07 Russell Garniss Combination Conveyor Oven

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