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  1. ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極を有するトランジスタを有し、
    前記ゲート電極にしきい値電圧以上の電圧を印加した際の、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の電流の温度依存性より求めた前記酸化物半導体膜の活性化エネルギーは、０ｍｅＶ以上２５ｍｅＶ以下であることを特徴とする半導体装置。
  2. ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極を有するトランジスタを有し、
    前記酸化物半導体膜は、結晶性を有する領域を有し、
    前記ゲート電極にしきい値電圧以上の電圧を印加した際の、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の電流の温度依存性より求めた前記酸化物半導体膜の活性化エネルギーは、０ｍｅＶ以上２５ｍｅＶ以下であることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は２において、
    前記ゲート絶縁膜の膜厚は、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
    前記酸化物半導体膜の膜厚は、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
    前記トランジスタのオフ電流は、−２５℃において検出下限以下であるとともに、１５０℃においても検出下限以下であることを特徴とする半導体装置。
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