JP4834950B2 - 電界効果半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
カーボンナノチューブの分散液を調製する工程と、
前記分散液を所定パターンに付着する工程と、
前記分散液を乾燥することによって、カーボンナノチューブからなる前記電流通路を 形成する工程と
を有する、電界効果半導体装置の製造方法に係るものである(以下、本発明の第1の製造方法と称することがある。)。
レーザーアブレーション法により前記カーボンナノチューブを作製する工程と、
前記カーボンナノチューブの分散液を調製する工程と、
前記分散液を所定パターンに付着する工程と、
前記分散液を乾燥することによって、カーボンナノチューブからなる前記電流通路を 形成する工程と
を有する、電界効果半導体装置の製造方法に係るものである(以下、本発明の第2の製造方法と称することがある。)。
単層カーボンナノチューブ(SWNT)は、Ni/Coを0.6at%づつ含有する炭素ターゲットを用いてレーザーアブレーション法により作製した。作製温度は1200度であった。作製後、過酸化水素水、塩酸、NaOH水溶液を順に用いて精製処理を行った(M. Shiraishi et al. CPL 358 (2002), 213)。精製後の純度は95%以上であることを電子顕微鏡・EDXによる組成分析、ラマン分光法などで確認した。
5…チャネル層、6…電界効果トランジスタ
Claims (9)
- ゲート電極と、このゲート電極に対しゲート絶縁膜を介して設けられたソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間に形成された電流通路としてのチャネル層とによって構成された電界効果半導体装置を製造するに際し、
カーボンナノチューブの分散液を調製する工程と、
しかる後に、前記分散液を前記ゲート絶縁膜上にて前記ソース電極と前記ドレイン電 極との間に滴下し、前記チャネル層のパターンに付着する工程と、
しかる後に、前記分散液を乾燥することによって、前記カーボンナノチューブからな る前記チャネル層を形成する工程と
を有する、電界効果半導体装置の製造方法。 - 選別された良質カーボンナノチューブを溶媒に分散し、この分散液を前記パターンに滴下し、乾燥する、請求項1に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- 前記カーボンナノチューブをレーザーアブレーション法又は化学的気相成長法により作製する、請求項1に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- 前記レーザーアブレーション法で作製した前記カーボンナノチューブを精製し、この精製後の良質カーボンナノチューブを溶媒に分散し、この分散液を前記パターンに滴下し、乾燥する、請求項3に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- 前記チャネル層における前記カーボンナノチューブの分散度を0.1本/μm2以上、10本/μm2以下に形成する、請求項1に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- 長さが0.1μm以上、10μm以下のカーボンナノチューブを用いる、請求項1に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- 前記カーボンナノチューブとして単層カーボンナノチューブを用いる、請求項1に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- 前記溶媒としてエタノール又はジメチルホルムアミドを用いる、請求項2又は請求項4に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- p型又は/及びn型動作するトランジスタを製造する、請求項1に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
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