JP2011078296A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 直流の高電位を与える高電位端子と直流の低電位を与える低電位端子と該高電位と該低電位との中間の電位である中間電位を与える中間電位端子とを備えた直流三端子と、交流一端子との間に設けられ、複数のスイッチング素子と複数のダイオードとを備え、上記直流三端子が与える三電位を順次上記交流一端子に出現させて、上記直流三端子と上記交流一端子の間で電力を変換する電力変換回路において、
   上記複数のダイオードのうち、電力を変換する動作において、順方向電圧が印加されて順方向電流が流れた後に逆方向電圧が印加されることにより逆回復動作を行うダイオードをワイドバンドギャップ半導体のダイオードとし、逆回復動作を行わないダイオードの少なくとも一つをワイドバンドギャップ半導体以外のダイオードとしたことを特徴とする電力変換回路。
2. 高電位端子と交流一端子との間に、該高電位端子から順に、
   第一のスイッチング素子とこの第一のスイッチング素子と逆並列に接続された第一のダイオードとの第一の並列体、
   第二のスイッチング素子とこの第二のスイッチング素子と逆並列に接続された第二のダイオードとの第二の並列体、
   を直列に接続し、
   上記交流一端子と低電位端子との間に、該交流一端子から順に、
   第三のスイッチング素子とこの第三のスイッチング素子と逆並列に接続された第三のダイオードとの第三の並列体、
   第四のスイッチング素子とこの第四のスイッチング素子と逆並列に接続された第四のダイオードとの第四の並列体、
   を直列に接続し、
   上記第一の並列体と上記第二の並列体との接続点と中間電位端子との間に第五のダイオードを接続し、
   上記第三の並列体と上記第四の並列体との接続点と中間電位端子との間に第六のダイオードを接続し、
   上記第一乃至第六のダイオードのうち、電力を変換する動作において、順方向電圧が印加されて順方向電流が流れた後に逆方向電圧が印加されることにより逆回復動作を行うダイオードをワイドバンドギャップ半導体のダイオードとし、逆回復動作を行わないダイオー
   ドの少なくとも一つをワイドバンドギャップ半導体以外のダイオードとしたことを特徴とする請求項１に記載の電力変換回路。
3. 第一および第四のダイオードがワイドバンドギャップ半導体であり、第二と第三と第五と第六のダイオードがワイドバンドギャップ半導体以外の半導体であることを特徴とする請求項２に記載の電力変換回路。
4. 第一乃至第四のダイオードがワイドバンドギャップ半導体であり、第五および第六のダイオードがワイドバンドギャップ半導体以外の半導体であることを特徴とする請求項２に記載の電力変換回路。
5. 第五および第六のダイオードがワイドバンドギャップ半導体であり、第一乃至第四のダイオードがワイドバンドギャップ半導体以外の半導体であることを特徴とする請求項２に記載の電力変換回路。
6. 第一と第四と第五と第六のダイオードがワイドバンドギャップ半導体であり、第二および第三のダイオードはワイドバンドギャップ半導体以外の半導体であることを特徴とする請求項２に記載の電力変換回路。
7. 高電位端子と交流一端子との間に第一のスイッチング素子とこの第一のスイッチング素子に逆並列に接続された第一のダイオードとの第一の並列体を接続し、
   上記交流一端子と低電位端子との間に第二のスイッチング素子とこの第二のスイッチング素子に逆並列に接続された第二のダイオードとの第二の並列体を接続し、
   中間電位端子と上記交流一端子との間に、第三のスイッチング素子とこの第三のスイッチング素子に逆並列に接続された第三のダイオードとの第三の並列体と、第四のスイッチング素子とこの第四のスイッチング素子に逆並列に接続された第四のダイオードとの第四の並列体との直列体を接続し、
   上記第一乃至第四のダイオードのうち、電力を変換する動作において、順方向電圧が印加されて順方向電流が流れた後に逆方向電圧が印加されることにより逆回復動作を行うダイオードのみをワイドバンドギャップ半導体のダイオードとし、逆回復動作を行わないダイオードの少なくとも一つをワイドバンドギャップ半導体以外のダイオードとしたことを特徴とする請求項１に記載の電力変換回路。
8. 第一および第二のダイオードがワイドバンドギャップ半導体であり、第三および第四のダイオードがワイドバンドギャップ半導体以外の半導体であることを特徴とする請求項７に記載の電力変換回路。
9. 第三および第四のダイオードがワイドバンドギャップ半導体であり、第一および第二のダイオードがワイドバンドギャップ半導体以外の半導体であることを特徴とする請求項７に記載の電力変換回路。
10. 直流の高電位を与える高電位端子と直流の低電位を与える低電位端子と該高電位と該低電位との中間の電位である中間電位を与える中間電位端子とを備えた直流三端子と、交流一端子との間に設けられ、上記直流三端子と上記交流一端子の間で電力を変換する電力変換回路であって、
    上記高電位端子と上記交流一端子との間に第一のスイッチング素子とこの第一のスイッチング素子に逆並列に接続された第一のダイオードとの第一の並列体を接続し、
    上記交流一端子と低電位端子との間に第二のスイッチング素子とこの第二のスイッチング素子に逆並列に接続された第二のダイオードとの第二の並列体を接続し、
    上記中間電位端子と上記交流一端子との間に、第三のスイッチング素子とこの第三のスイ
    ッチング素子に逆並列に接続された第三のダイオードとの第三の並列体と、第四のスイッチング素子とこの第四のスイッチング素子に逆並列に接続された第四のダイオードとの第四の並列体との直列体を接続するとともに、上記第一乃至第四のダイオードをワイドバンドギャップ半導体としたことを特徴とする電力変換回路。
11. 第五および第六のダイオードの電流容量がスイッチング素子の電流容量よりも小さいことを特徴とする請求項５または６に記載の電力変換回路。
12. 第三および第四のダイオードの電流容量がスイッチング素子の電流容量よりも小さいことを特徴とする請求項９または１０に記載の電力変換回路。
13. スイッチング素子がワイドバンドギャップ半導体のスイッチング素子であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電力変換回路。