JPH0395422A - サーモパイル - Google Patents
サーモパイルInfo
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- JPH0395422A JPH0395422A JP1231747A JP23174789A JPH0395422A JP H0395422 A JPH0395422 A JP H0395422A JP 1231747 A JP1231747 A JP 1231747A JP 23174789 A JP23174789 A JP 23174789A JP H0395422 A JPH0395422 A JP H0395422A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明へは、人体の検出又は非接触温度検出に用いられ
る赤外線を検出する回路一体型サーモパイルに関する。
る赤外線を検出する回路一体型サーモパイルに関する。
[従来の技術]
従来のサーモパイルの構造を.第4図に示す。
金属ベース6′の上にヒートシンク1′が設置され,ヒ
ートシンク1′上にへは、熱電対パターン3及び赤外線
吸収層5′が形成された有機フィルム2′が固定されて
いる。ヒートシンク1′は中央に中空穴11′が空けら
れており,熱電対パターン3′の温接点部31′は中空
穴11′の内側に,冷接点部32′は中空穴11′の外
側に各々配置されている。冷接点部32′とヒートシン
ク1′とは熱時に結合している。金属ケース6′の上に
は赤外線フィルター8′を設けたキャップ7が被さって
いる。又,熱電対パターン3′の出力端子へは、リード
端子9’ ,9’と素子内部にて電気的に接続されてい
る。
ートシンク1′上にへは、熱電対パターン3及び赤外線
吸収層5′が形成された有機フィルム2′が固定されて
いる。ヒートシンク1′は中央に中空穴11′が空けら
れており,熱電対パターン3′の温接点部31′は中空
穴11′の内側に,冷接点部32′は中空穴11′の外
側に各々配置されている。冷接点部32′とヒートシン
ク1′とは熱時に結合している。金属ケース6′の上に
は赤外線フィルター8′を設けたキャップ7が被さって
いる。又,熱電対パターン3′の出力端子へは、リード
端子9’ ,9’と素子内部にて電気的に接続されてい
る。
ここで,サーモパイルの動作原理は下記のとおりである
。被検出物体(発熱体 あるいは人体等)から発生した
赤外線が,赤外線フィルタ8′を透過して,赤外線吸収
層5′に吸収されると,赤外線吸収層5′の温度は上昇
し,この温度上昇による熱は1熱電対パターン3′の温
接点31′へ伝わり,その温度を上昇させる。このため
,昇温した温接点31′の温度と(ほぼヒートシンク1
′の温度である室温と等しい)冷接点32′の温度との
温度差ΔTに基づく出力電圧(熱電対の熱電能(μV/
℃)X熱電対の対数)がリード端子9′9′間に生ずる
ことになる。
。被検出物体(発熱体 あるいは人体等)から発生した
赤外線が,赤外線フィルタ8′を透過して,赤外線吸収
層5′に吸収されると,赤外線吸収層5′の温度は上昇
し,この温度上昇による熱は1熱電対パターン3′の温
接点31′へ伝わり,その温度を上昇させる。このため
,昇温した温接点31′の温度と(ほぼヒートシンク1
′の温度である室温と等しい)冷接点32′の温度との
温度差ΔTに基づく出力電圧(熱電対の熱電能(μV/
℃)X熱電対の対数)がリード端子9′9′間に生ずる
ことになる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら,従来のサーモパイルには.下記の欠点が
ある。
ある。
3
■リード端子9’ ,9’からの出力電圧へは、熱電対
パターン3′からの出力電圧そのものであり,通常数μ
V程度であることから,後段に増幅回数を必ず必要とし
.その配線部間が長くなりやすく,従って外乱ノイズが
乗りやすく誤動作を起しやすいという欠点がある。
パターン3′からの出力電圧そのものであり,通常数μ
V程度であることから,後段に増幅回数を必ず必要とし
.その配線部間が長くなりやすく,従って外乱ノイズが
乗りやすく誤動作を起しやすいという欠点がある。
■増幅回路を例加する方法としてへは、第5図に示すご
とくディスクリート回路基板111′上にサーモパイル
素子単体と増幅回路素子とを搭載した構戊を採るが,こ
の方法での回路基板の大きさとしてへは、通常,約3
0 mm X 5 0 mm程度となり,寸法が大型化
し,このため使用用途が限られるという欠点があった。
とくディスクリート回路基板111′上にサーモパイル
素子単体と増幅回路素子とを搭載した構戊を採るが,こ
の方法での回路基板の大きさとしてへは、通常,約3
0 mm X 5 0 mm程度となり,寸法が大型化
し,このため使用用途が限られるという欠点があった。
又,特性面でへは、冷接点温度補償用の温度検出素子1
01’ (通常ダイオードが用いられる)がサーモパ
イル素子に接近させて配置されているが,ヒートシンク
1′の温度を直接ffill定はしていないので,冷接
点温度補償に誤差をもっており,従って,非接触温度検
出では誤差が大きいという欠点もあった。
01’ (通常ダイオードが用いられる)がサーモパ
イル素子に接近させて配置されているが,ヒートシンク
1′の温度を直接ffill定はしていないので,冷接
点温度補償に誤差をもっており,従って,非接触温度検
出では誤差が大きいという欠点もあった。
4
そこで 本発明の技術的課題へは、上記欠点に鑑み,ヒ
ートシンク部分を回路基板と共通化させることにより従
来よりも小型化し,冷接点温度補償の精度を改善し,し
かも外乱ノイズに対する誤動作ヲ防止した回路一体型サ
ーモパイルを提供することである。
ートシンク部分を回路基板と共通化させることにより従
来よりも小型化し,冷接点温度補償の精度を改善し,し
かも外乱ノイズに対する誤動作ヲ防止した回路一体型サ
ーモパイルを提供することである。
[課題を解決するための手段コ
本発明によれば,中空穴を穿設した絶縁性基板と,該絶
縁性基板上に設けられた導体回路パターンと 該導体回
路パターンと電気的に接続された熱伝対パターンを形成
した有機フィルムと,外部より照射される赤外線を受け
,前記中空穴と対応した位置で前記有機フィルム上に設
けられた赤外線吸収層とを有し,前記熱伝対パターンへ
は、前記赤外線吸収層と絶縁され.前記中空穴内側に位
置して前記赤外線吸収層と熱的に接続される温接点部と
,前記中空穴外側に位置して前記絶縁性基板と熱的に接
続される冷接点部とを有し,前記導体回路パターンへは
、前記温接点部と前記冷接点部との温度差に基づく出力
電圧を処理して,前記赤外線吸収層に照射される赤外線
温度を検出する回路素子を有することを特徴とするサー
モパイルが得られる。
縁性基板上に設けられた導体回路パターンと 該導体回
路パターンと電気的に接続された熱伝対パターンを形成
した有機フィルムと,外部より照射される赤外線を受け
,前記中空穴と対応した位置で前記有機フィルム上に設
けられた赤外線吸収層とを有し,前記熱伝対パターンへ
は、前記赤外線吸収層と絶縁され.前記中空穴内側に位
置して前記赤外線吸収層と熱的に接続される温接点部と
,前記中空穴外側に位置して前記絶縁性基板と熱的に接
続される冷接点部とを有し,前記導体回路パターンへは
、前記温接点部と前記冷接点部との温度差に基づく出力
電圧を処理して,前記赤外線吸収層に照射される赤外線
温度を検出する回路素子を有することを特徴とするサー
モパイルが得られる。
本発明によれば,前記絶縁性基板を,アルミナ又は窒化
アルミナより構或し,WiI記冷接点部に対するヒート
シンク機能を設けたことを特徴とするサーモパイルが得
られる。
アルミナより構或し,WiI記冷接点部に対するヒート
シンク機能を設けたことを特徴とするサーモパイルが得
られる。
本発明によれば,前記有機フィルムは1前記絶縁性基板
側の面に前記熱伝対パターンを形成し,前記絶縁性基板
側と反対側の面に前記赤外線吸収層を設けたことを特徴
とするサーモパイルが得られる。
側の面に前記熱伝対パターンを形成し,前記絶縁性基板
側と反対側の面に前記赤外線吸収層を設けたことを特徴
とするサーモパイルが得られる。
本発明によれば,前記冷接点部に対する温度補償用の温
度検出素子を1前記絶縁性基板上で前記有機フィルムの
周辺近傍に配したことを特徴とするサーモパイルが得ら
れる。
度検出素子を1前記絶縁性基板上で前記有機フィルムの
周辺近傍に配したことを特徴とするサーモパイルが得ら
れる。
本発明によれば,前記赤外線吸収層と対応した赤外線の
みを実質的に通過させる赤外線フィルタを有する金属ケ
ースで,前記絶縁性基板と,前記導体回路パターンと,
前記有機フィルムと,及び前記赤外線吸収層とを一体に
シールドしたことを特徴とするサーモパイルが得られる
。
みを実質的に通過させる赤外線フィルタを有する金属ケ
ースで,前記絶縁性基板と,前記導体回路パターンと,
前記有機フィルムと,及び前記赤外線吸収層とを一体に
シールドしたことを特徴とするサーモパイルが得られる
。
即ち2本発明の回路一体型サーモパイルの構成へは、熱
電対パターンを形成した有機フィルムが,中空穴を設け
た絶縁性基板の,前記中空穴に,その熱電対パターンの
温接点部分が中空穴に入る位置に固定され.一方前記絶
縁性基板にへは、導体回路パターンが印刷されており,
前記熱電対パターンからの出力電圧を増幅信号処理する
回路素子が搭載された構或とすることを特徴としている
。
電対パターンを形成した有機フィルムが,中空穴を設け
た絶縁性基板の,前記中空穴に,その熱電対パターンの
温接点部分が中空穴に入る位置に固定され.一方前記絶
縁性基板にへは、導体回路パターンが印刷されており,
前記熱電対パターンからの出力電圧を増幅信号処理する
回路素子が搭載された構或とすることを特徴としている
。
[尖施例]
第1図に本発明による回路一体型サーモバイルの1実施
例を示す。
例を示す。
1は絶縁性基板であり,アルミナ又は窒化アルミ等の材
質で形威されている。絶縁性基板1上には中空穴4が設
けられ,又導体回路パターン5が印刷等の手段で形成さ
れている。
質で形威されている。絶縁性基板1上には中空穴4が設
けられ,又導体回路パターン5が印刷等の手段で形成さ
れている。
2はポリイミド,ポリエス等の有機フィルムであり(膜
厚10μ〜20μm),その一方の面にへは、熱電材料
a,及びbを組合せて直列に配列させた7 熱電対パターンが蒸着又はスパッター等の手段により形
威され,又,熱電対パターンからの出力端子33.34
かフィルム2のコーナ部2ケ所に形成され,一方フィル
ム2の反対側面には赤外線吸収層6が,熱電対パターン
の温接点32の配列をその領域に含む形にて形成されて
いる。
厚10μ〜20μm),その一方の面にへは、熱電材料
a,及びbを組合せて直列に配列させた7 熱電対パターンが蒸着又はスパッター等の手段により形
威され,又,熱電対パターンからの出力端子33.34
かフィルム2のコーナ部2ケ所に形成され,一方フィル
ム2の反対側面には赤外線吸収層6が,熱電対パターン
の温接点32の配列をその領域に含む形にて形成されて
いる。
第1図に示すように,有機フィルム2は、熱電対パター
ン3を形成した面を絶縁性基板1の導体回路パターン印
刷面側と密着するように,かつ温接点部32が丁度,中
空穴4の内側に位置するように,かつ,熱電対パターン
出力端子33.34が.あらかじめ設定された導体回路
パターンの端部と接合する位置に合わせて固定される。
ン3を形成した面を絶縁性基板1の導体回路パターン印
刷面側と密着するように,かつ温接点部32が丁度,中
空穴4の内側に位置するように,かつ,熱電対パターン
出力端子33.34が.あらかじめ設定された導体回路
パターンの端部と接合する位置に合わせて固定される。
フィルムの固定方法は.周辺部を接着剤にて塗布する方
法,又,熱電対パターン出力端子33,34と導体回路
パターンとの接合へは、ハンダ付けによる方法をとる。
法,又,熱電対パターン出力端子33,34と導体回路
パターンとの接合へは、ハンダ付けによる方法をとる。
中空穴4の内径へは、通常,1.2〜1.5mmφに設
定され,一方,熱電対温接点32の配列の径へは、約1
mmφ,冷接点31の配列の径へは、約3 +n++
+φに8 設定されている。冷接点31へは、絶縁性基板1の面と
接触しており,従って,冷接点31の温度へは、ほほ,
絶縁性基板1の温度と同一となり,絶縁性基板1へは、
熱電対パターン3の冷接点3]のヒートシンク機能を兼
ねている。
定され,一方,熱電対温接点32の配列の径へは、約1
mmφ,冷接点31の配列の径へは、約3 +n++
+φに8 設定されている。冷接点31へは、絶縁性基板1の面と
接触しており,従って,冷接点31の温度へは、ほほ,
絶縁性基板1の温度と同一となり,絶縁性基板1へは、
熱電対パターン3の冷接点3]のヒートシンク機能を兼
ねている。
絶縁性基板1の導体回路パターン5上にへは、第3図に
相当する回路パターンが印刷されており,表面実装タイ
プの回路部品7(オペアンプ,抵抗コンデンサ,温度検
出素子)が搭載されている。
相当する回路パターンが印刷されており,表面実装タイ
プの回路部品7(オペアンプ,抵抗コンデンサ,温度検
出素子)が搭載されている。
ここで特に,冷接点31部分の温度補償用の温度検出素
子71へは、有機フィルム2の周辺部にほぼ近接した位
置に実装されることを特徴としており,冷接点31の温
度を正確に検知する事を可能としている。
子71へは、有機フィルム2の周辺部にほぼ近接した位
置に実装されることを特徴としており,冷接点31の温
度を正確に検知する事を可能としている。
絶縁性基板1は第2図に示すように,全体が赤外線透過
窓を設けたケース10により封止され端子部9へは、ケ
ース外部に出ている。
窓を設けたケース10により封止され端子部9へは、ケ
ース外部に出ている。
ここで本回路一体型サーモパイルの動作原理を以下に説
明する。
明する。
被検出物体(発熱体あるいは人体等)から発生した赤外
線へは、赤外線フィルタ8を透過して赤外線吸収層6に
吸収され,赤外線吸収層6の温度が上昇する(温度上昇
ΔT ’C )。中空穴4の空隙があるために,赤外線
吸収層6からの熱量へは、有機フィルム2を通り,熱電
対パターン3の中空穴内側に位置する温接点32部分に
伝わり,その部分の温度を上昇させる。一方,熱電対パ
ターン3の中空穴外側に位置する冷接点31へは、絶縁
性基板1の温度に保たれており.ほぼ室温と等しく,赤
外線入射による温度上昇はほとんどない。
線へは、赤外線フィルタ8を透過して赤外線吸収層6に
吸収され,赤外線吸収層6の温度が上昇する(温度上昇
ΔT ’C )。中空穴4の空隙があるために,赤外線
吸収層6からの熱量へは、有機フィルム2を通り,熱電
対パターン3の中空穴内側に位置する温接点32部分に
伝わり,その部分の温度を上昇させる。一方,熱電対パ
ターン3の中空穴外側に位置する冷接点31へは、絶縁
性基板1の温度に保たれており.ほぼ室温と等しく,赤
外線入射による温度上昇はほとんどない。
従って前記温接点32の温度上昇分ΔT℃に基づく熱電
対パターンの出力電圧(熱電対パターン3の熱電能(μ
V/℃)X熱電対の対数)が熱電対出カ端子33.34
に生ずる。通常,数μVの出力電圧である。
対パターンの出力電圧(熱電対パターン3の熱電能(μ
V/℃)X熱電対の対数)が熱電対出カ端子33.34
に生ずる。通常,数μVの出力電圧である。
ここで,出力端子33.34からの出力電圧は導体回路
パターンを通して,絶縁性基板1上に形成された増幅回
路へ入力され,がっ,温度検出素子71からの検出温度
により,熱電対冷接点部31の温度補償を行なった出力
電圧が端子9に出力される。
パターンを通して,絶縁性基板1上に形成された増幅回
路へ入力され,がっ,温度検出素子71からの検出温度
により,熱電対冷接点部31の温度補償を行なった出力
電圧が端子9に出力される。
即ち,本発明の実施例における回路一体型サーモパイル
には.従来にない下記特徴がある。
には.従来にない下記特徴がある。
■絶縁性基板1上に,熱電対パターン形成の有機フィル
ム3と,処理回路とを搭載しており 従来の第5図のデ
ィスクリートの場合より格段に小型化される。又,熱電
対パターンの出力電圧を極力短い配線で増幅部に投入で
き,又,全体がケース10(通常金属ケース)にてシー
ルドされるため従来第5図の場合より外乱ノイズの影響
をほとんど受けないという特徴をもつ。
ム3と,処理回路とを搭載しており 従来の第5図のデ
ィスクリートの場合より格段に小型化される。又,熱電
対パターンの出力電圧を極力短い配線で増幅部に投入で
き,又,全体がケース10(通常金属ケース)にてシー
ルドされるため従来第5図の場合より外乱ノイズの影響
をほとんど受けないという特徴をもつ。
■有機フィルム2の近傍に温度検出素子7コ.を配置し
ているので,温度検出素子71の検出温度はほぼ熱電対
パターン3の冷接点31の温度とほほ等しく,従来のよ
うに温度差をもつという欠点かなくなり,精度のよい赤
外線検出が可能である。
ているので,温度検出素子71の検出温度はほぼ熱電対
パターン3の冷接点31の温度とほほ等しく,従来のよ
うに温度差をもつという欠点かなくなり,精度のよい赤
外線検出が可能である。
又本発明実施例でへは、絶縁性基板1の材質として,通
常一般に使われているアルミナと共に,さらに熱伝導が
数倍,高い値をもつ窒化アルミの使用も可能である。窒
化アルミを使用した場合へは、11 熱伝導が高いことにより絶縁性基板1の熱電対パターン
3に対する冷接点31のヒートシンクとしての機能が向
上し,冷接点31の温度が安定化し赤外線検出の精度が
さらに向上する。
常一般に使われているアルミナと共に,さらに熱伝導が
数倍,高い値をもつ窒化アルミの使用も可能である。窒
化アルミを使用した場合へは、11 熱伝導が高いことにより絶縁性基板1の熱電対パターン
3に対する冷接点31のヒートシンクとしての機能が向
上し,冷接点31の温度が安定化し赤外線検出の精度が
さらに向上する。
[発明の効果]
以上本発明により,従来の欠点を改善して,サーモパイ
ル素子と回路部分とを一体化して,従来よりも小型化さ
れた,しかも冷接点温度補償の精度を改善した又,外乱
ノイズに対する誤動作を防止した回路一体型サーモパイ
ルを提供できるものである。
ル素子と回路部分とを一体化して,従来よりも小型化さ
れた,しかも冷接点温度補償の精度を改善した又,外乱
ノイズに対する誤動作を防止した回路一体型サーモパイ
ルを提供できるものである。
12
温接点,33.34・・・熱電対パターン出力端子4.
11’ ・・・中空穴,5・・・導体回路パターン 6
・・・赤外線吸収層,7・・・回路部品,71・・・温
度検出素子,8・・・赤外線フィルタ,9・・・リード
端子 10・・・ケース.1′・・・ヒートシンク,2
′・・・有機フィルム,3′・・・熱電対パターン,3
1′・・・温接点32′・・・冷接点,5′・・・赤外
線吸収層,6′・・・金属ベース,7′・・・キャップ
,8′・・・赤外線フィルター,9.9’・・・リード
端子,10′・・・回路素子101′・・・温度検出素
子,111’ ・・ディスクリート回路基板。
11’ ・・・中空穴,5・・・導体回路パターン 6
・・・赤外線吸収層,7・・・回路部品,71・・・温
度検出素子,8・・・赤外線フィルタ,9・・・リード
端子 10・・・ケース.1′・・・ヒートシンク,2
′・・・有機フィルム,3′・・・熱電対パターン,3
1′・・・温接点32′・・・冷接点,5′・・・赤外
線吸収層,6′・・・金属ベース,7′・・・キャップ
,8′・・・赤外線フィルター,9.9’・・・リード
端子,10′・・・回路素子101′・・・温度検出素
子,111’ ・・ディスクリート回路基板。
第1図は本発明の実施例による回路一体型サーモバイル
の1実施例,第2図は第1図の側面図第3図は第1図の
回路部のブロック図,第4図は従来のサーモパイルの1
例,第5図は従来のサーモパイルと回路との一体化の例
である。
の1実施例,第2図は第1図の側面図第3図は第1図の
回路部のブロック図,第4図は従来のサーモパイルの1
例,第5図は従来のサーモパイルと回路との一体化の例
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)中空穴を穿設した絶縁性基板と、該絶縁性基板上に
設けられた導体回路パターンと、該導体回路パターンと
電気的に接続された熱伝対パターンを形成した有機フィ
ルムと、外部より照射される赤外線を受け、前記中空穴
と対応した位置で前記有機フィルム上に設けられた赤外
線吸収層とを有し、 前記熱伝対パターンは、前記赤外線吸収層と絶縁され、
前記中空穴内側に位置して前記赤外線吸収層と熱的に接
続される温接点部と、前記中空穴外側に位置して前記絶
縁性基板と熱的に接続される冷接点部とを有し、 前記導体回路パターンは、前記温接点部と前記冷接点部
との温度差に基づく出力電圧を処理して、前記赤外線吸
収層に照射される赤外線温度を検出する回路素子を有す
ることを特徴とするサーモパイル。 2)第1請求項記載のサーモパイルにおいて、前記絶縁
性基板を、アルミナ又は窒化アルミナより構成し、前記
冷接点部に対するヒートシンク機能を設けたことを特徴
とするサーモパイル。 3)第1又は第2請求項記載のサーモパイルにおいて、
前記有機フィルムへは、前記絶縁性基板側の面に前記熱
伝対パターンを形成し、前記絶縁性基板側と反対側の面
に前記赤外線吸収層を設けたことを特徴とするサーモパ
イル。 4)第1〜第3請求項記載のいづれかのサーモパイルに
おいて、前記冷接点部に対する温度補償用の温度検出素
子を、前記絶縁性基板上で前記有機フィルムの周辺近傍
に配したことを特徴とするサーモパイル。 5)第1〜第4請求項記載のいづれかのサーモパイルに
おいて、前記赤外線吸収層と対応した赤外線のみを実質
的に通過させる赤外線フィルタを有する金属ケースで、
前記絶縁性基板と、前記導体回路パターンと、前記有機
フィルムと、及び前記赤外線吸収層とを一体にシールド
したことを特徴とするサーモパイル。
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