JP2011114133A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の半導体装置では、パッケージ端部の樹脂層の一部が剥離し、耐湿性が悪化するという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、シリコン基板２の一主面側に再配線層５、５Ａと剥離防止層６が配置され、それらを被覆するように樹脂層３が形成される。剥離防止層６は、再配線層５、５Ａの無配置領域であり、半導体装置１の外周端部近傍に配置されることで、樹脂層３の樹脂量が低減される。この構造により、樹脂層３の熱収縮力に起因する樹脂の反り上がりが防止し、樹脂層３が、シリコン基板２上から剥離することが防止され、半導体装置１の耐湿性が向上される。
【選択図】図１

Description

本発明は、樹脂層の剥離を防止する半導体装置及びその製造方法に関する。

従来の半導体装置として、図１２（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造が知られている。

図１２（Ａ）に示す如く、半導体装置７１は、例えば、ＷＬ−ＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ−Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）７２（以下、パッケージ７２と呼ぶ。）である。そして、パッケージ７２の中央領域には、紙面Ｙ軸方向に複数の再配線層７３が配置され、再配線層７３の先端領域には、適宜、外部端子としてバンプ電極７４が形成される。

図１２（Ｂ）では、図１２（Ａ）に示す半導体装置７１のＥ−Ｅ線方向の断面図を示す。半導体チップ７５上にパッド電極７６が形成され、半導体チップ７５表面はパッシベーション膜７７にて被覆される。パッシベーショ膜７７には、パッド電極７６が露出するように開口領域が形成され、パッシベーション膜７７上には保護膜７８が形成される。パッシベーション膜７７は、例えば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜の積層構造から成り、保護膜７８は、ポリイミド膜等から成る。そして、保護膜７８上にはパッド電極７６と接続するように再配線層７３が形成され、再配線層７３は、例えば、アンダーバリアメタル層７９と銅メッキ層８０との積層構造から成る。保護膜７８上には樹脂層８１が形成され、樹脂層８１から露出する再配線層７３上にバンプ電極７４が形成される（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００７−３２９５０８号公報（第４−５頁、第１−２図）

前述したように、半導体チップ７５上に保護膜７８を形成し、その保護膜７８上に再配線層７３を配置することで、設計自由度が増し、パッケージ７２のサイズ増大が防止されつつ、大電流化が実現される。

前述した大電流化を実現するため再配線層７３を用いることで、半導体チップ７５上に保護膜７８や樹脂層８１が堆積される。そして、保護膜７８や樹脂層８１は、例えば、４００℃程度の高温状態にて半導体チップ７５上に形成される。その後、高温状態から常温（室温）状態に戻る際に樹脂膜７８や樹脂層８１が硬化し、樹脂膜７８や樹脂層８１には、矢印８２方向に大きな熱収縮力が発生する。このとき、半導体チップ７５やパッシベーション膜７７も、前述した高温状態から常温（室温）状態に戻る際に、矢印８３方向に熱収縮力が発生する。

しかしながら、保護膜７８や樹脂層８１の樹脂材料と半導体チップ７５やパッシベーション膜７７のシリコン材料とでは、その線膨張率が大きく異なり、矢印８２、８３方向への熱収縮力も大きく異なる。そして、パッケージ７２の側面８４では、前述した熱収縮力の相違により、保護膜７８や樹脂層８１には、半導体チップ７５表面に対して反り上がる方向（矢印８５方向）へとモーメント力が発生する。その結果、保護膜７８や樹脂層８１が、半導体チップ７５上から剥離し、その剥離領域からパッケージ７２内に湿気が浸入する。そして、その湿気により、パッド電極７６や再配線層７３等が腐食し、また、半導体チップ７５内の回路素子が破壊される等の問題が発生する。

特に、大電流化を実現するために、再配線層７３の膜厚を、例えば、４〜５μｍ程度と厚くすると、樹脂層８１の膜厚も厚くなる。その結果、前述した熱収縮力の違いも大きくなり、更に、樹脂層８１が、半導体チップ７５上から剥離し易くなる。また、図１２（Ａ）の丸印８６〜８９で示す領域では、再配線層７３やバンプ電極７４が配置されてなく、樹脂量が多いため、特に、樹脂層８１が、半導体チップ７５上から剥離し易くなる。

本発明の半導体装置では、基板の一主面側が樹脂層により被覆され、前記基板の一主面と他の主面の間に位置する側面がスクライブ面となり、前記樹脂層表面側には複数の電極が形成される半導体装置において、前記基板の一主面側には配線層と剥離防止層とが配置され、前記剥離防止層は、前記配線層の無配置領域に前記配線層と分離し、前記基板の側面に沿って配置され、前記樹脂層は、前記剥離防止層を被覆することを特徴とする。

また、本発明の半導体装置の製造方法では、複数の素子形成領域を有し、前記素子形成領域毎にその周囲がスクライブ領域にて囲まれるウエハに、その一主面側から半導体素子を形成する工程と、前記ウエハの一主面上に前記半導体素子と電気的に接続する配線層及び前記配線層と分離する剥離防止層とを電解メッキ法を用いて形成した後、前記配線層及び前記剥離防止層を被覆するように前記ウエハの一主面上に樹脂層を形成する工程と、前記ウエハのスクライブ領域をスクライブし、前記素子形成領域毎に個片化した半導体装置を形成する工程とを有することを特徴とする。

本発明では、樹脂層の下面に配線層や剥離防止層が配置されることで、樹脂層が剥離し難くなり、耐湿性に優れた樹脂パッケージが実現される。

また、本発明では、剥離防止層は電解メッキ層により形成されることで、樹脂層の反り上がり力に対し、変形防止層としての役割を果たす。

また、本発明では、樹脂パッケージの長側辺方向に沿って剥離防止層が配置されることで、剥離現象が起こり易い領域が低減される。

また、本発明では、樹脂パッケージの側面に沿って一環状に剥離防止層が配置されることで、耐湿性に優れた樹脂パッケージが実現される。

また、本発明では、電解メッキ法にて剥離防止層を形成した後に樹脂層を形成することで、樹脂の反り上がりを防止し、樹脂層の剥離を防止できる。

本発明の実施の形態における半導体装置を説明する（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置を説明する断面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置を説明する（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図、（Ｃ）断面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置を説明する断面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置を説明する（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置を説明する（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 従来の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図である。

以下に、本発明の一実施の形態である半導体装置について説明する。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置のＡ−Ａ線方向の断面図である。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置のＢ−Ｂ線方向の断面図である。図２は、図１（Ａ）に示すＣ−Ｃ線方向の断面図の一部を示す。

図１（Ａ）に示す半導体装置１は、例えば、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）である。シリコン基板２上には樹脂層３が形成され、樹脂層３の表面側にはバンプ電極（または半田ボール）４が形成される。そして、半導体装置１は、紙面Ｙ軸方向（以下、短側辺方向と呼ぶ。）が短側辺となり、紙面Ｘ軸方向（以下、長側辺方向と呼ぶ。）が長側辺となる直方体として形成される。バンプ電極４は、例えば、半導体装置１の短側辺方向の中央領域Ｗ１（短側辺の中心からその近傍領域であり、バンプ電極４の配置領域）に配置され、その長側辺方向に沿って一定間隔に配置される。図１（Ａ）では、例えば、８つのバンプ電極４が配置され、１列に４つのバンプ電極４が配置され、長側辺方向に沿って２列配置される。そして、バンプ電極４は、例えば、４の倍数個（４個、８個、１２個、１６個等）配置され、半導体装置１の短側辺方向の中央領域Ｗ１に２列、３列等、半導体装置１のサイズに応じて、適宜、配置される。

点線は、樹脂層３下面に配置される再配線層５、５Ａ及び剥離防止層６を示す。そして、点線の矩形で示す配線層用のパッド電極１４が、短側辺方向に沿って半導体装置１の外周領域に配置され、再配線層５、５Ａは、そのパッド電極１４から半導体装置１の短側辺方向の中央領域Ｗ１に向かって配置される。例えば、長側辺方向の中央領域Ｗ２（長側辺の中心からその近傍領域であり、再配線層５Ａの屈折部分から先の領域）に配置されるバンプ電極４と接続する再配線層５Ａは、半導体装置１の外周領域を長側辺方向に沿って延在した後、短側辺方向の中央領域側へと屈折する。この再配線層５Ａのパターンにより、半導体装置１の外周領域、特に、長側辺方向の中央領域Ｗ２には再配線層５、５Ａの無配置領域が形成される。

詳細は後述するが、この再配線層５、５Ａのパターン配置により、半導体装置１の外周領域の再配線層５Ａの無配置領域には、剥離防止層６が配置され、樹脂層３がシリコン基板２上から剥離し難くなり、耐湿性に優れたパッケージが実現される。尚、一点鎖線にて示す領域には、図２（Ａ）に示す溝１８が配置され、樹脂層３の剥離防止の効果が向上される。

次に、図１（Ｂ）に示す如く、シリコン基板２上には、絶縁層７が形成される。絶縁層７としては、例えば、シリコン酸化膜、ＮＳＧ（Ｎｏｎｄｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜等の少なくとも１層が選択される。尚、シリコン基板２としては、単結晶基板でなるもの、単結晶基板上にエピタキシャル層が形成されるものが考えられる。また、シリコン基板２の代わりに、化合物半導体基板であってもよい。

シールド層８が、絶縁層７上に形成される。シールド層８はシリコン窒化膜により形成され、絶縁層７内への水分や湿気の浸入が防止される。尚、図示していないが、絶縁層７内や絶縁層７上面には配線層が形成され、シールド層８により配線層等の腐食が防止される。

樹脂層９が、シールド層８上面に形成される。樹脂層９は、例えば、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）膜またはポリイミド樹脂膜等から成る。そして、ＰＢＯ膜は、感光性樹脂であり、高耐熱性、高機械特性及び低誘電性等の特性を有する膜である。更に、ＰＢＯ膜は、湿気等の外部環境から半導体素子の劣化を防止させる。

再配線層５、５Ａが、樹脂層９上面にパターン配置される。再配線層５、５Ａは、メッキ用金属層１０上面にＣｕ層１１が積層され、構成される。具体的には、メッキ用金属層１０は、スパッタリング法により、クロム（Ｃｒ）層、Ｔｉ層またはＴｉＷ層が形成され、更にその上面にＣｕ層が積層される。また、Ｃｕ層１１は、電解メッキ法により形成され、その膜厚は８．０〜１０．０μｍである。尚、Ｃｕ層１１のシート抵抗値は、２．０μΩ・ｃｍ程度であり、配線抵抗値等の設計事項に応じて、その膜厚は任意の設計変更が可能である。

樹脂層３は、樹脂層９や再配線層５、５Ａを被覆するように、シリコン基板２の表面側に形成される。樹脂層３は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等により形成される。開口領域１２が、再配線層５、５Ａ上の樹脂層３に形成される。そして、開口領域１２から露出する再配線層５、５Ａ上面にはバンプ電極（または半田ボール）４が形成される様に、その露出サイズ（例えば、円形状や矩形状）が大きく配置される。そして、その再配線層５、５Ａ上面に、例えば、Ｎｉ、Ａｕが無電解メッキ層１３として積層される。そして、無電解メッキ層１３上には半田から成るバンプ電極４が形成される。

次に、図１（Ｃ）では、図１（Ｂ）に示す構成部材と同じ構成部材には同一の符号を付し、その説明を参照する。

パッド電極１４が絶縁層７上面に形成され、シールド層８の開口領域１５からその一部が露出する。再配線層５、５Ａは、樹脂層９に形成された開口領域１６を介してパッド電極１４と接続し、シリコン基板２に形成された半導体素子（回路素子）と電気的に接続する。

剥離防止層６は、半導体装置１の外周端部の近傍であり、再配線層５、５Ａの無配置領域に形成される。剥離防止層６は、例えば、再配線層５、５Ａと同一工程にて形成され、メッキ用金属層１０上面にＣｕ層１１が積層され、構成される。図１（Ａ）に示すように、剥離防止層６は、再配線層５、５Ａと分離し、フローティング状態にて配置されることで、半導体装置１の寄生容量値が低減され、高周波特性等が向上される。尚、剥離防止層６には、ＧＮＤ電位が印加される構造でも良く、この構造の場合には、シールド効果が得られる。

次に、図２では、樹脂層３が、シリコン基板２上から剥離し難くなる構造を説明する。半導体装置１の外周端部１７の内側には、例えば、シールド層８を貫通し、絶縁層７まで到達する溝１８が一環状に形成される。そして、樹脂層３は、その溝１８を埋設し、半導体装置１の外周端部１７近傍まで配置され、溝１８はアンカー効果の役割を果たし、樹脂層３の剥離防止の効果が向上される。

しかしながら、樹脂層３は、例えば、４００℃程度の高温状態にて、その膜厚が３００μｍ程度となるようにシリコン基板２上に形成される。その後、高温状態から常温（室温）状態になることで、樹脂層３が硬化し、樹脂層３には矢印１９に示す方向に熱収縮力が発生する。一方、樹脂層３の形成工程により、シリコン基板２にも熱が加わり、シリコン基板２も熱膨張した後、熱収縮する。このとき、例えば、樹脂層３の線膨張率は、５０．０ｐｐｍ／℃程度であり、シリコン基板２の線膨張率は、２．３ｐｐｍ／℃程度である。この線膨張率の相違により、シリコン基板２にも矢印２０に示す方向に熱収縮力が発生するが、その大きさは樹脂層３に加わる熱収縮力に比較して小さい。その結果、半導体装置１の外周端部１７に位置する樹脂層３には、シリコン基板２表面に対して反り上がる方向（矢印２１方向）へとモーメント力が発生する。そして、丸印２２にて示す領域では、そのモーメント力により樹脂層３とシールド層８との界面から剥離が発生し易くなる。

本実施の形態では、半導体装置１の外周端部１７近傍に位置し、前述した剥離の発生し易い領域に、剥離防止層６が配置される。尚、図１（Ａ）に示すように、再配線層５、５Ａが配置される領域では、再配線層５、５Ａが剥離防止層６と同様の役割を果たすため、以下の説明では、剥離防止層６を用いて樹脂層３の剥離防止について説明する。

先ず、半導体装置１の外周端部１７近傍に剥離防止層６が配置されることで、剥離防止層６の体積分の樹脂層３の樹脂量が低減される。そして、樹脂量が低減されることで、樹脂層３では、矢印１９方向への熱収縮力が低減される。その結果、矢印２１方向へのモーメント力も低減され、樹脂層３がシリコン基板２上から剥離し難くなる。

次に、剥離防止層６は、再配線層５、５Ａの形成工程と同一工程にて形成され、剥離防止層６の膜厚の大部分を占めるＣｕ層１１は、電解メッキ法にて形成される。ここで、Ｃｕ層１１の線膨張率は、１７．０ｐｐｍ／℃程度であり、シリコン基板２の線膨張率とは相違する。しかしながら、Ｃｕ層１１は常温（室温）状態にて形成されるため、前述した樹脂層３の場合とは相違し、Ｃｕ層１１には、シリコン基板２から剥離する方向へのモーメント力が、発生し難く、Ｃｕ層１１は、シリコン基板２上に平坦状態にて形成される。

この構造により、樹脂層３が硬化する際に矢印２１方向へのモーメント力が樹脂層３や樹脂層９に加わるが、剥離防止層６は、前述したモーメント力を緩和する変形防止層としての役割を果たす。そして、前述したモーメント力が低減されることで、樹脂層３がシリコン基板２上から剥離することも防止される。尚、樹脂層３の弾性率は、３．０Ｇｐａ程度であり、Ｃｕ層１１の弾性率は、１１７．０Ｇｐａ程度であり、シリコン基板２の弾性率は、１３０．０Ｇｐａ程度であり、Ｃｕ層１１は樹脂層３に対して硬い材料である。つまり、丸印２２にて示すように、前述した剥離発生の起点となる領域近傍に、剥離防止層６または再配線層５、５Ａを配置することで、剥離を防止し、耐湿性に優れた樹脂パッケージが実現される。

尚、樹脂層３の剥離現象について前述したが、樹脂層９についても剥離し易い状況が生じる。そして、樹脂層３の剥離が樹脂層９の領域まで達すると、樹脂層９の剥離現象も加わり、半導体装置１の品質低下や不良化がより発生し易くなる。そのため、前述した剥離防止層６により、樹脂層３の剥離現象を防止することが重要となる。

次に、本発明の他の実施の形態である半導体装置について説明する。図３（Ａ）は、半導体装置を説明する平面図である。図３（Ｂ）は、個片化前の半導体装置を説明する平面図である。図３（Ｃ）は、図３（Ａ）に示す半導体装置のＤ−Ｄ線方向の断面図である。図４は、図３（Ｃ）に示す断面図の一部を拡大して示した図である。

先ず、図３（Ａ）に示す如く、半導体装置３１は、例えば、ＷＬＰである。樹脂層３２の表面側にはバンプ電極３３が形成され、バンプ電極３３は半導体装置３１の中央領域に配置される。そして、点線は、樹脂層３２内に配置される再配線層３４を示し、斜線のハッチング領域は、樹脂層３２下面に配置される剥離防止層３５を示す。詳細は後述するが、本実施の形態では、半導体装置３１の外周端部近傍に一環状に剥離防止層３５が配置され、樹脂層３２がシリコン基板３７（図３（Ｃ）参照）上から剥離し難くなり、耐湿性に優れた樹脂パッケージが実現される。尚、一点鎖線にて示す領域には、図２（Ａ）に示す溝１８が配置される場合でも良く、この場合には、樹脂層３の剥離防止の効果が向上される。

次に、図３（Ｂ）では、個々の半導体装置３１へと個片化される前の半導体ウエハ状態を示す。一点鎖線は、スクライブ領域のセンターライン３６を示し、斜線のハッチングで示すように、剥離防止層３５はそのセンターライン３６に沿ってスクライブ領域及びその周辺まで配置される。そして、剥離防止層３５は、少なくともスクライブブレード６２（図１０参照）の幅よりも幅広に配置され、半導体ウエハの切断後には、剥離防止層３５は、半導体装置３１の外周端部近傍に一環状に配置される。

次に、図３（Ｃ）に示す如く、シリコン基板３７上には、絶縁処理用の絶縁層３８が形成される。そして、絶縁層３８上にはシールド層３９が形成され、シールド層３９上には、樹脂層４０が形成される。尚、シリコン基板３７、絶縁層３８、シールド層３９及び樹脂層４０の材料は、前述したシリコン基板２、絶縁層７、シールド層８及び樹脂層９とそれぞれ同一である。

再配線層３４及び剥離防止層３５が、同一工程にて形成され、樹脂層４０上面にパターン配置される。再配線層３４及び剥離防止層３５は、メッキ用金属層４１上面にＣｕ層４２が積層され、構成される。そして、剥離防止層３５は、半導体装置３１の側面４３から一部が露出する。尚、メッキ用金属層４１及びＣｕ層４２の材料は、前述したメッキ用金属層１０及びＣｕ層１１とそれぞれ同じである。

樹脂層３２は、シリコン基板３７の表面側に形成され、半導体装置３１の側面４３まで配置される。前述したように、剥離防止層３５が、半導体装置３１の側面４３まで配置されることで、切断時に樹脂層３２が捲くれ上がることが防止される。そして、再配線層３４上には無電解メッキ層４４及びバンプ電極３３が配置される。尚、樹脂層３２、無電解メッキ層４４及びバンプ電極３３の材料は、前述した樹脂層３、無電解メッキ層１３及びバンプ電極４とそれぞれ同一である。

次に、図４では、樹脂層３２が、シリコン基板３７上から剥離し難くなる構造を説明する。

先ず、半導体装置３１の構造は、図１（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する半導体装置１の構造と比較すると、主に、剥離防止層３５の配置領域が異なる。本実施の形態においても、剥離防止層３５の配置により、樹脂量が低減し、樹脂層３２では矢印４５方向への熱収縮力が低減される。そして、矢印４６方向へのモーメント力が低減され、樹脂層３２がシリコン基板３７上から剥離し難くなる。また、剥離防止層３５が、矢印４６方向へのモーメント力を緩和させる変形防止層としての役割を果たし、樹脂層３２がシリコン基板３７上から剥離し難くなる。これらの効果は、図２を用いて説明した通りであり、その説明を参照する。

次に、剥離防止層３５が、半導体装置３１の側面４３から露出し、半導体装置１の側面４３に沿って一環状に配置される。剥離防止層３５は、再配線層３４から分離して形成される。そして、剥離防止層３５は、耐湿性に優れた樹脂層３２や樹脂層４０により周囲を覆われる。この構造により、剥離防止層３５の一部が腐食した場合でも、再配線層３４までその腐食が進行することはない。また、剥離防止層３５の一部が腐食し、剥離防止層３５と樹脂層３２等との間に隙間が発生した場合には、その隙間に積極的に湿気や水分が溜まり易くなり、半導体装置１の内部への湿気の浸入が防止される。

次に、図５（Ａ）及び（Ｂ）を用いて説明する半導体装置５１の構造は、図４（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する半導体装置３１の構造とは、主に、剥離防止層５２の形状が異なる。そのため、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示す半導体装置３１と同じ構成部材には同じ符番を付し、その説明は図４（Ａ）〜（Ｃ）の説明を参照する。尚、図６（Ａ）及び（Ｂ）の説明の際にも同様とする。そして、図５及び図６では、剥離防止層は実線にて示すが、点線にて示す再配線層と同一工程にて形成され、実際には樹脂層の下面に配置される。

図５（Ａ）に示す如く、半導体装置５１は、例えば、ＷＬＰである。そして、点線は、樹脂層３２下面に配置される再配線層３４を示し、半導体装置５１の外周端部に示す実線は、樹脂層３２下面に配置される剥離防止層５２を示す。図５（Ｂ）に示すように、複数のリング形状から成る剥離防止層５２が、スクライブ領域のセンターライン３６に沿って連続して配置される。そして、スクライブ領域を切断することで、図５（Ａ）に示すように、剥離防止層５２が半導体装置５１の外周端部近傍に一環状に配置される。この構造により、前述したように、樹脂層３２がシリコン基板上から剥離し難くなる。更に、剥離防止層５２は、リング形状から切断されることで、剥離防止層５２が半導体装置５１の側面５３から露出する面積が低減され、剥離防止層５２が腐食し難くなる。

更に、図６（Ａ）では、ノコギリの歯型の剥離防止層５４が、スクライブ領域のセンターライン３６に沿って配置される場合を示す。この場合には、スクライブ領域を切断後することで、剥離防止層５４は、半導体装置５５の外周端部近傍に一定間隔に配置される。また、図６（Ｂ）では、棒状の剥離防止層５６が、スクライブ領域のセンターライン３６に沿って配置される場合を示す。この場合にも、スクライブ領域を切断することで、剥離防止層５６は、半導体装置５７の外周端部近傍に一定間隔に配置される。

尚、本実施の形態では、半導体装置の外周端部近傍に様々な形状の剥離防止層３５、５２、５４、５６が配置される場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、図１及び図２を用いて説明したように、再配線層３４が配置されない領域に剥離防止層６を合わせて配置する場合でも良い。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

次に、本発明の実施の形態である半導体装置の製造方法について、図７〜図１１に示す断面図を参照して説明する。尚、本実施の形態では、図３（Ａ）〜（Ｃ）に示す構造の製造方法を説明するため、同一の構成部材には同一の符番を付している。

先ず、図７に示す如く、シリコン基板（ウエハ）３７を準備し、シリコン基板３７上に絶縁層３８を形成する。尚、シリコン基板３７（エピタキシャル層が形成されている場合には、エピタキシャル層も含む）には、拡散領域により半導体素子が形成される。また、絶縁層３８としては、シリコン酸化膜、ＮＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等の少なくとも１層が選択される。次に、絶縁層３８上面にシールド層３９を形成する。シールド層３９としては、例えば、シリコン窒化膜を３０００〜１００００Å程度堆積する。尚、図示していないが、絶縁層３８内や絶縁層３８上面には、前述した半導体素子と電気的に接続する配線層が形成される。

次に、シールド層３９上面に、例えば、回転塗布法により、樹脂層４０を形成する。材料としては、ＰＢＯ膜、ポリイミド樹脂膜等が用いられる。そして、樹脂層４０上面に、例えば、スパッタリング法により、メッキ用金属層４１を形成する。前述したように、メッキ用金属層４１としてはＴｉ層とＣｕ層とを堆積する。その後、再配線層３４及び剥離防止層３５の形成領域を除いた部分にフォトレジスト層（図示せず）を形成する。そして、フォトレジスト層をマスクとして用い、電解メッキ法によりＣｕ層４２を形成する。その後、Ｃｕ層４２をマスクとして用い、ウエットエッチングによりメッキ用金属層４１を選択的に除去し、再配線層３４及び剥離防止層３５を形成する。尚、Ｃｕ層４２は、電解メッキ法により形成されることで、実質、常温（室温）にて形成され、前述した剥離防止効果が得られる。また、図示していないが、樹脂層４０に形成された開口領域を介して再配線層３４と配線層とは電気的に接続する。

次に、図８に示す如く、樹脂層４０上面に、トランスファーモールドやポッティング等によりシリコン基板３７の表面側に樹脂層３２を形成する。樹脂層３２は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等により形成される。そして、樹脂層３２のバンプ電極３３の形成領域に開口領域６１を形成する。

次に、図９に示す如く、無電解メッキ法により、開口領域６１から露出する再配線層３４上面に、Ｎｉ、Ａｕ等のバンプ電極３３形成用の無電解メッキ層１３を形成する。その後、無電解メッキ層１３上面に半田をスクリーン印刷した後、リフローすることでバンプ電極３３を形成する。

次に、図１０に示す如く、スクライブ領域を認識し、スクライブブレード６２を用いスクライブ領域を切削し、シリコン基板３７を貫通しない溝６３を形成する。このとき、溝６３の深さは、次工程のバックグラインド工程にてシリコン基板３７が個片化される程度である。また、この工程により、スクライブ領域に配置された剥離防止層３５が分割される。

次に、図１１に示す如く、バンプ電極３３が配置された樹脂層３２側を保護テープ６４上面に貼り付け、バックグラインド装置のテーブル６５上へ設置する。そして、シリコン基板３７（半導体ウエハ）の裏面側に処理水を供給しながら、バックグラインド用砥石６６を回転させ、シリコン基板３７の裏面側を研磨する。そして、シリコン基板３７が所望の膜厚になるまで研磨し、溝６３の形成領域までシリコン基板３７を研磨することで、個々の半導体装置３１へと個片化される。その後、シリコン基板３７等に付着した水を除去した後、保護テープ６４から個片化された半導体装置３１を剥離する。

尚、本実施の形態では、剥離防止層３５が、電解メッキ法により形成される場合について説明したがこの場合に限定するものではない。例えば、剥離防止層３５は、スパッタリング法により形成される場合やＣｕ箔等の導電部材をシリコン基板３７上に貼り合せた後にエッチング法によりパターニングすることで形成される場合でも良い。また、剥離防止層３５の膜厚は、適宜、任意の設計変更が可能である。尚、前述した剥離防止層６、５２、５４、５６についても同様である。

また、再配線層３４を形成する工程と同一工程にて剥離防止層３５を形成する場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、再配線層３４と剥離防止層３５とをそれぞれ個別工程にて形成する場合でも良い。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

１ 半導体装置
２ シリコン基板
３ 樹脂層
５ 再配線層
６ 剥離防止層

Claims (7)

1. 基板の一主面側が樹脂層により被覆され、前記基板の一主面と他の主面の間に位置する側面がスクライブ面となり、前記樹脂層表面側には複数の電極が形成される半導体装置において、
   前記基板の一主面側には配線層と剥離防止層とが配置され、前記剥離防止層は、前記配線層の無配置領域に前記配線層と分離し、前記基板の側面に沿って配置され、前記樹脂層は、前記剥離防止層を被覆することを特徴とする半導体装置。
2. 前記配線層及び前記剥離防止層は、電解メッキ法を用いて形成される金属膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記基板の一主面は、一対の長側辺と一対の短側辺とから成る矩形形状であり、前記電極は、前記配線層と電気的に接続し、前記長側辺に沿って配置され、
   前記剥離防止層は、前記長側辺に沿って配置され、且つ前記電極と前記基板の側面の間に位置する前記無配置領域に配置されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記剥離防止層は、前記配線層よりも前記基板の側面側に配置され、少なくとも前記剥離防止層の一部は、前記基板の側面側に位置する前記樹脂層から露出することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記剥離防止層は、前記基板の側面側に沿って一環状に配置されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
6. 複数の素子形成領域を有し、前記素子形成領域毎にその周囲がスクライブ領域にて囲まれるウエハに、その一主面側から半導体素子を形成する工程と、
   前記ウエハの一主面上に前記半導体素子と電気的に接続する配線層及び前記配線層と分離する剥離防止層とを電解メッキ法を用いて形成した後、前記配線層及び前記剥離防止層を被覆するように前記ウエハの一主面上に樹脂層を形成する工程と、
   前記ウエハのスクライブ領域をスクライブし、前記素子形成領域毎に個片化した半導体装置を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 前記剥離防止層は前記スクライブ領域に沿って形成され、前記スクライブ工程では、前記剥離防止層の一部を切断することで、前記半導体装置の外周端部及びその近傍領域に前記剥離防止層を配置することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。

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