JPWO2013099053A1 - マルチレベルインバータ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1実施形態に係るマルチレベルインバータ装置について説明する。図1は、第1実施形態に係る3レベルのマルチレベルインバータ装置1の回路構成を示す。このマルチレベルインバータ装置1は、直流電源2の高電圧側端子と低電圧側端子の間に第1スイッチ素子21及び第2スイッチ素子22の直列回路が接続されている。さらに、第1スイッチ素子21及び第2スイッチ素子22の直列回路には、2つのコンデンサ11及び12の直列回路が並列接続されている。これら直列接続された2つのコンデンサ11と12の接続点からは、直流電源2の中間の電圧が発生される。第1スイッチ素子21及び第2スイッチ素子22として、例えばFET(Field Effect Transistor)やIGBTなどが用いられる。また、コンデンサ11と12の接続点P1と第1スイッチ素子21及び第2スイッチ素子22の接続点P2の間には、単一の双方向スイッチ素子100が接続されている。第1スイッチ素子21及び第2スイッチ素子22の接続点P2には、インダクタ31及びコンデンサ32などで構成されたフィルタ回路が接続されており、このフィルタ回路から交流電力が出力される。制御部50は、各スイッチ素子21、22及び100に対してゲート駆動信号G21、G22、G100を出力する。
本発明の第2実施形態に係るマルチレベルインバータ装置について説明する。図11は、第2実施形態に係る5レベルのマルチレベルインバータ装置10の回路構成を示す。このマルチレベルインバータ装置10は、直流電源2の高電圧側端子と低電圧側端子の間に2つのコンデンサ11及び12の直列回路が接続され、さらにコンデンサ11及び12の直列回路と並列に、2組の第1スイッチ素子21A及び第2スイッチ素子22Aの直列回路と第3スイッチ素子21B及び第4スイッチ素子22Bの直列回路が接続されている。これらスイッチ素子21A、22A、21B、22Bとして、例えばFETやIGBTなどが用いられる。また、コンデンサ11と12の接続点P1Aと第1スイッチ素子21A及び第2スイッチ素子22Aの接続点P2Aの間には、第1双方向スイッチ素子100Aが接続されている。同様に、コンデンサ11と12の接続点P1Bと第3スイッチ素子21B及び第4スイッチ素子22Bの接続点P2Bの間には、第2双方向スイッチ素子100Bが接続されている。第1双方向スイッチ素子100A及び第2双方向スイッチ素子100Bは、同じ構成を有していることが好ましく、上記GaN/AlGaNを用いた横型トランジスタ構造を有する双方向スイッチ素子のうち、シングルゲート型及びデュアルゲート型のいずれの素子であってもよい。
2 直流電源
11、12 コンデンサ
21、21A 第1スイッチ素子
21B 第3スイッチ素子
22、22A 第2スイッチ素子
22B 第4スイッチ素子
31、31A、31B インダクタ
32 コンデンサ
100 双方向スイッチ
100A 第1双方向スイッチ
100B 第2双方向スイッチ
Claims (9)
- 直流電源の高電圧側端子と低電圧側端子の間に接続された第1スイッチ素子及び第2スイッチ素子の直列回路と、
前記直流電源の中間の電圧を発生させるために、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子に並列接続され、2つのコンデンサの直列回路と、
前記2つのコンデンサの接続点と前記第1スイッチ素子と前記第2スイッチ素子の接続点の間に接続された単一の双方向スイッチ素子と、
前記第1スイッチ素子、前記第2スイッチ素子及び前記双方向スイッチ素子に対してゲート駆動信号を出力する制御部を備え、
前記双方向スイッチ素子は、GaN/AlGaNを用いた横型トランジスタ構造を有することを特徴とするマルチレベルインバータ装置。 - 前記双方向スイッチ素子は、GaN層と、前記GaN層の上に積層されたAlGaN層で構成され、前記AlGaN層の表面には、2つのドレイン電極と、前記2つのドレイン電極の間に位置するゲート電極が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のマルチレベルインバータ装置。
- 前記双方向スイッチ素子は、
前記2つのドレイン電極の間に2つのゲート電極が形成されており、
前記2つのゲートにそれぞれゲート駆動信号が入力されることにより前記2つのドレイン電極の間が導通し、
前記2つのゲートのいずれにもゲート駆動信号が入力されないことにより前記2つのドレイン電極の間が非導通となり、
前記2つのゲートのいずれか一方にのみゲート駆動信号が入力されることによりダイオードとして機能することを特徴とする請求項2に記載のマルチレベルインバータ装置。 - 前記制御部は、前記双方向スイッチ素子に出力するゲート駆動信号と前記第1スイッチ素子又は前記第2スイッチ素子に対して出力するゲート駆動信号の間に、前記第1スイッチ素子、前記第2スイッチ素子及び前記双方向スイッチ素子のいずれも非導通であるデッドオフタイムを設けると共に、少なくとも前記デッドオフタイム中、前記双方向スイッチの2つのゲートのいずれか一方にのみゲート駆動信号を入力し、前記双方向スイッチ素子をダイオードとして機能させることを特徴とする請求項3に記載のマルチレベルインバータ装置。
- 前記双方向スイッチ素子を第1双方向スイッチ素子と呼び、
前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子の直列回路に並列接続された第3スイッチ素子及び第4スイッチ素子の直列回路と、前記2つのコンデンサの接続点と前記第3スイッチ素子と前記第4スイッチ素子の接続点の間に接続され、前記第1双方向スイッチ素子と同一の構造を有する単一の第2双方向スイッチ素子をさらに備え、
前記制御部は、前記第3スイッチ素子、前記第4スイッチ素子及び前記第2双方向スイッチ素子に対してゲート駆動信号を出力し、
前記第1スイッチ素子、前記第2スイッチ素子及び前記第1双方向スイッチ素子を第1スイッチ素子部とし、前記第3スイッチ素子、前記第4スイッチ素子及び前記第2双方向スイッチ素子を第2スイッチ素子部として、前記第1スイッチ素子部からの出力と前記第2スイッチ素子部からの出力の差分を交流電力として出力することを特徴とする請求項1に記載のマルチレベルインバータ装置。 - 前記第1スイッチ素子、前記第2スイッチ素子及び前記第1双方向スイッチ素子で第1スイッチ素子部を構成し、
前記第3スイッチ素子、前記第4スイッチ素子及び前記第2双方向スイッチ素子で第2スイッチ素子部を構成し、
前記制御部は、前記第2スイッチ素子部を前記第1スイッチ素子部よりも高い周波数でスイッチングし、前記第1スイッチ素子部と前記第2スイッチ素子部の位相を反転させて動作させていることを特徴とする請求項5に記載のマルチレベルインバータ装置。 - 前記第3又は第4双方向スイッチ素子は、GaN層と、前記GaN層の上に積層されたAlGaN層で構成され、前記AlGaN層の表面には、2つのドレイン電極と、前記2つのドレイン電極の間に位置するゲート電極が形成されていることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載のマルチレベルインバータ装置。
- 前記第3又は第4双方向スイッチ素子は、
前記2つのドレイン電極の間に2つのゲート電極が形成されており、
前記2つのゲートにそれぞれゲート駆動信号が入力されることにより前記2つのドレイン電極の間が導通し、
前記2つのゲートのいずれにもゲート駆動信号が入力されないことにより前記2つのドレイン電極の間が非導通となり、
前記2つのゲートのいずれか一方にのみゲート駆動信号が入力されることによりダイオードとして機能することを特徴とする請求項7に記載のマルチレベルインバータ装置。 - 前記制御部は、さらに、前記第2双方向スイッチ素子に出力するゲート駆動信号と前記第3スイッチ素子又は前記第4スイッチ素子に対して出力するゲート駆動信号の間に、前記第3スイッチ素子、前記第4スイッチ素子及び前記第1双方向スイッチ素子のいずれも非導通であるデッドオフタイムを設けると共に、少なくとも前記デッドオフタイム中、前記第2双方向スイッチの2つのゲートのいずれか一方にのみゲート駆動信号を入力し、前記双方向スイッチ素子をダイオードとして機能させることを特徴とする請求項8に記載のマルチレベルインバータ装置。
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