JP2010118650A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. 第１のダイオードと、第２のダイオードと、を有し、
    前記第１のダイオードの出力は、前記第２のダイオードの入力と電気的に接続されており、
    前記第２のダイオードの入力は、前記第２のダイオードの出力と電気的に接続されており、
    前記第１のダイオードは、電流が流れる方向と垂直な方向に第１の長さを有し、
    前記第２のダイオードは、電流が流れる方向と垂直な方向に第２の長さを有し、
    前記第２の長さは、前記第１の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１において、
    第３のダイオードを有し、
    前記第２のダイオードの出力は、前記第３のダイオードの入力と電気的に接続されており、
    前記第３のダイオードの入力は、前記第３のダイオードの出力と電気的に接続されており、
    前記第３のダイオードは、電流が流れる方向と垂直な方向に第３の長さを有し、
    前記第３の長さは、前記第１の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    配線を有し、
    前記第２のダイオードの入力は、前記配線と直接接続されており、
    前記第２のダイオードの出力は、前記配線と直接接続されていることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１又は請求項２において、
    スイッチング素子を有し、
    前記第２のダイオードの入力は、前記スイッチング素子を介して、前記第２のダイオードの出力と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010035608A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011052410A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
JP5780168B2 (ja) * 2012-01-30 2015-09-16 ブラザー工業株式会社 インクジェットヘッドユニットの噴射調整方法、及び、インクジェットヘッドユニットの製造方法
KR102041625B1 (ko) * 2012-12-13 2019-11-06 주식회사 두산 반도체 패키지 및 이의 제조방법
CN109193135A (zh) * 2013-06-27 2019-01-11 佳邦科技股份有限公司 天线结构
FR3023434B1 (fr) * 2014-07-02 2017-10-13 Stmicroelectronics Rousset Limiteur de tension et de puissance pour transpondeur electromagnetique
KR102027545B1 (ko) * 2017-01-20 2019-10-01 한국과학기술원 직렬 연결된 pin 다이오드를 포함하는 메모리 소자 및 그의 제조 방법
GB2591498B (en) * 2020-01-30 2022-02-09 Pragmatic Printing Ltd A method of connecting circuit elements
CN115866936B (zh) * 2023-03-01 2023-05-30 四川斯艾普电子科技有限公司 一种采用厚薄膜工艺实现多层电路板的方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60219703A (ja) 1984-04-16 1985-11-02 日本電気株式会社 梯子形抵抗体パタ−ン
JPH01217611A (ja) * 1988-02-26 1989-08-31 Sharp Corp 定電圧発生回路
JPH06295591A (ja) 1993-04-06 1994-10-21 Citizen Watch Co Ltd 半導体集積回路装置
JPH0778939A (ja) * 1993-09-07 1995-03-20 Fujitsu Ltd 電気回路装置と電気回路調整方法
KR0172346B1 (ko) 1995-12-20 1999-03-30 김광호 반도체 장치의 전압클램프회로
JP2002231889A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Sony Corp バイアス発生装置
JP4348961B2 (ja) 2003-02-12 2009-10-21 株式会社デンソー 誘導性負荷駆動用ｉｃ
JP4412922B2 (ja) * 2003-06-27 2010-02-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2005093579A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Toshiba Corp 半導体装置
JP2005128002A (ja) * 2003-10-01 2005-05-19 Olympus Corp エンコーダ
JP2006049711A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Seiko Instruments Inc 半導体装置
JP4478980B2 (ja) * 2004-10-05 2010-06-09 エルピーダメモリ株式会社 ヒューズ回路及びそれを利用した半導体装置
JP2007005778A (ja) 2005-05-27 2007-01-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US7923796B2 (en) 2005-05-27 2011-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including resonance circuit
US7910993B2 (en) * 2005-07-11 2011-03-22 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink
JP2007048183A (ja) 2005-08-12 2007-02-22 Dainippon Printing Co Ltd 非接触ｉｃタグラベル
US7436044B2 (en) * 2006-01-04 2008-10-14 International Business Machines Corporation Electrical fuses comprising thin film transistors (TFTS), and methods for programming same
WO2010035608A1 (en) 2008-09-25 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2010035626A1 (en) 2008-09-29 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

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