JP2011222607A - SiC半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、(a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基板1を準備する工程と、(b)SiC基板1の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基板1の表面を平坦面に固定したまま、研削によるSiC基板の反りを相殺する応力を付与する内部応力層を、SiC基板内部に形成する工程とを備える。
【選択図】図9
Description
<構成>
図1は、本発明の実施の形態1におけるSiCショットキーバリアダイオードの構成を示す断面図である。
図2〜図7を用いて、実施の形態1におけるSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す。図2〜図7は、SiCショットキーバリアダイオードの各製造工程における断面模式図である。
研磨による傷をRIE等で除去(図7)した後、SiC基板10の薄板化を行う。まず、SiC基体11の素子活性領域が形成された表面デバイス側をレジストなどで保護した上でテープやサファイア基板の平坦面に貼り付け、SiC基板10の底面を研削し、厚みを減少させる。
本実施の形態のSiC半導体素子の製造方法によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本実施の形態のSiC半導体素子の製造方法は、(a)表面側にイオン注入領域30(素子活性領域)が形成されたSiC基体11(SiC基板)を準備する工程と、(b)SiC基体11の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基体11の表面を平坦面に固定したまま、研削によるSiC基体11の反りを相殺する応力を付与する内部応力層3を、SiC基体11内部に形成する工程とを備える。これにより、薄板化に伴うSiC基板の反りを修正し、オン抵抗を低減することが出来る。
Claims (5)
- (a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基板を準備する工程と、
(b)前記SiC基板の前記表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、
(c)前記SiC基板の前記表面を前記平坦面に固定したまま、前記研削による前記SiC基板の反りを相殺する応力を付与する内部応力層を、前記SiC基板内部に形成する工程とを備える、SiC半導体素子の製造方法。 - 前記工程(c)は、レーザ照射によって前記内部応力層を形成することを特徴とする、請求項1に記載のSiC半導体素子の製造方法。
- 前記工程(c)は、前記内部応力層としてアモルファス層を形成することを特徴とする、請求項1又は2に記載のSiC半導体素子の製造方法。
- 前記工程(c)は、前記内部応力層をチップのダイシングラインに沿って形成する工程である、請求項1〜3のいずれかに記載のSiC半導体素子の製造方法。
- (d)前記ダイシングラインに沿って前記表面側に別の内部応力層を形成する工程をさらに備えた、請求項4に記載のSiC半導体素子の製造方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026491A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
JP2013101009A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の故障位置解析方法及び装置 |
JP2013201397A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体結晶成長用基板 |
WO2015019734A1 (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体基板およびその製造方法、ならびに炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2015033740A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JP2016157803A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法およびそれに用いるレーザ加工装置 |
JP2017055022A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 信越化学工業株式会社 | SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
JP2017059626A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 信越化学工業株式会社 | SiC複合基板の製造方法 |
JP2019004128A (ja) * | 2017-06-14 | 2019-01-10 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | 化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造 |
WO2020255944A1 (ja) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | ローム株式会社 | SiC半導体装置およびその製造方法 |
CN113517183A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-10-19 | 中国科学院微电子研究所 | 一种基于薄片碳化硅晶圆的器件制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009509339A (ja) * | 2005-09-16 | 2009-03-05 | クリー インコーポレイテッド | 炭化ケイ素パワーデバイスを有する半導体ウェハを処理する方法 |
JP2009094335A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-04-06 JP JP2010087522A patent/JP5554126B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009509339A (ja) * | 2005-09-16 | 2009-03-05 | クリー インコーポレイテッド | 炭化ケイ素パワーデバイスを有する半導体ウェハを処理する方法 |
JP2009094335A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026491A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
US9222970B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-12-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Fault position analysis method and fault position analysis device for semiconductor device |
JP2013101009A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の故障位置解析方法及び装置 |
JP2013201397A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体結晶成長用基板 |
JP2015032789A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体基板およびその製造方法、ならびに炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2015019734A1 (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体基板およびその製造方法、ならびに炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2015033740A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JP5885284B2 (ja) * | 2013-09-05 | 2016-03-15 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JPWO2015033740A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2017-03-02 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 |
US9923062B2 (en) | 2013-09-05 | 2018-03-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device |
JP2016157803A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法およびそれに用いるレーザ加工装置 |
EP3349237A4 (en) * | 2015-09-11 | 2019-04-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | PROCESS FOR PREPARING AN SIC COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
JP2017055022A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 信越化学工業株式会社 | SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
WO2017043528A1 (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 信越化学工業株式会社 | SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
RU2720397C2 (ru) * | 2015-09-11 | 2020-04-29 | Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОЙ ПОДЛОЖКИ SiC И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ |
US10612157B2 (en) | 2015-09-11 | 2020-04-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for manufacturing SiC composite substrate, and method for manufacturing semiconductor substrate |
JP2017059626A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 信越化学工業株式会社 | SiC複合基板の製造方法 |
US10431460B2 (en) | 2015-09-15 | 2019-10-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing SiC composite substrate |
CN108140541A (zh) * | 2015-09-15 | 2018-06-08 | 信越化学工业株式会社 | SiC复合基板的制造方法 |
WO2017047508A1 (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 信越化学工業株式会社 | SiC複合基板の製造方法 |
TWI738665B (zh) * | 2015-09-15 | 2021-09-11 | 日商信越化學工業股份有限公司 | SiC複合基板之製造方法 |
CN108140541B (zh) * | 2015-09-15 | 2022-11-11 | 信越化学工业株式会社 | SiC复合基板的制造方法 |
JP2019004128A (ja) * | 2017-06-14 | 2019-01-10 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | 化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造 |
WO2020255944A1 (ja) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | ローム株式会社 | SiC半導体装置およびその製造方法 |
JPWO2020255944A1 (ja) * | 2019-06-17 | 2021-11-25 | ローム株式会社 | SiC半導体装置およびその製造方法 |
JP7228040B2 (ja) | 2019-06-17 | 2023-02-22 | ローム株式会社 | SiC半導体装置およびその製造方法 |
CN113517183A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-10-19 | 中国科学院微电子研究所 | 一种基于薄片碳化硅晶圆的器件制备方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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