JP2011166133A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化物半導体OSを用い、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流(オフ電流)が少ない書き込み用トランジスタ162、書き込み用トランジスタ162と異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ160及び容量素子164を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置において、メモリセルへの情報の書き込みは、書き込み用トランジスタ162のソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子164の電極の一方と、読み出し用トランジスタ160のゲート電極とが電気的に接続されたノードFGに電位を供給し、ノードFGに所定量の電荷を保持させることで行う。書き込みを1×109回行う前後において、メモリセルのメモリウィンドウ幅の変化量は2%以内である。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る半導体装置の回路構成およびその動作について、図1を参照して説明する。なお、回路図においては、酸化物半導体を用いたトランジスタであることを示すために、OSの符号を併せて付す場合がある。
本実施の形態では、先に実施の形態に示す半導体装置の応用例につき、図2および図3を用いて説明する。
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る半導体装置の構成およびその作製方法について、図7乃至図9を参照して説明する。
図7は、半導体装置の構成の一例である。図7(A)には、半導体装置の断面を、図7(B)には、半導体装置の平面を、それぞれ示す。ここで、図7(A)は、図7(B)のA1−A2およびB1−B2における断面に相当する。図7(A)および図7(B)に示される半導体装置は、下部に酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160を有し、上部に酸化物半導体を用いたトランジスタ162を有するものである。酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160は、酸化物半導体材料よりも更に電界効果移動度の値が大きい材料を用いることで高速動作が可能になる。一方で、酸化物半導体材料を用いたトランジスタ162は、その特性により長時間の電荷保持を可能とする。
次に、上記半導体装置の作製方法の一例について説明する。以下では、はじめに下部のトランジスタ160の作製方法について図8を参照して説明し、その後、上部のトランジスタ162の作製方法について図9を参照して説明する。
次に、図9を用いて、層間絶縁層128上にトランジスタ162を作製する工程について説明する。なお、図9は、層間絶縁層128上の各種電極や、トランジスタ162などの作製工程を示すものであるから、トランジスタ162の下部に存在するトランジスタ160等については省略している。
本実施の形態では、実施の形態3とは異なる、開示する発明の一態様に係る半導体装置の構成およびその作製方法について、図10及び図11を参照して説明する。
図10は、半導体装置の構成の一例である。図10(A)には、半導体装置の断面を、図10(B)には、半導体装置の平面を、それぞれ示す。ここで、図10(A)は、図10(B)のA1−A2およびB1−B2における断面に相当する。図10(A)および図10(B)に示される半導体装置は、下部に酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160を有し、上部に酸化物半導体を用いたトランジスタ162を有するものである。酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160は、酸化物半導体材料よりも更に電界効果移動度の値が大きい材料を用いることで高速動作が可能になる。一方で、酸化物半導体材料を用いたトランジスタ162は、その特性により長時間の電荷保持を可能とする。
次に、上記半導体装置の作製方法の一例について説明する。以下では、下部のトランジスタ160を形成した後の工程、上部のトランジスタ162の作製方法について図11を参照して説明する。下部のトランジスタ160については、実施の形態3で示した方法と同様の方法で作製することができ、実施の形態3の記載を参酌することができる。
本実施の形態では、実施の形態3、実施の形態4とは異なる、開示する発明の一態様に係る半導体装置の構成およびその作製方法について、図4乃至図6を参照して説明する。
図4は、半導体装置の構成の一例である。図4(A)には、半導体装置の断面を、図4(B)には、半導体装置の平面を、それぞれ示す。ここで、図4(A)は、図4(B)のC1−C2およびD1−D2における断面に相当する。図4(B)の平面図においては、煩雑になることを避けるため、ソース電極またはドレイン電極154や、配線156など、構成要素の一部を省略している。図4(A)および図4(B)に示される半導体装置は、下部に酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160を有し、上部に酸化物半導体を用いたトランジスタ162を有するものである。酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160は、酸化物半導体材料よりも更に電界効果移動度の値が大きい材料を用いることで高速動作が可能になる。一方で、酸化物半導体材料を用いたトランジスタ162は、その特性により長時間の電荷保持を可能とする。
次に、上記半導体装置の作製方法の一例について説明する。以下では、下部のトランジスタ160を形成した後の工程、上部のトランジスタ162の作製方法について図5および図6を参照して説明する。下部のトランジスタ160については、実施の形態3で示した方法と同様の方法で作製することができる。詳細については、実施の形態3の記載を参酌できる。なお、本実施の形態では、トランジスタ160を覆うように層間絶縁層125、層間絶縁層126、層間絶縁層128、の三種類の層間絶縁層が形成されるものとする(図8(G)参考)。また、本実施の形態では、トランジスタ160の作製工程において、ソース電極またはドレイン電極130a、ソース電極またはドレイン電極130bを形成しないが(図8(H)参考)、ソース電極またはドレイン電極130aおよびソース電極またはドレイン電極130bが形成されていない状態であっても、便宜上、トランジスタ160と呼ぶことにする。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した半導体装置を電子機器に適用する場合について、図12を用いて説明する。本実施の形態では、コンピュータ、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯情報端末(携帯型ゲーム機、音響再生装置なども含む)、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、電子ペーパー、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)などの電子機器に、上述の半導体装置を適用する場合について説明する。
102 保護層
104 半導体領域
106 素子分離絶縁層
108a ゲート絶縁層
110a ゲート電極
112 絶縁層
114 不純物領域
116 チャネル形成領域
118 サイドウォール絶縁層
120 高濃度不純物領域
122 金属層
124 金属化合物領域
125 層間絶縁層
126 層間絶縁層
128 層間絶縁層
130a ソース電極またはドレイン電極
130b ソース電極またはドレイン電極
130c 電極
142a ソース電極またはドレイン電極
142b ソース電極またはドレイン電極
143a 絶縁層
143b 絶縁層
144 酸化物半導体層
146 ゲート絶縁層
148a ゲート電極
148b 電極
150 層間絶縁層
152 層間絶縁層
154 ソース電極またはドレイン電極
160 トランジスタ
162 トランジスタ
164 容量素子
701 筐体
702 筐体
703 表示部
704 キーボード
711 本体
712 スタイラス
713 表示部
714 操作ボタン
715 外部インターフェイス
720 電子書籍
721 筐体
723 筐体
725 表示部
727 表示部
731 電源
733 操作キー
735 スピーカー
737 軸部
740 筐体
741 筐体
742 表示パネル
743 スピーカー
744 マイクロフォン
746 ポインティングデバイス
747 カメラ用レンズ
748 外部接続端子
749 太陽電池セル
750 外部メモリスロット
761 本体
763 接眼部
764 操作スイッチ
765 表示部
766 バッテリー
767 表示部
770 テレビジョン装置
771 筐体
773 表示部
775 スタンド
780 リモコン操作機
802 容量素子
802a 容量素子
802b 容量素子
802c 容量素子
804 トランジスタ
805 トランジスタ
806 トランジスタ
808 トランジスタ
Claims (5)
- 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を含む不揮発性のメモリセルを有し、
前記第1のトランジスタと、前記第2のトランジスタとは、異なる半導体材料を含んで構成され、
前記第2のトランジスタは、酸化物半導体を含んで構成され、
前記メモリセルへの情報の書き込みは、前記第2のトランジスタをオン状態とすることにより、前記第2のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、前記第1のトランジスタのゲート電極と、前記容量素子の電極の一方と、が電気的に接続されたノードに電位を供給した後、前記第2のトランジスタをオフ状態として前記ノードに電荷を保持させることにより行い、
前記メモリセルからの情報の読み出しは、前記容量素子の電極の他方に与える電位を制御して、前記第1のトランジスタのオン状態またはオフ状態を読み出すことにより行い、
前記書き込みを1×109回行う前後において、前記メモリセルのメモリウィンドウ幅の変化量が2%以内である半導体装置。 - 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を含む不揮発性のメモリセルを有し、
前記第1のトランジスタと、前記第2のトランジスタとは、異なる半導体材料を含んで構成され、
前記第2のトランジスタは、酸化物半導体を含んで構成され、オフ電流密度が100zA/μm以下であり、
前記メモリセルへの情報の書き込みは、前記第2のトランジスタをオン状態とすることにより、前記第2のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、前記第1のトランジスタのゲート電極と、前記容量素子の電極の一方と、が電気的に接続されたノードに電位を供給した後、前記第2のトランジスタをオフ状態として前記ノードに電荷を保持させることにより行い、
前記メモリセルからの情報の読み出しは、前記容量素子の電極の他方に与える電位を制御して、前記第1のトランジスタのオン状態またはオフ状態を読み出すことにより行い、
前記書き込みを1×109回行う前後において、前記メモリセルのメモリウィンドウ幅の変化量が2%以内である半導体装置。 - 前記第2のトランジスタのオフ電流は、前記第1のトランジスタのオフ電流よりも低い請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1のトランジスタのスイッチング速度は、前記第2のトランジスタのスイッチング速度よりも大きい請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記第2のトランジスタは、エネルギーギャップが3eVより大きい材料を含んで構成される請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の半導体装置。
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