JP2017055022A - SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 - Google Patents
SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017055022A JP2017055022A JP2015179290A JP2015179290A JP2017055022A JP 2017055022 A JP2017055022 A JP 2017055022A JP 2015179290 A JP2015179290 A JP 2015179290A JP 2015179290 A JP2015179290 A JP 2015179290A JP 2017055022 A JP2017055022 A JP 2017055022A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- substrate
- single crystal
- layer
- crystal sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 306
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title description 354
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 347
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 197
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 128
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 16
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 13
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011284 combination treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/68—Crystals with laminate structure, e.g. "superlattices"
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02447—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02502—Layer structure consisting of two layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02529—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02595—Microstructure polycrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02634—Homoepitaxy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】多結晶SiC基板11上に単結晶SiC層12を有するSiC複合基板10の製造方法であって、Siからなる保持基板21の片面に単結晶SiC層12を設けて単結晶SiC層担持体14を作製した後、該単結晶SiC層12上に物理的又は化学的手段により多結晶SiCを堆積して保持基板21上に単結晶SiC層12と多結晶SiC基板11とを積層したSiC積層体15を作製し、その後に上記保持基板21を物理的及び/又は化学的に除去する。
【選択図】図1
Description
〔1〕 多結晶SiC基板上に単結晶SiC層を有するSiC複合基板の製造方法であって、Siからなる保持基板の片面に単結晶SiC層を設けて単結晶SiC層担持体を作製した後、該単結晶SiC層上に物理的又は化学的手段により多結晶SiCを堆積して保持基板上に単結晶SiC層と多結晶SiC基板とを積層したSiC積層体を作製し、その後に上記保持基板を物理的及び/又は化学的に除去することを特徴とするSiC複合基板の製造方法。
〔2〕 上記単結晶SiC層上に多結晶SiCを堆積する前に、上記単結晶SiC層担持体における保持基板の単結晶SiC層担持面とは反対面に物理的ダメージを加えて、該単結晶SiC層担持体に反りを付与することを特徴とする〔1〕記載のSiC複合基板の製造方法。
〔3〕 上記単結晶SiC層上に多結晶SiCを堆積した後に、上記SiC積層体における多結晶SiC基板の単結晶SiC層との当接面とは反対面に物理的ダメージを加えることを特徴とする〔1〕又は〔2〕記載のSiC複合基板の製造方法。
〔4〕 サンドブラスト加工、研削加工、切削加工、レーザー加工及び放電加工の中から選ばれる少なくとも一つの加工方法により上記物理的ダメージを加えることを特徴とする〔2〕又は〔3〕記載のSiC複合基板の製造方法。
〔5〕 上記保持基板の片面に酸化珪素、窒化珪素又は酸窒化珪素からなる中間層を介して単結晶SiC層を設けることを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載のSiC複合基板の製造方法。
〔6〕 イオン注入剥離法により単結晶SiC基板から剥離させた単結晶SiC薄膜を上記保持基板上に転写して上記単結晶SiC層を設けることを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載のSiC複合基板の製造方法。
〔7〕 化学気相成長法により上記単結晶SiC層上に多結晶SiCを堆積することを特徴とする〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載のSiC複合基板の製造方法。
〔8〕 〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載のSiC複合基板の製造方法によりSiC複合基板を製造し、該SiC複合基板をテンプレートとし、その単結晶SiC層上に更にSiC単結晶をヘテロエピタキシャル成長させ、単結晶SiCを積層することを特徴とする半導体基板の製造方法。
本発明に係るSiC複合基板の製造方法は、多結晶SiC基板上に単結晶SiC層を有するSiC複合基板の製造方法であって、Siからなる保持基板の片面に単結晶SiC層を設けて単結晶SiC層担持体を作製した後、該単結晶SiC層上に物理的又は化学的手段により多結晶SiCを堆積して保持基板上に単結晶SiC層と多結晶SiC基板とを積層したSiC積層体を作製し、その後に上記保持基板を物理的及び/又は化学的に除去することを特徴とするものである。
また、上記単結晶SiC層上に多結晶SiCを堆積した後に、上記SiC積層体における多結晶SiC基板の単結晶SiC層との当接面とは反対面に物理的ダメージを加えることにより、一旦反ったSiC積層体において多結晶SiC基板の内部応力を低減するため、SiC複合基板としての反りを除去することができ、反りが少なく、高品質なSiC複合基板を簡便に製造することが可能となる。
なお、SiC複合基板のBow量は、50μm以下が好ましく、0μm以上30μm以下がより好ましい。
本発明の実施形態1について図1を参照しながら説明する。
(工程1−1)
始めに、保持基板21に貼り合わせをする単結晶SiC基板12sを用意する。ここで、単結晶SiC基板12sは、結晶構造が4H−SiC、6H−SiC、3C−SiCのものから選択をすることが好ましい。単結晶SiC基板12s及び後述する保持基板21の大きさは、半導体素子の製造や窒化ガリウム、ダイヤモンド、ナノカーボン膜の成長に必要な大きさやコスト等から設定をする。また、単結晶SiC基板12sの厚さは、SEMI規格又はJEIDA規格の基板厚さ近傍のものがハンドリングの面から好ましい。なお、単結晶SiC基板12sとして、市販のもの、例えばパワーデバイス向けに市販されている単結晶SiCウエハを用いればよく、その表面がCMP(Chemical Mechanical Polishing(or Planarization))処理で仕上げ研磨された、表面が平坦かつ平滑なものを用いることが好ましい。
次に、Siからなる保持基板21を用意する。例えば、多結晶Siウエハ又は単結晶Siウエハを用いるとよい。
次に、単結晶SiC基板12sの薄膜22a形成面に水素イオン等を注入してイオン注入領域12iを形成する(図1(c))。
続いて、単結晶SiC基板12sの薄膜22a形成面と保持基板21の薄膜22a形成面と(おもて面同士)を表面活性化処理を施して貼り合わせる。表面活性化処理としてはプラズマ活性化処理、真空イオンビーム処理又はオゾン水への浸漬処理を行うとよい。
貼り合わせ基板13について、イオン注入した部分に熱的エネルギー又は機械的エネルギーを付与してイオン注入領域12iで単結晶SiC基板12sから剥離した単結晶SiC薄膜を保持基板21上に転写する。
次に、単結晶SiC層担持体14における保持基板21の単結晶SiC層担持面とは反対面(うら面、図中下側の面)に物理的ダメージを加えて、単結晶SiC層担持体14’に反りを付与する(図1(f))。図中、14’は物理的ダメージ付与後の単結晶SiC層担持体であり、21’は物理的ダメージ付与後の保持基板である。
次に、得られた単結晶SiC層担持体14’を用いて、化学気相成長法により単結晶SiC層12上に多結晶SiCを堆積して多結晶SiC基板11を形成してSiC積層体15を得る(図1(g))。ここでのSiC積層体15は、保持基板21’上に中間層22、単結晶SiC層12、多結晶SiC基板11をこの順番で積層した構成となっている。
次に、工程1−7で得られたSiC積層体15における保持基板21’を物理的及び/又は化学的に除去して、SiC複合基板10を得る(図1(h))。このとき、保持基板21’がシリコンからなるため、例えばまず保持基板21’の大部分を研削加工により除去し、次いで残りの保持基板21’及び中間層22をフッ硝酸溶液により選択的にエッチング除去することが好ましい。
必要に応じて、SiC複合基板10の単結晶SiC層12上にSiCエピタキシャル層12’を形成するとよい(図1(i))。これにより、単結晶SiC層12がパワー半導体デバイスの活性層として用いるには薄すぎる場合でも、所定厚さのSiCエピタキシャル層12’を形成するのでパワー半導体の製造に適応したSiC複合基板を得ることが可能となる。
本発明の実施形態2について図2を参照しながら説明する。なお、本実施形態において、保持基板21上に単結晶SiC層12を担持する単結晶SiC層担持体14を作製するまでは(図2(e)までは)、実施形態1における工程1−5(図1(e))までの製造工程と同じである。ここではそれ以降の工程について説明する。
得られた単結晶SiC層担持体14を用いて、化学気相成長法により単結晶SiC層12上に多結晶SiCを堆積して多結晶SiC基板11を形成してSiC積層体15を得る(図2(f))。化学気相成長法や多結晶SiC基板11の条件は実施形態1と同じでよい。ここでのSiC積層体15は、保持基板21上に中間層22、単結晶SiC層12、多結晶SiC基板11をこの順番で積層した構成となっている。
次に、SiC積層体15における多結晶SiC基板11の単結晶SiC層12との当接面とは反対面(露出面、図中上側の面)に物理的ダメージを加える(図2(g))。図中、15’は物理的ダメージ付与後のSiC積層体であり、11’は物理的ダメージ付与後の多結晶SiC基板である。
これにより、SiC積層体15における多結晶SiC基板11の表面に物理的ダメージを加えることにより、該多結晶SiC基板11の内部応力を低減することができる。
次に、工程2−7で得られたSiC積層体15’における保持基板21を物理的及び/又は化学的に除去して、多結晶SiC基板11’上に単結晶SiC層を有するSiC複合基板10’を得る(図2(h))。保持基板21の除去方法及び条件は実施形態1と同じでよい。
必要に応じて、SiC複合基板10’の単結晶SiC層12上にSiCエピタキシャル層12’を形成するとよい(図2(i))。
本実施例では、本発明の実施形態1の手順に従い、以下のようにしてSiC複合基板を作製した。
まず、単結晶SiC基板12sとして直径4インチφの4H−SiC単結晶ウエハを用意し、これの片面にイオン注入深さ700nmとなるようにH+イオンをイオン注入した後、イオン注入面(おもて面)に薄膜22aとして厚さ300nmの酸化珪素膜を熱酸化法により形成した。
また、保持基板21として、直径4インチφの単結晶Siウエハを用意し、その片面(おもて面)に厚さ300nmの酸化珪素膜を形成した(図1(b))。
次いで、単結晶SiC基板12s、保持基板21の酸化珪素膜形成面についてそれぞれプラズマ活性化処理を施した後、両者の酸化珪素膜形成面同士(おもて面同士)を貼り合わせて貼り合わせ基板13を作製した(図1(d))。
次に、貼り合わせ基板13における単結晶SiC基板12sのイオン注入領域12iに機械的衝撃を加えて該単結晶SiC基板12sから単結晶SiC薄膜を剥離させ、保持基板21に転写した。この単結晶SiC薄膜表面のダメージ層除去後、表面研磨し、保持基板21上に酸化珪素膜(中間層22)を介して厚さ640nmmの4H−SiCの単結晶SiC層12を担持する単結晶SiC層担持体14を得た(図1(e))。
次いで、この単結晶SiC層担持体14における保持基板21の単結晶SiC層12担持面とは反対面(うら面)の全面に物理的ダメージ付与として、レーザー出力1.5W、繰り返し周波数90kHz、レーザー波長1064nmのシングルモードのレーザー光を焦点深度140μm、0.3mmピッチ、走査速度350mm/sで照射したところ、単結晶SiC層担持体14は割れずに基板中央部が極僅か上方向に凸となるように変形した(図1(f))。
次に、この物理的ダメージ付与後の単結晶SiC層担持体14’の単結晶SiC層12上に四塩化珪素とプロパンを原料に温度1330℃、圧力17Paの条件で6時間の熱CVD処理を行って、3C-SiCの多結晶SiCを堆積し、厚さ610μmの多結晶SiC基板11を形成し、SiC積層体15を作製した(図1(g))。このとき、上記のように単結晶SiC層担持体14’が僅かに反っていることにより、多結晶SiC基板11形成時に発生する熱応力が打ち消されて、反りがほとんどないSiC積層体15が得られた。
続いて、このSiC積層体15の保持基板21’について固定砥石で研削した。詳しくは、固定砥石の番手を#1000、#2500、#4000の順で順次目の細かい砥石に変えて、保持基板21がほとんどなくなる状態まで研削した。次いで、酸化珪素膜の中間層22をHF水溶液でエッチングして除去して、多結晶SiC基板11上に表面が極めて平滑かつ清浄な単結晶SiC層12を有するSiC複合基板10が無垢の単結晶SiC基板に比べ遥かに低コストで得られた(図1(h))。このSiC複合基板10のBow量は+20μmとほとんど反りがない状態であった。
実施例1において、単結晶SiC層担持体14へのレーザー光照射による物理的ダメージ付与を行わず、それ以外は実施例1と同条件でSiC複合基板を作成した。
得られたSiC複合基板のBow量は+3mmと極めて大きく、デバイス作成のプロセスへの適合性が悪く、その結果、デバイス製造の歩留まりが大きく低下した。
本実施例では、本発明の実施形態2の手順に従い、以下のようにしてSiC複合基板を作製した。
実施例1における単結晶SiC層担持体14の作製において、中間層22を酸化珪素膜から酸窒化珪素膜に変え、それ以外は実施例1と同様にして単結晶SiC層担持体14を作製した(図2(e))。
次に、単結晶SiC層担持体14の単結晶SiC層12上に四塩化珪素とプロパンを原料に温度1350℃、圧力20Paの条件で5時間の熱CVD処理を行って、3C−SiCの多結晶SiCを堆積し、厚さ500μmの多結晶SiC基板11を形成し、SiC積層体15を作製した(図2(f))。このとき、SiC積層体15のBow量が+3.5mmの大きな反りが生じていた。
次いで、このSiC積層体15における多結晶SiC基板11の単結晶SiC層12との当接面とは反対面(露出している面)の全面に物理的ダメージ付与としてサンドブラスト加工を行い、その表面にPv値(断面曲線の最大谷深さ(JIS B0601:2013)が50μmの凹凸を形成した(図2(g))。その結果、SiC積層体15’のBow量は+50μmに大きく減少した。
続いて、このSiC積層体15’の保持基板21について研削及び研磨を行った。詳しくは、固定砥石の番手を#1000、#2500、#4000の順で順次目の細かい砥石及び細かい遊離砥粒に変えて研削し、次いでCMP処理により研磨を行った。これにより保持基板21がほとんどなくなった状態とした。次いで、酸窒化珪素膜の中間層22をHF水溶液でエッチングして除去して、多結晶SiC基板11’上に表面が極めて平滑かつ清浄な単結晶SiC層12を有するSiC複合基板10’を得た(図2(h))。このSiC複合基板10’のBow量は+35μmと反りが極めて少ない状態であった。
11、11’ 多結晶SiC基板
12 単結晶SiC層
12i イオン注入領域
12s 単結晶SiC基板
12’ SiCエピタキシャル層
13 貼り合わせ基板
14、14’ 単結晶SiC層担持体
15、15’ SiC積層体
21、21’ 保持基板
22 中間層(介在層)
22a 薄膜
Claims (8)
- 多結晶SiC基板上に単結晶SiC層を有するSiC複合基板の製造方法であって、Siからなる保持基板の片面に単結晶SiC層を設けて単結晶SiC層担持体を作製した後、該単結晶SiC層上に物理的又は化学的手段により多結晶SiCを堆積して保持基板上に単結晶SiC層と多結晶SiC基板とを積層したSiC積層体を作製し、その後に上記保持基板を物理的及び/又は化学的に除去することを特徴とするSiC複合基板の製造方法。
- 上記単結晶SiC層上に多結晶SiCを堆積する前に、上記単結晶SiC層担持体における保持基板の単結晶SiC層担持面とは反対面に物理的ダメージを加えて、該単結晶SiC層担持体に反りを付与することを特徴とする請求項1記載のSiC複合基板の製造方法。
- 上記単結晶SiC層上に多結晶SiCを堆積した後に、上記SiC積層体における多結晶SiC基板の単結晶SiC層との当接面とは反対面に物理的ダメージを加えることを特徴とする請求項1又は2記載のSiC複合基板の製造方法。
- サンドブラスト加工、研削加工、切削加工、レーザー加工及び放電加工の中から選ばれる少なくとも一つの加工方法により上記物理的ダメージを加えることを特徴とする請求項2又は3記載のSiC複合基板の製造方法。
- 上記保持基板の片面に酸化珪素、窒化珪素又は酸窒化珪素からなる中間層を介して単結晶SiC層を設けることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載のSiC複合基板の製造方法。
- イオン注入剥離法により単結晶SiC基板から剥離させた単結晶SiC薄膜を上記保持基板上に転写して上記単結晶SiC層を設けることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載のSiC複合基板の製造方法。
- 化学気相成長法により上記単結晶SiC層上に多結晶SiCを堆積することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載のSiC複合基板の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載のSiC複合基板の製造方法によりSiC複合基板を製造し、該SiC複合基板をテンプレートとし、その単結晶SiC層上に更にSiC単結晶をヘテロエピタキシャル成長させ、単結晶SiCを積層することを特徴とする半導体基板の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015179290A JP6572694B2 (ja) | 2015-09-11 | 2015-09-11 | SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
CN201680049584.9A CN108140540B (zh) | 2015-09-11 | 2016-09-07 | SiC复合基板的制造方法和半导体基板的制造方法 |
PCT/JP2016/076297 WO2017043528A1 (ja) | 2015-09-11 | 2016-09-07 | SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
RU2018112510A RU2720397C2 (ru) | 2015-09-11 | 2016-09-07 | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОЙ ПОДЛОЖКИ SiC И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ |
EP16844389.3A EP3349237B1 (en) | 2015-09-11 | 2016-09-07 | Method for manufacturing sic composite substrate, and method for manufacturing semiconductor substrate |
US15/757,879 US10612157B2 (en) | 2015-09-11 | 2016-09-07 | Method for manufacturing SiC composite substrate, and method for manufacturing semiconductor substrate |
TW105129333A TWI698908B (zh) | 2015-09-11 | 2016-09-09 | SiC複合基板之製造方法及半導體基板之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015179290A JP6572694B2 (ja) | 2015-09-11 | 2015-09-11 | SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017055022A true JP2017055022A (ja) | 2017-03-16 |
JP6572694B2 JP6572694B2 (ja) | 2019-09-11 |
Family
ID=58240790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015179290A Active JP6572694B2 (ja) | 2015-09-11 | 2015-09-11 | SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10612157B2 (ja) |
EP (1) | EP3349237B1 (ja) |
JP (1) | JP6572694B2 (ja) |
CN (1) | CN108140540B (ja) |
RU (1) | RU2720397C2 (ja) |
TW (1) | TWI698908B (ja) |
WO (1) | WO2017043528A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022158085A1 (ja) * | 2021-01-25 | 2022-07-28 | ローム株式会社 | 半導体基板及びその製造方法、及び半導体装置 |
US11515264B2 (en) | 2018-05-25 | 2022-11-29 | Infineon Technologies Ag | Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor composite structure and support structure for semiconductor wafer |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6572694B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-09-11 | 信越化学工業株式会社 | SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
DE102019111377A1 (de) * | 2018-05-28 | 2019-11-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Verarbeiten eines Siliziumkarbid-Wafers und ein Siliziumkarbid-Halbleiterbauelement |
JP7235456B2 (ja) * | 2018-08-14 | 2023-03-08 | 株式会社ディスコ | 半導体基板の加工方法 |
CN109678106B (zh) * | 2018-11-13 | 2020-10-30 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法 |
FR3099637B1 (fr) * | 2019-08-01 | 2021-07-09 | Soitec Silicon On Insulator | procédé de fabrication d’unE structure composite comprenant une couche mince en Sic monocristallin sur un substrat support en sic polycristallin |
US11848197B2 (en) | 2020-11-30 | 2023-12-19 | Thinsic Inc. | Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing |
TWI780901B (zh) * | 2021-09-09 | 2022-10-11 | 合晶科技股份有限公司 | 複合基板及其製造方法 |
CN114075699B (zh) * | 2021-11-21 | 2024-04-12 | 苏州晶瓴半导体有限公司 | 一种双层复合碳化硅衬底及其制备方法 |
FR3132381A1 (fr) * | 2022-01-28 | 2023-08-04 | Soitec | Procédé de fabrication d’une plaquette de p-SiC non déformable |
CN114864529A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-08-05 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | 一种碳化硅复合基板及其制造方法与应用 |
CN115188695A (zh) * | 2022-09-09 | 2022-10-14 | 苏州华太电子技术股份有限公司 | 半导体器件的制作方法以及半导体器件 |
CN117418309B (zh) * | 2023-12-18 | 2024-03-08 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | 一种3C-SiC单晶体的制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002280531A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Denso Corp | 半導体基板及びその製造方法 |
JP2011222607A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | SiC半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4028149A (en) * | 1976-06-30 | 1977-06-07 | Ibm Corporation | Process for forming monocrystalline silicon carbide on silicon substrates |
DE4234508C2 (de) * | 1992-10-13 | 1994-12-22 | Cs Halbleiter Solartech | Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer monokristallinen Siliciumcarbidschicht |
JP3087070B1 (ja) * | 1999-08-24 | 2000-09-11 | 日本ピラー工業株式会社 | 半導体デバイス製作用単結晶SiC複合素材及びその製造方法 |
FR2817395B1 (fr) * | 2000-11-27 | 2003-10-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede |
FR2835096B1 (fr) | 2002-01-22 | 2005-02-18 | Procede de fabrication d'un substrat auto-porte en materiau semi-conducteur monocristallin | |
US6562127B1 (en) * | 2002-01-16 | 2003-05-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of making mosaic array of thin semiconductor material of large substrates |
TWI229897B (en) * | 2002-07-11 | 2005-03-21 | Mitsui Shipbuilding Eng | Large-diameter sic wafer and manufacturing method thereof |
JP2007273524A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 複層構造炭化シリコン基板の製造方法 |
JP2010251724A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板の作製方法 |
RU2521142C2 (ru) * | 2012-09-21 | 2014-06-27 | Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ" | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке |
US9613849B2 (en) * | 2012-11-22 | 2017-04-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composite substrate manufacturing method, and composite substrate |
JP6061251B2 (ja) | 2013-07-05 | 2017-01-18 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体基板の製造方法 |
US9761493B2 (en) * | 2014-01-24 | 2017-09-12 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Thin epitaxial silicon carbide wafer fabrication |
JP6572694B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-09-11 | 信越化学工業株式会社 | SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
-
2015
- 2015-09-11 JP JP2015179290A patent/JP6572694B2/ja active Active
-
2016
- 2016-09-07 WO PCT/JP2016/076297 patent/WO2017043528A1/ja active Application Filing
- 2016-09-07 CN CN201680049584.9A patent/CN108140540B/zh active Active
- 2016-09-07 US US15/757,879 patent/US10612157B2/en active Active
- 2016-09-07 RU RU2018112510A patent/RU2720397C2/ru active
- 2016-09-07 EP EP16844389.3A patent/EP3349237B1/en active Active
- 2016-09-09 TW TW105129333A patent/TWI698908B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002280531A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Denso Corp | 半導体基板及びその製造方法 |
JP2011222607A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | SiC半導体素子の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11515264B2 (en) | 2018-05-25 | 2022-11-29 | Infineon Technologies Ag | Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor composite structure and support structure for semiconductor wafer |
WO2022158085A1 (ja) * | 2021-01-25 | 2022-07-28 | ローム株式会社 | 半導体基板及びその製造方法、及び半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2018112510A3 (ja) | 2019-12-04 |
WO2017043528A1 (ja) | 2017-03-16 |
TWI698908B (zh) | 2020-07-11 |
TW201724177A (zh) | 2017-07-01 |
EP3349237A4 (en) | 2019-04-10 |
US10612157B2 (en) | 2020-04-07 |
EP3349237B1 (en) | 2021-10-27 |
CN108140540B (zh) | 2022-09-06 |
CN108140540A (zh) | 2018-06-08 |
US20180334757A1 (en) | 2018-11-22 |
JP6572694B2 (ja) | 2019-09-11 |
EP3349237A1 (en) | 2018-07-18 |
RU2018112510A (ru) | 2019-10-14 |
RU2720397C2 (ru) | 2020-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6572694B2 (ja) | SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 | |
JP6582779B2 (ja) | SiC複合基板の製造方法 | |
CN108028183B (zh) | SiC复合基板及其制造方法 | |
WO2017047508A1 (ja) | SiC複合基板の製造方法 | |
JP5468528B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法並びに単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 | |
JP6737378B2 (ja) | SiC複合基板 | |
JP2023502571A (ja) | SiCでできたキャリア基材上に単結晶SiCの薄層を備える複合構造を作成するプロセス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20151008 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20151008 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190517 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190729 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6572694 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |