JP2010165777A5

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Publication number: JP2010165777A5
Application number: JP2009005618A
Authority: JP
Filing date: 2009-01-14
Publication date: 2012-02-16

Description

すなわち、本発明は、上面、及び前記上面とは反対側の下面を有するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたバスバーと、前記ダイパッドを支持し、かつ前記バスバーと繋がる複数の吊りリードと、前記複数の吊りリードの間に配置され、かつ前記バスバーよりも前記ダイパッドから遠い位置に配置された複数のリードと、主面、前記主面に形成された複数の電極パッド、及び前記主面とは反対側の裏面を有し、前記ダイパッドの前記上面上に搭載された半導体チップと、を含むものである。さらに、前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、表面、前記表面とは反対側の実装面、及び前記表面と前記実装面との間の側面を有し、前記複数のリードのそれぞれの一部が前記側面から露出し、前記ダイパッドの前記下面が露出するように、前記バスバー、前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する封止体と、を含むものである。さらに、前記複数の吊りリードのそれぞれには、折り曲げ部が形成されており、前記封止体の厚さ方向において、前記バスバーは、前記リードと前記バスバーとの間隔が前記バスバーと前記封止体の実装面との間隔と同じ、又は前記バスバーと前記封止体の実装面との間隔より大きくなるように、前記リードと前記封止体の実装面との間に配置されているものである。

また、本発明は、以下の工程を含むものである。（ａ）上面、及び前記上面とは反対側の下面を有するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたバスバーと、前記ダイパッドを支持し、かつ前記バスバーと繋がる複数の吊りリードと、前記複数の吊りリードの間に配置され、かつ前記バスバーよりも前記ダイパッドから遠い位置に配置された複数のリードとを備えたリードフレームを準備する工程；（ｂ）主面、前記主面に形成された複数の電極パッド、及び前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記ダイパッドの前記上面上に搭載する工程；（ｃ）前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；（ｄ）前記複数のリードのそれぞれの一部が封止体の側面から露出し、前記ダイパッドの前記下面が露出するように、前記バスバー、前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを樹脂で封止する工程；（ｅ）前記封止体から露出する前記複数のリードのそれぞれを、前記リードフレームから切り離す工程。ここで、前記（ａ）工程では、前記リードフレームの厚さ方向において、前記リードと前記バスバーとの間隔が前記バスバーと前記ダイパッドとの間隔と同じ、又は前記バスバーと前記ダイパッドとの間隔より大きくなるように、前記リードと前記ダイパッドの前記上面との間に配置された前記バスバーを備えた前記リードフレームを準備する。また、前記（ｄ）工程は、（ｄ１）第１キャビティ、及び前記第１キャビティに繋がる第１ゲートを有する上型と、前記第１キャビティと対向する第２キャビティ、及び前記第１ゲートと対向し、前記第２キャビティに繋がる第２ゲートを有する下型とを備えた成型金型を準備する工程；（ｄ２）前記（ｄ１）工程の後、前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを、前記上型の前記第１キャビティと前記下型の前記第２キャビティとの間に配置する工程；（ｄ３）前記（ｄ２）工程の後、前記第１ゲート及び前記第２ゲートを介して前記第１キャビティ及び前記第２キャビティ内に前記樹脂を供給する工程；を有するものである。

Claims

上面、及び前記上面とは反対側の下面を有するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置されたバスバーと、
前記ダイパッドを支持し、かつ前記バスバーと繋がる複数の吊りリードと、
前記複数の吊りリードの間に配置され、かつ前記バスバーよりも前記ダイパッドから遠い位置に配置された複数のリードと、
主面、前記主面に形成された複数の電極パッド、及び前記主面とは反対側の裏面を有し、前記ダイパッドの前記上面上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
表面、前記表面とは反対側の実装面、及び前記表面と前記実装面との間の側面を有し、前記複数のリードのそれぞれの一部が前記側面から露出し、前記ダイパッドの前記下面が露出するように、前記バスバー、前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する封止体と、
を含み、
前記複数の吊りリードのそれぞれには、折り曲げ部が形成されており、
前記封止体の厚さ方向において、前記バスバーは、前記リードと前記バスバーとの間隔が前記バスバーと前記封止体の実装面との間隔と同じ、又は前記バスバーと前記封止体の実装面との間隔より大きくなるように、前記リードと前記封止体の実装面との間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
請求項１記載の半導体装置において、前記封止体の厚さ方向において、前記半導体チップは、前記半導体チップの前記主面が前記リードと前記ダイパッドの前記上面との間に配置されるように、前記ダイパッドの前記上面上に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
請求項２記載の半導体装置において、前記封止体の厚さ方向において、前記バスバーは、前記バスバーの上面が前記半導体チップの前記主面と同じ位置、又は前記バスバーの前記上面が前記半導体チップの前記主面と前記封止体の前記実装面との間に配置されるように、前記ダイパッドの周囲に配置されていることを特徴とする半導体装置。
請求項３記載の半導体装置において、前記ダイパッドの平面形状は、一対の第１辺と、前記第１辺と交差する一対の第２辺とを有する四角形から成り、
前記バスバーの平面形状は、前記ダイパッドの前記第１辺と並ぶ第３辺と、前記ダイパッドの前記第２辺と並ぶ第４辺と、前記第３辺と前記第４辺との間に位置する第５辺とを有する八角形の枠状から成り、
前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記バスバーの前記第５辺と繋がっていることを特徴とする半導体装置。
請求項４記載の半導体装置において、前記バスバーの前記第５辺は、前記吊りリードの延在方向と垂直に交差する方向に延在していることを特徴とする半導体装置。
請求項４記載の半導体装置において、前記バスバーは、前記バスバーの前記第３辺及び前記第４辺と前記ダイパッドとの間に配置された複数の第２吊りリードを介して前記ダイパッドと繋がっており、
前記複数の第２吊りリードのそれぞれには、折り曲げ部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
請求項６記載の半導体装置において、前記ダイパッドのコーナ部は、前記第２吊りリードとは接続しておらず、前記コーナ部は前記封止体の一部と密着していることを特徴とする半導体装置。
請求項３記載の半導体装置において、前記封止体の前記側面には、前記吊りリードの上面側に形成された第１ゲートレジンと、前記吊りリードの前記上面とは反対側である下面側に形成された第２ゲートレジンとが設けられていることを特徴とする半導体装置。
請求項８記載の半導体装置において、前記半導体チップの平面形状は四角形から成り、前記複数の電極パッドは、前記半導体チップの前記主面の辺に沿って配置されていることを特徴とする半導体装置。
請求項９記載の半導体装置において、前記バスバーは、前記バスバーの上面が平面方向に対して傾斜するように、前記リードと前記封止体の前記実装面との間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
請求項１０記載の半導体装置において、前記ダイパッドの外形サイズは、前記半導体チップの外形サイズよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
請求項１１記載の半導体装置において、前記ダイパッドの前記下面は、前記封止体の前記実装面から露出されており、
前記封止体の前記実装面から露出する前記ダイパッドの前記下面は、実装基板の主面に形成された電極パッドと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
請求項１１記載の半導体装置において、前記ダイパッドの前記下面は、前記封止体の前記表面から露出されており、
前記封止体の前記表面には、放熱板が配置されており、
前記封止体の前記表面から露出する前記ダイパッドは、前記放熱板と接続されていることを特徴とする半導体装置。
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）上面、及び前記上面とは反対側の下面を有するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたバスバーと、前記ダイパッドを支持し、かつ前記バスバーと繋がる複数の吊りリードと、前記複数の吊りリードの間に配置され、かつ前記バスバーよりも前記ダイパッドから遠い位置に配置された複数のリードとを備えたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）主面、前記主面に形成された複数の電極パッド、及び前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記ダイパッドの前記上面上に搭載する工程；
（ｃ）前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｄ）前記複数のリードのそれぞれの一部が封止体の側面から露出し、前記ダイパッドの前記下面が露出するように、前記バスバー、前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを樹脂で封止する工程；
（ｅ）前記封止体から露出する前記複数のリードのそれぞれを、前記リードフレームから切り離す工程；
ここで、
前記（ａ）工程では、前記リードフレームの厚さ方向において、前記リードと前記バスバーとの間隔が前記バスバーと前記ダイパッドとの間隔と同じ、又は前記バスバーと前記ダイパッドとの間隔より大きくなるように、前記リードと前記ダイパッドの前記上面との間に配置された前記バスバーを備えた前記リードフレームを準備し、
前記（ｄ）工程は、
（ｄ１）第１キャビティ、及び前記第１キャビティに繋がる第１ゲートを有する上型と、前記第１キャビティと対向する第２キャビティ、及び前記第１ゲートと対向し、前記第２キャビティに繋がる第２ゲートを有する下型とを備えた成型金型を準備する工程；
（ｄ２）前記（ｄ１）工程の後、前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを、前記上型の前記第１キャビティと前記下型の前記第２キャビティとの間に配置する工程；
（ｄ３）前記（ｄ２）工程の後、前記第１ゲート及び前記第２ゲートを介して前記第１キャビティ及び前記第２キャビティ内に前記樹脂を供給する工程；
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記上型は、前記リードフレームの上面と接触する第１パーティング面を有し、
前記下型は、前記リードフレームの下面と接触する第２パーティング面を有し、
前記複数のリードのそれぞれから前記ダイパッドまでの間隔は、前記第２パーティング面から前記第２キャビティの底面までの間隔よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程と前記（ｅ）工程の間において、各リード間のダムを切断し、さらに前記ダムの切断後に外装めっきを塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。