JP2016105160A - 光電気混載基板およびその製法 - Google Patents

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Abstract

【課題】電気回路基板裏面側の、金属層もしくは絶縁層と重なる配置で設けられた光導波路の端部が、金属層や絶縁層から剥がれることがなく、長期にわたって良好に使用することのできる光電気混載基板を提供する。【解決手段】絶縁層1の表面に電気配線2が形成された電気回路基板Eと、この電気回路基板Eの絶縁層1裏面側に、金属層9を介して設けられた光導波路Wとを備えた光電気混載基板10であって、上記金属層9のうち、光導波路W端部の輪郭部と重なる領域の少なくとも一部が除去されて開口部20が形成されており、その開口部20内に、光導波路Wの一部が入り込んだ状態で光導波路Wが形成されている。【選択図】図1

Description

本発明は、電気回路基板と光導波路とが積層された光電気混載基板およびその製法に関するものである。
最近の電子機器等では、伝送情報量の増加に伴い、電気配線に加えて光配線が採用されており、電気信号と光信号を同時に伝送することのできる光電気混載基板が多く用いられている。このような光電気混載基板としては、例えば、図13に示すように、ポリイミド等からなる絶縁層1を基板とし、その表面に、導電パターンからなる電気配線2を設けて電気回路基板Eとし、その裏面側に、補強用の金属層9を介して光導波路Wを設けた構造のものが知られている(例えば、特許文献1を参照)。なお、上記電気回路基板Eの表面はカバーレイ3によって絶縁保護されている。また、上記金属層9には、電気回路基板Eの表面側に実装される光素子(図示せず)と光導波路Wとを光結合するための貫通孔5、5′が設けられている。そして、上記光導波路Wは、アンダークラッド層6と、光の行路となるコア7と、オーバークラッド層8の三層によって構成されている。
上記金属層9は、絶縁層1と裏面側の光導波路Wとの線膨張係数が異なるため、両者を直接積層すると、周囲の温度によって、光導波路Wに応力や微小な曲がりが発生して光伝播損失が大きくなることを回避するために設けられるものである。しかし、近年、電子機器等の小形化、高集積化の流れを受けて、上記光電気混載基板も、小スペースでの使用やヒンジ部等の可動部での使用ができるように、フレキシブル性が求められることが多くなっている。そこで、上記のように金属層9を介して光導波路Wを設けた光電気混載基板においても、そのフレキシブル性を高めるために、金属層9自体を部分的に除去してその除去部分に光導波路Wのクラッド層を入り込ませることによって、フレキシブル性を高めることが提案されている(例えば特許文献2を参照)。
特開2009−265342号公報 特開2013−195532号公報
また、最近では、光電気混載基板のフレキシブル性をさらに高めるために、光電気混載基板を光導波路W側から見た図14(a)に示すように、光結合部やコネクタ接続部となる両側だけ電気回路基板Eの幅を広くして金属層9、9′で補強し、その中間部の幅を狭くしたものも多く用いられるようになっている。
しかしながら、このようなフレキシブル性の高い光電気混載基板は、大きく引っ張られたり捩られたりすることが多いため、材質の異なる金属層9、9′と光導波路Wとの間で異なる応力が発生し、その応力の差が、光導波路Wの両端の角部P[図14(a)において小円で囲われた部分]に集中して、歪みや反りという形で現れ、この部分から剥がれやすいという問題があることが判明した。
また、図14(b)に示すように、金属層9、9′を有しないタイプの光電気混載基板では、光導波路Wの両端が、ポリイミド等の絶縁層1の裏面に直接配置された構成になっているが、その場合も、樹脂同士の接合とはいえ、互いに材質が異なるため、その応力の差によって、やはり光導波路Wが、その角部Pから剥がれやすくなる傾向が見られることが判明した。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、電気回路基板裏面側の、金属層もしくは絶縁層と重なる配置で設けられた光導波路の端部が、金属層や絶縁層から剥がれることがなく、長期にわたって良好に使用することのできる光電気混載基板およびその製法の提供をその目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明は、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板と、この電気回路基板の絶縁層裏面側に、金属層を介して設けられた光導波路とを備えた光電気混載基板であって、上記光導波路の少なくとも一端部が、上記電気回路基板裏面の金属層と、金属層の輪郭より光導波路端部の輪郭が内側になる配置で重なっており、上記金属層のうち、光導波路端部の輪郭部と重なる領域の少なくとも一部が除去されて開口部が形成され、その開口部内に、光導波路の一部が入り込んだ状態で光導波路が形成されている光電気混載基板を第1の要旨とし、そのなかでも、特に、上記金属層の開口部が、光導波路端部の輪郭部に沿って、断続的に複数形成されている光電気混載基板を第2の要旨とする。
また、本発明は、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板と、この電気回路基板の絶縁層裏面側に、金属層を介して設けられた光導波路とを備えた光電気混載基板であって、上記光導波路の少なくとも一端部が、上記電気回路基板裏面の金属層と、互いの輪郭が重なるか金属層の輪郭より光導波路端部の輪郭が外側になる配置で重なっており、上記金属層のうち、金属層自身の輪郭部が光導波路端部と重なる領域の少なくとも一部が除去されて開口部が形成され、その開口部内に、光導波路の一部が入り込んだ状態で光導波路が形成されている光電気混載基板を第3の要旨とし、そのなかでも、特に、上記金属層の開口部が、金属層自身の輪郭部に沿って、断続的に複数形成されている光電気混載基板を第4の要旨とする。
さらに、本発明は、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板と、この電気回路基板の絶縁層裏面側に直接設けられた光導波路とを備えた光電気混載基板であって、上記光導波路の少なくとも一端部が、上記電気回路基板裏面の絶縁層と、絶縁層の輪郭より光導波路端部の輪郭が内側になる配置で重なっており、上記絶縁層のうち、光導波路端部の輪郭部と重なる領域の少なくとも一部が凹部に形成され、その凹部内に、光導波路の一部が入り込んだ状態で光導波路が形成されている光電気混載基板を第5の要旨とし、そのなかでも、特に、上記絶縁層の凹部が、光導波路端部の輪郭部に沿って、断続的に複数形成されている光電気混載基板を第6の要旨とする。
そして、本発明は、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板と、この電気回路基板の絶縁層裏面側に直接設けられた光導波路とを備えた光電気混載基板であって、上記光導波路の少なくとも一端部が、上記電気回路基板裏面の絶縁層と、互いの輪郭が重なるか絶縁層の輪郭より光導波路端部の輪郭が外側になる配置で重なっており、上記絶縁層のうち、絶縁層自身の輪郭部が光導波路端部と重なる領域の少なくとも一部が凹部に形成され、その凹部内に、光導波路の一部が入り込んだ状態で光導波路が形成されている光電気混載基板を第7の要旨とし、そのなかでも、特に、上記絶縁層の凹部が、絶縁層自身の輪郭部に沿って、断続的に複数形成されている光電気混載基板を第8の要旨とする。
また、本発明は、上記第1の要旨である光電気混載基板の製法であって、絶縁層の表面に電気配線が形成され同じく絶縁層の裏面に金属層が形成された電気回路基板を準備する工程と、上記電気回路基板裏面側の金属層に対し光導波路を、その少なくとも一端部が、金属層の輪郭より光導波路端部の輪郭が内側になるよう配置した状態で形成する工程とを備え、上記電気回路基板を準備する工程において、上記金属層の、光導波路端部の輪郭部と重なる予定領域の少なくとも一部を除去して開口部を形成し、上記光導波路形成工程において、上記金属層の開口部内に、光導波路の一部を入り込ませた状態で光導波路を形成する光電気混載基板の製法を第9の要旨とし、そのなかでも、特に、上記電気回路基板を準備する工程において、上記金属層の開口部を、光導波路端部の輪郭部に沿って、断続的に複数形成するようにした光電気混載基板の製法を第10の要旨とする。
さらに、本発明は、上記第3の要旨である光電気混載基板の製法であって、絶縁層の表面に電気配線が形成され同じく絶縁層の裏面に金属層が形成された電気回路基板を準備する工程と、上記電気回路基板裏面側の金属層に対し光導波路を、その少なくとも一端部が、互いの輪郭が重なるか金属層の輪郭より光導波路端部の輪郭が外側になるよう配置した状態で形成する工程とを備え、上記電気回路基板を準備する工程において、上記金属層の、金属層自身の輪郭部が光導波路端部と重なる予定領域の少なくとも一部を除去して開口部を形成し、上記光導波路形成工程において、上記金属層の開口部内に、光導波路の一部を入り込ませた状態で光導波路を形成する光電気混載基板の製法を第11の要旨とし、そのなかでも、特に、上記電気回路基板を準備する工程において、上記金属層の開口部を、金属層自身の輪郭部に沿って、断続的に複数形成するようにした光電気混載基板の製法を第12の要旨とする。
そして、本発明は、上記第5の要旨である光電気混載基板の製法であって、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板を準備する工程と、上記電気回路基板裏面側の絶縁層に対し光導波路を、その少なくとも一端部が、絶縁層の輪郭より光導波路端部の輪郭が内側になるよう配置した状態で形成する工程とを備え、上記電気回路基板を準備する工程において、上記絶縁層の、光導波路端部の輪郭部と重なる予定領域の少なくとも一部に凹部を形成し、上記光導波路形成工程において、上記絶縁層の凹部内に、光導波路の一部を入り込ませた状態で光導波路を形成する光電気混載基板の製法を第13の要旨とし、そのなかでも、特に、上記絶縁層の凹部を、光導波路端部の輪郭部に沿って、断続的に複数形成するようにした光電気混載基板の製法を第14の要旨とする。
また、本発明は、上記第7の要旨である光電気混載基板の製法であって、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板を準備する工程と、上記電気回路基板裏面側の絶縁層に対し光導波路を、その少なくとも一端部が、互いの輪郭が重なるか絶縁層の輪郭より光導波路端部の輪郭が外側になるよう配置した状態で形成する工程とを備え、上記電気回路基板を準備する工程において、上記絶縁層の、絶縁層自身の輪郭部が光導波路端部と重なる予定領域の少なくとも一部に凹部を形成し、上記光導波路形成工程において、上記絶縁層の凹部内に、光導波路の一部を入り込ませた状態で光導波路を形成する光電気混載基板の製法を第15の要旨とし、そのなかでも、特に、上記絶縁層の凹部を、絶縁層自身の輪郭部に沿って、断続的に複数形成するようにした光電気混載基板の製法を第16の要旨とする。
すなわち、本発明の光電気混載基板は、電気回路基板裏面側の、光導波路の端部と重なる金属層もしくは絶縁層が光導波路端部の輪郭部と重なる領域、あるいは金属層もしくは絶縁層の輪郭部が光導波路端部と重なる領域を部分的に除去して凹部(金属層にあっては金属層が除去された開口部)を形成し、その凹部内に光導波路の一部を入り込ませるようにしたものである。
この構成によれば、金属層もしくは絶縁層の裏面に重なる光導波路の端部のうち、応力が集中して剥がれやすい互いの輪郭部において、光導波路の一部が、金属層に設けられた開口部内もしくは絶縁層に設けられた凹部内に入り込んでいる。そのため、上記開口部内もしくは凹部内に入り込んだ光導波路の一部が、いわば投錨効果を果たすことになり、平坦面同士が接合されている場合に比べて光導波路が剥がれにくいものとなる。
とりわけ、金属層と光導波路とは、その積層界面におけるピール強度が小さいため、金属層に開口部を設けてこの開口部内に光導波路の一部を入り込ませたものは、光導波路の一部が、金属層裏側の絶縁層と直接接合した状態となり、両者間のピール強度を飛躍的に大きくすることができる。このため、金属層と光導波路、もしくは絶縁層と光導波路の積層部において、外からの荷重や熱によって生じる内部応力が両者の間で異なっていても、その応力の差に基づく反りや歪みが、光導波路端部に影響を及ぼすことがない。
したがって、光素子等を実装する等の製造工程や、光電気混載基板を電子機器等に組み込む工程、そして実際に使用する際において、光導波路Wが端部から剥がれていくようなことがなく、この光電気混載基板を、長期にわたって良好に使用することができる。
また、本発明のなかでも、特に、上記金属層の開口部もしくは絶縁層の凹部が、光導波路端部の輪郭部に沿って、あるいは金属層自身の輪郭部もしくは絶縁層自身の輪郭部に沿って、断続的に複数形成されている場合、とりわけ光導波路Wの剥がれ防止効果に優れたものとなり、好適である。
そして、本発明の光電気混載基板の製法によれば、本発明の光電気混載基板を効率よく得ることができる。
(a)は本発明の一実施の形態を模式的に示す部分的な縦断面図、(b)は(a)のA−A′矢視図、(c)は(b)のB−B′断面図である。 図1(b)のC−C′断面図である。 (a)〜(d)は、いずれも上記光電気混載基板の製法における電気回路基板の作製工程を示す説明図である。 (a)〜(d)は、いずれも上記光電気混載基板の製法における光導波路の作製工程を示す説明図である。 (a)、(b)は、ともに上記の例における金属層の開口形状の変形例を示す説明図である。 (a)〜(f)は、いずれも上記の例における金属層の開口形状の変形例を示す説明図である。 (a)〜(d)は、いずれも上記の例における金属層の開口形状の変形例を示す説明図である。 本発明の他の実施の形態を模式的に示す部分的な縦断面図である。 (a)〜(c)は、いずれも上記光電気混載基板の製法における光導波路の作製工程を示す説明図である。 (a)〜(f)は、いずれも本発明の他の実施の形態における金属層の開口形状の変形例を示す説明図である。 (a)〜(e)は、いずれも本発明のさらに他の実施の形態における金属層の開口形状の変形例を示す説明図である。 (a)は本発明の他の実施の形態を示す説明図、(b)、(c)はともにその作製工程を示す説明図である。 従来の光電気混載基板の一例を示す模式的な縦断面図である。 (a)、(b)は、ともに従来の光電気混載基板の課題を説明するための、説明図である。
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。ただし、本発明は、この実施の形態に限るものではない。
図1(a)は、本発明の光電気混載基板の一実施の形態を模式的に示す部分的な縦断面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−A′矢視図、図1(c)は、図1(b)のB−B′断面図である。また、図2は、図1(b)のC−C′断面図である。すなわち、この光電気混載基板10は、絶縁層1の表面に電気配線2が設けられた電気回路基板Eと、上記絶縁層1の裏面側に設けられた光導波路Wとを備えている。
上記電気回路基板Eは、ポリイミド等からなる絶縁層1の表面に、光素子実装用のパッド2aや、コネクタ実装用のパッド2b、その他各種の素子実装用のパッド、アース用電極等(図示せず)を含む電気配線2が形成され、これらのうち、上記パッド2a等を除く電気配線2が、ポリイミド等からなるカバーレイ3によって絶縁保護された構成になっている。なお、カバーレイ3によって保護されていないパッド2a等の表面は、金やニッケル等からなる電解めっき層4で被覆されている。
一方、上記絶縁層1の裏面側に設けられた光導波路Wは、平面視形状が、左右方向に細長い略矩形状で、アンダークラッド層6と、その表面[図1(a)においては下面]に所定パターンで形成されたコア7と、このコア7を被覆した状態で上記アンダークラッド層6の表面と一体化するオーバークラッド層8とで構成されている。
そして、上記電気回路基板Eの光素子実装用のパッド2aに対応するコア7の部分が、コア7の延びる方向に対して45°の傾斜面に形成されている。この傾斜面は、光の反射面7aになっており、コア7内を伝播されてきた光の向きを90°変えて光素子の受光部に入射させたり、逆に光素子の発光部から出射された光の向きを90°変えてコア7内に入射させたりする役割を果たす。
また、上記電気回路基板Eと光導波路Wの間には、この光電気混載基板10を補強するための金属層9が設けられており、フレキシブル性が要求される中間部を除く両側部[図14(a)を参照]に、光導波路Wの両端部と部分的に重なる形で、パターン形成されている。そして、この金属層9には、光導波路Wのコア7と光素子との間の光路を確保するための貫通孔5が形成されており、この貫通孔5内にも、上記アンダークラッド層6が入り込んでいる。
さらに、上記金属層9には、図1(b)に示すように、上記の金属層9の、光導波路Wの輪郭部と重なる領域のうち、光導波路Wの長手方向に沿う両側部が2個所ずつ部分的に除去されて、合計4個の、平面視長方形状の開口部20が形成されている。そして、これらの開口部20内には、図1(c)および図2に示すように、アンダークラッド層6が入り込んで、この入り込んだアンダークラッド層6と絶縁層1とが、直接強固に接合している。これが、本発明の最大の特徴である。なお、図1(b)においては、上記貫通孔5の図示を省略し、金属層9が形成されている部分を、間隔の大きい右下がり斜線で示している(以下の図においても同じ)。
また、図1(a)、(b)、図2において、上記光電気混載基板10の、向かって右側の部分は、図示された左側の部分と左右対称になっており、それ以外の構成は同じであることから、その図示と説明を省略する。
つぎに、上記光電気混載基板10の製法について説明する(図3、図4を参照)。
まず、平板状の金属層9を準備し、その表面に、ポリイミド等からなる感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、所定パターンの絶縁層1を形成する[図3(a)を参照]。上記絶縁層1の厚みは、例えば3〜50μmの範囲内に設定される。また、上記金属層9の形成材料としては、ステンレス、銅、銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、チタン、白金、金等があげられ、なかでも、剛性等の観点から、ステンレスが好ましい。また、上記金属層9の厚みは、その材質にもよるが、ステンレスを用いた場合、例えば10〜70μmの範囲内に設定される。すなわち、10μm未満では補強効果が充分に得られないおそれがあり、逆に70μmを超えると、金属層9の貫通孔5内を移動する光の距離が長くなって、光損失が大きくなるおそれがあるからである。
つぎに、図3(b)に示すように、上記絶縁層1の表面に、電気配線2(光素子実装用のパッド2aやコネクタ用パッド2b、他のパッド、アース用電極等を含む、以下同じ)を、例えばセミアディティブ法により形成する。この方法は、まず、上記絶縁層1の表面に、スパッタリングまたは無電解めっき等により、銅やクロム等からなる金属膜(図示せず)を形成する。この金属膜は、後の電解めっきを行う際のシード層(電解めっき層形成の素地となる層)となる。そして、上記金属層9、絶縁層1およびシード層からなる積層体の両面に、感光性レジスト(図示せず)をラミネートした後、上記シード層が形成されている側の感光性レジストに、フォトリソグラフィ法により、上記電気配線2のパターンの孔部を形成し、その孔部の底に上記シード層の表面部分を露呈させる。つぎに、電解めっきにより、上記孔部の底に露呈した上記シード層の表面部分に、銅等からなる電解めっき層を積層形成する。そして、上記感光性レジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。その後、上記電解めっき層が形成されていないシード層の部分をソフトエッチングにより除去する。残存したシード層と電解めっき層とからなる積層部分が上記電気配線2となる。
つぎに、図3(c)に示すように、光素子実装用のパッド2やコネクタ用パッド2bの一部等を除く電気配線2の部分に、ポリイミド等からなる感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、カバーレイ3を形成する。
そして、図3(d)に示すように、カバーレイ3によって被覆されていない光素子実装用のパッド2aやコネクタ用パッド2bの一部等の表面に電解めっき層4を形成する。このようにして、電気回路基板Eが形成される。
つぎに、上記金属層9と電気回路基板Eとからなる積層体の両面に、感光性レジストをラミネートした後、上記金属層9の裏面側(電気回路基板Eと反対側の面側)の感光性レジストのうち、金属層9が不要な部分と、光路用の貫通孔5形成予定部に対応する部分[図1(a)を参照]、さらには、前述の開口部20形成予定部分(図2を参照)に、フォトリソグラフィ法により、孔部を形成し、上記金属層9の裏面を部分的に露呈させる。
そして、上記金属層9の露呈部分を、その金属層9の金属材料に応じたエッチング用水溶液(例えば、金属層9がステンレス層である場合のエッチング用水溶液は、塩化第2鉄水溶液)を用いてエッチングすることにより除去し、その除去跡から絶縁層1を露呈させた後、上記感光性レジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。これにより、図4(a)に示すように、補強が必要な領域のみに金属層9が形成され、光路用の貫通孔5[図1(a)を参照]と、光導波路Wの一部を入り込ませるための開口部20とが、同時に形成される。
つぎに、上記絶縁層1の裏面(金属層9が形成されている部分にあっては金属層9の裏面)に光導波路W[図1(a)参照]を形成するために、まず、図4(b)に示すように、上記絶縁層1および金属層9の裏面(図において下面)に、アンダークラッド層6の形成材料である感光性樹脂を塗布した後、その塗布層を照射線により露光して硬化させて、アンダークラッド層6を形成する。上記アンダークラッド層6は、フォトリソグラフィ法によって、所定パターン状に形成される。そして、このアンダークラッド層6によって、上記金属層9の光路用の貫通孔5が埋められた状態となる[図1(a)を参照]。また、アンダークラッド層6の一部は、金属層9の開口部20内にも入り込んで、絶縁層1の裏面と直接接合した状態となる。上記アンダークラッド層6の厚み(絶縁層1の裏面からの厚み)は、通常、金属層9の厚みよりも厚く設定される。なお、光導波路Wを形成するための一連の作業は、上記金属層9が形成された絶縁層1の裏面を上に向けた状態で行われるが、図面では、そのままの状態で示している。
つぎに、図4(c)に示すように、上記アンダークラッド層6の表面(図では下面)に、フォトリソグラフィ法により、所定パターンのコア7を形成する。コア7の厚みは、例えば3〜100μmの範囲内に設定され、幅は、例えば3〜100μmの範囲内に設定される。上記コア7の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層6と同様の感光性樹脂があげられ、上記アンダークラッド層6および後述するオーバークラッド層8の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、アンダークラッド層6、コア7、オーバークラッド層8の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。
つぎに、図4(d)に示すように、上記コア7を被覆するように、アンダークラッド層6の表面(図では下面)に重ねて、フォトリソグラフィ法により、オーバークラッド層8を形成する。このようにして、光導波路Wが形成される。なお、上記オーバークラッド層8の厚み(アンダークラッド層6の表面からの厚み)は、例えば、上記コア7の厚み以上で、300μm以下に設定される。上記オーバークラッド層8の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層6と同様の感光性樹脂があげられる。
ちなみに、上記光導波路Wの形成材料の具体的な組成例を以下に示す。
<アンダークラッド層6、オーバークラッド層8の形成材料>
脂環骨格を含むエポキシ樹脂(ダイセル化学工業社製、EHPE3150) 20重量部
液状長鎖二官能半脂肪族エポキシ樹脂(DIC社製、EXA−4816) 80重量部
光酸発生剤(ADEKA社製、SP170) 2重量部
乳酸エチル(武蔵野化学研究所社製) 40重量部
<コア7の形成材料>
o−クレゾールノボラックグリシジルエーテル(新日鐵住金化学社製、YDCN−700−10) 50重量部
ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル(大阪ガスケミカル社製、オグゾールEG) 50重量部
光酸発生剤(ADEKA社製、SP170) 1重量部
乳酸エチル(武蔵野化学研究所社製) 50重量部
つぎに、上記光導波路Wの所定部分に、レーザ加工や切削加工等により、コア7の延びる方向に対して45°傾斜した傾斜面を形成し、電気回路基板Eの表面側に実装される光素子との光結合のための反射面7a[図1(a)を参照]とする。そして、電気回路基板Eの表面側に設けられた電気配線2のパッド2aに光素子を実装する等、必要な部材の取り付けを行う。
このようにして、図1に示す光電気混載基板10を得ることができる。この光電気混載基板10は、電気回路基板Eの裏面側の、光導波路Wの端部と重なる金属層9のうち、その光導波路Wの輪郭部と重なる領域が、部分的に除去されて4個の開口部20が形成され、その開口部20に、光導波路Wのアンダークラッド層6が入り込んで直接絶縁層1と接合している。
したがって、この構成によれば、金属層9と光導波路Wの積層部において、外からの荷重や熱によって生じる内部応力が両者の間で異なることによって光導波路Wを剥がそうとする力が働いても、光導波路W端部の輪郭部が、部分的に絶縁層1と直接接合しているため、その接合部分におけるピール強度が高く、全体として、ピール強度が非常に高くなっている。したがって、光素子等を実装する等の製造工程や、光電気混載基板10を電子機器等に組み込む工程、そして実際に使用する際において、光導波路Wが端部から剥がれていくようなことがなく、この光電気混載基板10を、長期にわたって良好に使用することができる。
しかも、上記光電気混載基板10は、金属層9をパターン形成する際に、光導波路Wの端部輪郭部と重なる所定部分に、開口部20が形成されるようにパターニングするだけでよいため、特別の工程が不要で簡単に得ることができ、製造効率がよいという利点を有する。
なお、金属層9と光導波路Wとが接合されている場合と、絶縁層1と光導波路Wとが直接接合されている場合のピール強度の違いを比較するために、以下の試験を行った。
<ピール強度試験>
光電気混載基板の金属層として汎用されるステンレス板(新日鉄社製、SUS304、厚み0.02mm)を準備し、その表面に、前述の光導波路Wの形成材料を用いて、アンダークラッド層の厚み25μm、コアの厚み50μm、オーバークラッド層の厚み25μmの三層構造の疑似光導波路を形成した(サンプル1)。また、光電気混載基板の絶縁層として、上記金属層上にポリイミド(日東電工社製、厚み0.01mm)を形成し、金属層をエッチングした表面に、上記と同様にして、疑似光導波路を形成した(サンプル2)。
そして、サンプル1、2において、疑似光導波路を剥がす際の90°ピール強度を、JIS C 5016:1994の試験法に準じて測定した。その結果、サンプル1(ベースがステンレス板)のピール強度は0.209N/cm(21.3g/cm)であり、サンプル2(ベースがポリイミド)のピール強度は1.986N/cm(202.6g/cm)であった。
したがって、上記の例で示すように、絶縁層1に光導波路Wの一部を直接接合すると、光導波路Wに対し、非常に優れた剥がれ防止性能を付与できることがわかる。
なお、上記の例において、金属層9に開口部20を形成する場合、その開口部20によって、金属層9と重なる光導波路Wの端部の輪郭線[図1(b)においてジグザグ線Xで示す]の全長のうち、5〜95%の部分が、直接絶縁層1の裏面に接するようになることが好適である。すなわち、開口部20によって絶縁層1の裏面と接する輪郭線の割合が、上記の範囲よりも小さいと、光導波路Wの剥がれ防止効果が充分に得られないおそれがあり、逆に、上記の範囲より大きいと、光電気混載基板10の構造によっては、金属層9による補強が不充分となるおそれがあり、好ましくない場合がある。
また、上記開口部20の形状は、上記の例に限るものではなく、例えば、図5(a)や図5(b)に示すように、帯状の開口部20を複数個数、平行に並べた配置にすることによって、光導波路Wの輪郭部と重なる部分に、断続的にその開口が重なるようにすることができる。
さらに、図1に示す例では、光導波路Wの輪郭部に沿って、金属層9に4個の開口部20を設けたが、例えば図6(a)に示すように、光導波路Wの輪郭部のうち、先端の2つの角部に重なる2つの部分のみに、開口部20を設けてもよい。少なくともこの角部2個所において、光導波路Wと絶縁層1とが直接、高いピール強度で接合していれば、この部分の剥がれが防止され、良好に使用することができるからである。また、図6(b)に示すように、先端の2つの角部に重なる2つの部分と、その間の、光導波路Wの端縁部と重なる部分の、計3個所に開口部20を設けると、光導波路Wの端縁部の剥がれ防止効果をより大きくすることができる。
あるいは、図6(c)に示すように、上記金属層9に設ける開口部20の形状(平面視形状、以下同じ)を、光導波路Wの長手方向に延びる両縁部に沿う2本の帯状にしたり、図6(d)に示すように、光導波路Wの端部輪郭部に沿う、2つの角部を有する1本の帯状にしたりすることができる。
また、光導波路Wの、端部先端の2つの角部と重なる部分に開口部20を形成する場合、その2つの開口部20の形状は、図6(e)に示すように、角に沿って折れ曲がった形状にしたり、図6(f)に示すように、丸形状にしたりすることができる。
さらに、上記2つの開口部20の形状は、図7(a)に示すように、角部にアールのついた矩形状であっても、図7(b)に示すように、光導波路Wの角部に対して斜めに延びる帯状であってもよい。さらに、図7(c)、(d)に示すような三角形状であってもよい。
このように、開口部20の形状は、金属層9によって剛性を付与したい領域と、フレキシブル性を付与したい領域との兼ね合いを考慮しつつ、光導波路Wの端部の剥がれ防止に効果が得られるような、様々な形に設定することができる。
そして、上記の例では、金属層9に開口部20を設けてその開口部20内に光導波路Wの一部を入り込ませるようにしたが、金属層9の一部を除去して開口部20を形成するだけでなく、例えば、図8に示すように、上記開口部20によって露出した絶縁層1を、さらに凹状に加工して凹部21を形成し、その段差を深くすることによって、両者間のピール強度をさらに高めることができる。この構成によれば、より一層、光導波路Wの端部が剥がれにくくなり、より優れた耐久性を示すものとなる。
上記絶縁層1を凹状にする加工は、例えばつぎのようにして行うことができる。すなわち、まず、図9(a)に示すように、前記の例と同様にして電気回路基板Eを形成するとともに、その裏面側の金属層9に、開口部20および光結合用の貫通孔5(図1参照)を形成する。そして、図9(b)に示すように、上記金属層9の開口部20から露出した絶縁層1の部分に対し、それ以外の部分は保護した状態でアルカリエッチングを行うことにより、凹部21を形成する。そして、図9(c)に示すように、前記の例と同様にして光導波路Wを形成した後、光素子等の実装、反射面7aの形成等を行うことにより、目的とする光電気混載基板を得ることができる。
ただし、凹部21の深さは、絶縁層1全体の厚みの5〜70%となるよう設定することが好適である(例えば絶縁層1の全体厚みが10μmの場合、エッチングにより凹部21を形成した部分における絶縁層1の厚みが3〜9.5μmとなるよう凹部21を形成することが好適)。すなわち、凹部21が浅すぎると、せっかく凹部21を設けても、光導波路Wの剥がれ防止効果に差異が見られず、逆に凹部21が深すぎると、その部分から絶縁層1が破れる等の不具合が生じるおそれがあり、好ましくない。
なお、絶縁層1を凹状に加工する方法は、上記の方法に限るものではなく、例えば、図9(a)に示す構成の段階で、金属層9の開口部20から露出する絶縁層1に対し、YAGレーザやエキシマレーザを照射することによって、絶縁層1の裏面(図9における下面)における所定領域を所定厚みだけ溶融除去して凹部21を得るようにしてもよい。
さらに、上記一連の例は、光導波路Wの端部が、光電気混載基板10の両側において幅が広く設定された金属層9と重なる配置で設けられ、金属層9の輪郭より光導波路Wの端部の輪郭が内側になっている例であるが、本発明は、光電気混載基板10が、全体にわたって同一幅の、帯状のものに対しても適用することができる。また、金属層9と光導波路Wの端部が、互いの輪郭が重なるか、金属層9の輪郭より光導波路Wの端部の輪郭が外側になっているものに対しても適用することができる。これらの場合も、光導波路Wの端部と、金属層9の端部とが重なる部分において、適宜の配置で金属層9の一部を除去して開口部20を形成することにより、光導波路Wの剥がれ防止効果を得ることができる。
ちなみに、金属層9と光導波路Wの端部とが、互いの輪郭が略重なる状態で配置されている場合の一例を、図10(a)に示す。この例では、わかりやすいように、光導波路Wの輪郭が、金属層9の輪郭のやや内側になるよう示している[図10の(b)以下の図も同じ]。この例では、光導波路Wの端部の輪郭と、その輪郭が略重なった配置の金属層9において、その先端の2つの角部が切欠かれて開口部20′になっている。この構成によれば、光導波路Wの先端の2つの角部が、直接絶縁層1と接合しているため、光導波路Wの先端部分の剥がれ防止が効果的になされている。したがって、本発明において、金属層9に形成される「開口部」とは、四方が囲われて閉じた開口部のみならず、金属層9の縁部を切欠いて形成される切欠き部をも含む趣旨である。
また、金属層9と光導波路Wの端部とが上記と同様の配置である場合において、図10(b)に示すように、金属層9の輪郭部のうち、その先端縁部と、光導波路Wの長手方向に沿う両側縁の、三方向の部分を完全に除去して開口部20′とすることもできる。さらに、図10(c)に示すように、金属層9の輪郭部のうち、その先端縁部のみを除去して開口部20′とすることもできる。
あるいは、金属層9の輪郭部のうち、その先端縁部を完全に除去するのではなく、図10(d)に示すように、その両端部を残した形で除去して開口部20′とした場合にも、充分に、光導波路Wの剥がれ防止効果を得ることができる。すなわち、この開口部20′における光導波路Wの接合強度が高くなるため、開口部20′が形成されていない、その両端部においても光導波路Wの自由度が制限され、その結果、両端部においては金属層9が介在していても、光導波路Wは剥がれにくいものとなるからである。
同様に、図10(e)に示すように、金属層9の輪郭部のうち、光導波路Wの長手方向に沿う両側縁部を、それぞれその両端部を残した形で除去して開口部20′としてもよいし、図10(f)に示すように、光導波路Wの長手方向に沿う両側縁部の、それぞれ先端側の端部を残した形で除去して開口部20′としてもよい。
さらに、光電気混載基板10によっては、電気回路基板Eの輪郭部より光導波路Wの輪郭部が外側になる場合がある。その場合も、金属層9の所定部分を切り欠いて開口部20′を形成することにより、上記一連の例と同様、光導波路Wの端部を剥がれにくくすることができる。例えば図11(a)に示すように、電気回路基板Eの輪郭より光導波路Wの端部の輪郭部が外側になる配置で重なっている場合、光導波路Wの端部の輪郭より内側にある金属層9の輪郭部のうち、その先端縁部と、光導波路Wの長手方向に沿う両側縁の、三方向の部分を完全に除去して開口部20′とすることによって、光導波路Wの端部を剥がれにくくすることができる。なお、この例では、電気回路基板Eの先端より光導波路Wの先端が外側に配置されているが、例えは図11(b)に示すように、電気回路基板Eの先端と光導波路Wの先端が略重なっているか光導波路Wの先端の方が内側に入っている場合も、図11(a)の場合と同様、金属層9の輪郭部のうち、三方向の部分を完全に除去して開口部20′とすることができる。
また、図11(c)に示すように、電気回路基板Eの先端より光導波路Wの先端が外側に配置され、長手方向の両側縁は略重なっているか光導波路Wの方が内側に入っている場合も、上記図11(a)、(b)の場合と同様、金属層9の輪郭部のうち、三方向の部分を完全に除去して開口部20′とすることにより、光導波路Wの端部を剥がれにくくすることができる。
さらに、図11(d)に示すように、金属層9のうち、その先端の2つの角部を切り欠いて開口部20′を形成し、これらの開口部20′において光導波路Wの輪郭部の一部を絶縁層1と直接接合し、金属層9の輪郭部と重なる光導波路Wの輪郭部を、電気回路基板Eの輪郭部より外側に配置してもよい。
また、図11(e)に示すように、上記と同様、金属層9のうち、その先端の2つの角部を切り欠いて開口部20′を形成し、これらの開口部20′において光導波路Wの輪郭部の一部を絶縁層1と直接接合し、絶縁層1の輪郭部と重なる光導波路Wの輪郭部を、電気回路基板Eの輪郭部より外側に配置してもよい。
なお、上記一連の開口部20′の例においても、図5(a)や図5(b)に示す例のように、複数の帯状の開口部20′を平行に並べて形成してもよい。また、小さな面積の開口部20′を、金属層9の輪郭部に沿って複数個、所定間隔で形成するようにしてもよい。
そして、上記一連の例のように、光導波路Wの端部と金属層9とが、互いの輪郭が重なるか金属層9の輪郭より光導波路Wの端部の輪郭が外側になる配置で重なる場合、光導波路Wと重なる金属層9の平面視形状が、角のない、アールのついた形状になっていることが好ましい。そのアール形状によって、金属層9のある部分とない部分の境界における応力緩和効果が得られるからである。
また、本発明は、図12(a)に示すように、金属層9が設けられておらず、絶縁層1の裏面に直接光導波路Wが重なった光電気混載基板10に対しても適用することができる。すなわち、絶縁層1と光導波路Wの積層部も、樹脂同士の接合とはいえ、互いに材質が異なるため、その応力の差によって光導波路Wに反りや歪みが生じて剥がれやすくなる場合がある。そこで、両者のピール強度をより高めるために、図示のように、光導波路Wと重なる絶縁層1の裏面に、凹部22を形成し、この凹部22内に光導波路Wの一部が入り込むようにすることができる。上記凹部22の配置は、前記開口部20、20′の配置に準じて形成することができる。
この構成によれば、上記光導波路Wの一部が入り込むことによって、絶縁層1に対して投錨効果が得られるため、絶縁層1と光導波路Wの接合面が平坦な場合に比べてピール強度がより一層高くなり、さらなる光導波路Wの剥がれ防止効果を得ることができる。
なお、上記絶縁層1に凹部22を形成するには、例えば、図12(b)に示すように、前記の例と同様にして電気回路基板Eを形成した後、絶縁層1の裏面に対し、上記凹部22の形成予定部以外の部分を保護した状態でアルカリエッチングを行うことにより、凹部22を形成することができる。そして、図12(c)に示すように、前記の例と同様にして光導波路Wを形成した後、光素子等の実装、反射面7aの形成等を行うことにより、目的とする光電気混載基板を得ることができる。上記凹部22の深さは、前述の凹部21を形成する場合と同様の理由から、絶縁層1の厚みの5〜70%に設定することが好適である。
もちろん、アルカリエッチングによって凹部22を形成するのではなく、絶縁層1の裏面に、YAGレーザやエキシマレーザを照射することによっても、所定のパターンで凹部22を形成することができる。
さらに、前記の例は、左右両側に光電気結合部が設けられており、左右対称形の構造になっているものであるが、片方のみに光電気結合部が設けられ、他方は単にコネクタ接続下になっているだけのものであっても差し支えない。その場合、光電気結合に用いられる方の光導波路Wの端部に、本発明の形状を適用することが好適である。
また、上記一連の例では、光導波路Wの外形がアンダークラッド層6とオーバークラッド層8の両方で形成されたものであるが、光導波路Wの外形は、オーバークラッド層8のみで形成されたものであっても、コア7のみで形成されたものであっても差し支えない。
本発明は、電気回路基板部分の裏面側から光導波路が剥がれにくく、長期にわたって安心して使用することのできる優れた光電気混載基板に利用することができる。
E 電気回路基板
W 光導波路
1 絶縁層
2 電気配線
9 金属層
10 光電気混載基板
20 開口部

Claims (16)

  1. 絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板と、この電気回路基板の絶縁層裏面側に、金属層を介して設けられた光導波路とを備えた光電気混載基板であって、上記光導波路の少なくとも一端部が、上記電気回路基板裏面の金属層と、金属層の輪郭より光導波路端部の輪郭が内側になる配置で重なっており、上記金属層のうち、光導波路端部の輪郭部と重なる領域の少なくとも一部が除去されて開口部が形成され、その開口部内に、光導波路の一部が入り込んだ状態で光導波路が形成されていることを特徴とする光電気混載基板。
  2. 上記金属層の開口部が、光導波路端部の輪郭部に沿って、断続的に複数形成されている請求項1記載の光電気混載基板。
  3. 絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板と、この電気回路基板の絶縁層裏面側に、金属層を介して設けられた光導波路とを備えた光電気混載基板であって、上記光導波路の少なくとも一端部が、上記電気回路基板裏面の金属層と、互いの輪郭が重なるか金属層の輪郭より光導波路端部の輪郭が外側になる配置で重なっており、上記金属層のうち、金属層自身の輪郭部が光導波路端部と重なる領域の少なくとも一部が除去されて開口部が形成され、その開口部内に、光導波路の一部が入り込んだ状態で光導波路が形成されていることを特徴とする光電気混載基板。
  4. 上記金属層の開口部が、金属層自身の輪郭部に沿って、断続的に複数形成されている請求項3記載の光電気混載基板。
  5. 絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板と、この電気回路基板の絶縁層裏面側に直接設けられた光導波路とを備えた光電気混載基板であって、上記光導波路の少なくとも一端部が、上記電気回路基板裏面の絶縁層と、絶縁層の輪郭より光導波路端部の輪郭が内側になる配置で重なっており、上記絶縁層のうち、光導波路端部の輪郭部と重なる領域の少なくとも一部が凹部に形成され、その凹部内に、光導波路の一部が入り込んだ状態で光導波路が形成されていることを特徴とする光電気混載基板。
  6. 上記絶縁層の凹部が、光導波路端部の輪郭部に沿って、断続的に複数形成されている請求項5記載の光電気混載基板。
  7. 絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板と、この電気回路基板の絶縁層裏面側に直接設けられた光導波路とを備えた光電気混載基板であって、上記光導波路の少なくとも一端部が、上記電気回路基板裏面の絶縁層と、互いの輪郭が重なるか絶縁層の輪郭より光導波路端部の輪郭が外側になる配置で重なっており、上記絶縁層のうち、絶縁層自身の輪郭部が光導波路端部と重なる領域の少なくとも一部が凹部に形成され、その凹部内に、光導波路の一部が入り込んだ状態で光導波路が形成されていることを特徴とする光電気混載基板。
  8. 上記絶縁層の凹部が、絶縁層自身の輪郭部に沿って、断続的に複数形成されている請求項7記載の光電気混載基板。
  9. 請求項1記載の光電気混載基板の製法であって、絶縁層の表面に電気配線が形成され同じく絶縁層の裏面に金属層が形成された電気回路基板を準備する工程と、上記電気回路基板裏面側の金属層に対し光導波路を、その少なくとも一端部が、金属層の輪郭より光導波路端部の輪郭が内側になるよう配置した状態で形成する工程とを備え、上記電気回路基板を準備する工程において、上記金属層の、光導波路端部の輪郭部と重なる予定領域の少なくとも一部を除去して開口部を形成し、上記光導波路形成工程において、上記金属層の開口部内に、光導波路の一部を入り込ませた状態で光導波路を形成することを特徴とする光電気混載基板の製法。
  10. 上記電気回路基板を準備する工程において、上記金属層の開口部を、光導波路端部の輪郭部に沿って、断続的に複数形成するようにした請求項9記載の光電気混載基板の製法。
  11. 請求項3記載の光電気混載基板の製法であって、絶縁層の表面に電気配線が形成され同じく絶縁層の裏面に金属層が形成された電気回路基板を準備する工程と、上記電気回路基板裏面側の金属層に対し光導波路を、その少なくとも一端部が、互いの輪郭が重なるか金属層の輪郭より光導波路端部の輪郭が外側になるよう配置した状態で形成する工程とを備え、上記電気回路基板を準備する工程において、上記金属層の、金属層自身の輪郭部が光導波路端部と重なる予定領域の少なくとも一部を除去して開口部を形成し、上記光導波路形成工程において、上記金属層の開口部内に、光導波路の一部を入り込ませた状態で光導波路を形成することを特徴とする光電気混載基板の製法。
  12. 上記電気回路基板を準備する工程において、上記金属層の開口部を、金属層自身の輪郭部に沿って、断続的に複数形成するようにした請求項11記載の光電気混載基板の製法。
  13. 請求項5記載の光電気混載基板の製法であって、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板を準備する工程と、上記電気回路基板裏面側の絶縁層に対し光導波路を、その少なくとも一端部が、絶縁層の輪郭より光導波路端部の輪郭が内側になるよう配置した状態で形成する工程とを備え、上記電気回路基板を準備する工程において、上記絶縁層の、光導波路端部の輪郭部と重なる予定領域の少なくとも一部に凹部を形成し、上記光導波路形成工程において、上記絶縁層の凹部内に、光導波路の一部を入り込ませた状態で光導波路を形成することを特徴とする光電気混載基板の製法。
  14. 上記絶縁層の凹部を、光導波路端部の輪郭部に沿って、断続的に複数形成するようにした請求項13記載の光電気混載基板の製法。
  15. 請求項7記載の光電気混載基板の製法であって、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板を準備する工程と、上記電気回路基板裏面側の絶縁層に対し光導波路を、その少なくとも一端部が、互いの輪郭が重なるか絶縁層の輪郭より光導波路端部の輪郭が外側になるよう配置した状態で形成する工程とを備え、上記電気回路基板を準備する工程において、上記絶縁層の、絶縁層自身の輪郭部が光導波路端部と重なる予定領域の少なくとも一部に凹部を形成し、上記光導波路形成工程において、上記絶縁層の凹部内に、光導波路の一部を入り込ませた状態で光導波路を形成することを特徴とする光電気混載基板の製法。
  16. 上記絶縁層の凹部を、絶縁層自身の輪郭部に沿って、断続的に複数形成するようにした請求項15記載の光電気混載基板の製法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022024756A1 (ja) * 2020-07-29 2022-02-03 日東電工株式会社 光電気混載基板
US11592619B2 (en) 2018-07-25 2023-02-28 Nitto Denko Corporation Optical waveguide member connector and producing method thereof
US20230341642A1 (en) * 2019-12-27 2023-10-26 Nitto Denko Corporation Opto-electric hybrid board

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114567962B (zh) * 2020-11-27 2023-11-10 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 电路板的制造方法及电路板
CN114415299B (zh) * 2022-03-30 2022-06-24 深圳市埃尔法光电科技有限公司 一种光纤信号直导式光模块

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001154044A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Kyocera Corp 光導波路基板
JP2002231872A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Mitsui High Tec Inc リードフレーム
JP2010266598A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Hitachi Cable Ltd 光配線部材
JP2011114133A (ja) * 2009-11-26 2011-06-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2011134853A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Renesas Electronics Corp パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法
WO2012108011A1 (ja) * 2011-02-09 2012-08-16 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール
JP2013015736A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Hitachi Chem Co Ltd フレキシブル光導波路及びフレキシブル光電気複合基板
JP2013195532A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Nitto Denko Corp 光電気混載基板およびその製法
JP2014095782A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Nitto Denko Corp 光電気混載基板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5055193B2 (ja) 2008-04-24 2012-10-24 日東電工株式会社 光電気混載基板の製造方法
JP5877756B2 (ja) * 2012-05-08 2016-03-08 日東電工株式会社 光電気混載基板およびその製法
JP6045829B2 (ja) * 2012-07-13 2016-12-14 日東電工株式会社 光電気混載基板
JP6202662B2 (ja) 2012-11-27 2017-09-27 日東電工株式会社 光電気混載基板およびその製法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001154044A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Kyocera Corp 光導波路基板
JP2002231872A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Mitsui High Tec Inc リードフレーム
JP2010266598A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Hitachi Cable Ltd 光配線部材
JP2011114133A (ja) * 2009-11-26 2011-06-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2011134853A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Renesas Electronics Corp パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法
WO2012108011A1 (ja) * 2011-02-09 2012-08-16 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール
JP2013015736A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Hitachi Chem Co Ltd フレキシブル光導波路及びフレキシブル光電気複合基板
JP2013195532A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Nitto Denko Corp 光電気混載基板およびその製法
JP2014095782A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Nitto Denko Corp 光電気混載基板

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11592619B2 (en) 2018-07-25 2023-02-28 Nitto Denko Corporation Optical waveguide member connector and producing method thereof
US20230341642A1 (en) * 2019-12-27 2023-10-26 Nitto Denko Corporation Opto-electric hybrid board
WO2022024756A1 (ja) * 2020-07-29 2022-02-03 日東電工株式会社 光電気混載基板

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