JP2013534719A5

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Publication number: JP2013534719A5
Application number: JP2013514619A
Authority: JP
Filing date: 2011-05-25
Publication date: 2014-07-10
Anticipated expiration: 2031-05-25

Claims

表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品（１）であって、
放射通過面（１０）と、
オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）と、
空洞（３１）が形成されているチップキャリア（３）であって、前記空洞（３１）の中に前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）が配置されている、前記チップキャリア（３）と、
前記チップキャリア（３）の少なくとも一部分を囲んでいる成形体（５）と、
を備えており、
前記放射通過面（１０）に直角な垂直方向において、前記チップキャリア（３）が前記成形体（５）を完全に貫いており、
前記成形体（５）が、垂直方向には、前記チップキャリア（３）の上部（３５）によって決まる第１の主面（５５）と、前記チップキャリア（３）の下部（３６）によって決まる第２の主面（５６）との間に、その全体が形成されており、前記成形体（５）が、コンタクト構造（４）の領域に凹部（５１）を備えており、
前記成形体（５）の中に前記コンタクト構造（４）が配置されており、前記コンタクト構造（４）が垂直方向に前記成形体を完全に貫いており、前記コンタクト構造（４）が、接続線（８）を介して前記半導体チップ（２）に導電接続されており、前記接続線（８）の一部分が、前記第１の主面（５５）と前記放射通過面（１０）との間に延びている、
表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
前記チップキャリア（３）が第１のコンタクト（６１）を形成しており、前記コンタクト構造（４）がさらなるコンタクト（６２）を形成しており、前記第１のコンタクト（６１）および前記さらなるコンタクト（６２）が、前記放射通過面（１０）とは反対側の前記部品（１）の面に配置されている、
請求項１に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
前記空洞（３１）の側面（３１１）が、前記オプトエレクトロニクス部品（１）の動作時に前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）によって生成される放射、もしくは前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）によって受信される放射、またはその両方に対して、反射性であるように構成されている、
請求項１または請求項２に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
前記空洞（３１）の底面（３１０）が第１のコーティングを備えており、前記空洞（３１）の前記側面（３１１）が第２のコーティングを備えており、前記第１のコーティングが金を含んでおり、前記第２のコーティングが、銀、アルミニウム、ロジウム、またはクロムを含んでいる、
請求項３に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）がカバー体（７）に埋め込まれており、前記カバー体（７）が前記成形体（５）を少なくとも部分的に覆っている、
請求項１から請求項４の何れか１項に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
前記チップキャリア（３）がアンカー構造（３２，３２ａ，３２ｂ）を備えており、前記アンカー構造（３２，３２ａ，３２ｂ）の上に前記カバー体（７）もしくは前記成形体（５）またはその両方が成形されている、
請求項５に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
前記カバー体（７）と前記成形体（５）が、少なくとも、前記放射通過面（１０）に沿って延びる方向において、端部が揃っている、
請求項５または請求項６に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
表面実装可能な部品（１）の製造方法であって、
ａ）チップキャリア（３）を形成するステップであって、前記チップキャリア（３）の上部（３５）に空洞（３１）が形成されているステップと、
ｂ）前記空洞（３１）の中にオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）を配置するステップと、
ｃ）前記チップキャリア（３）を補助キャリア（１５）の上に配置するステップと、
ｄ）前記チップキャリア（３）を有する前記補助キャリア（１５）を成形型（５９）の中に配置するステップであって、前記空洞（３１）が、前記成形型（５９）と前記チップキャリア（３）の前記上部（３５）とによって密閉されるステップと、
ｅ）前記成形型（５９）に成形用組成物（５０）を満たすステップであって、前記成形用組成物（５０）が、前記空洞（３１）の外側において、前記チップキャリア（３）の少なくとも一部分に成形されるステップと、
ｆ）前記成形型（５９）を除去するステップと、
ｇ）前記補助キャリア（１５）を除去するステップと、
を含んでいる、方法。
前記補助キャリア（１５）の上にコンタクト構造（４）が設けられ、
ステップｅ）において、前記チップキャリア（３）と前記コンタクト構造（４）が成形体（５）によって機械的に互いに結合される、
請求項８に記載の方法。
前記チップキャリア（３）が外側側面（３９）を備えており、前記外側側面（３９）が前記チップキャリア（３）の前記上部（３５）から前記下部（３６）まで延在しており、前記外側側面（３９）が前記成形用組成物（５０）によって完全に囲まれる、
請求項８または請求項９に記載の方法。
前記成形体（５）が、射出成形またはトランスファ成形によって形成される、
請求項８から請求項１０の何れか１項に記載の方法。
ステップｅ）の後、前記半導体チップ（２）にカバー体（７）が設けられ、前記カバー体（７）が前記成形体（５）を完全に覆う、
請求項８から請求項１１の何れか１項に記載の方法。
請求項１から請求項７の何れか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品が製造される、
請求項８から請求項１２の何れか１項に記載の方法。