JP2011066327A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 半導体素子と、前記半導体素子を支持するダイパッドと、前記半導体素子と前記ダイパッドを接着する接着剤と、前記半導体素子とボンディングワイヤにより電気的に接続された複数の信号用リードと、前記半導体素子、前記ダイパッド、前記接着剤、前記ボンディングワイヤ、及び前記信号用リードの一部を封止樹脂で封止する封止体とを備え、
   前記ダイパッドは、前記封止体の底面から露出している露出部を底面に有し、前記ダイパッドの上面である載置面に対しほぼ平行に設けられた薄肉部を側面に有し、
   前記信号用リードは、屈曲部を有し、前記屈曲部において一端部がアップセットされたインナーリードとなっており、前記信号用リードの他端部は、前記封止体の底面に一部表面を露出した露出部を有する外部接続用端子となっており、
   前記インナーリードは、前記載置面と前記インナーリードの裏面とが同等の高さとなるように屈曲部においてアップセットされており、その幅方向においては、一方に膨らんだ突出形状を有し、他方に前記インナーリードの先端に向かって幅が細くなるように斜めに設けられた傾斜垂直面を有する樹脂封止型半導体装置。
2. 前記突出形状の配置方向は、前記封止体の外側に向かう方向であり、前記傾斜垂直面の配置方向は、前記封止体の内側に向かう方向であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
3. 前記屈曲部は、前記インナーリードの上面に連続して設けられた垂直形状部を有し、前記垂直形状部は前記外部接続用端子の底面に対して垂直であることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂封止型半導体装置。
4. 前記垂直形状部の面は、前記封止体の向き合う面の下辺に対し平行であり、前記傾斜垂直面は、前記ダイパッドの最寄りの辺と対向して平行であることを特徴とする請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置。
5. 前記インナーリードは、前記傾斜垂直面のある側に、前記屈曲部と前記外部接続用端子にかけて切り欠き部を有していることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
6. 前記インナーリードの上面の高さは、前記ダイパッドに載置された前記半導体素子の上面より高いことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
7. 前記インナーリードの上面の平坦部の長さは、前記インナーリードの裏面の平坦部の長さより長いことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
8. 前記外部接続用端子の裏面の平坦部の長さは、前記外部接続用端子の上面の平坦部の長さより長いことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
9. 前記ダイパッド及び前記信号用リードの厚さは５０μｍ以上８０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
10. 前記薄肉部の辺と、前記傾斜垂直面との距離は、前記ダイパッドの厚みより小さいことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
11. 前記ダイパッドは、前記ダイパッドの各辺の頂点部から少なくとも一対の吊ピン形状が設けられて前記ダイパッドと同じ厚みをもって前記封止体の辺まで延在していることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
12. 前記インナーリードは、前記ダイパッドの各辺の略中央部にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
13. 前記インナーリードは、前記少なくとも一対の吊ピン形状を互いに挟むように配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の樹脂封止型半導体装置。
14. 前記薄肉部は、前記ダイパッドの側面部の２辺に繋がる１対の薄肉部であることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか一項に記載の樹脂封止型半導体装置。
15. 前記封止体の各辺の大きさは０．５ｍｍから１．０ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至１４の何れか一項に記載の樹脂封止型半導体装置。
16. ダイパッドと複数の信号用リードを形成し、前記複数の信号用リードのインナーリードとなる部分には突出形状と傾斜垂直面を形成する工程と、
    前記インナーリード部と前記信号用リードの外部接続用端子部との間に屈曲部を形成する工程と、
    前記ダイパッドの側面部に薄肉部を設ける工程とを含むリードフレームを用意する工程と、
    前記ダイパッド上に接着剤を介して半導体素子を搭載する工程と、
    前記半導体素子と前記インナーリードとを互いにボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、
    封止樹脂を用いて前記半導体素子と前記ダイパッドと前記接着剤と前記ボンディングワイヤと前記信号用リードとを封止する工程と、
    前記リードフレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する工程と、
    を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
17. ダイパッドとインナーリードを有する信号用リードとを、前記インナーリードは、前記信号用リード幅方向に対して一方が突出形状を有し、他方が前記信号用リード幅方向内側に傾斜垂直面を有するように形成する工程と、
    前記ダイパッドの側面部に前記ダイパッドの載置面にほぼ平行に薄肉部を設ける工程と、
    前記インナーリード部と前記信号用リードの外部接続用端子部との間に、前記載置面と前記インナーリードの裏面とをほぼ同等の高さとする屈曲部を形成する工程と、
    前記載置面上に接着剤を介して半導体素子を搭載する工程と、
    前記半導体素子と前記インナーリードとを互いにワイヤボンドで電気的に接続する工程と、
    前記ダイパッドの底面の少なくとも一部および外部接続用端子として前記信号用リードの他端部の一部が底面から露出するように封止樹脂で封止する工程と、
    からなる樹脂封止型半導体装置の製造方法。