JP2010027821A5 - - Google Patents

Claims (25)

1. 以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
   （ａ）上面および前記上面と反対側の下面を有するチップ搭載部、前記チップ搭載部を支持する複数の吊りリード、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリード、および前記複数の吊りリードおよび前記複数のリードと一体に形成された枠体とを備えたリードフレームを準備する工程；
   （ｂ）第１主面、前記第１主面に形成されたセンサ部、前記第１主面に形成され、前記センサ部と電気的に接続された複数のパッド、前記第１主面と反対側の第１裏面、および前記第１主面と前記第１裏面との間に位置する第１側面、を有する半導体チップを、前記第１裏面が前記チップ搭載部の前記上面と対向するように、第１接着材を介して前記チップ搭載部の前記上面上に搭載する工程；
   （ｃ）第２主面、前記第２主面と反対側の第２裏面、および前記第２主面と前記第２裏面との間に位置する第２側面を有するガラス板材を、前記第２裏面が前記半導体チップの前記第１主面と対向し、かつ前記半導体チップの前記センサ部が覆われるように、第２接着材を介して前記半導体チップの前記第１主面上に搭載する工程；
   （ｄ）前記半導体チップの前記複数のパッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
   （ｅ）前記ガラス板材の前記第２側面の一部および前記ガラス板材の前記第２主面が露出するように、前記半導体チップ、前記ガラス板材、および前記複数のワイヤを樹脂で封止し、封止体を形成する工程；
   （ｆ）前記封止体から露出した前記複数のリードのそれぞれの前記下面に金属層を形成する工程；
   （ｇ）前記複数の吊りリードおよび前記複数のリードのそれぞれと前記枠体との間をそれぞれ切断する工程、
   ここで、前記封止体は、以下の工程により形成される、
   （ｅ１）上型、前記上型と対向する下型を有する成形金型を準備する工程；
   （ｅ２）前記上型と前記下型との間にフィルムを配置する工程；
   （ｅ３）前記半導体チップおよび前記ガラス板材が搭載された前記リードフレームを、前記フィルムと前記下型との間に配置する工程；
   （ｅ４）前記（ｅ３）工程の後、前記上型および前記下型をクランプし、前記ガラス板材の一部を前記フィルムに食い込ませる工程；
   （ｅ５）前記（ｅ４）工程の後、前記フィルムおよび前記下型との間に前記樹脂を供給し、前記封止体を形成する工程；
   （ｅ６）前記（ｅ５）工程の後、前記上型および前記下型を型開きし、前記封止体が形成された前記リードフレームを前記成形金型から取り出す工程。
2. 請求項１において、
   前記（ｅ）工程では、前記チップ搭載部の下面が前記封止体の下面側から露出するように封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項２において、
   前記（ｅ４）工程では、前記チップ搭載部、前記第１接着材、前記半導体チップ、前記第２接着材、および前記ガラス板材の中心が、それぞれ厚さ方向に重なる位置に配置された状態で前記ガラス板材の一部を前記フィルムに食い込ませることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１において、
   前記（ｅ４）工程には、
   （ｅ４ａ）前記上型と前記下型の距離を、第１速度で近づけて、前記フィルムの下面と前記ガラス板材の前記第２主面とを当接させる工程と、
   （ｅ４ｂ）前記（ｅ４ａ）工程の後、前記上型と前記下型の距離を、前記第１速度よりも遅い第２速度で近づけて前記ガラス板材の一部を前記フィルムに食い込ませる工程とが含まれることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４において、
   前記第２速度は、前記上型と前記下型の距離が近づくにつれて遅くなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１において、
   前記チップ搭載部の上面の面積は、前記半導体チップの前記第１裏面の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項１において、
   前記第２接着材の厚さは、前記第１接着材の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項１において、
   前記（ｃ）工程において、前記半導体チップの前記第１主面上に搭載される前記ガラス板材の前記第２主面の高さは、前記（ｄ）工程において、前記複数のパッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続した前記複数のワイヤの頂部の高さよりも上側となるように搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項１において、
   前記（ｃ）工程では、前記第２接着材を前記半導体チップの前記第１主面における前記センサ部の周囲に配置し、前記センサ部が形成された領域では、前記ガラス板材の前記第２裏面と前記センサ部との間が中空となるように前記ガラス板材を搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項１において、
    前記（ｅ）工程の前に、前記ガラス板材の前記第２主面に保護シートを貼り付け、
    前記（ｅ４）工程では、前記ガラス板材の一部および前記保護シートを前記フィルムに食い込ませることを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
    （ａ）上面および前記上面と反対側の下面を有するチップ搭載部、前記チップ搭載部を支持する複数の吊りリード、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリード、および前記複数の吊りリードおよび前記複数のリードと一体に形成された枠体とを備えたリードフレームを準備する工程；
    （ｂ）第１主面、前記第１主面に形成されたセンサ部、前記第１主面に形成され、前記センサ部と電気的に接続された複数のパッド、前記第１主面と反対側の第１裏面、および前記第１主面と前記第１裏面との間に位置する第１側面、を有する半導体チップを、前記第１裏面が前記チップ搭載部の前記上面と対向するように、第１接着材を介して前記チップ搭載部の前記上面上に搭載する工程；
    （ｃ）第２主面、前記第２主面と反対側の第２裏面、および前記第２主面と前記第２裏面との間に位置する第２側面を有するガラス板材を、前記第２裏面が前記半導体チップの前記第１主面と対向し、かつ前記半導体チップの前記センサ部が覆われるように、第２接着材を介して前記半導体チップの前記第１主面上に搭載する工程；
    （ｄ）前記半導体チップの前記複数のパッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
    （ｅ）前記ガラス板材の前記第２側面の一部および前記ガラス板材の前記第２主面が露出するように、前記半導体チップ、前記ガラス板材、および前記複数のワイヤを樹脂で封止し、封止体を形成する工程；
    （ｆ）前記封止体から露出した前記複数のリードのそれぞれの前記下面に金属層を形成する工程；
    （ｇ）前記複数の吊りリードおよび前記複数のリードのそれぞれと前記枠体との間をそれぞれ切断する工程、
    ここで、前記ガラス板材の前記第２主面上には、前記（ｅ）工程の前に、上面および前記上面と反対側の下面を有し、前記ガラス板材の前記第２主面を被覆する保護シートが、前記保護シートの下面が前記ガラス板材の前記第２主面と対向するように貼り付けられており、
    前記封止体は、以下の工程により形成される、
    （ｅ１）上型、前記上型と対向する下型を有する成形金型を準備する工程；
    （ｅ２）前記上型と前記下型との間にフィルムを配置する工程；
    （ｅ３）前記半導体チップおよび前記ガラス板材が搭載された前記リードフレームを、前記フィルムと前記下型との間に配置する工程；
    （ｅ４）前記（ｅ３）工程の後、前記上型および前記下型をクランプし、前記保護シートを前記フィルムに食い込ませる工程；
    （ｅ５）前記（ｅ４）工程の後、前記フィルムおよび前記下型との間に前記樹脂を供給し、前記封止体を形成する工程；
    （ｅ６）前記（ｅ５）工程の後、前記上型および前記下型を型開きし、前記封止体が形成された前記リードフレームを前記成形金型から取り出す工程。
12. 請求項１１において、
    前記（ｅ）工程では、前記チップ搭載部の下面が前記封止体の下面側から露出するように封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. 請求項１２において、
    前記（ｅ４）工程では、前記チップ搭載部、前記第１接着材、前記半導体チップ、前記第２接着材、および前記ガラス板材の中心が、それぞれ厚さ方向に重なる位置に配置された状態で前記ガラス板材の一部を前記フィルムに食い込ませることを特徴とする半導体装置の製造方法。
14. 請求項１１において、
    前記保護シートの厚さは、前記フィルムの厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
15. 請求項１１において、
    前記保護シートの前記下面の外形寸法は、前記ガラス板材の前記第２主面の外形寸法以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
16. 請求項１１において、
    前記（ｅ４）工程には、
    （ｅ４ａ）前記上型と前記下型の距離を、第１速度で近づけて、前記フィルムの下面と前記保護シートの前記上面とを当接させる工程と、
    （ｅ４ｂ）前記（ｅ４ａ）工程の後、前記上型と前記下型の距離を、前記第１速度よりも遅い第２速度で近づけて前記保護シートを前記フィルムに食い込ませる工程とが含まれることを特徴とする半導体装置の製造方法。
17. 請求項１１において、
    前記チップ搭載部の上面の面積は、前記半導体チップの前記第１裏面の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
18. 請求項１１において、
    前記第２接着材の厚さは、前記第１接着材の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
19. 請求項１１において、
    前記（ｃ）工程において、前記半導体チップの前記第１主面上に搭載される前記ガラス板材の前記第２主面の高さは、前記（ｄ）工程において、前記複数のパッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続した前記複数のワイヤの頂部の高さよりも上側となるように搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
20. 上面、および前記上面と反対側の下面を有するチップ搭載部と、
    前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、
    第１主面、前記第１主面に形成されたセンサ部、前記第１主面に形成され、前記センサ部と電気的に接続された複数のパッド、前記第１主面と反対側の第１裏面、および前記第１主面と前記第１裏面との間に位置する第１側面を有し、前記第１裏面が前記チップ搭載部の前記上面と対向するように、第１接着材を介して前記チップ搭載部の前記上面上に搭載された半導体チップと、
    第２主面、前記第２主面と反対側の第２裏面、および前記第２主面と前記第２裏面との間に位置する第２側面を有し、前記第２裏面が前記半導体チップの前記第１主面と対向し、かつ前記半導体チップの前記センサ部が覆われるように、第２接着材を介して前記半導体チップの前記第１主面上に搭載されたガラス板材と、
    前記半導体チップの前記複数のパッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
    前記ガラス板材の前記第２側面の一部および前記ガラス板材の前記第２主面が露出するように、前記半導体チップ、前記ガラス板材、および前記複数のワイヤを封止する封止体と、
    を含むことを特徴とする半導体装置。
21. 請求項２０において、
    前記チップ搭載部の下面が前記封止体の下面側から露出していることを特徴とする半導体装置。
22. 請求項２０において、
    前記第２接着材の厚さは、前記第１接着材の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。
23. 請求項２０において、
    前記ガラス板材の前記第２主面上には、上面および前記上面と反対側の下面を有し、前記ガラス板材の前記第２主面を被覆する保護シートが、前記保護シートの下面が前記ガラス板材の前記第２主面と対向するように貼り付けられていることを特徴とする半導体装置。
24. 上面、前記上面と反対側の下面、前記上面に配置されるチップ搭載部、前記上面において前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のボンディングリード、および前記下面に配置され前記複数のボンディングリードとそれぞれ電気的に接続される外部端子を備えた配線基板と、
    第１主面、前記第１主面に形成されたセンサ部、前記第１主面に形成され、前記センサ部と電気的に接続された複数のパッド、前記第１主面と反対側の第１裏面、および前記第１主面と前記第１裏面との間に位置する第１側面を有し、前記第１裏面が前記チップ搭載部の前記上面と対向するように、第１接着材を介して前記チップ搭載部上に搭載された半導体チップと、
    第２主面、前記第２主面と反対側の第２裏面、および前記第２主面と前記第２裏面との間に位置する第２側面を有し、前記第２裏面が前記半導体チップの前記第１主面と対向し、かつ前記半導体チップの前記センサ部が覆われるように、第２接着材を介して前記半導体チップの前記第１主面上に搭載されたガラス板材と、
    前記半導体チップの前記複数のパッドと前記複数のボンディングリードとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
    前記ガラス板材の前記第２側面の一部および前記ガラス板材の前記第２主面が露出するように、前記半導体チップ、前記ガラス板材、および前記複数のワイヤを封止する封止体と、
    を含むことを特徴とする半導体装置。
25. 請求項２４において、
    前記ガラス板材の前記第２主面上には、上面および前記上面と反対側の下面を有し、前記ガラス板材の前記第２主面を被覆する保護シートが、前記保護シートの下面が前記ガラス板材の前記第２主面と対向するように貼り付けられていることを特徴とする半導体装置。