JP2011258925A5

JP2011258925A5 -

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Publication number: JP2011258925A5
Application number: JP2011058279A
Authority: JP
Filing date: 2011-03-16
Publication date: 2013-04-04
Anticipated expiration: 2031-03-16

Description

図６に示すように、回転部４０は、回転伝達部４２を介してモータ４３が設けられており、載置された基板３０を回転させることができる。また、回転部４０において基板３０が載置される面には、基板吸着部となる真空チャック部４４が設けられており、不図示の真空ポンプ等に接続されている。真空チャック部４４には気体開口部４７が設けられており、真空チャック部４４における真空チャックは、基板３０を真空チャック部４４に載置した後、真空ポンプ等により排気することにより、気体開口部４７に基板３０が吸着されることにより行われる。また、真空チャック部４４においては、気体開口部４７より窒素（Ｎ_２）ガス等を基板３０側に供給すること（窒素ガスブロー）により、真空チャック部４４上において基板３０を浮上させることも可能である。

この際、ノズル部１４０には第１のノズル１４１を基板３０の半径方向に移動させるためのモータ１４２が設けられており、ノズル部１６０には第２のノズル１６１を基板３０の半径方向に移動させるためのモータ１６２が設けられている。これらの第１のノズル１４１及び第２のノズル１６１は、後述する基板位置決め装置により得られた基板３０の直径等の情報に基づいて決定された位置に、モータ１４２及びモータ１６２により、配置される。この際、ノズル駆動部となるモータ１４２及びモータ１６２は、ノズル駆動制御部１７０の制御により、第１のノズル１４１及び第２のノズル１６１を移動させる。これにより基板の大きさに依存することなく所望のベベル処理を確実に行うことができる。

また、本実施の形態における基板処理装置では、図５に示すように、ブラシユニット１５０を有しており、ブラシユニット１５０による処理を行うことができる。このブラシユニット１５０は、基板３０に接触して処理を行う円柱形のスポンジ等により形成されたブラシ部１５１、ブラシ部１５１を回転させるためのブラシ用モータ１５２を有し、ブラシ部１５１及びブラシ用モータ１５２を含むブラシユニット本体部１５３を移動させることのできる第１のモータ１５４及び第２のモータ１５５を有している。そして、このブラシユニット１５０は、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０とが閉じた状態で、基板３０の処理を行う。第１のモータ１５４は、基板３０の表面に対し平行方向にブラシユニット本体部１５３を移動させることができるものであり、ブラシ部１５１の基板３０に対する水平方向の位置を調整することができる。よって、第１のモータ１５４により、基板３０の処理がなされる領域を定めることができる。また、第２のモータ１５５は、基板３０の表面に対し垂直方向にブラシユニット本体部１５３を移動させることができるものであり、ブラシ部１５１の基板３０に対する高さを調整することができる。よって、第２のモータ１５５により、ブラシ部１５１が所望の押圧力で基板３０の処理を行うことができる所定の高さに調整することができる。本実施の形態では、後述する基板位置決め装置により得られた基板３０の直径の情報に基づいて第１のモータ１５４を制御し、基板３０の大きさに対応して、ブラシ部１５１を所望の位置に移動させることができる。これにより、ブラシ部１５１による基板３０の処理を最適な位置で行うことができ、所望の処理を行うことができる。

この際、ピン１５を中心に第１の基準部１１を動かし、後述する基準基板８１の側面の２点と接触する位置に合わせ、ネジ１６により固定することにより、第１の基準部１１と基準基板８１とを確実に２点で接触させることができる。また、支持部１２の他方の端は、第１の駆動部１３に接続されている。第１の駆動部１３は、第１の基準部１１を基板３０の半径方向に直線的に移動させることができるものであって、所定の位置で停止させることができる位置制御可能なモータにより構成されている。例えば、位置制御を比較的正確に行うことが可能なステッピングモータ等が好ましい。

更に、本実施の形態では、第１の位置決め機構部１０、第２の位置決め機構部２０、回転部４０、真空チャック部４４において基板３０を真空チャックするための不図示の真空ポンプ及び真空ポンプと真空チャック部４４の接続状態を切り替えるバルブ４５、窒素ガス等を供給するためのバルブ４６等は、制御部５０と接続されており、制御部５０により、これらの制御を行うことができる。また、制御部５０は、外部記憶部６０と接続されており、外部記憶部６０には、制御部５０において制御を行うプログラムが格納されている。尚、制御部５０内には、第１の位置決め機構部１０、第２の位置決め機構部２０及び回転部４０等の制御を行う駆動制御部５１、基準位置等の情報を記憶するための記憶部５２、各種算出動作を行う演算部５３、基板の処理を実際に行う基板処理部等に計測された基板の情報を送信する送信部５４を有している。

次に、ステップ１１４（Ｓ１１４）において、基板３０の中心を回転中心４１に合わせる補正をするための補正値を演算部５３において算出する。即ち、ステップ１１２において算出した基板３０の直径の実測値をもとに、真空チャック部４４上に載置されている基板３０を現状の位置より移動させる距離となる補正値を算出する。具体的には、ステップ１１２において、３００．２ｍｍと算出された場合には、基準基板８１よりも０．２ｍｍ大きいため、補正値は＋０．２ｍｍの半分の＋０．１ｍｍとなる。また、２９９．８ｍｍと算出された場合には、基準基板８１よりも０．２ｍｍ小さいため、補正値は−０．２ｍｍの半分の−０．１ｍｍとなる。

次に、ステップ１１８（Ｓ１１８）において、ステップ１１４で得られた補正値に基づいて駆動制御部５１が真空チャック部４４上に載置されている基板３０の位置補正を行う。具体的には、補正値が＋０．１ｍｍの場合、基板３０の中心は回転部４０の回転中心４１よりも、第２の位置決め機構部２０側に０．１ｍｍずれているため、駆動制御部５１が、第１の位置決め機構部１０の第１の駆動部１３により、第１の基準部１１を回転中心４１より離れる方向に、０．１ｍｍ移動させる。これにより、基板３０は第２の基準部２１におけるバネ部２６により、連結部２９と接触部２４を介し第１の位置決め機構部１０側に押され、基板３０の中心と回転中心４１とが一致した状態とすることができる。また、補正値が、−０．１ｍｍの場合、基板３０の中心は回転部４０の回転中心４１よりも、第１の位置決め機構部１０側に０．１ｍｍずれているため、駆動制御部５１が、第１の位置決め機構部１０の第１の駆動部１３により、第１の基準部１１を回転中心４１に近づく方向に、０．１ｍｍ移動させる。これにより、基板３０の側面が第１の基準部１１の接触面１４を介して押され、第２の位置決め機構部２０におけるバネ部２６が縮むため、基板３０を第２の位置決め機構部２０側に移動させることができ、これにより基板３０の中心と回転中心４１とが一致した状態とすることができる。

次に、ステップ１２０（Ｓ１２０）において、基板３０を真空チャック部４４に吸着させる。具体的には、ステップ１１８において、基板３０の中心と回転部４０における回転中心とが一致している状態となった後、窒素ガスのブローを停止し、真空チャック部４４に接続されている真空ポンプ等により排気を行い真空チャック部４４に設けられた気体開口部４７を介し基板３０を真空チャック部４４に吸着させる。この後、第１の位置決め機構部１０において、第１の駆動部１３により、第１の基準部１１を回転中心４１より離れる方向に移動させることにより、基板３０の側面と第１の基準部１１の接触面１４とが接触していない状態とし、同様に、第２の位置決め機構部２０において、第２の駆動部２３により、第２の基準部２１を回転中心４１より離れる方向に移動させることにより、基板３０の側面と第２の基準部２１の接触部２４とが接触していない状態とする。これにより、基板３０の中心と回転部４０の回転中心４１とが一致した状態で真空チャック部４４に基板３０を吸着させることができる。

次に、ステップ１２４（Ｓ１２４）において、基板３０に対して処理を行う。具体的には、第１のノズル１４１と第２のノズル１６１による基板３０のベベル処理を行う。第１のノズル１４１と第２のノズル１６１には、予め基準基板の端部から処理幅だけ内側に入った位置にノズル位置が設定されている。基板３０のベベル処理は、送信部５４により送信された基板３０の実測値及び補正値に基づいて、予め設定されていたノズル位置からその補正値分だけノズル位置を調整して行われる。すなわち、ノズル駆動制御部１７０が、第１のノズル１４１をノズル用モータ１４２により所定の位置まで移動させ、第２のノズル１６１をノズル用モータ１６２により所定の位置まで移動させる。具体的には、基板３０のベベル処理を行う処理幅が、基板３０の端部より３mmである場合、第１のノズル１４１のノズル位置は予め基準基板８１の端部から３mm内側の位置に設定されている。実測された基板３０の直径が３００．２mmであれば、第１の位置決め機構１０の補正値が＋０．１mmであることから、基板３０の中心と回転中心４１とを合わせた時に、基板３０の端部は基準基板８１の端部より０．１mmだけ外側に位置することになる。そのため、第１のノズル１４１を、第１の位置決め機構と同様に、設定されたノズル位置から回転中心４１より離れる方向に０．１mm移動させる。また、実測された基板３０の直径が２９９．８mmであれば、第１の位置決め機構１０の補正値が−０．１mmであることから、基板３０の中心と回転中心４１とを合わせた時に、基板３０の端部は基準基板８１の端部より０．１mmだけ回転中心側に位置することになる。そのため、第１のノズル１４１を、第１の位置決め機構と同様に、設定されたノズル位置から回転中心に近づく方向に０．１mm移動させる。第２のノズル１６１についても、第１のノズル１４１と同様に、処理幅に合わせて予め設定されたノズル位置から、第１の位置決め機構の補正値分だけ移動させる。これにより、第１のノズル１４１及び第２のノズル１６１は、基板３０の実際の大きさに関わらず、基板３０の端部から所望の処理幅だけ離れた位置に正確に移動することができ、処理幅をそろえることができる。この後、第１のノズル１４１及び第２のノズル１６１より薬液を供給し、ベベル処理を行う。

Claims

被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、
前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、
前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、
前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、
前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、
前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
前記演算部において算出された前記実測情報を前記基板処理部へ送る送信部を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記送信部は、前記実測情報を複数の前記基板処理部へ送信するものであることを特徴とする特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記基板処理部は、前記被処理基板の処理を行う流体を供給するためのノズルと、
前記ノズルを前記被処理基板面に沿って移動させるノズル駆動部と、
前記演算部の情報に基づいて、前記ノズルが所定の位置に移動するように前記ノズル駆動部を制御するノズル駆動制御部と、を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
前記ノズルは、前記被処理基板のベベル部に処理液を供給し、ベベル処理を行うものであることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
前記ノズルは、前記被処理基板の中心部より周辺部に、または、前記基板の周辺部より中心部に移動させるものであることを特徴とする請求項４または５に記載の基板処理装置。
前記演算部の情報に基づいて前記位置決め駆動部を駆動させ、前記被処理基板を所定の位置に移動させるように前記位置決め駆動部を制御する位置決め駆動制御部を有することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置。
前記実測情報は、前記被処理基板の直径の情報であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置。
前記基板処理部と前記位置決め機構部は、異なるユニット内に設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置。
前記基板処理部と前記位置決め機構部は、１つのユニット内に設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置。
前記位置決め機構部は、
前記被処理基板の側面と接触する第１の基準部と、前記第１の基準部を移動させるための第１の駆動部とを有する第１の位置決め機構部と、
前記被処理基板の側面と接触する第２の基準部と、前記第２の基準部を移動させるための第２の駆動部とを有する第２の位置決め機構部と、
を有することを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の基板処理装置。
前記第１の基準部は、前記被処理基板の側面に２点以上で接触するように形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
前記第２の基準部は、前記被処理基板の側面に１点で接触する接触部と、前記接触部を前記第２の基準部が移動する方向に力を加えることのできる弾性部と、を有することを特徴とする請求項１１または１２に記載の基板処理装置。
前記接触部は略円形の形状を有しており、前記円形の中心を軸に回転可能な状態で前記第２の基準部に設置されていることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理方法において、
基準基板についての基準基板情報を記憶する基準基板情報記憶工程と、
基板載置部上に前記被処理基板を載置する基板載置工程と、
前記被処理基板を位置決め機構部に接触させて、前記位置決め機構部の位置を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された位置情報と、前記基準基板情報とに基づき、前記被処理基板の実測情報を算出する算出工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
算出された前記被処理基板の実測情報を基板処理部に送信する送信工程を有することを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
前記送信工程で受信された前記被処理基板の実測情報に基づき、基板処理部内におけるノズルを所定の位置に移動させ、前記ノズルより処理流体を供給することにより基板処理を行う基板処理工程を有することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
前記基準基板情報記憶工程は、
前記基準基板の中心と前記基板載置部の中心とが一致するように、前記基板載置部上に前記基準基板を載置する工程と、
第１の基準部と前記基準基板の側面とを接触させ、さらに、第２の基準部と前記基準基板の側面とを接触させて、前記位置決め機構部の基準位置を決定する基準基板位置決定工程と、
前記基準位置を前記基準基板情報として記憶する記憶工程と、
を有することを特徴とする請求項１５から１７のいずれかに記載の基板処理方法。
前記検出工程は、前記第１の基準部と前記被処理基板の側面とを接触させ、更に、前記第２の基準部と前記被処理基板の側面とを接触させ、検出部により前記第２の基準部の位置を検出するものであることを特徴とする請求項１５から１８のいずれかに記載の基板処理方法。
前記算出工程は、前記検出工程において検出された値と、前記基準基板情報とに基づき、前記被処理基板の直径を算出することを特徴とする請求項１５から１９のいずれかに記載の基板処理方法。
前記基板載置工程、前記検出工程、前記算出工程を繰り返し行うことにより、複数の被処理基板の位置決めを行うことを特徴とする請求項１５から２０のいずれかに記載の基板処理方法。
コンピュータに請求項１５から２０のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記憶媒体。