JP2005277148A - 半導体パッケージおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の半導体キャリアは、WCu合金、WAg合金、MoCu合金、MoAg合金のいずれかから形成された基板10を備えており、この基板10と複数のリード端子(リード線)14とのハーメチックシール16はニッケルメッキ層を介することなく直接接合されている。また、基板10とシールリング17との溶着部17aはニッケルメッキ層を介することなく直接接合されている。そして、ハーメチックシール後のリード端子(リード線)14の表面および溶着後のシールリング17の表面にはニッケルメッキ18aと金メッキ18bが施されている。
【選択図】 図5
Description
まず、平均粒径が1.0μmの85W15Cu複合粉末あるいは混合粉末を、ジェットミル内あるいはボールミル内に投入して平均粒径が0.1〜0.3μmになるまで粉砕した。この場合、微粉化および粉末の球状化を行うとともに、凝集したものの除去を行った。なお、ジェットミルにおいては加圧力が0.1〜1MPaで、回転速度が5000rpmで20分間行った。また、ボールミルにおいては、20〜200時間行った。
(1)実施例
ついで、上述のように作製した母材10(a,b,c,d)と、FeNi合金製のリード端子14を350℃に加熱されたオーブン中に配置した。この後、これらを350℃で30分間加熱処理して、母材10(a,b,c,d)の表面およびリード端子14の表面に酸化処理を施した。この酸化処理により、次工程でのハーメチックガラスとの濡れ性が向上することとなる。
一方、上述した実施例と同様に、母材10(a,b,c,d)と、FeNi合金製のリード端子14を350℃に加熱されたオーブン中に配置した後、これらを350℃で30分間加熱処理して、母材10(a,b,c,d)の表面およびリード端子14の表面に酸化処理を施した。ついで、図6に示すように、周知のメッキ方法により母材10(a,b,c,d)の表面に下地ニッケルメッキ層13を形成した。なお、この下地ニッケルメッキは、スルファミン酸浴やワット浴等の電気メッキ、あるいはNi/B、Ni/P等の無電解メッキのどちらでもよい。この場合、母材10(a,b,c,d)の表面に下地ニッケルメッキ層13を形成した後、熱処理を行って、下地ニッケルメッキ層13と各母材10(a,b,c,d)との密着性を向上させた。
(1)キャップ溶接前
ついで、上述のようにして作製したキャップ溶接前の半導体キャリア10a〜10d,10w〜10zをそれぞれ15個ずつ用いて気密性試験を行った。この気密性試験においては、図7に示すように、ヘリウム(He)リークディテクタ(島津製作所製)20を用い、このリークディテクタ20に形成された試験室22の上部にOリング23を介して、半導体キャリア10a〜10d,10w〜10zを配置した。
一方、キャップ19が溶接されて完成された試料30(半導体キャリア10A〜10D,10W〜10Z)をそれぞれ15個ずつ用いて気密性試験を行った。この気密性試験においては、図8(a)(b)に示すように、これらの試料30(半導体キャリア10A〜10D,10W〜10Z)をそれぞれボンビングチャンバー31内に配置した。この後、このボンビングチャンバー31内にヘリウムガスボンベ32からヘリウムガスを5kg/cm2で2時間充填した。ついで、ボンビングチャンバー31内からこれらの試料30(半導体キャリア10A〜10D,10W〜10Z)を取り出した。
Claims (2)
- 高度の気密状態が求められる半導体素子が基板上に配置され、かつ該基板にハーメチックシールにより複数のリード線が接合されているとともに当該基板に密閉用の蓋体がシールリングを介して接合された半導体パッケージであって、
前記基板はWCu合金、WAg合金、MoCu合金、MoAg合金のいずれかから形成され、
前記基板と前記複数のリード線とのハーメチックシールはニッケルメッキ層を介することなく直接接合されているとともに、
前記基板と前記シールリングとの溶着はニッケルメッキ層を介することなく直接接合されており、
前記ハーメチックシール後のリード線の表面および前記溶着後のシールリングの表面にはニッケルメッキと金メッキが施されていることを特徴とする半導体パッケージ。 - 高度の気密状態が求められる半導体素子を基板上に配置し、かつ該基板にハーメチックシールにより複数のリード線を接合するとともに当該基板に密閉用の蓋体をシールリングを介して接合する半導体パッケージの製造方法であって、
WCu合金、WAg合金、MoCu合金、MoAg合金のいずれかから形成された基板に複数のリード線をハーメチックシールにより接合するハーメチックシール工程と、
前記基板にロウ付けにより前記シールリングを溶着するロウ付け工程と、
前記ハーメチックシール後のリード線の表面および前記溶着後のシールリングの表面にニッケルメッキと金メッキを施すメッキ工程とを備えたことを特徴とする半導体キャリアの製造方法。
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