JP2010118650A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- 第1のダイオードと、第2のダイオードと、を有し、
前記第1のダイオードの出力は、前記第2のダイオードの入力と電気的に接続されており、
前記第2のダイオードの入力は、前記第2のダイオードの出力と電気的に接続されており、
前記第1のダイオードは、電流が流れる方向と垂直な方向に第1の長さを有し、
前記第2のダイオードは、電流が流れる方向と垂直な方向に第2の長さを有し、
前記第2の長さは、前記第1の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
第3のダイオードを有し、
前記第2のダイオードの出力は、前記第3のダイオードの入力と電気的に接続されており、
前記第3のダイオードの入力は、前記第3のダイオードの出力と電気的に接続されており、
前記第3のダイオードは、電流が流れる方向と垂直な方向に第3の長さを有し、
前記第3の長さは、前記第1の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
配線を有し、
前記第2のダイオードの入力は、前記配線と直接接続されており、
前記第2のダイオードの出力は、前記配線と直接接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
スイッチング素子を有し、
前記第2のダイオードの入力は、前記スイッチング素子を介して、前記第2のダイオードの出力と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
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