JP2005093472A - 電界効果半導体装置の製造方法 - Google Patents
電界効果半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005093472A JP2005093472A JP2003320709A JP2003320709A JP2005093472A JP 2005093472 A JP2005093472 A JP 2005093472A JP 2003320709 A JP2003320709 A JP 2003320709A JP 2003320709 A JP2003320709 A JP 2003320709A JP 2005093472 A JP2005093472 A JP 2005093472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon nanotubes
- field effect
- semiconductor device
- manufacturing
- effect semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 壁面構造の欠陥がより少なく特性の良い、ほぼ炭素6員環のみからなる良質カーボンナノチューブをチャネル層5に用いた電界効果トランジスタ6等の電界効果半導体装置を製造するに際し、カーボンナノチューブの分散液を調製する工程と、前記分散液を所定パターンに付着する工程と、前記分散液を乾燥することによって、カーボンナノチューブからなるチャネル層5を形成する工程とを有する、電界効果半導体装置の製造方法。
【選択図】 図1
Description
カーボンナノチューブの分散液を調製する工程と、
前記分散液を所定パターンに付着する工程と、
前記分散液を乾燥することによって、カーボンナノチューブからなる前記電流通路を 形成する工程と
を有する、電界効果半導体装置の製造方法に係るものである(以下、本発明の第1の製造方法と称することがある。)。
レーザーアブレーション法により前記カーボンナノチューブを作製する工程と、
前記カーボンナノチューブの分散液を調製する工程と、
前記分散液を所定パターンに付着する工程と、
前記分散液を乾燥することによって、カーボンナノチューブからなる前記電流通路を 形成する工程と
を有する、電界効果半導体装置の製造方法に係るものである(以下、本発明の第2の製造方法と称することがある。)。
単層カーボンナノチューブ(SWNT)は、Ni/Coを0.6at%づつ含有する炭素ターゲットを用いてレーザーアブレーション法により作製した。作製温度は1200度であった。作製後、過酸化水素水、塩酸、NaOH水溶液を順に用いて精製処理を行った(M. Shiraishi et al. CPL 358 (2002), 213)。精製後の純度は95%以上であることを電子顕微鏡・EDXによる組成分析、ラマン分光法などで確認した。
5…チャネル層、6…電界効果トランジスタ
Claims (11)
- カーボンナノチューブを電流通路に用いた電界効果半導体装置を製造するに際し、
カーボンナノチューブの分散液を調製する工程と、
前記分散液を所定パターンに付着する工程と、
前記分散液を乾燥することによって、カーボンナノチューブからなる前記電流通路を 形成する工程と
を有する、電界効果半導体装置の製造方法。 - 選別された良質カーボンナノチューブを溶媒に分散し、この分散液を所定パターンに滴下し、乾燥する、請求項1に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- 前記カーボンナノチューブをレーザーアブレーション法又は化学的気相成長法により作製する、請求項1に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- カーボンナノチューブを電流通路に用いた電界効果半導体装置を製造するに際し、
レーザーアブレーション法により前記カーボンナノチューブを作製する工程と、
前記カーボンナノチューブの分散液を調製する工程と、
前記分散液を所定パターンに付着する工程と、
前記分散液を乾燥することによって、前記カーボンナノチューブからなる前記電流通 路を形成する工程と
を有する、電界効果半導体装置の製造方法。 - 前記レーザーアブレーション法で作製した前記カーボンナノチューブを精製し、この精製後の良質カーボンナノチューブを溶媒に分散し、この分散液を所定パターンに滴下し、乾燥する、請求項4に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- 前記電流通路における前記カーボンナノチューブの分散度を0.1本/μm2以上、10本/μm2以下に形成する、請求項1又は請求項4に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- 長さが0.1μm以上、10μm以下のカーボンナノチューブを用いる、請求項1又は請求項4に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- 前記カーボンナノチューブとして単層カーボンナノチューブを用いる、請求項1又は請求項4に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- 前記溶媒としてエタノール又はジメチルホルムアミドを用いる、請求項2又は請求項5に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- ゲート電極と、このゲート電極に対しゲート絶縁膜を介して設けられたソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間に形成された前記電流通路としてのチャネル層とによって構成された電界効果トランジスタを製造する、請求項1又は請求項4に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
- p型又は/及びn型動作するトランジスタを製造する、請求項1、請求項4又は請求項10に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003320709A JP4834950B2 (ja) | 2003-09-12 | 2003-09-12 | 電界効果半導体装置の製造方法 |
EP04772967A EP1667238A4 (en) | 2003-09-12 | 2004-09-07 | PROCESS FOR PRODUCING FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE |
CN 200480026427 CN1853277A (zh) | 2003-09-12 | 2004-09-07 | 用于制造场效应半导体器件的方法 |
US10/570,428 US20070065974A1 (en) | 2003-09-12 | 2004-09-07 | Method for producing a field effect semiconductor device |
PCT/JP2004/013285 WO2005027226A1 (ja) | 2003-09-12 | 2004-09-07 | 電界効果半導体装置の製造方法 |
CN201010163399A CN101840997A (zh) | 2003-09-12 | 2004-09-07 | 用于制造场效应半导体器件的方法 |
KR1020067004931A KR101065961B1 (ko) | 2003-09-12 | 2004-09-07 | 전계 효과 반도체 장치의 제조 방법 |
TW093127363A TWI264119B (en) | 2003-09-12 | 2004-09-10 | Method for manufacturing field effect semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003320709A JP4834950B2 (ja) | 2003-09-12 | 2003-09-12 | 電界効果半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005093472A true JP2005093472A (ja) | 2005-04-07 |
JP4834950B2 JP4834950B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=34452580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003320709A Expired - Fee Related JP4834950B2 (ja) | 2003-09-12 | 2003-09-12 | 電界効果半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4834950B2 (ja) |
CN (1) | CN1853277A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008023669A1 (fr) | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Fujitsu Limited | Nanomatériau carboné semi-conducteur du type n, son procédé de production et procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
WO2009031336A1 (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Nec Corporation | 半導体素子 |
WO2009093698A1 (ja) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Nec Corporation | カーボンナノチューブ分散膜の形成方法及び半導体素子の製造方法 |
JPWO2008023669A1 (ja) * | 2006-08-21 | 2010-01-07 | 富士通株式会社 | n型半導体カーボンナノ材料、n型半導体カーボンナノ材料の製造方法および半導体装置の製造方法 |
WO2010110180A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011139053A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8030139B2 (en) | 2007-02-21 | 2011-10-04 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and method of producing thin film transistor |
US8058112B2 (en) | 2006-12-18 | 2011-11-15 | Nec Corporation | Semiconductor device having carbon nanotubes and method for manufacturing the same |
US8421129B2 (en) | 2007-04-16 | 2013-04-16 | Nec Corporation | Semiconductor device using carbon nanotubes for a channel layer and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101582381B (zh) * | 2008-05-14 | 2011-01-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管及其阵列的制备方法 |
CN104576744A (zh) * | 2013-10-24 | 2015-04-29 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 碳纳米管薄膜晶体管、amoled像素柔性驱动电路及制作方法 |
WO2019064504A1 (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 日本電気株式会社 | ナノカーボンインクおよびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002346996A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-12-04 | Fuji Xerox Co Ltd | カーボンナノチューブ構造体の製造方法、並びに、カーボンナノチューブ構造体およびそれを用いたカーボンナノチューブデバイス |
JP2003017508A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2003258336A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Japan Science & Technology Corp | 分子デバイス及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-09-12 JP JP2003320709A patent/JP4834950B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-07 CN CN 200480026427 patent/CN1853277A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002346996A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-12-04 | Fuji Xerox Co Ltd | カーボンナノチューブ構造体の製造方法、並びに、カーボンナノチューブ構造体およびそれを用いたカーボンナノチューブデバイス |
JP2003017508A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2003258336A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Japan Science & Technology Corp | 分子デバイス及びその製造方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008023669A1 (fr) | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Fujitsu Limited | Nanomatériau carboné semi-conducteur du type n, son procédé de production et procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
JP5099010B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2012-12-12 | 富士通株式会社 | n型半導体カーボンナノ材料の製造方法および半導体装置の製造方法 |
JPWO2008023669A1 (ja) * | 2006-08-21 | 2010-01-07 | 富士通株式会社 | n型半導体カーボンナノ材料、n型半導体カーボンナノ材料の製造方法および半導体装置の製造方法 |
US8058112B2 (en) | 2006-12-18 | 2011-11-15 | Nec Corporation | Semiconductor device having carbon nanotubes and method for manufacturing the same |
US8030139B2 (en) | 2007-02-21 | 2011-10-04 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and method of producing thin film transistor |
US8421129B2 (en) | 2007-04-16 | 2013-04-16 | Nec Corporation | Semiconductor device using carbon nanotubes for a channel layer and method of manufacturing the same |
JP4737474B2 (ja) * | 2007-09-07 | 2011-08-03 | 日本電気株式会社 | 半導体素子 |
US8253124B2 (en) | 2007-09-07 | 2012-08-28 | Nec Corporation | Semiconductor element |
WO2009031336A1 (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Nec Corporation | 半導体素子 |
WO2009093698A1 (ja) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Nec Corporation | カーボンナノチューブ分散膜の形成方法及び半導体素子の製造方法 |
WO2010110180A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011139053A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015213178A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-11-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9368638B2 (en) | 2009-12-04 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4834950B2 (ja) | 2011-12-14 |
CN1853277A (zh) | 2006-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Yano et al. | A quest for structurally uniform graphene nanoribbons: synthesis, properties, and applications | |
Gu et al. | Nanographenes and graphene nanoribbons as multitalents of present and future materials science | |
US8951609B2 (en) | CNT devices, low-temperature fabrication of CNT and CNT photo-resists | |
Kolahdouz et al. | Carbon-related materials: graphene and carbon nanotubes in semiconductor applications and design | |
US7736741B2 (en) | Single-wall carbon nanotube heterojunction | |
Du et al. | Electronic functionality in graphene-based nanoarchitectures: Discovery and design via first-principles modeling | |
JP4834950B2 (ja) | 電界効果半導体装置の製造方法 | |
JP2006049435A (ja) | カーボンナノチューブ及びその配置方法と、これを用いた電界効果トランジスタとその製造方法及び半導体装置 | |
Shekhirev et al. | Interfacial self-assembly of atomically precise graphene nanoribbons into uniform thin films for electronics applications | |
Mutlu et al. | Transfer-free synthesis of atomically precise graphene nanoribbons on insulating substrates | |
Zeng et al. | Controllable fabrication of nanostructured graphene towards electronics | |
JP6598763B2 (ja) | カーボンナノチューブアレイの製造方法および電界効果トランジスタの製造方法 | |
Li et al. | Photoluminescent semiconducting graphene nanoribbons via longitudinally unzipping single-walled carbon nanotubes | |
Snowdon et al. | Sonication-enhanced alignment relay technique for the orientation of single-walled carbon nanotubes | |
Aikawa et al. | Facile fabrication of all-SWNT field-effect transistors | |
Dong et al. | Synthesis and application of graphene nanoribbons | |
JP2005101424A (ja) | 電界効果半導体装置の製造方法 | |
He et al. | Controlled preparation and device application of sub-5 nm graphene nanoribbons and graphene nanoribbon/carbon nanotube intramolecular heterostructures | |
KR101065961B1 (ko) | 전계 효과 반도체 장치의 제조 방법 | |
Lee et al. | The nano-memory devices of a single wall and peapod structural carbon nanotube field effect transistor | |
JP2004339301A (ja) | 異方性高分子コンポジット膜 | |
Kalita et al. | Field effect transport properties of chemically treated graphene quantum dots | |
JP5015438B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
US20050161750A1 (en) | Molybdenum-based electrode with carbon nanotube growth | |
Selamneni et al. | Carbon Nanomaterials for Emerging Electronic Devices and Sensors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060731 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20070125 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101008 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110830 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110912 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4834950 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |