JP2011128067A - 赤外線センサモジュール - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
- G01J5/14—Electrical features thereof
- G01J5/16—Arrangements with respect to the cold junction; Compensating influence of ambient temperature or other variables
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0205—Mechanical elements; Supports for optical elements
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0215—Compact construction
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/046—Materials; Selection of thermal materials
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0806—Focusing or collimating elements, e.g. lenses or concave mirrors
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
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- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0875—Windows; Arrangements for fastening thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
【課題】熱ノイズを低減し、高精度で信頼性の高い赤外線検出を行うことが可能な赤外線センサモジュールを提供する。
【解決手段】赤外線センサモジュールは、基板上に配置され、赤外線信号を受信する赤外線センサ素子と、前記赤外線センサ素子の出力を処理する信号処理回路素子と、前記赤外線センサ素子から所定の距離を隔てて設けられ、外部の赤外線信号を前記赤外線センサ素子に結像するための光学系を備えた入射窓を有し、前記赤外線センサ素子および前記信号処理回路素子を収容する金属製のケースと、前記赤外線センサ素子と、前記ケースおよび前記信号処理回路素子との間に、前記光学系を介して入射する前記赤外線信号を前記赤外線センサ素子に導く透光部を有するセンサカバーとを具備している。
【選択図】図１
【解決手段】赤外線センサモジュールは、基板上に配置され、赤外線信号を受信する赤外線センサ素子と、前記赤外線センサ素子の出力を処理する信号処理回路素子と、前記赤外線センサ素子から所定の距離を隔てて設けられ、外部の赤外線信号を前記赤外線センサ素子に結像するための光学系を備えた入射窓を有し、前記赤外線センサ素子および前記信号処理回路素子を収容する金属製のケースと、前記赤外線センサ素子と、前記ケースおよび前記信号処理回路素子との間に、前記光学系を介して入射する前記赤外線信号を前記赤外線センサ素子に導く透光部を有するセンサカバーとを具備している。
【選択図】図１
Description
本発明は、赤外線センサモジュールに係り、特に、その熱ノイズ低減のための実装構造に関する。
従来より、赤外線センサは、非接触で温度検出を図ることができることから、人の存在を検出し、人の動きに追随して、点灯制御を行うようにした自動点灯システムや、電子レンジの庫内温度の検出、被調理物の温度分布の検出などに、広く用いられている。赤外線センサは、内蔵のセンサチップに受光した赤外線量に応じた電圧を出力するデバイスである。
この赤外線センサの検知視野角は仕様で定められているが、実際は視野角外からの不要な赤外線もデバイス内に入光し、その赤外線がパッケージ内部での反射内よりセンサチップに入射した場合は、熱ノイズとなり、検知精度の劣化を招いてしまうという問題があった。
このような赤外線センサの一例としては、例えば、多数個の抵抗（単素子）をマトリクス状に平面配置し赤外線が投射されたときに生じる温度上昇に伴う抵抗値の変化を信号として取り出し、この信号に基づいて画像信号を作成し出力するものがある。このような赤外線センサでは、抵抗変化を信号として取り出すために所定バイアス電流を供給する必要があり、このバイアス電流によるジュール熱によって赤外線センサの温度上昇が発生することがある。このため、このジュール熱による温度上昇によって赤外線センサから新たな信号が発生され、この信号が赤外線センサにおける雑音として出力されることになる。
このようなバイアス電流による雑音を防止するために、図８に示すように、ケース２２０内にリング状のインナー２５０を固定し、ケース２２０内に外乱ノイズが入射してしまった場合であっても、外乱ノイズは、回路基板２１０上に搭載されたセンサチップ２３０に届かずに、放射され、レンズにより集光された赤外線エネルギーのみをセンサチップ２３０に導くようにした構造が提案されている（特許文献１）。
また、特許文献２では、図９に示すように、パッケージ１２０上に回路基板１１０、電子冷却装置１４０、赤外線検知素子１３０を順次搭載し、かつ赤外線検知素子１３０を覆うようにシールド筒１５０を設け、このシールド筒１５０が電子冷却装置１４０により冷却されるように配設する。赤外線検知素子１３０を電子冷却装置１４０で冷却することで、バイアス電流による赤外線検知素子１３０の温度上昇を防ぎ、かつシールド筒１５０を冷却することでシールド筒１５０を通しての輻射熱による赤外線検知素子１３０の温度上昇を防ぎ、雑音を低減する。また、シールド筒１５０に開口する入射窓１５０ａを適切な開口径に形成することで、入射される赤外線が赤外線検知素子１３０の各単素子外に洩光されることがなく、雑音の発生を防止する。
さらにまた、図１０に示すように、サーモパイル素子（赤外線センサ素子）３３０をシールドするのではなく、ステム３１０と熱的に接続されたインナーキャップ３５０で、サーモパイル素子３３０を覆うことにより、ステム３１０の温度変動に対するサーモパイル素子３３０の冷接点の温度追随性を向上させるようにした赤外線センサモジュールも提案されている（特許文献３）。この構成では、サーモパイル素子とサーミスタを、インナーキャップで覆い、内部雰囲気がステムと熱的に接続されるようにし、ケース３２０やインナーキャップ３５０からの二次輻射がサーモパイル素子３３０に照射されないようにしている。
ところで、近年、信号の増幅処理のためにＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）などのＩＣチップを内蔵した実装構造が提案されている。この構成によれば、配線の引き回しを低減することができ、理論的には、検出精度のさらなる向上をはかることができる。しかしながら、このようにＩＣチップをハウジング内に内蔵する場合は、電気ノイズ対策として金属ハウジングを用いる必要がある。この場合は特に、金属の光反射率が高いために内部反射が起こりやすくなり、熱ノイズがさらに発生しやすい構造となっている。また、信号の増幅処理のためのＩＣチップへの熱ノイズの影響も無視できない大きさとなることがあった。
このように信号処理回路素子を内蔵した赤外線センサモジュールにおいては、電気ノイズ対策として金属ハウジングを用いる必要があり、この場合は特に、金属の光反射率が高いために内部反射が起こりやすくなるという問題があった。さらに、信号処理回路素子の発熱による熱ノイズの問題もあり、熱ノイズがさらに発生しやすい構造となっている。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、熱ノイズを低減し、高精度で信頼性の高い赤外線検出を行うことが可能な赤外線センサモジュールを提供することを目的とする。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、熱ノイズを低減し、高精度で信頼性の高い赤外線検出を行うことが可能な赤外線センサモジュールを提供することを目的とする。
そこで本発明の赤外線センサモジュールは、基板上に配置され、赤外線信号を受信する赤外線センサ素子と、前記赤外線センサ素子の出力を処理する信号処理回路素子と、前記赤外線センサ素子から所定の距離を隔てて設けられ、外部の赤外線信号を前記赤外線センサ素子に結像するための光学系を備えた入射窓を有し、前記赤外線センサ素子および前記信号処理回路素子を収容する金属製のケースと、前記赤外線センサ素子と、前記ケースおよび前記信号処理回路素子との間に、前記光学系を介して入射する前記赤外線信号を前記赤外線センサ素子に導く透光部を有するセンサカバーとを具備したことを特徴とする。
この構成によれば、赤外線センサ素子をセンサカバーで覆うだけでなく、信号処理回路素子と赤外線センサ素子との間にもセンサカバーを設けるようにしているため、信号処理回路素子への赤外線センサ素子からの輻射による熱ノイズを防ぐことができ、ノイズとなる赤外線信号が除去され、対象物だけの赤外線信号を検知することができるので、測定精度が向上する。
この構成によれば、赤外線センサ素子をセンサカバーで覆うだけでなく、信号処理回路素子と赤外線センサ素子との間にもセンサカバーを設けるようにしているため、信号処理回路素子への赤外線センサ素子からの輻射による熱ノイズを防ぐことができ、ノイズとなる赤外線信号が除去され、対象物だけの赤外線信号を検知することができるので、測定精度が向上する。
そこで本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記赤外線センサ素子が面実装によって前記基板に搭載されたことを特徴とする。
特に赤外線センサ素子自体の熱変化も信号処理回路素子に大きな影響を与えることになる。このような構成の場合にも、本発明によれば、信号処理回路素子への赤外線センサ素子からの輻射による熱ノイズを防ぐことができる。
特に赤外線センサ素子自体の熱変化も信号処理回路素子に大きな影響を与えることになる。このような構成の場合にも、本発明によれば、信号処理回路素子への赤外線センサ素子からの輻射による熱ノイズを防ぐことができる。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記センサカバーが、前記赤外線センサ素子の周囲を囲むように前記基板に当接せしめられた側壁部と、前記側壁部から前記赤外線センサ素子と前記光学系との間に形成され、前記透光部が開口部を構成する天面とを有することを特徴とする。
この構成によれば、センサカバーが前記赤外線センサ素子の周囲を囲むように前記基板に当接せしめられた側壁部を有しているため、センサカバーを赤外線センサ素子の周囲を可能な限り囲うように配置することで、上面だけでなく側面方向からのノイズに対しても除去が可能となる。
この構成によれば、センサカバーが前記赤外線センサ素子の周囲を囲むように前記基板に当接せしめられた側壁部を有しているため、センサカバーを赤外線センサ素子の周囲を可能な限り囲うように配置することで、上面だけでなく側面方向からのノイズに対しても除去が可能となる。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、センサカバーは金属材料で構成されたことを特徴とする。
この構成によれば、センサに向かって入射してくるノイズを金属材料からなるセンサカバーで反射して、ノイズがセンサに入るのを防ぐことができる。
この構成によれば、センサに向かって入射してくるノイズを金属材料からなるセンサカバーで反射して、ノイズがセンサに入るのを防ぐことができる。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記センサカバーは、熱伝導性材料で前記基板に接合されたことを特徴とする。
この構成によれば、センサカバーが基板との間で熱のやり取りをし易くなり、センサ周囲で熱が部分的にこもることがないようにすることができる。
この構成によれば、センサカバーが基板との間で熱のやり取りをし易くなり、センサ周囲で熱が部分的にこもることがないようにすることができる。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記センサカバーは導電性材料で前記基板に接合されたことを特徴とする。
この構成によれば、センサカバーをシールド面と電気的に接続することができ、電磁シールド性を持たせることができる。
この構成によれば、センサカバーをシールド面と電気的に接続することができ、電磁シールド性を持たせることができる。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記基板の前記赤外線センサ素子搭載領域および信号処理回路素子領域を囲む領域に帯状の金属リングが載置され、前記金属リングは前記ケースの前記基板側端部に設けられた鍔部と当接し、シール部を構成したことを特徴とする。
この構成によれば、基板周縁部のシール性を高めるとともに、電気的なシールド性を高めることが可能となる。
この構成によれば、基板周縁部のシール性を高めるとともに、電気的なシールド性を高めることが可能となる。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記ケースの内側には樹脂成形体からなる内装ケースを具備したことを特徴とする。
この構成によれば、ケース内に入射してくる熱ノイズを樹脂の内装ケースで吸収して、ノイズがセンサに入るのを防ぐことができる。
この構成によれば、ケース内に入射してくる熱ノイズを樹脂の内装ケースで吸収して、ノイズがセンサに入るのを防ぐことができる。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記ケースの内壁に黒色めっき層を形成してなることを特徴とする。
この構成によれば、ケース内に入射してくる熱ノイズを黒色めっき層で吸収して、ノイズがセンサに入るのを防ぐことができる。
この構成によれば、ケース内に入射してくる熱ノイズを黒色めっき層で吸収して、ノイズがセンサに入るのを防ぐことができる。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記赤外線センサ素子は、前記基板にワイヤを介して接続されており、前記センサカバーは、前記ワイヤの導出領域を除く、前記赤外線センサ素子の周縁を覆うように形成されたことを特徴とする。
この構成によれば、赤外線センサ素子への熱ノイズの回避をより高めることができる。
この構成によれば、赤外線センサ素子への熱ノイズの回避をより高めることができる。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記赤外線センサ素子のワイヤは、前記赤外線センサ素子の相対向する２辺から導出され、前記センサカバーは前記ワイヤの配置されない相対向する２辺で、前記基板に接合されたことを特徴とする。
この構成によれば、センサカバー固定側の辺とワイヤボンド側の辺が分離でき、赤外線センサモジュールのサイズを小さくすることができる。
この構成によれば、センサカバー固定側の辺とワイヤボンド側の辺が分離でき、赤外線センサモジュールのサイズを小さくすることができる。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記赤外線センサ素子は、前記基板にバンプを介して接続してなることを特徴とする。
この構成によれば、ワイヤを導出することなく、赤外線センサ素子を実装することができるため、赤外線センサ素子の周囲をセンサカバーで完全に囲むことができる。
この構成によれば、ワイヤを導出することなく、赤外線センサ素子を実装することができるため、赤外線センサ素子の周囲をセンサカバーで完全に囲むことができる。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記センサカバーは、赤外線センサ素子の周囲全体で、前記基板に当接されたことを特徴とする。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記赤外線センサ素子と前記信号処理回路素子との間の接続は、前記基板に形成された内部配線を介して実現されたことを特徴とする。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記赤外線センサ素子と前記センサカバーとの間の、前記基板上に熱遮断部を形成したことを特徴とする。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記熱遮断部は、リング状の溝部であることを特徴とする。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記基板は、前記信号処理回路素子の搭載領域で、肉薄領域を構成したことを特徴とする。
また本発明は、上記赤外線センサモジュールにおいて、前記基板はセラミック基板であり、前記センサカバーの当接する領域に配線導体層が形成されたことを特徴とする。
本発明に係る赤外線センサモジュールによれば、センサカバーによって、ケースで反射されて入射する、視野角外からの赤外線ノイズを防止するとともに、ケースの加熱による輻射熱発生による赤外線ノイズの影響を低減し、検出精度の向上をはかることができる。
以下、本発明の実施の形態の赤外線センサモジュールについて図面を参照しつつ詳細に説明する。
(実施の形態１)
図１は本発明の実施の形態１の赤外線センサモジュールを示す図であり，（ａ）は断面図、（ｂ）はケースとセンサカバーを外した状態を示す上面図、（ｃ）は側断面図である。また図２はこの赤外線センサモジュールを示す分解斜視図である。
本発明の実施の形態１の赤外線センサモジュールは、基板１０上に配置され、赤外線信号を受信する赤外線センサ素子３０と、前記赤外線センサ素子３０の出力を処理する信号処理回路素子４０と、前記赤外線センサ素子３０から所定の距離を隔てて設けられ、外部の赤外線信号を前記赤外線センサ素子３０に結像するための光学系としてのレンズ２２を備えた入射窓を有し、前記赤外線センサ素子３０および前記信号処理回路素子４０を収容する金属製のケース２０と、前記赤外線センサ素子３０と、前記ケース２０および前記信号処理回路素子４０との間に、前記光学系を介して入射する前記赤外線信号を前記赤外線センサ素子３０に導く透光部５１を有するコバールで構成されたセンサカバー５０とを具備したことを特徴とする。基板１０は表面に図示しない配線パターンを有する
図１は本発明の実施の形態１の赤外線センサモジュールを示す図であり，（ａ）は断面図、（ｂ）はケースとセンサカバーを外した状態を示す上面図、（ｃ）は側断面図である。また図２はこの赤外線センサモジュールを示す分解斜視図である。
本発明の実施の形態１の赤外線センサモジュールは、基板１０上に配置され、赤外線信号を受信する赤外線センサ素子３０と、前記赤外線センサ素子３０の出力を処理する信号処理回路素子４０と、前記赤外線センサ素子３０から所定の距離を隔てて設けられ、外部の赤外線信号を前記赤外線センサ素子３０に結像するための光学系としてのレンズ２２を備えた入射窓を有し、前記赤外線センサ素子３０および前記信号処理回路素子４０を収容する金属製のケース２０と、前記赤外線センサ素子３０と、前記ケース２０および前記信号処理回路素子４０との間に、前記光学系を介して入射する前記赤外線信号を前記赤外線センサ素子３０に導く透光部５１を有するコバールで構成されたセンサカバー５０とを具備したことを特徴とする。基板１０は表面に図示しない配線パターンを有する
なおここで用いられる赤外線センサ素子は、面実装によって基板１０に搭載されたサーモパイル型センサである。そしてワイヤボンディングによって基板１０に電気的に接続されている。３２はボンディングワイヤである。サーモパイル型センサは、ここでは図示しないが、ポリシリコンのマイクロマシニングによって形成した熱電対において、赤外線による熱によりこれら接点間に温度差を生じさせ、この温度差により接点間に電位差を発生させる熱起電力効果（ゼーベック効果）を利用して、赤外線を電圧として検知するように構成したものである。このサーモパイル型赤外線センサは、受光した赤外線を赤外線吸収膜で熱に変換し、この熱を、直列に多数個接続された熱電対に加え、発生した温接点部の温度変化を、熱電対により電圧として出力する。このサーモパイルにおいて、赤外線を吸収する赤外線吸収膜の材料としては、赤外線吸収率の高い金黒膜やカーボン膜などが用いられている。
そしてセンサカバー５０は、銀ペースト５２などの熱伝導性材料で前記基板１０に接合されており、この銀ペーストによって、センサカバー５０が基板１０との間での熱のやり取りをし易くしており、センサ周囲で熱が部分的にこもることがないようにすることができる。
また、基板１０の赤外線センサ素子搭載領域Ｒｔおよび信号処理回路素子搭載領域Ｒｓを囲む領域に帯状の金属リング１３が載置され、この金属リング１３はケース２０の基板側端部に設けられた鍔部２３と当接し、シール部２４を構成している。
ここで１１は基板表面に形成された配線導体層であり、ボンディングワイヤ３２を介して赤外線センサ素子３０と電気的に接続されている。また赤外線センサ素子３０と信号処理回路素子４０との間の電気的接続もボンディングワイヤ３２を介してなされている。
また、センサカバー５０は、赤外線センサ素子３０の周囲を囲むように基板１０に当接せしめられた側壁部５０Ｓと、側壁部５０Ｓから前記赤外線センサ素子３０と前記光学系としてのレンズ２２の間に形成され、前記透光部５１が開口部を構成する天面５０Ｕとを有する。
この構成によれば、赤外線センサ素子３０をセンサカバー５０で覆うだけでなく、信号処理回路素子４０と赤外線センサ素子３０との間にもセンサカバー５０を設けるようにしているため、信号処理回路素子から赤外線センサ素子および赤外線センサ素子から信号処理回路素子への輻射による熱ノイズを防ぐことができ、非対象物体からの赤外線信号ＩＲ０が金属ケースを経て入射する輻射線ＩＲ２、金属ケースからの反射による輻射線ＩＲ３による赤外線信号が除去され、対象物だけの赤外線信号ＩＲ１を検知することができるので、測定精度が向上する。
また、この側壁部５０Ｓを有しているため、センサカバー５０を赤外線センサ素子３０の周囲を可能な限り囲うように配置することで、上面だけでなく側面方向からのノイズに対しても確実な除去が可能となる。
また、この側壁部５０Ｓを有しているため、センサカバー５０を赤外線センサ素子３０の周囲を可能な限り囲うように配置することで、上面だけでなく側面方向からのノイズに対しても確実な除去が可能となる。
また、ここで赤外線センサ素子３０のボンディングワイヤ３２は、赤外線センサ素子の相対向する２辺から導出され、センサカバー５０はボンディングワイヤ３２の配置されない相対向する２辺で、基板１０に接合されている。このため、センサカバー固定側の辺とワイヤボンド側の辺が分離でき、赤外線センサモジュールのサイズを小さくすることができる。
前記実施の形態では、センサカバー５０はコバールで構成したが、銅、ステンレスなど他の金属を用いるようにしてもよい。また、センサカバー５０を導電性材料で基板に接続することにより、シールド面と電気的に接続することができ、電磁シールド性を持たせることができる。
また基板１０の赤外線センサ素子搭載領域Ｒｔおよび信号処理回路素子搭載領域Ｒｓを囲む領域に形成された帯状の金属リング１３がケースの基板側端部に設けられた鍔部２３と当接し、シール部を構成しているため、気密シール性を高めるとともに、電気的なシールド性を高めることが可能となる。またこの帯状の金属リングは、熱遮断部としての役割も有する。さらにまた熱遮断部としては、リング状の溝部を構成してもよい。
さらに、基板１０として窒化アルミニウムなどの放熱性の高いセラミック基板を用いるとともに、センサカバーの当接する領域に配線導体層が形成されるようにすることで、より放熱性を高めることができる。
また、信号処理回路素子４０の搭載領域Ｒｓで、肉薄領域を構成しているため、放熱性が良好で、赤外線センサ素子３０への熱ノイズを低減することができる。
また、信号処理回路素子４０の搭載領域Ｒｓで、肉薄領域を構成しているため、放熱性が良好で、赤外線センサ素子３０への熱ノイズを低減することができる。
（実施の形態２）
なお、前記実施の形態では、赤外線センサ素子３０と信号処理回路素子４０とをボンディングワイヤ３２を介して電気的に接続したが、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、基板として多層配線基板１０Ｓを用いることで、内層でスルーホールｈおよび内層１０ｃを介して電気的に接続することができる。多層配線基板１０Ｓはセラミックなどの絶縁層１０ｉと内層１０ｃとしての導体層との積層体で構成される。この多層配線基板１０Ｓはグリーンシート積層体を焼成することにより、容易に所望の配線が形成可能である。信号処理回路素子４０と赤外線センサ素子３０との接続はボンディングワイヤ３２およびスルーホールｈ、内層１０ｃを介して得られる。図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の要部拡大断面図である。
これにより、センサカバー５０の側壁部５０Ｓを、多層配線基板１０Ｓに当接するように配置することが可能となる。従って、センサカバーを赤外線センサ素子の周囲を確実に囲むことで、側面方向からのノイズに対しても確実な除去が可能となる。
なお、前記実施の形態では、赤外線センサ素子３０と信号処理回路素子４０とをボンディングワイヤ３２を介して電気的に接続したが、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、基板として多層配線基板１０Ｓを用いることで、内層でスルーホールｈおよび内層１０ｃを介して電気的に接続することができる。多層配線基板１０Ｓはセラミックなどの絶縁層１０ｉと内層１０ｃとしての導体層との積層体で構成される。この多層配線基板１０Ｓはグリーンシート積層体を焼成することにより、容易に所望の配線が形成可能である。信号処理回路素子４０と赤外線センサ素子３０との接続はボンディングワイヤ３２およびスルーホールｈ、内層１０ｃを介して得られる。図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の要部拡大断面図である。
これにより、センサカバー５０の側壁部５０Ｓを、多層配線基板１０Ｓに当接するように配置することが可能となる。従って、センサカバーを赤外線センサ素子の周囲を確実に囲むことで、側面方向からのノイズに対しても確実な除去が可能となる。
さらに、基板として窒化アルミニウムなどの放熱性の高いセラミック基板を用いるとともに、センサカバー５０の当接する領域に配線導体層２１が形成されるようにすることで、より放熱性を高めることができる。
（実施の形態３）
次に本発明の実施の形態３について説明する。
前記実施の形態１では、赤外線センサ素子３０はワイヤボンディングによりボンディングワイヤ３２を介して基板１０に接続したが、本実施の形態では、図４に示すように、赤外線センサ素子３０をバンプ３１を介して直接基板に接続したことを特徴とするものである。赤外線センサ素子３０と信号処理回路素子４０との間は、前記実施の形態２と同様に、スルーホールｈを介して基板１０Ｓ内で接続される。従って、センサカバー５０は、赤外線センサ素子３０の周囲を、赤外線センサ素子３０に極めて近い位置で、確実に囲むように配置されている。また、赤外線センサ素子３０と信号処理回路素子４０との接続は、基板１０上に形成された配線導体層１１によって接続される。他の部分については前記実施の形態１および２と同様に形成されているため、ここでは説明を省略する。
従って、この場合も、赤外線センサ素子３０はより効率的に熱シールドおよび電気的シールドがなされているため、輻射熱発生による熱ノイズの発生も抑制することができる。また、近接してセンサカバーを配置することで、さらに小型化を図ることができる。
なお、前記実施の形態２と同様、この場合も、実施の形態２と同様、基板として多層配線基板１０Ｓを用いるようにすれば、内層（図示せず）でスルーホールを介して赤外線センサ素子３０と信号処理回路素子４０とを、電気的に接続することができ、センサカバーをより確実に基板に密着させることができる。
次に本発明の実施の形態３について説明する。
前記実施の形態１では、赤外線センサ素子３０はワイヤボンディングによりボンディングワイヤ３２を介して基板１０に接続したが、本実施の形態では、図４に示すように、赤外線センサ素子３０をバンプ３１を介して直接基板に接続したことを特徴とするものである。赤外線センサ素子３０と信号処理回路素子４０との間は、前記実施の形態２と同様に、スルーホールｈを介して基板１０Ｓ内で接続される。従って、センサカバー５０は、赤外線センサ素子３０の周囲を、赤外線センサ素子３０に極めて近い位置で、確実に囲むように配置されている。また、赤外線センサ素子３０と信号処理回路素子４０との接続は、基板１０上に形成された配線導体層１１によって接続される。他の部分については前記実施の形態１および２と同様に形成されているため、ここでは説明を省略する。
従って、この場合も、赤外線センサ素子３０はより効率的に熱シールドおよび電気的シールドがなされているため、輻射熱発生による熱ノイズの発生も抑制することができる。また、近接してセンサカバーを配置することで、さらに小型化を図ることができる。
なお、前記実施の形態２と同様、この場合も、実施の形態２と同様、基板として多層配線基板１０Ｓを用いるようにすれば、内層（図示せず）でスルーホールを介して赤外線センサ素子３０と信号処理回路素子４０とを、電気的に接続することができ、センサカバーをより確実に基板に密着させることができる。
（実施の形態４）
次に本発明の実施の形態４について説明する。
図５は本発明の実施の形態４の赤外線センサモジュールを示す図であり，（ａ）は断面図、（ｂ）はケースとセンサカバーを外した状態を示す上面図、（ｃ）は側断面図である。また図６はこの赤外線センサモジュールを示す分解斜視図である。
本発明の実施の形態４の赤外線センサモジュールは、前記実施の形態１の赤外線センサモジュールの構成に加え、ケース２０の内側に絶縁性樹脂からなる内装ケース６０を形成したことを特徴とするものである。他は前記実施の形態１で示した赤外線センサモジュールと同様に形成されている。ここでは同一部位には同一符号を付し、説明を省略する。
この構成により、前記実施の形態１の効果に加え、さらなる熱ノイズの抑制を達成することが可能となる。
次に本発明の実施の形態４について説明する。
図５は本発明の実施の形態４の赤外線センサモジュールを示す図であり，（ａ）は断面図、（ｂ）はケースとセンサカバーを外した状態を示す上面図、（ｃ）は側断面図である。また図６はこの赤外線センサモジュールを示す分解斜視図である。
本発明の実施の形態４の赤外線センサモジュールは、前記実施の形態１の赤外線センサモジュールの構成に加え、ケース２０の内側に絶縁性樹脂からなる内装ケース６０を形成したことを特徴とするものである。他は前記実施の形態１で示した赤外線センサモジュールと同様に形成されている。ここでは同一部位には同一符号を付し、説明を省略する。
この構成により、前記実施の形態１の効果に加え、さらなる熱ノイズの抑制を達成することが可能となる。
なお、内装ケースに限定されることなく、内側に反射防止部材を配することで同様の効果を得ることができる。
例えば、この反射防止部材としては、図７（ａ）乃至（ｃ）に示すように、前記金属製のケース２０の内側に設けられた黒色の金属めっき層２６を用いるようにしてもよい。なおここでも実施の形態１と同一部位には同一符号を付した。
例えば、この反射防止部材としては、図７（ａ）乃至（ｃ）に示すように、前記金属製のケース２０の内側に設けられた黒色の金属めっき層２６を用いるようにしてもよい。なおここでも実施の形態１と同一部位には同一符号を付した。
１０ 基板
１０ｉ 絶縁層
１０ｃ 内層
１０Ｓ 多層配線基板
１１ 配線導体層
１３ 金属リング
２０ ケース
２１ 配線導体層
２２ レンズ
２３ 鍔部
２４ シール部
２６ 黒色めっき層
３０ 赤外線センサ素子
３１ バンプ
３２ ボンディングワイヤ
４０ 信号処理回路素子
５０ センサカバー
５０Ｕ 天面
５０Ｓ 側壁部
５１Ｓ 透光部
６０ 内装ケース
ＩＲ０ 非対象物からの赤外線信号
ＩＲ１ 対象物からの赤外線信号
ＩＲ２ 非対象物からの輻射線
ＩＲ３ 非対象物からの輻射線
１０ｉ 絶縁層
１０ｃ 内層
１０Ｓ 多層配線基板
１１ 配線導体層
１３ 金属リング
２０ ケース
２１ 配線導体層
２２ レンズ
２３ 鍔部
２４ シール部
２６ 黒色めっき層
３０ 赤外線センサ素子
３１ バンプ
３２ ボンディングワイヤ
４０ 信号処理回路素子
５０ センサカバー
５０Ｕ 天面
５０Ｓ 側壁部
５１Ｓ 透光部
６０ 内装ケース
ＩＲ０ 非対象物からの赤外線信号
ＩＲ１ 対象物からの赤外線信号
ＩＲ２ 非対象物からの輻射線
ＩＲ３ 非対象物からの輻射線
Claims (18)
- 基板上に配置され、赤外線信号を受信する赤外線センサ素子と、
前記赤外線センサ素子の出力を処理する信号処理回路素子と、
前記赤外線センサ素子から所定の距離を隔てて設けられ、外部の赤外線信号を前記赤外線センサ素子に結像するための光学系を備えた入射窓を有し、前記赤外線センサ素子および前記信号処理回路素子を収容する金属製のケースと、
前記赤外線センサ素子と、前記ケースおよび前記信号処理回路素子との間に、前記光学系を介して入射する前記赤外線信号を前記赤外線センサ素子に導く透光部を有するセンサカバーとを具備した赤外線センサモジュール。 - 請求項１に記載の赤外線センサモジュールであって、
前記赤外線センサ素子は面実装によって前記基板に搭載された赤外線センサモジュール。 - 請求項１または２に記載の赤外線センサモジュールであって、
前記センサカバーは、
前記赤外線センサ素子の周囲を囲むように前記基板に当接せしめられた側壁部と、
前記側壁部から前記赤外線センサ素子と前記光学系との間に形成され、前記透光部が開口部を構成する天面とを有する赤外線センサモジュール。 - 請求項１乃至３のいずれかに記載の赤外線センサモジュールであって、
センサカバーは金属材料で構成された赤外線センサモジュール。 - 請求項１乃至４のいずれかに記載の赤外線センサモジュールであって、
前記センサカバーは、熱伝導性材料で前記基板に接合された赤外線センサモジュール。 - 請求項１乃至５のいずれかに記載の赤外線センサモジュールであって、
前記センサカバーは、導電性材料で前記基板に接合された赤外線センサモジュール。 - 請求項１乃至６のいずれかに記載の赤外線センサモジュールであって、
前記基板の前記赤外線センサ搭載領域および信号処理回路素子搭載領域を囲む領域に帯状の金属リングが載置され、前記金属リングは、前記ケースの開口端部に設けられた鍔部と当接し、シール部を構成した赤外線センサモジュール。 - 請求項１乃至７のいずれかに記載の赤外線センサモジュールであって、
前記ケースの内側には樹脂成形体からなる内装ケースを具備した赤外線センサモジュール。 - 請求項８に記載の赤外線センサモジュールであって、
前記ケースの内壁に黒色めっき層を形成してなる赤外線センサモジュール。 - 請求項１乃至９のいずれかに記載の赤外線センサモジュールであって、
前記赤外線センサ素子は、前記基板もしくは前記信号処理回路素子の少なくとも一方に、ワイヤを介して接続されており、
前記センサカバーは、前記ワイヤの導出領域を除く、前記赤外線センサ素子の周縁を覆うように形成された赤外線センサモジュール。 - 請求項１０に記載の赤外線センサモジュールであって、
前記赤外線センサ素子のワイヤは、前記赤外線センサ素子の相対向する２辺から導出され、
前記センサカバーは前記ワイヤの配置されない相対向する２辺で、前記基板に接合された赤外線センサモジュール。 - 請求項１乃至９のいずれかに記載の赤外線センサモジュールであって、
前記赤外線センサ素子は、前記基板にバンプを介して接続してなる赤外線センサモジュール。 - 請求項１２に記載の赤外線センサモジュールであって、
前記センサカバーは、赤外線センサ素子の周囲全体で、前記基板に当接された赤外線センサモジュール。 - 請求項１乃至１３のいずれかに記載の赤外線センサモジュールであって、
前記赤外線センサ素子と前記信号処理回路素子との間の接続は、前記基板に形成された内部配線を介して実現された赤外線センサモジュール。 - 請求項１乃至１４のいずれかに記載の赤外線センサモジュールであって、
前記赤外線センサ素子と前記センサカバーとの間の、前記基板上に熱遮断部を形成した赤外線センサモジュール。 - 請求項１５に記載の赤外線センサモジュールであって、
前記熱遮断部は、リング状の溝部である赤外線センサモジュール。 - 請求項１乃至１６のいずれかに記載の赤外線センサモジュールであって、
前記基板は、前記信号処理回路素子の搭載領域で、肉薄領域を構成した赤外線センサモジュール。 - 請求項１乃至１７のいずれかに記載の赤外線センサモジュールであって、
前記基板はセラミック基板であり、前記センサカバーの当接する領域に配線導体層が形成された赤外線センサモジュール。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009288032A JP5793679B2 (ja) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | 赤外線センサモジュール |
| US13/513,426 US8952331B2 (en) | 2009-12-18 | 2010-12-17 | Infrared sensor module |
| KR1020127015578A KR20120089342A (ko) | 2009-12-18 | 2010-12-17 | 적외선 센서 모듈 |
| BR112012014958A BR112012014958A2 (pt) | 2009-12-18 | 2010-12-17 | módulo de sensor infravermelho |
| EP10837702A EP2515091A1 (en) | 2009-12-18 | 2010-12-17 | Infrared sensor module |
| PCT/JP2010/072811 WO2011074678A1 (ja) | 2009-12-18 | 2010-12-17 | 赤外線センサモジュール |
| CN201080057710.8A CN102656430B (zh) | 2009-12-18 | 2010-12-17 | 红外线传感器模块 |
| TW099144795A TW201135198A (en) | 2009-12-18 | 2010-12-20 | Infrared light sensor module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009288032A JP5793679B2 (ja) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | 赤外線センサモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011128067A true JP2011128067A (ja) | 2011-06-30 |
| JP5793679B2 JP5793679B2 (ja) | 2015-10-14 |
Family
ID=44167428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009288032A Expired - Fee Related JP5793679B2 (ja) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | 赤外線センサモジュール |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8952331B2 (ja) |
| EP (1) | EP2515091A1 (ja) |
| JP (1) | JP5793679B2 (ja) |
| KR (1) | KR20120089342A (ja) |
| CN (1) | CN102656430B (ja) |
| BR (1) | BR112012014958A2 (ja) |
| TW (1) | TW201135198A (ja) |
| WO (1) | WO2011074678A1 (ja) |
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| CN102656430B (zh) | 2015-04-01 |
| BR112012014958A2 (pt) | 2016-04-05 |
| JP5793679B2 (ja) | 2015-10-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
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|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140204 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20141007 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20150119 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150217 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |