JP6584783B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
<フルブリッジ回路の構成>
本実施の形態1では、例えば、インバータやDC−DCコンバータなどに使用されるスイッチング電源に着目し、特に、フルブリッジ回路やハーフブリッジ回路から構成されるスイッチング電源について説明する。以下では、本実施の形態1における技術的思想をフルブリッジ回路に適用する例について説明するが、これに限らず、本実施の形態1における技術的思想は、ハーフブリッジ回路にも適用可能である。フルブリッジ回路やハーフブリッジ回路は、例えば、直流から交流を生成する回路(インバータ回路)に使用される。
次に、本実施の形態1におけるフルブリッジ回路の簡単な動作について説明する。図1において、直流電源EからノードAとノードBとの間に交流電圧を発生させるために、交流電圧の正電圧成分を生成する動作モードと交流電圧の負電圧成分を生成する動作モードが存在する。ここでは、例えば、交流電圧の正電圧成分を発生させる動作モードについて簡単に説明する。図1において、交流電圧の正電圧成分を発生させる動作モードは、パワートランジスタQ1をオン固定し、かつ、パワートランジスタQ2およびパワートランジスタQ3をオフ固定した状態で、パワートランジスタQ4のオン/オフを切り替え制御する(PWM制御)。このPWM制御により、ノードAとノードBとの間に交流電圧の正電圧成分を発生させることができる。具体的に、この動作モードでは、PWM制御により、パワートランジスタQ4がオンし、かつ、パワートランジスタQ3がオフしている状態では、オン固定されているパワートランジスタQ1→ノードA→インダクタL→ノードB→パワートランジスタQ4の経路で電流I1が流れる。次に、パワートランジスタQ4をオフする。このとき、電流I1は流れなくなるが、インダクタLに存在するインダクタンスの働きによって、ノードAからノードBの向き(電流I1の流れる向き)に電流を流し続けようとする。この場合、ノードBからオフしているパワートランジスタQ4へは電流を流すことができないため、オフしているパワートランジスタQ3と逆並列に接続されているダイオードD3に電流が流れる。すなわち、パワートランジスタQ3とパワートランジスタQ4の両方がオフしている場合、オン固定されているパワートランジスタQ1→ノードA→インダクタL→ノードB→ダイオードD3の経路で電流I2が流れる。したがって、本実施の形態1におけるフルブリッジ回路において、交流電圧の正電圧成分を発生させる動作モードでは、パワートランジスタQ4を電流I1が流れる状態と、ダイオードD3を電流I2が流れる状態とが交互に発生することがわかる。すなわち、本実施の形態1におけるフルブリッジ回路では、例えば、上アーム(ハイサイド側)のダイオードD3と下アーム(ローサイド側)のパワートランジスタQ4との間で、スイッチング時における電流の転流が生じるのである。
図2は、本実施の形態1におけるフルブリッジ回路FBを示す回路図である。図2に示すように、本実施の形態1におけるフルブリッジ回路FBは、ハーフブリッジ回路HB1とハーフブリッジ回路HB2とから構成されている。そして、ハーフブリッジ回路HB1は、単位ユニットU1と単位ユニットU2から構成され、ハーフブリッジ回路HB2は、単位ユニットU3と単位ユニットU4から構成されている。
図3は、本実施の形態1における半導体チップCHP(FB)のレイアウト構成例を示す平面図である。図3において、本実施の形態1における半導体チップCHP(FB)は、例えば、矩形形状をしており、半導体チップCHP(FB)の内部に、フルブリッジ回路の構成要素となる回路素子が形成されている。
例えば、上述したように、半導体チップCHP(FB)には、フルブリッジ回路の構成要素となるパワートランジスタQ1〜Q4とダイオードD1〜D4とを形成することができる。ただし、フルブリッジ回路が2つのハーフブリッジ回路から構成されていることを考慮すると、半導体チップに、最小単位である1つのハーフブリッジ回路の構成要素を形成することも考えられる。そこで、以下では、1つのハーフブリッジ回路の構成要素が形成された半導体チップCHP(HB)を取り上げて、半導体チップCHP(HB)のレイアウト構成の詳細について説明する。
次に、本実施の形態1における半導体チップCHP(HB)の実装構成例について、図面を参照しながら説明する。
続いて、本実施の形態1における特徴点について説明する。本実施の形態1における第1特徴点は、例えば、図4に示すように、パワートランジスタQ3のソースおよびダイオードD4のカソードとして機能し、かつ、パワートランジスタQ4のドレインおよびダイオードD3のアノードとして機能する配線L5を設けている点にある。すなわち、本実施の形態1における第1特徴点は、パワートランジスタと、このパワートランジスタと直列接続されたダイオードとを同一の半導体チップに形成し、かつ、パワートランジスタのドレインとして機能する配線とダイオードのアノードとして機能する配線とを共有化している点にある。これにより、本実施の形態1によれば、互いに直列接続されたパワートランジスタとダイオードとの間の寄生インダクタンスを低減することができる。この結果、本実施の形態1によれば、スイッチング時における電流の転流が生じる際において、互いに直列接続されたパワートランジスタとダイオードとの間の寄生インダクタンスに起因するスイッチング波形のリンギングを抑制することができる。これにより、本実施の形態1によれば、高速スイッチング動作による性能向上を図ることができる。
ワイヤW4〜W6の多点ボンディングにより、ワイヤW4〜W6に起因する寄生インダクタンスも低減することができる。この結果、本実施の形態1における第2特徴点によれば、半導体装置全体の配線抵抗および配線インダクタンスを効果的に抑制することができ、これによって、半導体装置の性能向上を図ることができる。
続いて、本実施の形態1における半導体チップCHP(HB)のデバイス構造について説明する。具体的には、まず、半導体チップCHP(HB)に形成されているパワートランジスタ(パワートランジスタQ3およびパワートランジスタQ4)のデバイス構造について説明し、その後、ダイオード(ダイオードD3およびダイオードD4)のデバイス構造について説明する。
次に、本実施の形態1におけるデバイス構造上の特徴点について説明する。本実施の形態1における第1特徴点は、パワートランジスタとして、「縦型パワートランジスタ」ではなく、「横型パワートランジスタ」を採用している点にある。これにより、例えば、図4に示す本実施の形態1におけるレイアウト上の特徴点を実現することができる。
次に、本実施の形態1における半導体チップCHP(HB)の実装構成の変形例について、図面を参照しながら説明する。図9は、本変形例における半導体チップCHP(HB)の実装構成を示す平面図である。図9に示すように、本変形例において、配線L4〜配線L6は、表面保護膜PASから露出しながら、互いに離間して、それぞれx方向に延在している。そして、配線L4上から表面保護膜PAS上にわたって配置されながらx方向に延在し、かつ、配線L4と電気的に接続されたアルミニウムリボンAR4(第1導電性部材)が形成されている。また、配線L5上から表面保護膜PAS上にわたって配置されながらx方向に延在し、かつ、配線L5と電気的に接続されたアルミニウムリボンAR5(第2導電性部材)が形成されている。同様に、配線L6上から表面保護膜PAS上にわたって配置されながらx方向に延在し、かつ、配線L6と電気的に接続されたアルミニウムリボンAR6(第3導電性部材)が形成されている。
続いて、本実施の形態2における半導体装置の構成について、図面を参照しながら説明する。図11は、本実施の形態2における半導体チップCHP1のレイアウト構成例を示す平面図である。図11に示す本実施の形態2における半導体チップCHP1には、例えば、図2に示す単位ユニットU1の構成要素が形成されている。具体的に、図11に示すように、本実施の形態2における半導体チップCHP1には、ゲート電極GE1を有するパワートランジスタQ1とダイオードD2とがx方向に並ぶように配置されている。そして、平面視において、パワートランジスタQ1を挟むように、配線WL1と配線WL2とが形成されており、配線WL1および配線WL2のそれぞれは、y方向に延在している。また、平面視において、ダイオードD2を挟むように、配線WL2と配線WL3とが形成されており、配線WL2および配線WL3のそれぞれは、y方向に延在している。
D1 ダイオード
D2 ダイオード
D3 ダイオード
D4 ダイオード
GE3 ゲート電極
GE4 ゲート電極
L4 配線
L5 配線
L6 配線
Q1 パワートランジスタ
Q2 パワートランジスタ
Q3 パワートランジスタ
Q4 パワートランジスタ
Claims (10)
- 第1パワートランジスタと、
前記第1パワートランジスタと逆並列接続された第1ダイオードと、
前記第1パワートランジスタと直列接続された第2ダイオードと、
前記第1ダイオードと直列接続され、かつ、前記第2ダイオードと逆並列接続された第2パワートランジスタと、
が形成された半導体チップを備え、
前記第1パワートランジスタは、
平面視において、互いに離間して配置された第1ドレインおよび第1ソースと、
前記第1ドレインと前記第1ソースとの間を流れる電流のオン/オフを制御する第1ゲート電極と、
を有し、
前記第2パワートランジスタは、
平面視において、互いに離間して配置された第2ドレインおよび第2ソースと、
前記第2ドレインと前記第2ソースとの間を流れる電流のオン/オフを制御する第2ゲート電極と、
を有し、
前記第1ダイオードは、
前記第1ドレインと電気的に接続された第1カソードと、
前記第1ソースおよび前記第2ドレインと電気的に接続された第1アノードと、
を有し、
前記第2ダイオードは、
前記第1ソースおよび前記第2ドレインと電気的に接続された第2カソードと、
前記第2ソースと電気的に接続された第2アノードと、
を有し、
前記半導体チップは、
前記第1パワートランジスタの前記第1ドレインおよび前記第1ダイオードの前記第1カソードとして機能する第1配線と、
前記第1パワートランジスタの前記第1ソースおよび前記第2ダイオードの前記第2カソードとして機能し、かつ、前記第2パワートランジスタの前記第2ドレインおよび前記第1ダイオードの前記第1アノードとして機能する第2配線と、
前記第2パワートランジスタの前記第2ソースおよび前記第2ダイオードの前記第2アノードとして機能する第3配線と、
を有し、
前記第1パワートランジスタと前記第1ダイオードとは、第1方向に並んで配置され、
前記第2ダイオードと前記第2パワートランジスタとは、前記第1方向に並んで配置され、
前記第1パワートランジスタと前記第2ダイオードとは、前記第1方向と交差する第2方向に並んで配置され、
前記第1ダイオードと前記第2パワートランジスタとは、前記第2方向に並んで配置され、
前記第1配線乃至前記第3配線は、互いに離間して、それぞれ前記第1方向に延在している、半導体装置。 - 第1パワートランジスタと、
前記第1パワートランジスタと逆並列接続された第1ダイオードと、
前記第1パワートランジスタと直列接続された第2ダイオードと、
前記第1ダイオードと直列接続され、かつ、前記第2ダイオードと逆並列接続された第2パワートランジスタと、
が形成された半導体チップを備え、
前記第1パワートランジスタは、
平面視において、互いに離間して配置された第1ドレインおよび第1ソースと、
前記第1ドレインと前記第1ソースとの間を流れる電流のオン/オフを制御する第1ゲート電極と、
を有し、
前記第2パワートランジスタは、
平面視において、互いに離間して配置された第2ドレインおよび第2ソースと、
前記第2ドレインと前記第2ソースとの間を流れる電流のオン/オフを制御する第2ゲート電極と、
を有し、
前記第1ダイオードは、
前記第1ドレインと電気的に接続された第1カソードと、
前記第1ソースおよび前記第2ドレインと電気的に接続された第1アノードと、
を有し、
前記第2ダイオードは、
前記第1ソースおよび前記第2ドレインと電気的に接続された第2カソードと、
前記第2ソースと電気的に接続された第2アノードと、
を有し、
前記半導体チップは、
前記第1パワートランジスタの前記第1ドレインおよび前記第1ダイオードの前記第1カソードとして機能する第1配線と、
前記第1パワートランジスタの前記第1ソースおよび前記第2ダイオードの前記第2カソードとして機能し、かつ、前記第2パワートランジスタの前記第2ドレインおよび前記第1ダイオードの前記第1アノードとして機能する第2配線と、
前記第2パワートランジスタの前記第2ソースおよび前記第2ダイオードの前記第2アノードとして機能する第3配線と、
を有し、
前記第1配線乃至前記第3配線は、互いに離間して、それぞれ第1方向に延在し、
前記第1パワートランジスタおよび前記第2パワートランジスタのそれぞれは、互いに並列接続された複数の単位トランジスタから構成され、
前記複数の単位トランジスタのそれぞれは、平面視において、互いに離間して前記第1方向と交差する第2方向に延在するドレイン電極およびソース電極を含み、
前記第1パワートランジスタを構成する複数の単位トランジスタのそれぞれのドレイン電極は、前記第1ドレインとして機能する前記第1配線と電気的に接続され、
前記第1パワートランジスタを構成する複数の単位トランジスタのそれぞれのソース電極は、前記第1ソースとして機能する前記第2配線と電気的に接続され、
前記第2パワートランジスタを構成する複数の単位トランジスタのそれぞれのドレイン電極は、前記第2ドレインとして機能する前記第2配線と電気的に接続され、
前記第2パワートランジスタを構成する複数の単位トランジスタのそれぞれのソース電極は、前記第2ソースとして機能する前記第3配線と電気的に接続されている、半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記半導体チップは、電子走行層と前記電子走行層上に形成された電子供給層とを含み、
前記電子走行層と前記電子供給層との界面に井戸型ポテンシャルが形成され、
前記複数の単位トランジスタのそれぞれの前記ドレイン電極および前記ソース電極は、前記電子供給層上に、互いに離間して形成されている、半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記電子走行層および前記電子供給層は、窒化物半導体層から形成されている、半導体装置。 - 第1パワートランジスタと、
前記第1パワートランジスタと逆並列接続された第1ダイオードと、
前記第1パワートランジスタと直列接続された第2ダイオードと、
前記第1ダイオードと直列接続され、かつ、前記第2ダイオードと逆並列接続された第2パワートランジスタと、
が形成された半導体チップを備え、
前記第1パワートランジスタは、
平面視において、互いに離間して配置された第1ドレインおよび第1ソースと、
前記第1ドレインと前記第1ソースとの間を流れる電流のオン/オフを制御する第1ゲート電極と、
を有し、
前記第2パワートランジスタは、
平面視において、互いに離間して配置された第2ドレインおよび第2ソースと、
前記第2ドレインと前記第2ソースとの間を流れる電流のオン/オフを制御する第2ゲート電極と、
を有し、
前記第1ダイオードは、
前記第1ドレインと電気的に接続された第1カソードと、
前記第1ソースおよび前記第2ドレインと電気的に接続された第1アノードと、
を有し、
前記第2ダイオードは、
前記第1ソースおよび前記第2ドレインと電気的に接続された第2カソードと、
前記第2ソースと電気的に接続された第2アノードと、
を有し、
前記半導体チップは、
前記第1パワートランジスタの前記第1ドレインおよび前記第1ダイオードの前記第1カソードとして機能する第1配線と、
前記第1パワートランジスタの前記第1ソースおよび前記第2ダイオードの前記第2カソードとして機能し、かつ、前記第2パワートランジスタの前記第2ドレインおよび前記第1ダイオードの前記第1アノードとして機能する第2配線と、
前記第2パワートランジスタの前記第2ソースおよび前記第2ダイオードの前記第2アノードとして機能する第3配線と、
を有し、
前記第1配線乃至前記第3配線は、互いに離間して、それぞれ第1方向に延在し、
前記第1ダイオードおよび前記第2ダイオードのそれぞれは、互いに並列接続された複数の単位ダイオードから構成され、
前記複数の単位ダイオードのそれぞれは、平面視において、互いに離間して前記第1方向と交差する第2方向に延在するアノード電極およびカソード電極からなり、
前記第1ダイオードを構成する複数の単位ダイオードのそれぞれのカソード電極は、前記第1カソードとして機能する前記第1配線と電気的に接続され、
前記第1ダイオードを構成する複数の単位ダイオードのそれぞれのアノード電極は、前記第1アノードとして機能する前記第2配線と電気的に接続され、
前記第2ダイオードを構成する複数の単位ダイオードのそれぞれのカソード電極は、前記第2カソードとして機能する前記第2配線と電気的に接続され、
前記第2ダイオードを構成する複数の単位ダイオードのそれぞれのアノード電極は、前記第2アノードとして機能する前記第3配線と電気的に接続されている、半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
前記半導体チップは、電子走行層と前記電子走行層上に形成された電子供給層とを含み、
前記電子走行層と前記電子供給層との界面に井戸型ポテンシャルが形成され、
前記複数の単位ダイオードのそれぞれの前記アノード電極および前記カソード電極は、前記電子供給層上に、互いに離間して形成され、
前記電子走行層と前記電子供給層のいずれともショットキー接合するショットキー接合部が形成されている、半導体装置。 - 第1パワートランジスタと、
前記第1パワートランジスタと逆並列接続された第1ダイオードと、
前記第1パワートランジスタと直列接続された第2ダイオードと、
前記第1ダイオードと直列接続され、かつ、前記第2ダイオードと逆並列接続された第2パワートランジスタと、
が形成された半導体チップを備え、
前記第1パワートランジスタは、
平面視において、互いに離間して配置された第1ドレインおよび第1ソースと、
前記第1ドレインと前記第1ソースとの間を流れる電流のオン/オフを制御する第1ゲート電極と、
を有し、
前記第2パワートランジスタは、
平面視において、互いに離間して配置された第2ドレインおよび第2ソースと、
前記第2ドレインと前記第2ソースとの間を流れる電流のオン/オフを制御する第2ゲート電極と、
を有し、
前記第1ダイオードは、
前記第1ドレインと電気的に接続された第1カソードと、
前記第1ソースおよび前記第2ドレインと電気的に接続された第1アノードと、
を有し、
前記第2ダイオードは、
前記第1ソースおよび前記第2ドレインと電気的に接続された第2カソードと、
前記第2ソースと電気的に接続された第2アノードと、
を有し、
前記半導体チップは、
前記第1パワートランジスタの前記第1ドレインおよび前記第1ダイオードの前記第1カソードとして機能する第1配線と、
前記第1パワートランジスタの前記第1ソースおよび前記第2ダイオードの前記第2カソードとして機能し、かつ、前記第2パワートランジスタの前記第2ドレインおよび前記第1ダイオードの前記第1アノードとして機能する第2配線と、
前記第2パワートランジスタの前記第2ソースおよび前記第2ダイオードの前記第2アノードとして機能する第3配線と、
を有し、
前記第1配線乃至前記第3配線は、絶縁膜から露出しながら、互いに離間して、それぞれ第1方向に延在し、
前記第1配線上から前記絶縁膜上にわたって配置されながら前記第1方向に延在し、かつ、前記第1配線と電気的に接続された第1導電性部材と、
前記第2配線上から前記絶縁膜上にわたって配置されながら前記第1方向に延在し、かつ、前記第2配線と電気的に接続された第2導電性部材と、
前記第3配線上から前記絶縁膜上にわたって配置されながら前記第1方向に延在し、かつ、前記第3配線と電気的に接続された第3導電性部材と、
を有する、半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置において、
前記第1導電性部材は、前記第1配線に対して多点ボンディングされ、
前記第2導電性部材は、前記第2配線に対して多点ボンディングされ、
前記第3導電性部材は、前記第3配線に対して多点ボンディングされている、半導体装置。 - 基板と、
前記基板の表面に搭載された第1半導体チップと、
前記基板の前記表面とは反対側の裏面に搭載された第2半導体チップと、
を備え、
前記第1半導体チップには、
第1パワートランジスタと、
前記第1パワートランジスタと直列接続された第2ダイオードと、
が形成され、
前記第2半導体チップには、
第2パワートランジスタと、
前記第2パワートランジスタと直列接続された第1ダイオードと、
が形成され、
前記第1パワートランジスタは、
平面視において、互いに離間して配置された第1ドレインおよび第1ソースと、
前記第1ドレインと前記第1ソースとの間を流れる電流のオン/オフを制御する第1ゲート電極と、
を有し、
前記第2パワートランジスタは、
平面視において、互いに離間して配置された第2ドレインおよび第2ソースと、
前記第2ドレインと前記第2ソースとの間を流れる電流のオン/オフを制御する第2ゲート電極と、
を有し、
前記第1ダイオードは、
前記第1ドレインと電気的に接続された第1カソードと、
前記第1ソースおよび前記第2ドレインと電気的に接続された第1アノードと、
を有し、
前記第2ダイオードは、
前記第1ソースおよび前記第2ドレインと電気的に接続された第2カソードと、
前記第2ソースと電気的に接続された第2アノードと、
を有する、半導体装置であって、
前記第1半導体チップは、
前記第1パワートランジスタの前記第1ドレインとして機能する第1配線と、
前記第1パワートランジスタの前記第1ソースおよび前記第2ダイオードの前記第2カソードとして機能する第2配線と、
前記第2ダイオードの前記第2アノードとして機能する第3配線と、
を有し、
前記第2半導体チップは、
前記第1ダイオードの前記第1カソードとして機能する第4配線と、
前記第1ダイオードの前記第1アノードおよび前記第2パワートランジスタの前記第2ドレインとして機能する第5配線と、
前記第2パワートランジスタの前記第2ソースとして機能する第6配線と、
を有し、
前記第1配線と前記第4配線とは、前記基板を貫通する第1貫通電極で電気的に接続され、
前記第2配線と前記第5配線とは、前記基板を貫通する第2貫通電極で電気的に接続され、
前記第3配線と前記第6配線とは、前記基板を貫通する第3貫通電極で電気的に接続されている、半導体装置。 - 請求項9に記載の半導体装置において、
前記第1半導体チップに形成されている前記第1パワートランジスタと前記第2ダイオードとは、第1方向に並んで配置され、
前記第2半導体チップに形成されている前記第1ダイオードと前記第2パワートランジスタとは、前記第1方向に並んで配置され、
前記第1半導体チップに形成されている前記第1配線乃至前記第3配線は、それぞれ前記第1方向と交差する第2方向に延在し、
前記第2半導体チップに形成されている前記第4配線乃至前記第6配線は、それぞれ前記第2方向に延在している、半導体装置。
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