JP2016090377A - 赤外線センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、低背化し、かつ、検出精度を向上させることができる赤外線センサを提供することを目的とする。【解決手段】この目的を達成するために本発明は、電子部品が実装された基板と、基板42の一方の側に設けられたレンズ43と、基板42のレンズ43が設けられていない他方の側に設けられた赤外線検出素子44を有し、基板42には孔41が設けられ、レンズ43と赤外線検出素子44は孔41を挟んで基板42に設けた構成とした。【選択図】図1
Description
本発明は、赤外線を検知する赤外線センサに関する。
従来から、電子機器に内蔵される赤外線検出装置として、赤外線センサが用いられてきた。
図6は、従来の赤外線検出装置の断面図である。従来の赤外線センサを用いた赤外線検出装置1は、赤外線を検知する赤外線センサ2と、赤外線センサ2からの出力信号を信号処理する半導体素子3とを有している。赤外線センサ2は、開口部4が一表面側に設けられるベース基板5と、ベース基板5における他表面側6でベース基板5に支持される薄膜部7と、薄膜部7に設けられる赤外線検知部8とを備えている。赤外線センサ2は、接合材9により、ベース基板5における他表面側6が半導体素子3に実装されている。
赤外線検出装置1は、赤外線センサ2が実装された半導体素子3を配置するパッケージ基体10を有している。半導体素子3は、たとえば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの接着剤11を用いて、パッケージ基体10に接着している。半導体素子3には、赤外線センサ2を透過した赤外線を反射させる赤外線反射膜12を半導体素子3の一表面13側に設けている。また、赤外線検出装置1は、赤外線センサ2に赤外線を集光させるレンズ部14を備え赤外線センサ2を覆う覆部15が設けられている。
赤外線センサ2は、たとえば、薄膜部7がシリコン基板を用いたベース基板5に薄膜部7自体で支持されるダイアフラム構造としている。赤外線センサ2は、シリコン基板を用いたベース基板5の他表面6側に形成されたシリコン酸化膜16を備えている。赤外線センサ2は、シリコン酸化膜16のベース基板5と反対側にシリコン窒化膜17を備えている。赤外線センサ2は、シリコン酸化膜16とシリコン窒化膜17とで薄膜部7を構成している。赤外線センサ2は、薄膜部7のシリコン窒化膜17に熱電対18が形成されている。
赤外線センサ2は、平面視において、ベース基板5側の薄膜部7と、開口部4側の薄膜部7とに亘って設けられ赤外線の吸収による温度変化を検知する熱電対18を有している。従来の赤外線検出装置1は、複数個の熱電対18を電気的に直列に接続して、サーモパイルを構成している。従来の赤外線検出装置1は、サーモパイルと、サーモパイルを覆う赤外線吸収部19とで赤外線検知部8を構成している。
また、赤外線センサ2は、外部への出力端子となる第1端子部20を備えている。赤外線センサ2は、第1端子部20を複数個の熱電対素線(図示せず)の一つと電気的に接続させている。同様に、赤外線センサ2は、外部への出力端子となる第2端子部21を備えている。赤外線センサ2は、第2端子部21を複数個の熱電対素線(図示せず)の一つと電気的に接続させている。
パッケージ基体10は、種々の形状のものを用いることができ、板状であっても有底筒状であってもよい。パッケージ基体9は、たとえば、パッケージ基体10の表面22側に赤外線センサ2と電気的に接続させる回路パターンを備えたセラミック基板を用いることができる。
赤外線検出装置1は、赤外線センサ2の第1端子部20および第2端子部21を半導体素子3の接続端子部23,24上に形成された接合材9,9と接合させることにより電気的に接続している。なお、赤外線検出装置1は、パッケージ基体10の外側に外部接続端子25,26を備えている。赤外線検出装置1は、赤外線センサ2が検出した出力信号を半導体素子3で増幅して出力できるように、パッケージ基体10に貫設された貫通配線(図示せず)を通して、半導体素子3と、外部接続端子25,26とを電気的に接続させている。赤外線検出装置1は、赤外線センサ2からの出力信号を、外部接続端子25,26から外部に出力することができる。
また、赤外線検出装置1は、赤外線センサ2が実装された半導体素子3と、パッケージ基体10の配線パターンとをワイヤ27によりワイヤボンディングしている。
また、別の従来の赤外線センサ2として、図に示すように、覆部15で赤外線センサ2と半導体素子3とを囲む代わりに、樹脂部28で赤外線センサ2と半導体素子3との側周部29を囲む構造が知られている。
別の従来の赤外線検出装置1は、赤外線センサ2において、ベース基板5の他表面6側の外周部に沿って枠状の金属パターン部30を形成させている。赤外線検出装置1は、半導体素子3において、赤外線センサ1の金属パターン部30に対応する部位に、枠状の金属パターン部31を形成させている。
別の従来の赤外線検出装置1は、接合材9は、赤外線センサ2の赤外線検知部8を除く部位に配されており、赤外線センサ2と半導体素子3とを電気的に接続させる第1接合材9aと、赤外線センサ2と半導体素子3との間を気密封止する第2接合材9bとを備えている。
また、図7に、別の従来の赤外線検出装置の断面図を示す。別の従来の赤外線検出装置10は、図7に示すように、赤外線センサ2と覆部15との間に、スペーサ32が介在している。赤外線検出装置1は、スペーサ32において金属パターン層33と対応する部位に、枠状の金属パターン膜34を形成させている。なお、スペーサ32には、レンズ部14からの赤外線を赤外線センサ2の赤外線検知部8側に照射できるように、貫通孔35が貫設されている。また、本実施形態の赤外線検出装置1では、覆部15におけるレンズ部14の形状を平凸形状としている。赤外線検出装置1は、シリコン基板の陽極酸化技術を利用して、赤外線検出装置1の外部に突出するように、覆部15にレンズ部14を構成する凸部36を形成している。
また、赤外線検出装置1は、スペーサ32における一表面13側(レンズ部14側)において、貫通孔35を囲むように枠状の金属パターン膜37を形成させている。赤外線検出装置1は、覆部15において金属パターン膜34と対応する部位に、枠状の金属パターン層38を形成させている(特許文献1参照)。
また、別の従来の赤外線センサ
赤外線を検出するために、レンズと赤外線検出素子とを所定の焦点距離だけ離すことにより、赤外線検出素子に赤外線を集光させる必要がある。従来の赤外線センサは、基板の同一面に赤外線検出素子と、この赤外線検出素子の上部に、所定の焦点距離だけ離間して、レンズを接着したキャップを設けていたため、赤外線センサの低背化が困難であった。
本発明は、上記課題を解決し、赤外線センサを低背化した赤外線センサを提供する。
上記課題を解決するために本発明は、電子部品が実装された基板と、前記基板の一方の側に設けられたレンズと、前記基板の前記レンズが設けられていない他方の側に設けられた赤外線検出素子を有し、前記基板には孔が設けられ、前記レンズと前記赤外線検出素子は前記孔を挟んで前記基板に設けられ設けた構造とした。
本発明の赤外線センサは、基板の孔を挟んで対抗するようにレンズと赤外線検出素子を設けたことにより、赤外線センサを低背化し、かつ、検出精度を向上させることが出来ている。
(実施の形態1)
以下に、本実施の形態1における赤外線センサについて説明する。
以下に、本実施の形態1における赤外線センサについて説明する。
図1は、本実施の形態1の赤外線センサを示す図である。図1(a)は本実施の形態1の赤外線センサの上面図、図1(b)は同赤外線センサのAA線断面図、図1(c)は同赤外線センサの下面図である。
図1(a)〜(c)に示すように、本実施の形態1の赤外線センサ40は、表面F1から裏面F2まで貫通した孔41が設けられた基板42と、基板42の表面において、孔41の一方の開口端に設けられたレンズ43と、基板42の裏面において、孔41の他方の開口端に設けられた赤外線検出素子44を有している。基板42の裏面F2には、チップ抵抗やコンデンサ等からなるチップ部品45や、IC素子46等の電子部品がはんだ実装されている。IC素子46は基板42に対して赤外線検出素子44と同じ裏面に設けられており、赤外線検出素子44とIC素子46はキャップ47に覆われている。また、基板42にはコネクタ48が設けられており、コネクタ48によって赤外線センサ40を電子機器(図示せず)に接続することが出来る。
図2は図1(b)における領域Rの拡大図である。基板42は、ガラス転移温度が120℃以上のガラスエポキシを用いたプリント基板を用いている。基板42にガラス転移温度が120℃以上の材料を用いることにより、赤外線検出素子44を実装する際に安定して実装することができ、また、基板42の熱歪みが小さくなるため、赤外線センサ40の信頼性を向上させることが出来る。また、本実施の形態1の基板42は、このガラスエポキシを用いたプリント基板を第1の基板49と第2の基板50を積層させた2層基板とし、第1の基板49をベタグランドとしている。
赤外線検出素子44は、ゼーベック効果を利用して赤外線を電圧として検出することができるサーモパイル素子を用いており、基板42にAu−Au接合やはんだ接合等によりフリップチップ実装されている。このサーモパイル素子を用いた赤外線検出素子44は、受光した赤外線を赤外線吸収膜で熱に変換し、この熱により発生した温接点部の温度変化を直列に多数個接続した熱電対により電圧として出力する。なお、本実施の形態1の赤外線検出素子44はサーモパイル素子を用いているが、この限りではなく、例えば、焦電素子等を用いても良い。
IC素子46は、基板42の他方向に設けられ、赤外線検出素子44から出力された信号を信号処理している。
赤外線検出素子44とIC素子46と、基板42に設けられる配線(図示せず)は、基板42の他方向、すなわち、第2の基板50に設けられていることにより、赤外線検出素子44、IC素子46、配線が検知する対象物体から放射される赤外線の影響を受け難くなる。これにより、赤外線センサ40の耐輻射ノイズが向上し、赤外線の検出精度を向上させることができる。
また、赤外線検出素子44とIC素子46を覆うようにしてキャップ47が設けられていることにより、輻射ノイズの影響を低減することができるとともに、異物による検出精度の低下を防止することが出来る。なお、本実施の形態1において、キャップ47は、鉄にニッケルでめっきをしたものを用いているが、これに限らず、例えば、SUS等の材料を用いてもよい。
次に、本実施の形態1の赤外線センサ40の製造方法を簡単に説明する。
まず、電子部品をはんだ実装した基板42に、切削などの加工により2.5mm×2.5mmの鏡筒となる孔41を形成する。ここで、孔41の側面には、基板42の母材が露出しているため、孔41から基板42の母材の切り屑等の異物が発生し、赤外線センサ40の検出精度を低下させてしまう。このため、本実施の形態1では、孔41の内側の側面53にレジスト等の有機材料によって保護膜(図示せず)を形成しており、これにより、孔41からの切り屑等の異物の発生を抑制することができ、赤外線センサ40の検出精度を向上させることができる。なお、本実施の形態1において、孔41を正方形としているが、これに限らず、その形状、大きさは適宜選択することができる。
次に、孔41の一方向にレンズ43を接着剤51により実装する。接着剤により実装することにより、容易に基板42にレンズ43を実装することが出来るが、接着剤による実装に限らず、基板42にフリップチップ実装しても良い。ここで、レンズ43は基板42の一方向、すなわち、ベタグランドされた第1の基板49に、レンズ43の四隅にアルミをパターニングし、ベタグランドとフリップチップ接合することにより、レンズ43自体にシールド効果を持たせることが出来るようになり、赤外線センサ40の検出精度を更に向上させることができる。また、本実施の形態1のレンズ43にはシリコンを用いており、これにより、低コストで透過性、加工性、強度の優れたレンズ43を得ることが出来ている。
次に、赤外線検出素子44をレンズ43の設けられた位置を認識させて、ズレが生じないようにマウントし、はんだ52を用いてはんだ接合によりフリップチップ実装する。レンズを、例えば、パッケージに接合してから基板に実装する場合にはレンズとパッケージ、パッケージと基板を接合するときに、夫々の工程でズレが生じるが、本実施の形態1のように、レンズ43を基板42実装すれば、レンズ43を基板42に接合するときのズレのみで接合することができるため、より精度良く接合することができる。本実施の形態1においては、はんだ接合をしているが、これに限らず、例えば、Au−Au接合等で実装しても良い。特に、Au−Au接合で赤外線検出素子44を実装することにより、はんだ接合で実装する場合に比べズレが少ないため、より精度良く赤外線検出素子を基板に実装することができる。
以上のようにして製造された赤外線センサ40の検出方法について説明する。検出の対象物体が赤外線センサ40の視野角内にある場合を例にして説明する。
対象物体から放射される赤外線がレンズ43を介して赤外線検出素子44に結像する。そして、赤外線検出素子44が入射した赤外線に応じた電圧をIC素子46に出力し、この信号をIC素子46で処理し、コネクタ48を介して電子機器に出力することにより、対象物体の温度を検出することができる。
従来の赤外線センサ(図6、図7)は、赤外線検出素子の上部に、所定の焦点距離だけ離間してレンズを設けていたが、本実施の形態の赤外線センサ40は、基板42の厚みを利用して焦点距離を稼ぐことにより、赤外線センサ40を低背化することができる。ここで、基板42の厚さは1mm〜2mm程度であり、レンズ43の焦点距離をこの基板42の厚さに応じて選ぶことによって、対象物体の温度を検出することができる。このように、本実施の形態1の赤外線センサ40は、レンズ43の焦点距離を基板42の厚さに応じて選択することにより、図1に示すような基板42にレンズ43と赤外線検出素子44を実装しただけの構造で対象物体の温度を検出することができるため、低背化することができている。
また、基板42にレンズ43と赤外線検出素子44を直接実装しているため、赤外線検出素子44の実装時にレンズ43との位置あわせが容易になり、レンズ43と赤外線検出素子44との光軸ずれが小さくなり、赤外線センサ40の検出精度を向上させることが出来ている。
また、赤外線検出素子44と赤外線検出素子44を覆うキャップ47とを基板42の他方向側、すなわち、第2の基板50に実装することにより、対象物体とキャップ47の間に基板42が存在するようになる。このため、対象物体の放射する赤外線により、キャップ47の温度が変化することが無く、赤外線センサ40の検出精度を向上させることが出来る。
なお、本実施の形態1の赤外線センサ40に、図3に示すような孔41と同程度の大きさの開口部54が設けられたカバー55を基板42に設けても良い。このように、カバー55を設けることによって、対象物体以外から放射される想定外の赤外線の検出を抑制することが出来るため、赤外線センサ40の検出精度を向上させることが出来る。なお、開口部54の大きさを孔41と同程度としたが、この限りではなく、赤外線センサ40の使用環境や対象物体に応じて孔41の大きさを適宜選択することが出来る。
なお、本実施の形態1では、基板42を2層基板としているが、これに限らず、例えば、セラミック基板を用いてもよく、赤外線センサ40で検出する対象物体、赤外線センサ40の使用条件等で適宜選択すればよい。
また、基板42を第1の基板49と第2の基板50の間に基板が2層挟まれた4層基板を用いても良い。基板42を4層基板とし、真中の2層の間に信号線を配線しても良い。このようにすることにより、信号線への外来ノイズの影響を低減することが可能になる。
(実施の形態2)
本実施の形態2について図面を用いて説明する。
本実施の形態2について図面を用いて説明する。
なお、本実施の形態2における赤外線センサの構造のうち、本実施の形態1と同様の構成については、本実施の形態1と同様の符号を付し、詳細な説明を省略する。また、本実施の形態1と異なる構成についても、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、本実施の形態1の構成と組み合わせても良い。
本実施の形態2の赤外線センサを図4に示す。図4(a)は本実施の形態2の赤外線センサの上面図、図4(b)は同赤外線センサのBB線断面図、図4(c)は同赤外線センサの下面図である。
図4(a)〜(c)に示すように、本実施の形態2の赤外線センサ60は、孔41が設けられた基板42と、基板42の孔41の一方向に設けられたレンズ43と、基板42の孔41の他方向に設けられた赤外線検出素子44を有している。基板42には、チップ抵抗やコンデンサ等からなるチップ部品45や、IC素子46等の電子部品がはんだ実装されている。IC素子46は基板42に対して赤外線検出素子44と同じ方向に設けられており、赤外線検出素子44とIC素子46は樹脂61に覆われている。また、基板42にはコネクタ48が設けられており、コネクタ48によって赤外線センサ40を電子機器(図示せず)に接続することが出来る。
本実施の形態2における赤外線センサ60は、キャップ47ではなく、樹脂61によって赤外線検出素子44とIC素子46を覆っている点で本実施の形態1における赤外線センサ40と異なっている。本実施の形態2のように、樹脂61で赤外線検出素子44とIC素子46を覆うことにより、安価に構成することができ、かつ、異物による影響や、輻射ノイズによる影響を低減することができ、赤外線センサ60の検出精度を向上させることができる。
また、図5に示すように、開口部54が設けられたカバー55を基板42に設けても良い。このように、カバー55を設けることによって、対象物体以外から放射される想定外の赤外線の検出を抑制することが出来るため、赤外線センサ40の検出精度を向上させることが出来る。
本発明は、赤外線センサに適用することができる。
40、60 赤外線センサ
41 孔
42 基板
43 レンズ
44 赤外線検出素子
45 チップ部品
46 IC素子
47 キャップ
48 コネクタ
49 第1の基板
50 第2の基板
51 接着剤
52 はんだ
53 側面
54 開口部
55 カバー
61 樹脂
41 孔
42 基板
43 レンズ
44 赤外線検出素子
45 チップ部品
46 IC素子
47 キャップ
48 コネクタ
49 第1の基板
50 第2の基板
51 接着剤
52 はんだ
53 側面
54 開口部
55 カバー
61 樹脂
Claims (11)
- 表面と裏面を有する基板と、
前記基板の表面に設けられたレンズと、
前記基板の裏面に設けられた赤外線検出素子を有し、
前記基板には孔が設けられ、
前記レンズと前記赤外線検出素子は前記孔を挟んで対向している赤外線センサ。 - 前記基板がプリント基板である請求項1に記載の赤外線センサ。
- 前記基板のガラス転移温度が120℃以上である請求項2に記載の赤外線センサ。
- 前記基板の裏面に電子部品が実装されている請求項1に記載の赤外線センサ。
- 前記基板が4層基板であり、
前記基板の真中の2層の間に配線が設けられている請求項1に記載の赤外線センサ。 - 前記基板の表面に前記レンズを覆う覆部が設けられ、
前記覆部に開口部が設けられている請求項1に記載の赤外線センサ。 - 前記基板の裏面に、
前記赤外線検出素子を覆うキャップが設けられている請求項1に記載の赤外線センサ。 - 前記赤外線検出素子が樹脂封止されている請求項1に記載の赤外線センサ。
- 前記孔の側面に保護膜が設けられている請求項1に記載の赤外線センサ。
- 前記基板はグランド層を含む多層基板であり、
前記レンズが、前記グランド層と接合されている請求項1に記載の赤外線センサ。 - 前記赤外線検出素子は、
Au−Au接合で前記基板に接合されている請求項1に記載の赤外線センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014224817A JP2016090377A (ja) | 2014-11-05 | 2014-11-05 | 赤外線センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014224817A JP2016090377A (ja) | 2014-11-05 | 2014-11-05 | 赤外線センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016090377A true JP2016090377A (ja) | 2016-05-23 |
Family
ID=56016718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014224817A Pending JP2016090377A (ja) | 2014-11-05 | 2014-11-05 | 赤外線センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016090377A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12034101B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-07-09 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Semiconductor wafer, semiconductor device, and gas concentration measuring device |
-
2014
- 2014-11-05 JP JP2014224817A patent/JP2016090377A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US12034101B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-07-09 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Semiconductor wafer, semiconductor device, and gas concentration measuring device |
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