JP2012039866A5 - パワー半導体モジュール - Google Patents
パワー半導体モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012039866A5 JP2012039866A5 JP2011242453A JP2011242453A JP2012039866A5 JP 2012039866 A5 JP2012039866 A5 JP 2012039866A5 JP 2011242453 A JP2011242453 A JP 2011242453A JP 2011242453 A JP2011242453 A JP 2011242453A JP 2012039866 A5 JP2012039866 A5 JP 2012039866A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mos switching
- switching element
- gate
- drain
- mos
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (4)
- ダイオード素子とＭＯＳ型スイッチング素子とが逆並列に接続された第１の素子対と、
ダイオード素子とＭＯＳ型スイッチング素子とが逆並列に接続された第２の素子対と、
を有し、
前記第１、第２の素子対は、１つのモジュール内に収容されて２ｉｎ１モジュールとして構成されると共に、これら第１、第２の素子対同士の接続を可能とする外部電極端子を有して構成され、
前記各素子対を構成するＭＯＳ型スイッチング素子のそれぞれのゲート端とソース端との間には、抵抗が接続され、
前記各素子対を構成するＭＯＳ型スイッチング素子のそれぞれのゲート端とドレイン端との間には、前記ＭＯＳ型スイッチング素子のゲート−ドレイン間電圧を前記ＭＯＳ型スイッチング素子の耐圧以下にクランプする過電圧クランプ素子と、ドレイン端からゲート端の向きに順接続された一方向性導通素子との直列回路がそれぞれ接続され、
前記第２の素子対のＭＯＳ型スイッチング素子のゲート端には、前記ＭＯＳ型スイッチング素子のゲート電位を前記ＭＯＳ型スイッチング素子の直流電源の電位に固定する第１の電圧固定用素子が接続され、かつ、ゲート端とドレイン端との間には、前記ＭＯＳ型スイッチング素子のドレイン電位を前記直流電源の電位に固定する第２の電圧固定用素子が接続される
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 前記ダイオード素子および前記ＭＯＳ型スイッチング素子のうちの少なくとも一方が、ワイドバンドギャップ半導体であることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記ダイオード素子がショットキーダイオードであることを特徴とする請求項２に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料または、ダイヤモンドを用いた半導体であることを特徴とする請求項２または３に記載のパワー半導体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011242453A JP5289536B2 (ja) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | パワー半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011242453A JP5289536B2 (ja) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | パワー半導体モジュール |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011526741A Division JP4902029B1 (ja) | 2010-07-01 | 2010-07-01 | パワー半導体モジュール |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012039866A JP2012039866A (ja) | 2012-02-23 |
| JP2012039866A5 true JP2012039866A5 (ja) | 2012-12-20 |
| JP5289536B2 JP5289536B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=45851195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011242453A Expired - Fee Related JP5289536B2 (ja) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | パワー半導体モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5289536B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5529347B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2014-06-25 | 三菱電機株式会社 | ３レベル電力変換装置 |
| EP2884651B1 (en) | 2012-08-10 | 2021-07-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Three-level power conversion device |
| BR112015002722A2 (pt) * | 2012-08-10 | 2017-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | conversor de potência de três níveis e módulo de potência de elemento duplo |
| JP5950800B2 (ja) * | 2012-11-21 | 2016-07-13 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
| US9774241B2 (en) | 2013-09-10 | 2017-09-26 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Power conversion circuit and device |
| DE112014006826T5 (de) * | 2014-07-18 | 2017-03-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Fahrzeughilfsleistungsversorgungsvorrichtung |
| US9839146B2 (en) * | 2015-10-20 | 2017-12-05 | Cree, Inc. | High voltage power module |
| JP6359137B2 (ja) * | 2017-03-01 | 2018-07-18 | 三菱電機株式会社 | 車両用補助電源装置 |
| DE102018214579A1 (de) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | Robert Bosch Gmbh | Stromrichter mit Klammerdiode |
| CN117706317A (zh) * | 2024-02-06 | 2024-03-15 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 热阻测试方法和热阻测试电路 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6140039U (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-13 | オリジン電気株式会社 | 制御極付半導体素子の縦続回路 |
| JPH01321723A (ja) * | 1988-06-23 | 1989-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | Ｆｅｔ直列回路 |
| JP4244318B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2009-03-25 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
| JP4513770B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2010-07-28 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置 |
| CN102067309B (zh) * | 2008-07-10 | 2013-08-28 | 三菱电机株式会社 | 电力用半导体模块 |
| JP4902029B1 (ja) * | 2010-07-01 | 2012-03-21 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
-
2011
- 2011-11-04 JP JP2011242453A patent/JP5289536B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012039866A5 (ja) | パワー半導体モジュール | |
| JP2011078296A5 (ja) | ||
| WO2013006703A3 (en) | Power mosfet with integrated gate resistor and diode-connected mosfet | |
| JP2013238872A5 (ja) | ||
| JP2010267833A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2017537584A5 (ja) | ||
| JP2016529698A5 (ja) | ||
| JP5756911B2 (ja) | 半導体装置およびこれを用いた半導体リレー | |
| EP3876290A3 (en) | Semiconductor devices | |
| JP2014512765A5 (ja) | ||
| JP2008161044A5 (ja) | ||
| JP2011191754A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011078296A (ja) | 電力変換回路 | |
| JP2016533157A5 (ja) | ソリッドステート故障電流限流デバイス、故障電流を制限する方法及びシステム | |
| JP2012239167A5 (ja) | ||
| JP2010088191A5 (ja) | ||
| JP2013214958A5 (ja) | ||
| JP2013009368A5 (ja) | ||
| JP6550972B2 (ja) | インバータ回路及び電力変換装置 | |
| JP2010118650A5 (ja) | 半導体装置 | |
| EP4181184A3 (en) | Silicon carbide power module | |
| JP2015042079A (ja) | ダイオード回路およびｄｃ−ｄｃコンバータ | |
| JP2011008514A5 (ja) | ||
| JP6584783B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011014719A5 (ja) |