JP2011134853A - パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】下地の性能を犠牲にすることなく、リフトオフ層が下地から剥離することを防止できるパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるパターン形成方法は、基板上にカバー絶縁膜22を形成し、第1のレジストパターン104をマスクとして、金属膜パターン形成領域を取り囲むようカバー絶縁膜22に凹部103を形成する工程と、凹部103内に入り込むよう、カバー絶縁膜22上にリフトオフ層となる第2のレジストパターン25を形成する工程と、第2のレジストパターン25をマスクとして、金属膜パターン形成領域のカバー絶縁膜22に開口部を形成する工程と、第2のレジストパターン25の上から基板表面に金属膜を成膜し、第2のレジストパターン25とともに第2のレジストパターン25上の金属膜を除去して金属膜パターンを形成する工程とを備えるものである。
【選択図】図3

Description

本発明は、パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法に関し、特に詳しくは、基板にリフトオフ法を用いて所定の金属膜パターンを形成するパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造工程などで所定パターンの金属膜を形成する方法としてリフトオフ法が知られている。
リフトオフ法は、所定の開口パターンを有するリフトオフ層(例えばレジスト層)の上から金属膜を被着した後、リフトオフ層を除去すると同時にその上の不要な金属膜を除去し、リフトオフ層で被覆されていない部分の金属膜を残すパターン形成方法である。リフトオフ法は、金属膜をエッチングする必要がないため、エッチングが困難な金属のパターニングに適した方法である。
しかしながら、このリフトオフ法においては、金属膜を蒸着法などで成膜する際の熱ストレスでリフトオフ層が下地から部分的に剥離して下地が露出し、不所望な部分にまで金属膜が成膜されてしまうという問題があり、これを改善することが望まれていた。
この問題について、以下に図面を参照しながら具体的に説明する。図8は、従来の半導体装置の一例であるMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)の構成を示す図である。図8(a)はチップ平面図、図8(b)は図8(a)のVIIIB−VIIIB線における断面図をそれぞれ示している。なお、図8(a)において、Gはゲートパッド部である。
図8において、MOSFET10では、N型のシリコン基板11上にN型のエピタキシャル層12が積層されている。
セル部Aのエピタキシャル層12にはU字型溝13が形成され、U字型溝13の内部には、ゲート酸化膜(不図示)を介してポリシリコンからなるゲート電極14が埋め込み形成されている。
エピタキシャル層12の表面層には、P型のベース領域15が形成されている。そして、ベース領域15の表面層にはU字型溝13に接してN型のソース領域16が形成されている。
セル部Aとセル部Aに挟まれたゲートフィンガー部Bでは、エピタキシャル層12上にフィールド酸化膜17を介してポリシリコンゲートフィンガー18が形成されている。このポリシリコンゲートフィンガー18は、ゲート電極14と同じ層によって形成されている。
また、エピタキシャル層12上には、BPSG(Boron Phosphorus Silicon Glass)からなる層間絶縁膜19が形成されている。
層間絶縁膜19上には、層間絶縁膜19に設けられた開口部を介してベース領域15及びソース領域16に電気的に接続するソース電極20が、アルミニウムによって形成されている。
また、ゲートフィンガー部Bには、ポリシリコンゲートフィンガー18と電気的に接続するゲートフィンガー21が、ソース電極20と同層のアルミニウムによって形成されている。
さらに、その上にカバー絶縁膜22として、シリコン窒化膜22aとPSG(Phosphorus Silicon Glass)膜22bとがこの順に積層されている。
ソースパッド部Cにおいて、カバー絶縁膜22にはソース電極20表面に到達する開口部が設けられている。この開口部内のソース電極20上に、アルミニウムからなるソース電極20を腐食から保護するための耐食保護膜としてTiNiAg膜23が形成されている。
ここで、上層側のカバー絶縁膜22であるPSG膜22bの開口部は、下層側のカバー絶縁膜22であるシリコン窒化膜22aの開口部より広く形成されている。TiNiAg膜23は、PSG膜22bから露出したシリコン窒化膜22a表面のステップ面22c上にオーバーラップして形成されている。
上記のMOSFET10では、ステップ面22c上にTiNiAg膜23がオーバーラップしており、ソースパッド部Cのソース電極20(アルミニウム)が露出しない。そのため、ソース電極20を腐蝕から保護することができる。
このTiNiAg膜23は、リフトオフ法を用いて形成することができる。
ここで、上記のMOSFET10の製造工程のうち、特に、ソースパッド部Cのソース電極20上にTiNiAg膜23をリフトオフ法により形成する工程について、図9及び図10を用いて詳述する。図9及び図10は、従来のパターン形成方法を説明するための半導体装置の製造工程を示す断面図である。図9及び図10の各図には、ソース電極20上のカバー絶縁膜22の開口部端近辺の断面が拡大して示されている。
先ず、図9(a)に示すように、ソース電極20上にカバー絶縁膜22を形成する。
具体的には、プラズマCVD法によりシリコン窒化膜22aを成膜した後、その上に常圧CVD法によりPSG膜22bを積層して成膜する。
次に、図9(b)に示すように、フォトリソグラフィ法により、ソースパッド部Cを開口したレジストパターン25をカバー絶縁膜22上に形成する。
次に、図9(c)に示すように、レジストパターン25をマスクとして、ソースパッド部CのPSG膜22bを、例えばウェットエッチング等の等方性エッチングにより除去する。
このとき、PSG膜22bはサイドエッチングされ、PSG膜22bの開口部はレジストパターン25の開口部より広くなる。
次に、図10(d)に示すように、レジストパターン25をマスクとして、ソースパッド部Cのシリコン窒化膜22aをプラズマエッチングにより除去する。
ここで、プラズマエッチングはサイドエッチング量が比較的少ない。従って、シリコン窒化膜22aの開口部はレジストパターン25の開口部より若干広くなる程度である。
このため、PSG膜22bの開口部のほうがシリコン窒化膜22aの開口部よりも広く形成されたこととなり、その結果、PSG膜22bから露出したシリコン窒化膜22aのステップ面22cが形成される。
次に、図10(e)に示すように、レジストパターン25を残したまま、その上から蒸着法により、TiNiAg膜23を被着させる。
このとき、TiNiAg膜23は、シリコン窒化膜22aのステップ面22cにオーバーラップして被着する。
尚、レジストパターン25上のTiNiAg膜23と、ソース電極20およびステップ面22c上のTiNiAg膜23とは繋がっていない。
次に、図10(f)に示すように、レジストパターン25を除去すると同時に、その上のTiNiAg膜23を除去する。これにより、ソース電極20上に所定パターンのTiNiAg膜23を形成することができる。
上記のような方法によると、TiNiAg膜23がソースパッド部Cのソース電極20を確実に被覆できて好適である(以上、例えば特許文献1参照)。
ところが、上記の製造方法では、蒸着法によりTiNiAg膜23を成膜する際に、レジストパターン25に引張応力や圧縮応力などの膜応力が生じる。この膜応力が、レジストパターン25とPSG膜22bとの間の密着力よりも大きくなると、図11に示すように剥離が生じた(特許文献2)。
この膜応力は、主にレジストパターン25とTiNiAg膜23との熱膨張係数の差に基づく膨張/収縮により生じ、膜形成温度が高いほど大きくなった。
そして、この剥離が大きくなると、図11に示すようにPSG膜22bが部分的に露出し、その露出部分に不要なTiNiAg膜23aが成膜され、周辺の配線(図示せず)とショートする虞があった。
このようなレジストパターンとPSG膜の剥離防止を配慮した製造方法が、特許文献3に開示されている。
特許文献3は、レジストパターンとの密着性が悪いPSG膜をあらかじめ部分的に除去して、その下地のシリコン酸化膜を露出させておき、レジストパターンをシリコン酸化膜と直接接触させることで密着力を確保するというものである。
特開2002−198534号公報 特開2009−016582号公報 特開平7−78865号公報
しかしながら、特許文献3の製造方法では、異種材料種間の密着特性に依存した改善策であるため、下地の絶縁膜がレジストと密着性のよい材料種に限定された。
また、部分的ではあるがPSG膜を完全に除去してしまうため、PSG膜の本来の役目であるイオン化した不純物や水分に対するゲッタリング性を犠牲にすることになった。
さらに、レジストパターンとシリコン酸化膜の間の密着力は、それらの接触面積と比例的に増減する。そのため、より強い密着力を得るためには、より大きな面積のPSG膜を除去してやらなければならず、それに伴ってイオン化不純物や水分による汚染の危険性が増大することになった。
本発明にかかるパターン形成方法は、基板上にリフトオフ法を用いて金属膜パターンを形成するパターン形成方法であって、基板上にカバー絶縁膜を形成する工程と、前記カバー絶縁膜上に第1のレジストパターンを形成し、前記第1のレジストパターンをマスクとして、前記金属膜パターン形成領域を取り囲むよう前記カバー絶縁膜に凹部を形成する工程と、前記凹部内に入り込むよう、前記カバー絶縁膜上にリフトオフ層となる第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターンをマスクとして、前記金属膜パターン形成領域の前記カバー絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記第2のレジストパターンの上から前記基板表面に金属膜を成膜し、前記第2のレジストパターンとともに前記第2のレジストパターン上の前記金属膜を除去する工程と、を備えるものである。このような方法により、第2のレジストパターンがカバー絶縁膜に設けられた凹部内に入り込みアンカー効果が創出されるので、第2のレジストパターンとカバー絶縁膜との間に強い密着力を得ることができる。
本発明によれば、下地の性能を犠牲にすることなく、リフトオフ層が下地から剥離することを防止できるパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
実施の形態1に係る半導体装置の一例であるMOSFETの構成を示す図である。 実施の形態1に係るパターン形成方法を説明するための半導体装置の製造工程を示す断面図である。 実施の形態1に係るパターン形成方法を説明するための半導体装置の製造工程を示す断面図である。 実施の形態1の別の実施例に係るパターン形成方法を説明するための断面図である。 実施の形態1のさらに別の実施例に係るパターン形成方法を説明するための断面図である。 実施の形態1のまたさらに別の実施例に係るパターン形成方法を説明するための平面図である。 実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を用いて形成された半導体装置の構成を示す図である。 従来の半導体装置の一例であるMOSFETの構成を示す図である。 従来のパターン形成方法を説明するための半導体装置の製造工程を示す断面図である。 従来のパターン形成方法を説明するための半導体装置の製造工程を示す断面図である。 従来のパターン形成方法における問題点を説明するための図である。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。また、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略されている。
実施の形態1.
始めに、図1を用いて、本実施の形態1に係るパターン形成方法により所定パターンの金属膜が形成されている半導体装置の全体構成について説明する。図1は、本実施の形態1に係る半導体装置の一例であるMOSFETの構成を示す図である。図1(a)はチップ平面図、図1(b)は図1(a)のIB−IB線における断面図をそれぞれ示している。図1(a)において、Gはゲートパッド部である。なお、図8と同じ部分には同一符号を付し説明を省略する。
本実施の形態のMOSFET101は、従来のMOSFET10と異なるカバー絶縁膜22を有していて、それ以外の構成については従来のMOSFET10と同様である。
図1に示すように、本実施の形態では、シリコン窒化膜22aの上に、従来のMOSFET10のPSG膜22bと異なるPSG膜102が積層されたカバー絶縁膜22が設けられている。本実施の形態のPSG膜102が従来のPSG膜22bと異なるのは、具体的には以下の点である。
(1)カバー絶縁膜22を構成するPSG膜102が、異なるリン濃度を有する下層の第1PSG膜102aと上層の第2PSG膜102bとの2層積層構造になっている。
(2)PSG膜102には、ソース電極20を被覆するTiNiAg膜23を取り囲むように全周囲に亘って凹部103が形成されている。
ここで、上層の第2PSG膜102bのリン濃度は、下層の第2PSG膜102aのリン濃度よりも低濃度である。
また、図1(b)に示すように、上層の第2PSG膜102bの厚さは、下層の第1PSG膜102aの厚さよりも薄い。
また、凹部103の断面形状は、凹部103の開口部の幅(幅寸法w1)よりも、内方に幅広の領域(幅寸法w2)を有する、つぼ形状である。
また、凹部103の深さは、上層の第2PSG膜102bを貫通し、下層の第1PSG膜102aの厚さの途中までの深さである。つまり、凹部103は、下層の第1PSG膜102aを貫通しておらず、シリコン窒化膜22aの表面まで達していない。
また、図1(a)に示すように、凹部103の平面パターンは、連続的なストライプ状パターンである。すなわち、凹部103は、上面視で、TiNiAg膜23の端部との距離を略一定に保ちつつ、TiNiAg膜23の端部に沿うよう連続的に設けられている。
上記のように凹部103は、開口幅(幅寸法w1)よりも幅広の領域(幅寸法w2)を有する断面形状をしている。そのため、PSG膜102上にレジストパターンを形成したり、導電性ペーストを用いて金属板と接合する際に、これらレジストパターンや導電性ペーストが凹部103に入り込み、優れたアンカー効果を創出することが可能である。
また、凹部103はPSG膜102を貫通していないため、特許文献3のようにイオン化不純物や水分のゲッタリング性を犠牲にすることがない。
次に、上記のMOSFET101の製造方法の一例について説明する。
特に、ソースパッド部Cのソース電極20上にTiNiAg膜23をリフトオフ法により形成する工程について、図2及び図3を用いて詳述する。図2及び図3は、実施の形態1に係るパターン形成方法を説明するための半導体装置の製造工程を示す断面図である。図2及び図3の各図には、ソース電極20上のカバー絶縁膜22の開口端近辺の断面が拡大して示されている。図2及び図3において、図9及び図10と同一部分には同一符号を付す。
先ず、ソース電極20上にカバー絶縁膜22を形成する。
具体的には、カバー絶縁膜22は、プラズマCVD法によりシリコン窒化膜22aを成膜した後、その上に常圧CVD法によりPSG膜102を成膜する。
PSG膜102を成膜する際、常圧CVD法におけるリン濃度を2種類に変えて、第1PSG膜102aと第2PSG膜102bとをこの順に積層形成する。ここで、上層の第2PSG膜102bのリン濃度は、下層の第1PSG膜102aのリン濃度よりも低濃度とする。すなわち、所定のリン濃度を有する第1PSG膜102aを成膜し、その後続けて、第1PSG膜102aよりも低いリン濃度を有する第2PSG膜102bを成膜する。
また、上層の第2PSG膜102bの厚さは、下層の第1PSG膜102aの厚さよりも薄く形成する。この理由については後述する。これにより、図2(a)に示す構成となる。
次に、図2(b)に示すように、PSG膜102上にフォトリソグラフィ法により、凹部103を形成する予定領域を開口した第1のレジストパターン104を形成する。
次に、第1のレジストパターン104をマスクとして、PSG膜102をエッチングする。ここでは、ウェットエッチング等の等方性エッチングを行う。これにより、図2(c)に示すように、PSG膜102に凹部103が形成される。
このとき、PSG膜102の等方性エッチングにおいては、リン濃度が高い方がエッチングされやすい。そのため、上層の第2PSG膜102bと比較して下層の第1PSG膜102aの方が、サイドエッチング量が大きい。従って、凹部103の断面形状は、凹部103の開口部の幅よりも、内方に幅広の領域を有する、所謂、つぼ形状となり、優れたアンカー効果を創出する形状となる。
尚、上層の第2PSG膜102bの厚さを下層の第1PSG膜102aの厚さよりも薄く形成しておいた理由は、図1(b)に示したように、凹部103において、開口幅(幅寸法w1)と幅広の領域(幅寸法w2)との寸法差(w2−w1)が得られやすいためである。また、等方性エッチングは、ウェットエッチングに限らずプラズマエッチング等のドライエッチングであってもよい。
また、PSG膜102に対するエッチング深さ(凹部103の深さ)は、上層の第2PSG膜102bを貫通し、下層の第1PSG膜102aの厚さの途中の深さまでとする。つまり、凹部103は下層の第1PSG膜102aを貫通しない。
凹部103の深さを、下層の第1PSG膜102aを貫通しない深さとすると、イオン化不純物や水分に対するゲッタリング性を犠牲にすることがない。
次に、第1のレジストパターン104を除去した後、図2(d)に示すように、PSG膜102上にフォトリソグラフィ法により、ソースパッド部Cを開口した第2のレジストパターン25を形成する。
このとき、レジストが凹部103に入り込み、アンカー効果により第2のレジストパターン25とPSG膜102との間に強い密着力を得ることができる。このため、後続の工程において熱ストレス等が加えられたとしても、レジストパターン25がPSG膜102から剥離する心配がない。
次に、第2のレジストパターン25をマスクとして、ソースパッド部CのPSG膜102をウェットエッチング等の等方性エッチングにより除去する。
このとき、PSG膜102はサイドエッチングされ、PSG膜102の開口は第2のレジストパターン25の開口より広くなる。
続いて、第2のレジストパターン25をマスクとして、ソースパッド部Cのシリコン窒化膜22aをプラズマエッチングにより除去する。
ここで、プラズマエッチングはサイドエッチング量が比較的少ない。従って、シリコン窒化膜22aの開口はレジストパターン25の開口より若干広くなる程度である。
このため、PSG膜102の開口部の方がシリコン窒化膜22aの開口部よりも広く形成されたこととなり、その結果、図3(e)に示すように、PSG膜102から露出したシリコン窒化膜22aのステップ面22cが形成される。
次に、図3(f)に示すように、第2のレジストパターン25を残したまま、その上から、蒸着法により、TiNiAg膜23を被着させる。
このとき、TiNiAg膜23は、シリコン窒化膜22aのステップ面22cにオーバーラップして被着する。また、蒸着法による熱ストレスが加わっても、第2のレジストパターン25は、アンカー効果によりPSG膜102から剥離することがない。
尚、レジストパターン25上のTiNiAg膜23と、ソース電極20およびステップ面22c上のTiNiAg膜23とは繋がっていない。
次に、第2のレジストパターン25を除去すると共に、その上のTiNiAg膜23を除去する。なお、この除去では、凹部103内に埋め込まれている第2のレジストパターン25も除去される。これにより、図3(g)に示すように、ソース電極20上に所定パターンのTiNiAg膜23を形成することができる。
上記のパターン形成方法によると、リフトオフ層となる第2のレジストパターン25を形成する際に、凹部103にレジストが入り込みアンカー効果を創出し、PSG膜102と第2のレジストパターン25との間に強い密着力が得られるため剥離の心配がない。
以上のように、本実施の形態では、カバー絶縁膜22に、TiNiAg膜23パターンの形成領域を取り囲むよう凹部103を形成しておく。そして、このカバー絶縁膜22上に、リフトオフ層となる第2のレジストパターン25を、カバー絶縁膜22の凹部103内を埋め込むよう形成する。これにより、アンカー効果が創出され、第2のレジストパターン25とカバー絶縁膜22との間に強い密着力を得ることができる。そのため、金属膜を蒸着法などで成膜する際に熱ストレス等が加えられても、第2のレジストパターン25がカバー絶縁膜22から剥離する心配がない。
また、この凹部103の断面形状は、開口幅よりも、内方に幅広の領域を有する、所謂、つぼ形状であるため優れたアンカー効果が得られる。
また、この凹部103はカバー絶縁膜22を構成するPSG膜102を貫通しない深さに形成されるため、イオン化不純物や水分のゲッタリング性を犠牲にすることがない。従って、下地の性能を犠牲にすることなく、リフトオフ層が下地から剥離することを防止できる。
なお、本実施の形態では、PSG膜102を、リン濃度が異なる2層のPSG膜102a,102bの積層構造とする場合について例示的に説明したが、これに限るものではない。図4は、実施の形態1の別の実施例に係るパターン形成方法を説明するための断面図である。PSG膜102は、少なくとも所定のリン濃度を有する第1PSG膜102aと、第1PSG膜102aよりも低いリン濃度を有する第2PSG膜102bとがこの順に積層されていればよい。
従って、PSG膜102は、リン濃度が下層に行くほど高濃度にした3層構造としてもよい。すなわち、図4(a)に示すように、所定のリン濃度を有する第1PSG膜102aと、第1PSG膜102aよりも低いリン濃度を有する第2PSG膜102bと、第2PSG膜102bよりも低いリン濃度を有する第3PSG膜102cとをこの順に積層してPSG膜102としてもよい。あるいは、それ以上の層数の積層構造としてもよい。この場合、前述した理由から、各層の厚さは下層に行くほど厚く形成しておくとよい。
また、図4(b)に示すように、PSG膜102の上にさらにNSG(Non-Doped Silicon Glass)膜110を積層形成し、NSG膜110とPSG膜102のリン濃度の差に基づくエッチング速度差を利用するようにして、つぼ形状の凹部を形成するようにしてもよい。
また、図5は、実施の形態1のさらに別の実施例に係るパターン形成方法を説明するための断面図である。実施の形態1では、凹部103を形成する際に、図5の左側に示すように、PSG膜102に対して等方性エッチングのみを施す例で説明したが、それに限定されるものではない。図5の右側に示すように、一定深さまで反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching:RIE)等の異方性エッチングを施し、その後、ウェットエッチング等の等方性エッチングを施すようにしてもよい。このようにすると工程は増加するが、開口幅(幅寸法wa)と幅広の領域(幅寸法w2)との大きな寸法差(w2−wa)が得られ好適である。
また、実施の形態1では、凹部103の平面パターンは、連続したストライプ状パターンであるとして説明したが、リフトオフ法を用いて形成する金属膜パターンを取り囲むように配置されていれば、特にこれに限るわけではない。
図6は、実施の形態1のまたさらに別の実施例に係るパターン形成方法を説明するための平面図である。例えば、ソースパッド部Cを取り囲むように配置するのであれば、図6(a)に示すように、複数の短いスリット状パターンが離散的に配置されてもよい。この場合、剥離防止の観点から、設けられる第2のレジストパターン25のコーナー部となる位置には凹部103を配置するのが望ましい。
また、凹部103の実効長を延ばす目的で、図6(b)に示すような矩形波状の蛇行パターンや、図6(c)に示すような三角波状の蛇行パターン等にしてもよい。
凹部103の平面パターンを離散パターンや蛇行パターンにするには、図2(b)で示した工程において、形成するレジストパターン104の形状を変更すればよい。
実施の形態2.
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図7を用いて説明する。図7は、実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を用いて形成された半導体装置の構成を示す図である。図7は、図1で示した実施の形態1のMOSFET101を、導電ペーストを用いて外部と電気的接続するための金属クリップと接合した状態を示す。図7(a)は平面図、図7(b)は図7(a)のVIIB−VIIB線における断面図をそれぞれ示している。図1と同一部分には同一符号を付し、説明を省略する。
図7において、MOSFET101は、導電ペースト等の導電性接着剤51を介して、例えば銅製の金属クリップ等の基板52と接合されている。すなわち、本実施の形態は、実施の形態1のパターン形成方法を用いて金属膜パターンが形成された基板11と、別の基板52とを導電性接着剤51で接合する工程を備えている。そして、基板11と別の基板52とを接合する工程では、凹部103に導電性接着剤51が入り込むよう、導電性接着剤51を塗布する。
図7から明らかなように、凹部103は、MOSFET101を導電性接着剤51を用いて別の基板52と接合する工程において、MOSFET101表面に塗布された導電性接着剤51が急速に不必要に濡れ広がることを抑制する液溜まりの役目をする。
また、凹部103に入り込んだ導電性接着剤51は、アンカー効果を創出し、MOSFET101表面と導電性接着剤51との間の密着力を向上させる効果を有する。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。上記の実施の形態1、2では、半導体装置としてMOSFETを例に挙げて説明したが、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)など他の半導体装置でも良い。また、別の基板52として、例えば銅製の金属クリップを例に挙げたが、プリント配線基板や、制御回路等が組み込まれたシリコンチップなどの他の部材も、別の基板52の類型としてその範囲に含まれる。
10 MOSFET、11 基板、12 エピタキシャル層、13 U字型溝、
14 ゲート電極、15 ベース領域、16 ソース領域、
17 フィールド酸化膜、18 ポリシリコンゲートフィンガー、
19 層間絶縁膜、20 ソース電極、21 ゲートフィンガー、
22 カバー絶縁膜、22a シリコン窒化膜、22b PSG膜、
22c ステップ面、23 TiNiAg膜、23a 不要なTiNiAg膜、
25 レジストパターン、51 導電性接着剤、52 基板、
101 MOSFET、102 PSG膜、102a 第1PSG膜、
102b 第2PSG膜、102c 第3PSG膜、103 凹部、
104 レジストパターン、110 NSG膜、
A セル部、B ゲートフィンガー部、C ソースパッド部、G ゲートパッド部

Claims (11)

  1. 基板上にリフトオフ法を用いて金属膜パターンを形成するパターン形成方法であって、
    基板上にカバー絶縁膜を形成する工程と、
    前記カバー絶縁膜上に第1のレジストパターンを形成し、前記第1のレジストパターンをマスクとして、前記金属膜パターン形成領域を取り囲むよう前記カバー絶縁膜に凹部を形成する工程と、
    前記凹部内に入り込むよう、前記カバー絶縁膜上にリフトオフ層となる第2のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第2のレジストパターンをマスクとして、前記金属膜パターン形成領域の前記カバー絶縁膜に開口部を形成する工程と、
    前記第2のレジストパターンの上から前記基板表面に金属膜を成膜し、前記第2のレジストパターンとともに前記第2のレジストパターン上の前記金属膜を除去する工程と、を備えるパターン形成方法。
  2. 前記凹部を形成する工程では、前記カバー絶縁膜を等方性エッチングすることにより前記凹部を形成する請求項1に記載のパターン形成方法。
  3. 前記凹部を形成する工程では、前記カバー絶縁膜を等方性エッチングする前に、さらに異方性エッチングすることにより、前記凹部を形成する請求項2に記載のパターン形成方法。
  4. 前記カバー絶縁膜を形成する工程は、少なくともPSG膜を形成する工程を含む請求項1乃至3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
  5. 前記PSG膜を形成する工程は、所定のリン濃度を有する第1PSG膜を形成する工程と、前記第1PSG膜上に、前記第1PSG膜よりも低いリン濃度を有する第2PSG膜を形成する工程と、を含む請求項4に記載のパターン形成方法。
  6. 前記第2PSG膜の厚さを、前記第1PSG膜の厚さよりも薄く形成する請求項5に記載のパターン形成方法。
  7. 前記凹部を形成する工程では、前記第2PSG膜を貫通し、前記第1PSG膜の厚さの途中の深さまでの前記凹部を形成する請求項5又は6に記載のパターン形成方法。
  8. 前記カバー絶縁膜を形成する工程は、前記PSG膜の上にNSG膜を形成する工程をさらに含む請求項4乃至7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
  9. 前記凹部を形成する工程では、前記NSG膜を貫通し、前記PSG膜の厚さの途中の深さまでの前記凹部を形成する請求項8に記載のパターン形成方法。
  10. 前記第2のレジストパターンを除去する工程では、前記凹部内に入り込んだ前記第2のレジストパターンも除去する請求項1乃至9のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
  11. 請求項1乃至10のいずれか1項に記載のパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法であって、
    前記金属膜パターンが形成された前記基板と、別の基板とを導電性接着剤で接合する工程を備え、
    前記基板と前記別の基板とを接合する工程では、前記凹部に前記導電性接着剤が入り込むよう、前記導電性接着剤を塗布する半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2016105160A (ja) * 2014-11-25 2016-06-09 日東電工株式会社 光電気混載基板およびその製法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016084815A1 (ja) * 2014-11-25 2016-06-02 日東電工株式会社 光電気混載基板およびその製法
JP2016105160A (ja) * 2014-11-25 2016-06-09 日東電工株式会社 光電気混載基板およびその製法
CN107209324A (zh) * 2014-11-25 2017-09-26 日东电工株式会社 光电混合基板及其制法
US10295769B2 (en) 2014-11-25 2019-05-21 Nitto Denko Corporation Opto-electric hybrid board and method of manufacturing same

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