JPH07333055A - 光検出器 - Google Patents
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- JPH07333055A JPH07333055A JP6122461A JP12246194A JPH07333055A JP H07333055 A JPH07333055 A JP H07333055A JP 6122461 A JP6122461 A JP 6122461A JP 12246194 A JP12246194 A JP 12246194A JP H07333055 A JPH07333055 A JP H07333055A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
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- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
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- G—PHYSICS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、光半導体素子の光電流出力特性バ
ラツキを抑えなくても、光電流出力値バラツキが小さ
く、光量を正確に検出することのできる光検出器を、提
供することを目的とするものである。 【構成】 個々の光検出器の光電流出力値バラツキを抑
えるために、光検出器への入射光が、光半導体素子４に
到達するまでに透過する部品の光の透過率を、使用する
光半導体素子４個々の光電流出力特性に応じて選定する
ことにより、光半導体素子４に到達する入射光量を制御
し、光検出器の光電流出力値を制御するものである。
ラツキを抑えなくても、光電流出力値バラツキが小さ
く、光量を正確に検出することのできる光検出器を、提
供することを目的とするものである。 【構成】 個々の光検出器の光電流出力値バラツキを抑
えるために、光検出器への入射光が、光半導体素子４に
到達するまでに透過する部品の光の透過率を、使用する
光半導体素子４個々の光電流出力特性に応じて選定する
ことにより、光半導体素子４に到達する入射光量を制御
し、光検出器の光電流出力値を制御するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種機器の動作を制御
したり、環境の測定のために用いる可視光センサや赤外
線光センサ等に用いられる光検出器に関するものであ
る。
したり、環境の測定のために用いる可視光センサや赤外
線光センサ等に用いられる光検出器に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の光検出器は実開昭６３−２００
７３３号公報に示されているように、一般に光半導体素
子への入射光の通過する部分の構造によって大別する
と、（Ａ）ガラス・金属融着ハウジングタイプ、（Ｂ）
樹脂ケースタイプ、（Ｃ）樹脂コートタイプ、（Ｄ）樹
脂モールドタイプに分けられる。
７３３号公報に示されているように、一般に光半導体素
子への入射光の通過する部分の構造によって大別する
と、（Ａ）ガラス・金属融着ハウジングタイプ、（Ｂ）
樹脂ケースタイプ、（Ｃ）樹脂コートタイプ、（Ｄ）樹
脂モールドタイプに分けられる。
【０００３】これらのうち（Ａ）ガラス・金属融着ハウ
ジングタイプは図１に示すように導電性ベース（１）
に、リード足（３）をガラス（２）によるハーメチック
法で取付け、前記ベース（１）上に取付けた光半導体素
子（４）と前記リード足（３）との間を金ワイヤ（５）
等で接続し、また外周を金属キャップ（６）で包囲し、
入射光窓部（７）はガラスで被覆してなるものである。
また他のリード足（８）はベース（１）に連結されてい
る。
ジングタイプは図１に示すように導電性ベース（１）
に、リード足（３）をガラス（２）によるハーメチック
法で取付け、前記ベース（１）上に取付けた光半導体素
子（４）と前記リード足（３）との間を金ワイヤ（５）
等で接続し、また外周を金属キャップ（６）で包囲し、
入射光窓部（７）はガラスで被覆してなるものである。
また他のリード足（８）はベース（１）に連結されてい
る。
【０００４】（Ｂ）樹脂ケースタイプは図２に示すよう
に、（Ａ）ガラス・金属融着ハウジングタイプと同様な
構造をしており、（Ａ）ガラス・金属融着ハウジングタ
イプの金属キャップ（６）と入射光窓部（７）が一体と
なった樹脂ケース（９）で光半導体素子（４）が被われ
たものである。
に、（Ａ）ガラス・金属融着ハウジングタイプと同様な
構造をしており、（Ａ）ガラス・金属融着ハウジングタ
イプの金属キャップ（６）と入射光窓部（７）が一体と
なった樹脂ケース（９）で光半導体素子（４）が被われ
たものである。
【０００５】ただ図３に示すように、樹脂ケース（９）
の一端開口部に、２本のリード足（３）（８）を結合し
た光半導体素子（４）を臨ませ、封止樹脂（１０）で封
止した光検出器も大別すると（Ｂ）樹脂ケースタイプに
含まれる。
の一端開口部に、２本のリード足（３）（８）を結合し
た光半導体素子（４）を臨ませ、封止樹脂（１０）で封
止した光検出器も大別すると（Ｂ）樹脂ケースタイプに
含まれる。
【０００６】（Ｃ）樹脂コートタイプは図４に示すよう
に、導電性ベース（１）にリード足（３）をガラス
（２）によるハーメチックシール法で取付け、前記ベー
ス（１）上に取付けた光半導体素子（４）と前記リード
足（３）との間を金ワイヤ（５）等で接続し、光半導体
素子（４）をコート樹脂（１１）で被覆してなるもので
ある。
に、導電性ベース（１）にリード足（３）をガラス
（２）によるハーメチックシール法で取付け、前記ベー
ス（１）上に取付けた光半導体素子（４）と前記リード
足（３）との間を金ワイヤ（５）等で接続し、光半導体
素子（４）をコート樹脂（１１）で被覆してなるもので
ある。
【０００７】なお、（Ｃ）樹脂コートタイプには図５に
示すように、ベース（１）の代わりにセラミック、樹脂
または金属のケース（１２）上に光半導体素子（４）を
取付け、前記光半導体素子（４）と２本のリード足
（３）（８）とを金ワイヤ（５）等で接続し、前記光半
導体素子（４）を樹脂コート（１１）で覆ったものであ
る。
示すように、ベース（１）の代わりにセラミック、樹脂
または金属のケース（１２）上に光半導体素子（４）を
取付け、前記光半導体素子（４）と２本のリード足
（３）（８）とを金ワイヤ（５）等で接続し、前記光半
導体素子（４）を樹脂コート（１１）で覆ったものであ
る。
【０００８】（Ｄ）樹脂モールドタイプは図６に示すよ
うに、一方のリードフレーム（１３）に光半導体素子
（４）を取付け、他方のリードフレーム（１４）との間
を金ワイヤ（５）等で接続し、外周囲全体を樹脂でモー
ルドしてなるものであり、光半導体素子（４）に到達す
る光は必ず樹脂モールド部（１５）を透過する。
うに、一方のリードフレーム（１３）に光半導体素子
（４）を取付け、他方のリードフレーム（１４）との間
を金ワイヤ（５）等で接続し、外周囲全体を樹脂でモー
ルドしてなるものであり、光半導体素子（４）に到達す
る光は必ず樹脂モールド部（１５）を透過する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のような構成の光
検出器では何れのタイプであっても、同一入射光量に対
する個々の光検出器の光電流出力値バラツキが±２０〜
±４０％となっている。
検出器では何れのタイプであっても、同一入射光量に対
する個々の光検出器の光電流出力値バラツキが±２０〜
±４０％となっている。
【００１０】個々の光検出器の光電流出力値バラツキの
要因は、一つには光半導体素子（４）の原材料であり、
もう一つには光半導体素子（４）の製造工程に起因する
ものである。
要因は、一つには光半導体素子（４）の原材料であり、
もう一つには光半導体素子（４）の製造工程に起因する
ものである。
【００１１】しかし光半導体素子（４）の原材料インゴ
ットの製造においてバラツキを抑えることは困難であ
り、また光半導体素子（４）の製造工程でのバラツキを
抑えることも難しい。
ットの製造においてバラツキを抑えることは困難であ
り、また光半導体素子（４）の製造工程でのバラツキを
抑えることも難しい。
【００１２】そこで、製造する光検出器の光電流出力値
バラツキの範囲を抑えようとすると、個々の光半導体素
子（４）の光電流出力特性を測定し、選別した光半導体
素子（４）を使用することとなり、要求範囲外の光電流
出力特性を持つ光半導体素子（４）は使えないため、結
果的に非常なコスト高となってしまう。
バラツキの範囲を抑えようとすると、個々の光半導体素
子（４）の光電流出力特性を測定し、選別した光半導体
素子（４）を使用することとなり、要求範囲外の光電流
出力特性を持つ光半導体素子（４）は使えないため、結
果的に非常なコスト高となってしまう。
【００１３】さらに、自動車の車室内空気調和を目的と
したオートエアコンに日射センサとして、個々の光電流
出力値バラツキが大きい光検出器を使用した場合、オー
トエアコン制御において日射センサで制御しようとする
要素のバラツキが大きくなり、設計の意図するエアコン
制御（車室内空気調和）ができないこととなる。
したオートエアコンに日射センサとして、個々の光電流
出力値バラツキが大きい光検出器を使用した場合、オー
トエアコン制御において日射センサで制御しようとする
要素のバラツキが大きくなり、設計の意図するエアコン
制御（車室内空気調和）ができないこととなる。
【００１４】そこで本発明は、上述したような問題点を
解決するため、光電流出力値のバラツキを抑えた光検出
器を提供することを目的とする。
解決するため、光電流出力値のバラツキを抑えた光検出
器を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の光検出器は、光半導体素子を金属キ
ャップで被い、前記金属キャップに形成した入射光窓部
を透過し、前記光半導体素子への入射光量を検出するも
のにおいて、前記入射光窓部は光の透過率を制御する材
料で成り、前記光半導体素子個々の光電流出力特性に応
じて決定され、入射光量を制御することにより、個々の
光電流出力値バラツキを抑えたことを特徴とするもので
ある。
に、本発明の第１の光検出器は、光半導体素子を金属キ
ャップで被い、前記金属キャップに形成した入射光窓部
を透過し、前記光半導体素子への入射光量を検出するも
のにおいて、前記入射光窓部は光の透過率を制御する材
料で成り、前記光半導体素子個々の光電流出力特性に応
じて決定され、入射光量を制御することにより、個々の
光電流出力値バラツキを抑えたことを特徴とするもので
ある。
【００１６】また本発明の第２の光検出器は、光半導体
素子を樹脂ケースで被い、前記樹脂ケースを透過し前記
光半導体素子への入射光量を検出するものにおいて、前
記樹脂ケースは光の透過率を制御する材料で成り、前記
光半導体素子個々の光電流出力特性に応じて決定され、
入射光量を制御することにより、個々の光電流出力値バ
ラツキを抑えたことを特徴とするものである。
素子を樹脂ケースで被い、前記樹脂ケースを透過し前記
光半導体素子への入射光量を検出するものにおいて、前
記樹脂ケースは光の透過率を制御する材料で成り、前記
光半導体素子個々の光電流出力特性に応じて決定され、
入射光量を制御することにより、個々の光電流出力値バ
ラツキを抑えたことを特徴とするものである。
【００１７】本発明の第３の光検出器は、光半導体素子
を樹脂コートで覆い、前記樹脂コートを透過し前記光半
導体素子への入射光量を検出するものにおいて、前記樹
脂コートは光の透過率を制御する材料で成り、前記光半
導体素子個々の光電流出力特性に応じて決定され、入射
光量を制御することにより、個々の光電流出力値バラツ
キを抑えたことを特徴とするものである。
を樹脂コートで覆い、前記樹脂コートを透過し前記光半
導体素子への入射光量を検出するものにおいて、前記樹
脂コートは光の透過率を制御する材料で成り、前記光半
導体素子個々の光電流出力特性に応じて決定され、入射
光量を制御することにより、個々の光電流出力値バラツ
キを抑えたことを特徴とするものである。
【００１８】本発明の第４の光検出器は、光半導体素子
を樹脂モールドし、前記樹脂モールド部を透過し前記光
半導体素子への入射光量を検出するものにおいて、前記
樹脂モールドは光の透過率を制御する材料で成り、前記
光半導体素子個々の光電流出力特性に応じて決定され、
入射光量を制御することにより、個々の光電流出力値バ
ラツキを抑えたことを特徴とするものである。
を樹脂モールドし、前記樹脂モールド部を透過し前記光
半導体素子への入射光量を検出するものにおいて、前記
樹脂モールドは光の透過率を制御する材料で成り、前記
光半導体素子個々の光電流出力特性に応じて決定され、
入射光量を制御することにより、個々の光電流出力値バ
ラツキを抑えたことを特徴とするものである。
【００１９】本発明は第５の光検出器は、光半導体素子
の表面を樹脂コートで覆い、さらに入射光窓部を設けた
金属キャップあるいは樹脂ケースで被い、前記入射光窓
部あるいは前記樹脂ケースと前記光半導体表面を覆った
樹脂コートを透過し、前記光半導体素子への入射光量を
検出するものにおいて、前記樹脂コートは光の透過率を
制御する材料で成り、前記光半導体素子個々の光電流出
力特性に応じて決定され、入射光量を制御することによ
り、個々の光電流出力値バラツキを抑えたことを特徴と
するものである。
の表面を樹脂コートで覆い、さらに入射光窓部を設けた
金属キャップあるいは樹脂ケースで被い、前記入射光窓
部あるいは前記樹脂ケースと前記光半導体表面を覆った
樹脂コートを透過し、前記光半導体素子への入射光量を
検出するものにおいて、前記樹脂コートは光の透過率を
制御する材料で成り、前記光半導体素子個々の光電流出
力特性に応じて決定され、入射光量を制御することによ
り、個々の光電流出力値バラツキを抑えたことを特徴と
するものである。
【００２０】本発明の第６の光検出器は、光半導体素子
への入射光量を検出するものにおいて、前記光半導体素
子に到達する入射光が透過する部分を構成する部品の少
なくとも一部品表面を、前記光半導体素子個々の光電流
出力特性に応じて、光の透過率を制御する材料から成る
コーティング材あるいはシートにより覆い、入射光量を
制御することにより個々の光電流出力値バラツキを抑え
たことを特徴とするものである。
への入射光量を検出するものにおいて、前記光半導体素
子に到達する入射光が透過する部分を構成する部品の少
なくとも一部品表面を、前記光半導体素子個々の光電流
出力特性に応じて、光の透過率を制御する材料から成る
コーティング材あるいはシートにより覆い、入射光量を
制御することにより個々の光電流出力値バラツキを抑え
たことを特徴とするものである。
【００２１】本発明の第７の光検出器は、光半導体素子
への入射光量を検出するものにおいて、前記光半導体素
子表面を前記光半導体素子個々の光電流出力特性に応じ
て、光の透過率を制御する材料から成るコーティング材
あるいはシートにより覆い、入射光量を制御することに
より個々の光電流出力値バラツキを抑えたことを特徴と
するものである。
への入射光量を検出するものにおいて、前記光半導体素
子表面を前記光半導体素子個々の光電流出力特性に応じ
て、光の透過率を制御する材料から成るコーティング材
あるいはシートにより覆い、入射光量を制御することに
より個々の光電流出力値バラツキを抑えたことを特徴と
するものである。
【００２２】
【作用】本発明は上記した構成によって、個々の光半導
体素子に光電流出力特性のバラツキがあっても、光半導
体素子への入射光量を制御し、光電流出力値バラツキを
抑えた光検出器を、安価に容易に提供することができ
る。
体素子に光電流出力特性のバラツキがあっても、光半導
体素子への入射光量を制御し、光電流出力値バラツキを
抑えた光検出器を、安価に容易に提供することができ
る。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００２４】まず図１のガラス・金属融着ハウジングタ
イプについて説明する。（１）は導電性金属のベース
で、このベース（１）の略中心位置には、光半導体素子
（４）が導電性接着剤等で取付けられている。
イプについて説明する。（１）は導電性金属のベース
で、このベース（１）の略中心位置には、光半導体素子
（４）が導電性接着剤等で取付けられている。
【００２５】この光半導体素子（４）の位置をややずら
した位置に貫通孔を穿設し、一方のリード足（３）を挿
入し、ガラス（２）を封入したハーメチックシール法て
絶縁して取付けられ、この一方のリード足（３）の先端
部と光半導体素子（４）の間は金ワイヤ（５）等で接続
されている。
した位置に貫通孔を穿設し、一方のリード足（３）を挿
入し、ガラス（２）を封入したハーメチックシール法て
絶縁して取付けられ、この一方のリード足（３）の先端
部と光半導体素子（４）の間は金ワイヤ（５）等で接続
されている。
【００２６】前記ベース（１）の下面には他方のリード
足（８）が結合され、また前記ベース（１）の外周囲に
は金属キャップ（６）が取付けられ、この金属キャップ
（６）の中央の入射光窓部（７）は、光透過率を制御す
るための材料を添加したガラスで構成されている。
足（８）が結合され、また前記ベース（１）の外周囲に
は金属キャップ（６）が取付けられ、この金属キャップ
（６）の中央の入射光窓部（７）は、光透過率を制御す
るための材料を添加したガラスで構成されている。
【００２７】上記のように構成された光検出器に入射す
る光は、光透過率を制御するための材料を添加したガラ
スを透過することにより光量が制御されることとなる。
る光は、光透過率を制御するための材料を添加したガラ
スを透過することにより光量が制御されることとなる。
【００２８】従って、光の透過率の異なる数種類（透明
なガラスも含め）の入射光窓部（７）をあらかじめ準備
しておき、光半導体素子（４）を単体で、あるいは入射
光窓部（７）が装着される前の光検出器の半完成品状態
で、一定光量を光半導体素子（４）に入射させ光電流出
力特性を測定した後、その光電流出力特性によって使用
する入射光窓部（７）を、あらかじめ準備しておいた光
の透過率が異なる数種類の入射光窓部（７）から選定し
使用することによって、個々の光半導体素子（４）の光
電流出力特性がばらついていても、光検出器として完成
させたときには、光電流出力値バラツキの範囲を抑える
ことができる。
なガラスも含め）の入射光窓部（７）をあらかじめ準備
しておき、光半導体素子（４）を単体で、あるいは入射
光窓部（７）が装着される前の光検出器の半完成品状態
で、一定光量を光半導体素子（４）に入射させ光電流出
力特性を測定した後、その光電流出力特性によって使用
する入射光窓部（７）を、あらかじめ準備しておいた光
の透過率が異なる数種類の入射光窓部（７）から選定し
使用することによって、個々の光半導体素子（４）の光
電流出力特性がばらついていても、光検出器として完成
させたときには、光電流出力値バラツキの範囲を抑える
ことができる。
【００２９】前記光の透過率の異なる数種類の入射光窓
部（７）を準備するためには、入射光窓部（７）の色を
変えるとか、厚みを変えるとか、表面粗さを変える等の
手段を用いてもよい。
部（７）を準備するためには、入射光窓部（７）の色を
変えるとか、厚みを変えるとか、表面粗さを変える等の
手段を用いてもよい。
【００３０】また図２、図３に示す樹脂ケースタイプの
光検出器においても、金属・ガラス融着ハウジングタイ
プと同様に、光の透過率の異なる数種類（透明な樹脂ケ
ースも含め）の樹脂ケース（９）をあらかじめ準備して
おき、光半導体素子（４）を単体、あるいは樹脂ケース
（９）が装着される前の光検出器の半完成品状態で、一
定光量を光半導体素子（４）に入射させ光電流出力特性
を測定した後、その光電流出力特性によって使用する樹
脂ケース（９）を、あらかじめ準備しておいた光の透過
率が異なる数種類の樹脂ケース（９）から選定し使用す
ることによって、個々の光半導体素子（４）の光電流出
力特性がばらついていても、光検出器として完成させた
ときには、光電流出力値バラツキの範囲を抑えることが
できる。
光検出器においても、金属・ガラス融着ハウジングタイ
プと同様に、光の透過率の異なる数種類（透明な樹脂ケ
ースも含め）の樹脂ケース（９）をあらかじめ準備して
おき、光半導体素子（４）を単体、あるいは樹脂ケース
（９）が装着される前の光検出器の半完成品状態で、一
定光量を光半導体素子（４）に入射させ光電流出力特性
を測定した後、その光電流出力特性によって使用する樹
脂ケース（９）を、あらかじめ準備しておいた光の透過
率が異なる数種類の樹脂ケース（９）から選定し使用す
ることによって、個々の光半導体素子（４）の光電流出
力特性がばらついていても、光検出器として完成させた
ときには、光電流出力値バラツキの範囲を抑えることが
できる。
【００３１】図４、図５に示す樹脂コートタイプの光検
出器においても、光の透過率の異なる数種類（透明なコ
ート材も含め）のコート材をあらかじめ準備しておき、
上記した他のタイプと同様にコート材を被覆する前段階
で光電流出力特性を測定し、その光電流出力特性に基づ
いて被覆するコート材を選定、使用することにより光検
出器の光電流出力値バラツキを抑えることができる。
出器においても、光の透過率の異なる数種類（透明なコ
ート材も含め）のコート材をあらかじめ準備しておき、
上記した他のタイプと同様にコート材を被覆する前段階
で光電流出力特性を測定し、その光電流出力特性に基づ
いて被覆するコート材を選定、使用することにより光検
出器の光電流出力値バラツキを抑えることができる。
【００３２】図６に示す樹脂モールドタイプの光検出器
においても、上述の樹脂コートタイプと同様の方法で、
光検出器の光電流出力値バラツキを抑えることができ
る。
においても、上述の樹脂コートタイプと同様の方法で、
光検出器の光電流出力値バラツキを抑えることができ
る。
【００３３】また図７に示すように、光半導体素子
（４）を例えば光半導体素子（４）や金ワイヤ（５）等
の保護の目的で、透明な樹脂コート（１６）により覆っ
た光検出器が、ガラス・金属融着ハウジングタイプには
あるが、この場合は、入射光窓部（７）のガラスは従来
のものを使用し、樹脂コート（１６）のコート材をあら
かじめ光の透過率違いで数種類（透明なコート材を含
め）準備しておき、光半導体素子（４）単体、あるいは
コート材を被覆する前段階の光検出器半完成品状態で、
一定光量を光半導体素子（４）に入射させ光電流出力特
性を測定した後、その光電流出力特性によって被覆する
コート材を、あらかじめ準備しておいた光の透過率違い
の数種類のコート材から選定し使用してもよい。
（４）を例えば光半導体素子（４）や金ワイヤ（５）等
の保護の目的で、透明な樹脂コート（１６）により覆っ
た光検出器が、ガラス・金属融着ハウジングタイプには
あるが、この場合は、入射光窓部（７）のガラスは従来
のものを使用し、樹脂コート（１６）のコート材をあら
かじめ光の透過率違いで数種類（透明なコート材を含
め）準備しておき、光半導体素子（４）単体、あるいは
コート材を被覆する前段階の光検出器半完成品状態で、
一定光量を光半導体素子（４）に入射させ光電流出力特
性を測定した後、その光電流出力特性によって被覆する
コート材を、あらかじめ準備しておいた光の透過率違い
の数種類のコート材から選定し使用してもよい。
【００３４】光の透過率違いのコート材を選定すること
によって、入射光窓部（７）の光の透過率を変えた時と
同様に、個々の光半導体素子（４）の光電流出力特性が
ばらついていても、光検出器として完成させたときに
は、光電流出力値バラツキの範囲を抑えることができ
る。
によって、入射光窓部（７）の光の透過率を変えた時と
同様に、個々の光半導体素子（４）の光電流出力特性が
ばらついていても、光検出器として完成させたときに
は、光電流出力値バラツキの範囲を抑えることができ
る。
【００３５】また図７で説明した光検出器と同じように
光半導体素子（４）を透明な樹脂コート（１６）により
覆ったものが、図８に示すように樹脂ケースタイプの光
検出器にもある。
光半導体素子（４）を透明な樹脂コート（１６）により
覆ったものが、図８に示すように樹脂ケースタイプの光
検出器にもある。
【００３６】この場合も上述のガラス・金属融着ハウジ
ングタイプと同様に、樹脂ケースは従来のままであって
も、光の透過率違いのコート材を使うことにより、光検
出器の光電流出力値バラツキの範囲を抑えることができ
る。
ングタイプと同様に、樹脂ケースは従来のままであって
も、光の透過率違いのコート材を使うことにより、光検
出器の光電流出力値バラツキの範囲を抑えることができ
る。
【００３７】また図９に示すように、ガラス・金属融着
ハウジングタイプの光検出器において、入射光窓部
（７）や樹脂コート（１６）は従来のものを使用して、
あらかじめ光の透過率違いのコーティング材（１７）も
しくはシート（１８）を数種類準備しておき、光半導体
素子（４）単体あるいは光検出器半完成品状態で、一定
光量を光半導体素子（４）に入射させ光電流出力特性を
測定した後、その光電流出力特性によってコーティング
材（１７）もしくはシート（１８）を、あらかじめ準備
しておいた光の透過率違いの数種類のものから選定し、
入射光窓部（７）あるいは樹脂コート（１６）の表面を
覆うことによって、個々の光半導体素子（４）の光電流
出力特性がばらついていても、光検出器としては光電流
出力値バラツキを抑えることができる。
ハウジングタイプの光検出器において、入射光窓部
（７）や樹脂コート（１６）は従来のものを使用して、
あらかじめ光の透過率違いのコーティング材（１７）も
しくはシート（１８）を数種類準備しておき、光半導体
素子（４）単体あるいは光検出器半完成品状態で、一定
光量を光半導体素子（４）に入射させ光電流出力特性を
測定した後、その光電流出力特性によってコーティング
材（１７）もしくはシート（１８）を、あらかじめ準備
しておいた光の透過率違いの数種類のものから選定し、
入射光窓部（７）あるいは樹脂コート（１６）の表面を
覆うことによって、個々の光半導体素子（４）の光電流
出力特性がばらついていても、光検出器としては光電流
出力値バラツキを抑えることができる。
【００３８】またコーティング材（１７）あるいはシー
ト（１８）で、入射光が透過する部分を構成する部品の
少なくとも一部品表面を覆い、光検出器の光電流出力値
バラツキを抑える別の手段として、光の透過率が１００
％ではないコーティング材（１７）あるいはシート（１
８）による、入射光窓部（７）あるいは樹脂コート（１
６）の表面の覆い方を変えることによっても、同じ目的
を果たすことができる。
ト（１８）で、入射光が透過する部分を構成する部品の
少なくとも一部品表面を覆い、光検出器の光電流出力値
バラツキを抑える別の手段として、光の透過率が１００
％ではないコーティング材（１７）あるいはシート（１
８）による、入射光窓部（７）あるいは樹脂コート（１
６）の表面の覆い方を変えることによっても、同じ目的
を果たすことができる。
【００３９】すなわち光半導体素子（４）単体あるいは
光検出器半完成品状態で、一定光量を光半導体素子
（４）に入射させ光電流出力特性を測定した後、その光
電流出力特性によって、前記コーティング材（１７）を
塗布する部分と、塗布しない部分を決定し、例えばまだ
らに塗布するとか、前記シート（１８）の形状を変える
（例えば、細かな穴を多数個設ける）等して、入射光透
過部品の表面の覆われる面積（密度）を変えることによ
って、光半導体素子（４）への入射光量を制御し、光検
出器の光電流出力値バラツキを抑えることができる。
光検出器半完成品状態で、一定光量を光半導体素子
（４）に入射させ光電流出力特性を測定した後、その光
電流出力特性によって、前記コーティング材（１７）を
塗布する部分と、塗布しない部分を決定し、例えばまだ
らに塗布するとか、前記シート（１８）の形状を変える
（例えば、細かな穴を多数個設ける）等して、入射光透
過部品の表面の覆われる面積（密度）を変えることによ
って、光半導体素子（４）への入射光量を制御し、光検
出器の光電流出力値バラツキを抑えることができる。
【００４０】なお、上記説明ではガラス・金属融着ハウ
ジングタイプのものについて述べたが、他のタイプの光
検出器においても、例えば樹脂ケース（９）、樹脂コー
ト（１１）（１６）、樹脂モールド部（１５）等、光半
導体素子（４）への入射光が透過する部分を構成する部
品の少なくとも一部品表面を、上記と同様の方法でコー
ティング材（１７）あるいはシート（１８）により覆う
ことにより、光検出器の光電流出力値バラツキを抑える
ことができる。
ジングタイプのものについて述べたが、他のタイプの光
検出器においても、例えば樹脂ケース（９）、樹脂コー
ト（１１）（１６）、樹脂モールド部（１５）等、光半
導体素子（４）への入射光が透過する部分を構成する部
品の少なくとも一部品表面を、上記と同様の方法でコー
ティング材（１７）あるいはシート（１８）により覆う
ことにより、光検出器の光電流出力値バラツキを抑える
ことができる。
【００４１】以上、図２から図９で説明した各実施例に
おいて、光の透過率の異なる数種類の材料あるいは部品
を準備するためには、ガラス・金属融着ハウジングタイ
プで述べたように色を変えるとか、厚みを変えるとか、
表面の粗さを変える等の手段を用いてもよい。
おいて、光の透過率の異なる数種類の材料あるいは部品
を準備するためには、ガラス・金属融着ハウジングタイ
プで述べたように色を変えるとか、厚みを変えるとか、
表面の粗さを変える等の手段を用いてもよい。
【００４２】また何れのタイプの光検出器においても、
図９で説明した光半導体素子（４）に到達する入射光が
透過する部分を構成する部品表面を、コーティング材
（１７）あるいはシート（１８）で覆ったのと同様に、
光半導体素子（４）の表面を直接、光の透過率違いのコ
ーティング材（１７）あるいはシート（１８）で覆う
（覆う面積を変えるという手段も含め）ことによって、
覆う前の光半導体素子（４）個々の光電流出力特性がば
らついていても、光検出器としては光電流出力値バラツ
キを抑えることができる。
図９で説明した光半導体素子（４）に到達する入射光が
透過する部分を構成する部品表面を、コーティング材
（１７）あるいはシート（１８）で覆ったのと同様に、
光半導体素子（４）の表面を直接、光の透過率違いのコ
ーティング材（１７）あるいはシート（１８）で覆う
（覆う面積を変えるという手段も含め）ことによって、
覆う前の光半導体素子（４）個々の光電流出力特性がば
らついていても、光検出器としては光電流出力値バラツ
キを抑えることができる。
【００４３】
【発明の効果】以上のように本発明は、技術的、コスト
的に困難な光半導体素子の光電流出力特性バラツキを抑
えなくても、容易に安価な手段で光電流出力値バラツキ
の小さい光検出器を提供できるので、正確に各種機器の
制御や環境の測定ができることとなる。
的に困難な光半導体素子の光電流出力特性バラツキを抑
えなくても、容易に安価な手段で光電流出力値バラツキ
の小さい光検出器を提供できるので、正確に各種機器の
制御や環境の測定ができることとなる。
【００４４】さらに本発明の光検出器を日射センサに用
いると、従来±２０〜±４０％あった出力値バラツキが
ほとんど無くなる。その結果、自動車の車室内空気調和
を目的としたオートエアコン制御において、正確な日射
量検出ができ、設計の意図したエアコン制御がなされな
いという不具合の発生する車がなくなり、乗員は快適な
車室内空間を得られることとなる。
いると、従来±２０〜±４０％あった出力値バラツキが
ほとんど無くなる。その結果、自動車の車室内空気調和
を目的としたオートエアコン制御において、正確な日射
量検出ができ、設計の意図したエアコン制御がなされな
いという不具合の発生する車がなくなり、乗員は快適な
車室内空間を得られることとなる。
【図１】ガラス・金属融着ハウジングタイプの光検出器
の断面図
の断面図
【図２】樹脂ケースタイプの光検出器の断面図
【図３】樹脂ケースタイプ第２の構造の光検出器の断面
図
図
【図４】樹脂コートタイプの光検出器の断面図
【図５】樹脂コートタイプの第２の構造の光検出器の断
面図
面図
【図６】樹脂モールドタイプの光検出器の断面図
【図７】ガラス・金属融着ハウンジングタイプ第２の構
造の光検出器の断面図
造の光検出器の断面図
【図８】樹脂ケースタイプ第３の構造の光検出器の断面
図
図
【図９】ガラス・金属融着ハウジングタイプのコーティ
ング材あるいはシート被覆実施例の光検出器の断面図
ング材あるいはシート被覆実施例の光検出器の断面図
４ 光半導体素子 ６ 金属キャップ ７ 入射光窓部 ９ 樹脂ケース １１ 樹脂コート １５ 樹脂モールド部 １６ 樹脂コート １７ コーティング材 １８ シート
Claims (7)
- 【請求項１】光半導体素子を金属キャップで被い、前記
金属キャップに形成した入射光窓部を透過し、前記光半
導体素子への入射光量を検出する光検出器において、前
記入射光窓部は光の透過率を制御する材料から成り、前
記光半導体素子個々の光電流出力特性に応じて光の透過
率を決定し、入射光量を制御する光検出器。 - 【請求項２】光半導体素子を樹脂ケースで被い、前記樹
脂ケースを透過し前記光半導体素子への入射光量を検出
する光検出器において、前記樹脂ケースは光の透過率を
制御する材料から成り、前記光半導体素子個々の光電流
出力特性に応じて光の透過率を決定し、入射光量を制御
する光検出器。 - 【請求項３】光半導体素子を樹脂コートで覆い、前記樹
脂コートを透過し前記光半導体素子への入射光量を検出
する光検出器において、前記樹脂コートは光の透過率を
制御する材料から成り、前記光半導体素子個々の光電流
出力特性に応じて光の透過率を決定し、入射光量を制御
する光検出器。 - 【請求項４】光半導体素子を樹脂モールドし、前記樹脂
モールド部を透過し前記光半導体素子への入射光量を検
出する光検出器において、前記樹脂モールドは光の透過
率を制御する材料から成り、前記光半導体素子個々の光
電流出力特性に応じて光の透過率を決定し、入射光量を
制御する光検出器。 - 【請求項５】光半導体素子の表面を樹脂コートで覆い、
さらに入射光窓部を設けた金属キャップあるいは樹脂ケ
ースで被い、前記入射光窓部あるいは前記樹脂ケースと
前記光半導体表面を覆った樹脂コートを透過し、前記光
半導体素子への入射光量を検出する光検出器において、
前記樹脂コートは光の透過率を制御する材料から成り、
前記光半導体素子個々の光電流出力特性に応じて光の透
過率を決定し、入射光量を制御する光検出器。 - 【請求項６】光半導体素子への入射光量を検出する光検
出器において、前記光半導体素子に到達する入射光が透
過する部分を構成する部品の少なくとも一部品表面を、
前記光半導体素子個々の光電流出力特性に応じて、光の
透過率を制御する材料から成るコーティング材あるいは
シートにより覆い、入射光量を制御する光検出器。 - 【請求項７】光半導体素子への入射光量を検出する光検
出器において、前記光半導体素子表面を、前記光半導体
素子個々の光電流出力特性に応じて、光の透過率を制御
する材料から成るコーティング材あるいはシートにより
覆い、入射光量を制御する光検出器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6122461A JPH07333055A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 光検出器 |
| US08/454,056 US5691536A (en) | 1994-06-03 | 1995-05-30 | Photo-detector having a uniform output characteristic and fabricating method therefor |
| US08/808,296 US5859423A (en) | 1994-06-03 | 1997-02-28 | Plurality of photodetectors, each having individually selected light-transmitting member on front face to provide uniform output characteristic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6122461A JPH07333055A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 光検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07333055A true JPH07333055A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14836436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6122461A Pending JPH07333055A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 光検出器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5691536A (ja) |
| JP (1) | JPH07333055A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09297054A (ja) * | 1996-05-07 | 1997-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出器 |
| US5932875A (en) * | 1997-07-07 | 1999-08-03 | Rockwell Science Center, Inc. | Single piece integrated package and optical lid |
| JP2000082829A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Dowa Mining Co Ltd | 受光方法及び受光装置並びに受発光装置 |
| DE10121185B4 (de) * | 2001-04-30 | 2013-04-25 | Sick Ag | Optischer Sensor |
| JP3934648B2 (ja) * | 2002-05-15 | 2007-06-20 | 松下電器産業株式会社 | 光検出器、光ヘッド装置、光情報処理装置および光情報処理方法 |
| US6791842B2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-09-14 | Kingpak Technology Inc. | Image sensor structure |
| US20060181517A1 (en) * | 2005-02-11 | 2006-08-17 | Apple Computer, Inc. | Display actuator |
| TWI296154B (en) * | 2004-01-27 | 2008-04-21 | Casio Computer Co Ltd | Optical sensor module |
| JP4483366B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-06-16 | ヤマハ株式会社 | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
| US20060006791A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Chia Chee W | Light emitting diode display that does not require epoxy encapsulation of the light emitting diode |
| JP2010034386A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Fibest Ltd | 光半導体装置 |
| US20100038519A1 (en) * | 2008-08-12 | 2010-02-18 | Cho-Yi Lin | Image Sensing Module |
| TW201434133A (zh) * | 2013-02-23 | 2014-09-01 | Luxnet Corp | 光收發元件封裝結構 |
| DE102015223362A1 (de) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | Minimax Gmbh & Co. Kg | Explosionsgeschütztes Gehäuse für Mittel zum Senden und Empfangen elektromagnetischer Strahlung |
| JP2021027136A (ja) * | 2019-08-02 | 2021-02-22 | ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社 | 光モジュール |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3683192A (en) * | 1971-03-02 | 1972-08-08 | David F Jacobs | Method and apparatus for light detector fabrication without brazing |
| US4182977A (en) * | 1978-06-01 | 1980-01-08 | Trw Inc. | Constant output light emitting device |
| US4309605A (en) * | 1979-10-02 | 1982-01-05 | New Japan Radio Co., Ltd. | Photo-reflective sensor |
| US5124549A (en) * | 1990-10-15 | 1992-06-23 | Lectron Products, Inc. | Automatic headlamp dimmer with optical baffle |
| US5149958A (en) * | 1990-12-12 | 1992-09-22 | Eastman Kodak Company | Optoelectronic device component package |
| JP2603522Y2 (ja) * | 1991-03-29 | 2000-03-15 | 日本電気株式会社 | イメージセンサ |
| US5329131A (en) * | 1991-05-17 | 1994-07-12 | U.S. Philips Corporation | Opto-electronic coupler having improved moisture protective housing |
| US5289002A (en) * | 1992-11-20 | 1994-02-22 | Eastman Kodak Company | Optical sensor and method of production |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP6122461A patent/JPH07333055A/ja active Pending
-
1995
- 1995-05-30 US US08/454,056 patent/US5691536A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-28 US US08/808,296 patent/US5859423A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5691536A (en) | 1997-11-25 |
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